JPH03257974A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
- Publication number
- JPH03257974A JPH03257974A JP2054956A JP5495690A JPH03257974A JP H03257974 A JPH03257974 A JP H03257974A JP 2054956 A JP2054956 A JP 2054956A JP 5495690 A JP5495690 A JP 5495690A JP H03257974 A JPH03257974 A JP H03257974A
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- Japan
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- cdte
- layers
- cmt
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は広い領域の波長の赤外光に対してそれぞれ高
感度を有する検出素子を備えた赤外線検出装置に関する
ものである。
感度を有する検出素子を備えた赤外線検出装置に関する
ものである。
［従来の技術］
−・般にＣｄ、ＦｌｇｘＴｅあるいはＺｎ、ＨｇｘＴｅ
の化合物半導体（以下ＣＭＴあるいはＺＭＴと略す）の
赤外光に対する感度は各元素の組成比の違いによって異
なっている。
の化合物半導体（以下ＣＭＴあるいはＺＭＴと略す）の
赤外光に対する感度は各元素の組成比の違いによって異
なっている。
第３図はＣｄＸＨｇ、−ｘＴｅにおけるｘ＝０．２ 、
ｘ＝０．３ 、 ｘ＝０．８５の場合の入射光の波長
変化に対する感度特性を示す図である。
ｘ＝０．３ 、 ｘ＝０．８５の場合の入射光の波長
変化に対する感度特性を示す図である。
第３図から明らかなように、組成比の異なる０Ｍ丁はそ
れぞれ波長−感度の特性か異なっていて、所定の組成比
のＣＭＴては狭い波長領域の感度しか有しないことかわ
かる。
れぞれ波長−感度の特性か異なっていて、所定の組成比
のＣＭＴては狭い波長領域の感度しか有しないことかわ
かる。
［発明か解決しようとする課題］
従来の化合物半導体における赤外線検出装置はある特定
の組成比を有するＣＭＴによって構成されているため、
特定の狭い領域の波長を有する赤外光のみにしか高い感
度を有しないのて、他の波長領域の赤外光を測定するこ
とかてきないという問題かある。
の組成比を有するＣＭＴによって構成されているため、
特定の狭い領域の波長を有する赤外光のみにしか高い感
度を有しないのて、他の波長領域の赤外光を測定するこ
とかてきないという問題かある。
ところか、種々の分析機器等においては、幅広い波長領
域に高い感度を有する検出素子か必要であるか、上記の
ような従来の赤外線検出素子ては、その要求を満たすた
めにそれぞれの波長領域に対して高感度を有する独立し
た複数個の検出器を用意しなければならないという問題
かあった。
域に高い感度を有する検出素子か必要であるか、上記の
ような従来の赤外線検出素子ては、その要求を満たすた
めにそれぞれの波長領域に対して高感度を有する独立し
た複数個の検出器を用意しなければならないという問題
かあった。
この発明はかかる従来の課題を解決するためになされた
ものて、１つの装置て、どの波長領域の赤外光に対して
も高感度な検知能力を有し、かつどの波長領域の光であ
るかを識別して検出することのてきる赤外線検出装置を
提供することを目的とする。
ものて、１つの装置て、どの波長領域の赤外光に対して
も高感度な検知能力を有し、かつどの波長領域の光であ
るかを識別して検出することのてきる赤外線検出装置を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、この発明の赤外線検出装
置は、ＣｄＴｅ基板上に、それぞれ組成比Ｘ（但し、Ｘ
は正の数）の異なる複数のＣｄ、Ｈｇ＋−８Ｔｅ層をエ
ピタキシャル成長させて具備し、これら各Ｃｄ＋ｔｌ（
ｇ＋−ＸＴｅ層の間に、絶縁性のＣｄＴｅ層をエピタキ
シャル成長させて介在させ、さらに、前記各Ｃｄ、Ｈｇ
＋−ＸＴｅ層にそれぞれ別個の読出し電極を設けたもの
である。
置は、ＣｄＴｅ基板上に、それぞれ組成比Ｘ（但し、Ｘ
は正の数）の異なる複数のＣｄ、Ｈｇ＋−８Ｔｅ層をエ
