JPH03257923A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03257923A JPH03257923A JP5719890A JP5719890A JPH03257923A JP H03257923 A JPH03257923 A JP H03257923A JP 5719890 A JP5719890 A JP 5719890A JP 5719890 A JP5719890 A JP 5719890A JP H03257923 A JPH03257923 A JP H03257923A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- phosphorus glass
- semiconductor substrate
- film
- liquid type
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、詳しくは、同装置の絶縁保護膜
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
従来、絶縁保護膜には、ＣＶＤ法を用いた堆積膜が主に
使われている。
使われている。
以下、従来の半導体装置について説明する。
第２図は従来の半導体装置の断面図であり、１は半導体
基板、２は半導体基板１の表面全域に形成された酸化膜
、３は酸化膜２の表面に選択的に形成された金属配線、
４は半導体基板１と金属配線３とのコンタクト部、５．
６はそれぞれ全域にＣＶＤ法により堆積されたリンガラ
ス層と二酸化珪素膜であり絶縁保護膜の役目を果してい
る。
基板、２は半導体基板１の表面全域に形成された酸化膜
、３は酸化膜２の表面に選択的に形成された金属配線、
４は半導体基板１と金属配線３とのコンタクト部、５．
６はそれぞれ全域にＣＶＤ法により堆積されたリンガラ
ス層と二酸化珪素膜であり絶縁保護膜の役目を果してい
る。
発明が解決しようとする課題
前記のような構造では、金属配線３．３間あるいは金属
配線３の半導体基板１へのコンタクト部４で絶縁保護膜
５．６のカバレージが悪くなり、その部分からの吸湿に
より耐湿性不良を起こしやすいという問題点を有してい
た。
配線３の半導体基板１へのコンタクト部４で絶縁保護膜
５．６のカバレージが悪くなり、その部分からの吸湿に
より耐湿性不良を起こしやすいという問題点を有してい
た。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、絶縁保護
膜のカバレージを良くし、耐湿性に強い半導体装置を提
供することを目的とする。
膜のカバレージを良くし、耐湿性に強い半導体装置を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を連成するために本発明の半導体装置は、半導
体基板表面上に作り込まれた半導体回路を保護する絶縁
膜を、液状のリンガラスをスピンコードにより塗布後硬
化して形成するものである。
体基板表面上に作り込まれた半導体回路を保護する絶縁
膜を、液状のリンガラスをスピンコードにより塗布後硬
化して形成するものである。
作用
この構成によって液状のリンガラスが金属配線間あるい
は金属配線の凹部を埋めるため、上層の絶縁保護膜を平
坦にすることができる。
は金属配線の凹部を埋めるため、上層の絶縁保護膜を平
坦にすることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の一実施例における半導体装
置の断面図を示すものである。第１図において、１は半
導体基板、２は酸化膜、３は金属配線、４はコンタクト
部、５はリンガラス層、６は二酸化珪素膜で、これらは
従来例の構成と同じである。７は波状のリンガラスをス
ピンコードで塗布し、熱処理で硬化したものである。
説明する。第１図は本発明の一実施例における半導体装
置の断面図を示すものである。第１図において、１は半
導体基板、２は酸化膜、３は金属配線、４はコンタクト
部、５はリンガラス層、６は二酸化珪素膜で、これらは
従来例の構成と同じである。７は波状のリンガラスをス
ピンコードで塗布し、熱処理で硬化したものである。
このように半導体基板１の表面上に作り込まれた半導体
回路の表面に、液状のリンガラス７を塗布し、その後硬
化させることにより、その上層の二酸化珪素膜６を平坦
化することができる。
回路の表面に、液状のリンガラス７を塗布し、その後硬
化させることにより、その上層の二酸化珪素膜６を平坦
化することができる。
なお、上記実施例では絶縁保護膜をリンガラス７を中層
とする三層構造としたが、下層のリンガラス層５をなく
した二層構造を用いてもよい。
とする三層構造としたが、下層のリンガラス層５をなく
した二層構造を用いてもよい。
発明の効果
本発明は、絶縁保護膜に液状のリンガラスを用いること
により、上層の絶縁保護膜のカバレージが非常に良くな
るため耐湿性の優れた半導体装置を実現できるものであ
る。
により、上層の絶縁保護膜のカバレージが非常に良くな
るため耐湿性の優れた半導体装置を実現できるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・金属配線、４・・・・・・半導体基板１と
金属配線３とのコンタクト部、５・・・・・・ＣＶＤ法
に堆積されたリンガラス層、６・・・・・・ＣＶＤ法に
より堆積された二酸化珪素膜、７・・・・・・液状のリ
ンガラス。
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・金属配線、４・・・・・・半導体基板１と
金属配線３とのコンタクト部、５・・・・・・ＣＶＤ法
に堆積されたリンガラス層、６・・・・・・ＣＶＤ法に
より堆積された二酸化珪素膜、７・・・・・・液状のリ
ンガラス。
Claims (1)
- 半導体基板表面上に作り込まれた半導体回路の表面に液
状のリンガラスを塗布したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5719890A JPH03257923A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5719890A JPH03257923A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257923A true JPH03257923A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13048795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5719890A Pending JPH03257923A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257923A (ja) |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP5719890A patent/JPH03257923A/ja active Pending
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