JPH01161717A - Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01161717A JPH01161717A JP62318558A JP31855887A JPH01161717A JP H01161717 A JPH01161717 A JP H01161717A JP 62318558 A JP62318558 A JP 62318558A JP 31855887 A JP31855887 A JP 31855887A JP H01161717 A JPH01161717 A JP H01161717A
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- Japan
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- ray
- pattern
- film
- thin film
- absorber pattern
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高精度のＸ線露光マスクおよびその製造方法
に関する。
に関する。
［従来の技術］
従来性われてきたＸ線露光マスクの製造方法の一つとし
て特願昭５６−１１３３４８号に示される方法がある。
て特願昭５６−１１３３４８号に示される方法がある。
この方法は第２図に示すように、まず（１００） Ｓｉ
単結晶基板（以後Ｓｉ基板と記す）２１のいずれか一方
の表面にＳｉ３Ｎ４ 、 ５ｉ０２またはＳｉＣのいず
れか一つ、もしくはこれらの複合膜からなる薄膜２２を
堆積しく第２図（ａ））、次いでこの薄膜２２の所定の
領域を除去してＸ線吸収体パターン形成領域に対応する
開口窓２３および分割用溝に対応する開口部２４を有す
るパターン２２゛を形成する（第２図（ｂ））、ざらに
このＳｉ基板２１の他方の表面上にＸ線透過性薄膜２５
を堆積した後（第２図（Ｃ））、このＸ線透過性薄膜２
５の上にＡｕ、 −またはＴａ等の重金属よりなるＸ
線吸収体パターン２６を形成しく第２図（ｄ））、次い
で前記薄膜パターン２２°を保護膜として該Ｓｉ基板２
１の一部を異方性エツチング液を用いて除去し、窓２３
°および分割溝２４°を形成する（第２図（ｅ））。最
後にこの分割溝２４°を境にしてＳｉ基板２１を分割し
て複数のＸ線露光マスクが得られる（第２図（ｆ））。
単結晶基板（以後Ｓｉ基板と記す）２１のいずれか一方
の表面にＳｉ３Ｎ４ 、 ５ｉ０２またはＳｉＣのいず
れか一つ、もしくはこれらの複合膜からなる薄膜２２を
堆積しく第２図（ａ））、次いでこの薄膜２２の所定の
領域を除去してＸ線吸収体パターン形成領域に対応する
開口窓２３および分割用溝に対応する開口部２４を有す
るパターン２２゛を形成する（第２図（ｂ））、ざらに
このＳｉ基板２１の他方の表面上にＸ線透過性薄膜２５
を堆積した後（第２図（Ｃ））、このＸ線透過性薄膜２
５の上にＡｕ、 −またはＴａ等の重金属よりなるＸ
線吸収体パターン２６を形成しく第２図（ｄ））、次い
で前記薄膜パターン２２°を保護膜として該Ｓｉ基板２
１の一部を異方性エツチング液を用いて除去し、窓２３
°および分割溝２４°を形成する（第２図（ｅ））。最
後にこの分割溝２４°を境にしてＳｉ基板２１を分割し
て複数のＸ線露光マスクが得られる（第２図（ｆ））。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら上記の方法においては、重金属で形成した
極めて微細なＸ線吸収体パターンがＸ線透過性薄膜上に
露出して形成されているために、Ｓｉ基板の一部を異方
性エツチング液を用いて除去するに際して、該Ｘ線吸収
体パターンが異方性エツチング液にざらされると、該Ｘ
線透過性薄膜から剥離する欠点があった。このため上記
のエツチング工程では、重金属のＸ線吸収体パターン２
６を特殊な治具を用いて保護しつつ、Ｓｉ基板の裏面の
みを１枚ずつ極めて慎重にエツチングしなければならな
かった。その結果、Ｘ線露光マスク１枚当りの、エツチ
ング時間は１時間ないし２時間にもなり、生産性が低い
という問題点があった。さらに従来のＳｉ基板の窓開は
工程においては、エツチング治具へのウェハの固定が難
しいためにしばしばＸ線吸収体パターンがエツチング液
にさらされ、パターンの剥離・流失を招くこととなり、
最終工程にして員重なＸ線露光マスクを失うことがあり
、歩留りが低下するという問題点もあった。
極めて微細なＸ線吸収体パターンがＸ線透過性薄膜上に
露出して形成されているために、Ｓｉ基板の一部を異方
性エツチング液を用いて除去するに際して、該Ｘ線吸収
体パターンが異方性エツチング液にざらされると、該Ｘ
線透過性薄膜から剥離する欠点があった。このため上記
のエツチング工程では、重金属のＸ線吸収体パターン２
６を特殊な治具を用いて保護しつつ、Ｓｉ基板の裏面の
みを１枚ずつ極めて慎重にエツチングしなければならな
かった。その結果、Ｘ線露光マスク１枚当りの、エツチ
ング時間は１時間ないし２時間にもなり、生産性が低い
という問題点があった。さらに従来のＳｉ基板の窓開は
工程においては、エツチング治具へのウェハの固定が難
しいためにしばしばＸ線吸収体パターンがエツチング液
にさらされ、パターンの剥離・流失を招くこととなり、
最終工程にして員重なＸ線露光マスクを失うことがあり
、歩留りが低下するという問題点もあった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、生産性および歩留りの共に向上した
Ｘ線露光マスクを提供することを目的とする。
になされたもので、生産性および歩留りの共に向上した
Ｘ線露光マスクを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、所定の二次元パターンを構成する重金属から
なるＸ線吸収体パターンと、このＸ線吸収体パターンを
支持するＸ線透過性薄膜と、このＸ線透過性薄膜の辺端
部を支持するシリコンで形成された枠とからなるＸ線露
光マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体パターンがダイヤモ
ンド薄膜で被覆されてなることを特徴とするＸ線露光マ
スクでおり、またその製造方法は、（１００）シリコン
単結晶基板の一表面に所定のパターンを有するエツチン
グ保護膜を形成する工程と、このシリコン単結晶基板の
他の表面にＸ線透過性薄膜を形成する工程と、このＸ線
透過性薄膜の表面上に所定のパターンを有する重金属か
らなるＸ線吸収体パターンを形成する工程と、このＸ線
吸収体パターン形成面上の少なくとも前記Ｘ線吸収体パ
ターンをダイヤモンド薄膜で被覆する工程と、前記エツ
チング保護膜をマスクにして前記シリコン単結晶基板の
所定の領域を異方性エツチングにより蝕刻除去する工程
と、この異方性エツチングにより形成された溝を境にし
て基板を分割し、複数のＸ線露光マスクを作製してなる
ことを特徴とする。
なるＸ線吸収体パターンと、このＸ線吸収体パターンを
支持するＸ線透過性薄膜と、このＸ線透過性薄膜の辺端
部を支持するシリコンで形成された枠とからなるＸ線露
光マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体パターンがダイヤモ
ンド薄膜で被覆されてなることを特徴とするＸ線露光マ
スクでおり、またその製造方法は、（１００）シリコン
単結晶基板の一表面に所定のパターンを有するエツチン
グ保護膜を形成する工程と、このシリコン単結晶基板の
他の表面にＸ線透過性薄膜を形成する工程と、このＸ線
透過性薄膜の表面上に所定のパターンを有する重金属か
らなるＸ線吸収体パターンを形成する工程と、このＸ線
吸収体パターン形成面上の少なくとも前記Ｘ線吸収体パ
ターンをダイヤモンド薄膜で被覆する工程と、前記エツ
チング保護膜をマスクにして前記シリコン単結晶基板の
所定の領域を異方性エツチングにより蝕刻除去する工程
と、この異方性エツチングにより形成された溝を境にし
て基板を分割し、複数のＸ線露光マスクを作製してなる
ことを特徴とする。
［作用］
本発明のＸ線露光マスクの製造方法は、従来用いていた
特殊な治具に代わり、耐酸・耐アルカリ性に極めて優れ
、かつ比較的低温で形成できるダイヤモンド薄膜をＸ線
吸収体パターンに被覆し、このダイヤモンド薄膜により
該Ｘ線吸収体パターンを異方性エツチング液から保護し
つつＳｉ基板の窓開けを行う。Ｘ線吸収体パターンはダ
イヤモンド薄膜によって保護されているので、従来のよ
うに特殊な治具を用いて保護しつつ慎重に１枚ずつエツ
チングする必要がなく、多数枚のウェハを一括して処理
することができる。
特殊な治具に代わり、耐酸・耐アルカリ性に極めて優れ
、かつ比較的低温で形成できるダイヤモンド薄膜をＸ線
吸収体パターンに被覆し、このダイヤモンド薄膜により
該Ｘ線吸収体パターンを異方性エツチング液から保護し
つつＳｉ基板の窓開けを行う。Ｘ線吸収体パターンはダ
イヤモンド薄膜によって保護されているので、従来のよ
うに特殊な治具を用いて保護しつつ慎重に１枚ずつエツ
チングする必要がなく、多数枚のウェハを一括して処理
することができる。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明のＸ線露光マスクの製造方法の一例を工
程順に示した断面図である。まず第１図（ａ）に示すよ
うに、（１００）Ｓｉ単結晶基板１１の一表面上に高温
ＣＶＤ法により数千八属のＳ ｉ３ Ｎ４膜を堆積し、
通常のフォトリソグラフィ技術により所望のパターン１
２を形成する。次に第１図（ｂ）に示すようにＳｉ基板
１１の反対面上にＳｉＣまたはシリコン窒化膜もしくは
ダイヤモンドのいずれか、もしくはこれらの複合膜から
なるＸ線透過性薄膜１３を堆積し、続いて第１図（Ｃ）
に示すようにＲＦスパッタリング法によりＸ線透過性薄
膜１３の表面上に聾、丁ａもしくはＡｕのいずれかの重
金属薄膜１４を堆′ 積する。
程順に示した断面図である。まず第１図（ａ）に示すよ
うに、（１００）Ｓｉ単結晶基板１１の一表面上に高温
ＣＶＤ法により数千八属のＳ ｉ３ Ｎ４膜を堆積し、
通常のフォトリソグラフィ技術により所望のパターン１
２を形成する。次に第１図（ｂ）に示すようにＳｉ基板
１１の反対面上にＳｉＣまたはシリコン窒化膜もしくは
ダイヤモンドのいずれか、もしくはこれらの複合膜から
なるＸ線透過性薄膜１３を堆積し、続いて第１図（Ｃ）
に示すようにＲＦスパッタリング法によりＸ線透過性薄
膜１３の表面上に聾、丁ａもしくはＡｕのいずれかの重
金属薄膜１４を堆′ 積する。
しかる後、第１図（ｄ）に示すように電子ビームリソグ
ラフィ法または集束イオンビームリソグラフィ法により
、所望のレジストパターン１５を形成し、このレジスト
パターン１５を保護膜にして重金属薄膜１４の所定の領
域を反応性イオンエツチング法により除去し、第１図（
ｅ）に示すようにＸ線吸収体パターン１６を形成する。
ラフィ法または集束イオンビームリソグラフィ法により
、所望のレジストパターン１５を形成し、このレジスト
パターン１５を保護膜にして重金属薄膜１４の所定の領
域を反応性イオンエツチング法により除去し、第１図（
ｅ）に示すようにＸ線吸収体パターン１６を形成する。
次にイオン化蒸着法もしくはプラズマＣＶＤ法等の方法
により１、Ｘ線吸収体パターン１６を覆うように０．２
ｐｍないし０．５ＩＪｍ程度の厚さのダイヤモンド薄膜
１７を形成し、沸騰した約３０ｗｔ％のＫＯＨ水溶液に
浸して第１図（ｆ）に示すように露光用窓１８と溝１９
を形成する。
により１、Ｘ線吸収体パターン１６を覆うように０．２
ｐｍないし０．５ＩＪｍ程度の厚さのダイヤモンド薄膜
１７を形成し、沸騰した約３０ｗｔ％のＫＯＨ水溶液に
浸して第１図（ｆ）に示すように露光用窓１８と溝１９
を形成する。
最後に上記溝１９を境にして、Ｓｉ基板１１を分割すれ
ば、第１図１）に示すような矩形のＳｉフレームを有す
るＸ線露光マスクが複数個同時に得られる。
ば、第１図１）に示すような矩形のＳｉフレームを有す
るＸ線露光マスクが複数個同時に得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によればＳｉ基板の窓開は
工程は１０枚ないし２０枚程度のＳｉウェハを一括して
処理できるため、Ｘ線マスク１個当りのエツチング時間
は高々約２〜３分である。従って１時間当り、２０〜３
０枚のＸ線マスクの窓開けを行うことができ、従来の方
法に比べておよそ１桁生産性が向上する。このため工業
的にも実用的な生産性が達成されると共に、Ｓｉウェハ
を通常のウェハバスケットに入れてにＯＨ水溶液に浸す
だけで、所定の領域が容易に除去できるため、歩留りも
著しく高められる。
工程は１０枚ないし２０枚程度のＳｉウェハを一括して
処理できるため、Ｘ線マスク１個当りのエツチング時間
は高々約２〜３分である。従って１時間当り、２０〜３
０枚のＸ線マスクの窓開けを行うことができ、従来の方
法に比べておよそ１桁生産性が向上する。このため工業
的にも実用的な生産性が達成されると共に、Ｓｉウェハ
を通常のウェハバスケットに入れてにＯＨ水溶液に浸す
だけで、所定の領域が容易に除去できるため、歩留りも
著しく高められる。
また本発明のＸ線露光マスクを用いてＸ線露光を行うと
、Ｘ線吸収体を被覆しているダイヤモンド薄膜がＸ線吸
収体パターンから放出される二次電子を捕獲し、自らは
二次電子を僅かしか放出しないので、Ｘ線露光マスクの
実効的なコントラストを高める効果もある。
、Ｘ線吸収体を被覆しているダイヤモンド薄膜がＸ線吸
収体パターンから放出される二次電子を捕獲し、自らは
二次電子を僅かしか放出しないので、Ｘ線露光マスクの
実効的なコントラストを高める効果もある。
第１図は本発明のＸ線露光マスクの製造方法を説明する
工程図、第２図は従来のＸ線露光マスクの製造工程図で
ある。 １１．２１・・・Ｓｉ単結晶基板 １２・・・Ｓｉ３Ｎ
４膜パターン１３．２５・・・Ｘ線透過性薄膜 １４・・・重金属薄膜 １５・・・レジストパタ
ーン１６．２６・・・Ｘ線吸収体パターン
工程図、第２図は従来のＸ線露光マスクの製造工程図で
ある。 １１．２１・・・Ｓｉ単結晶基板 １２・・・Ｓｉ３Ｎ
４膜パターン１３．２５・・・Ｘ線透過性薄膜 １４・・・重金属薄膜 １５・・・レジストパタ
ーン１６．２６・・・Ｘ線吸収体パターン
Claims (2)
- （１）所定の二次元パターンを構成する重金属からなる
Ｘ線吸収体パターンと、このＸ線吸収体パターンを支持
するＸ線透過性薄膜と、このＸ線透過性薄膜の辺端部を
支持するシリコンで形成された枠とからなるＸ線露光マ
スクにおいて、前記Ｘ線吸収体パターンがダイヤモンド
薄膜で被覆されてなることを特徴とするＸ線露光マスク
。 - （２）（１００）シリコン単結晶基板の一表面に所定の
パターンを有するエッチング保護膜を形成する工程と、
このシリコン単結晶基板の他の表面にＸ線透過性薄膜を
形成する工程と、このＸ線透過性薄膜の表面上に所定の
パターンを有する重金属からなるＸ線吸収体パターンを
形成する工程と、このＸ線吸収体パターン形成面上の少
なくとも前記Ｘ線吸収体パターンをダイヤモンド薄膜で
被覆する工程と、前記エッチング保護膜をマスクにして
前記シリコン単結晶基板の所定の領域を異方性エッチン
グにより蝕刻除去する工程と、この異方性エッチングに
より形成された溝を境にして基板を分割し、複数のＸ線
露光マスクを作製してなることを特徴とするＸ線露光マ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318558A JPH01161717A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318558A JPH01161717A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161717A true JPH01161717A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18100470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318558A Pending JPH01161717A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161717A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132425A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS61222129A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318558A patent/JPH01161717A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132425A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS61222129A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
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