ピタキシャル成長させて具備し、これら各Ｃｄ＋ｔｌ（
ｇ＋−ＸＴｅ層の間に、絶縁性のＣｄＴｅ層をエピタキ
シャル成長させて介在させ、さらに、前記各Ｃｄ、Ｈｇ
＋−ＸＴｅ層にそれぞれ別個の読出し電極を設けたもの
である。
［作用］
上記の構成を有することにより、組成比の異なるＣＭＴ
に設けられた電極によって、異なる波長領域の赤外線を
識別して検出することかてきると共に幅広い波長領域の
赤外線を検出することか可能である。
に設けられた電極によって、異なる波長領域の赤外線を
識別して検出することかてきると共に幅広い波長領域の
赤外線を検出することか可能である。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例の主要構成を示す断面図で
ある。
ある。
第１図において、ＣｄＴｅ基板ｌ上にｘ＝０．１のＣＭ
Ｔ （Ｃｄｏ、 ｒ Ｈｇ＋−ｏｘＴｅ＝ Ｃｄｏ、
＋Ｈｇｏ９Ｔｅ）層２ａをエピタキシャル成長により
形威し、このＣＭＴ層２ａの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエ
ピタキシャル成長により形威し、次に、このＣｄＴｅ絶
縁層３の上に、ｘ＝０．２のＣＭ Ｔ （ＣｄｘＨｇ５
． ｔｓＴｅ）層２ｂをエピタキシャル成長により形威
し、このＣＭＴ層２ｂの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエピタ
キシャル成長により形威し、さらにこのＣｄＴｅ絶縁層
３の上にｘ＝０．３のＣＭＴ（Ｃｄｏ、 ｘＨｇｏ７Ｔ
ｅ ）層２Ｃをエピタキシャル成長により形威し、この
ＣＭＴ層２Ｃの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエピタキシャル
成長により形成し、・・・というように以下同様にして
組成比の値の異なるＣＭＴのエピタキシャル層、即ち、
ｘ＝０．４のＣＭＴ層２ｄ、ｘ＝０．５のＣＭＴ層２ｅ
を、ＣｄＴｅ絶縁層３を挟んてエピタキシャル成長させ
て形成している。
Ｔ （Ｃｄｏ、 ｒ Ｈｇ＋−ｏｘＴｅ＝ Ｃｄｏ、
＋Ｈｇｏ９Ｔｅ）層２ａをエピタキシャル成長により
形威し、このＣＭＴ層２ａの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエ
ピタキシャル成長により形威し、次に、このＣｄＴｅ絶
縁層３の上に、ｘ＝０．２のＣＭ Ｔ （ＣｄｘＨｇ５
． ｔｓＴｅ）層２ｂをエピタキシャル成長により形威
し、このＣＭＴ層２ｂの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエピタ
キシャル成長により形威し、さらにこのＣｄＴｅ絶縁層
３の上にｘ＝０．３のＣＭＴ（Ｃｄｏ、 ｘＨｇｏ７Ｔ
ｅ ）層２Ｃをエピタキシャル成長により形威し、この
ＣＭＴ層２Ｃの上にＣｄＴｅ絶縁層３をエピタキシャル
成長により形成し、・・・というように以下同様にして
組成比の値の異なるＣＭＴのエピタキシャル層、即ち、
ｘ＝０．４のＣＭＴ層２ｄ、ｘ＝０．５のＣＭＴ層２ｅ
を、ＣｄＴｅ絶縁層３を挟んてエピタキシャル成長させ
て形成している。
その後、それぞれ組成比Ｘの異なるＣＭＴ層２８〜２ｅ
に各々信号読出し電極を設ける。
に各々信号読出し電極を設ける。
最後に、必要に応してＣＭＴ層２ｅの表面に保護膜等を
設けるようにすればよい。
設けるようにすればよい。
第２図は第１図の実施例における赤外線検出装置の光の
波長−感度特性を示す曲線図である。
波長−感度特性を示す曲線図である。
第２図から明らかなように、第１図の装置においては、
それぞれのＣＭＴ層の組成比Ｘの値の違いによって、Ｃ
ｄＴｅ基板上の表面方向から入射した赤外線は波長の長
い領域の赤外光から順にそれぞれに高感度のＣＭＴ層に
吸収されて、検出されている。即ち、赤外光の入射表面
に近いＣＭＴ層は波長の短い赤外光に高感度を有してお
り、また、入射表面に近いＣＭＴ層には検知されない比
較的長波長の光は、その後段に設けられた組成比Ｘの小
さいＣＭＴ層に吸収され、検出されるように構成されて
いる。
それぞれのＣＭＴ層の組成比Ｘの値の違いによって、Ｃ
ｄＴｅ基板上の表面方向から入射した赤外線は波長の長
い領域の赤外光から順にそれぞれに高感度のＣＭＴ層に
吸収されて、検出されている。即ち、赤外光の入射表面
に近いＣＭＴ層は波長の短い赤外光に高感度を有してお
り、また、入射表面に近いＣＭＴ層には検知されない比
較的長波長の光は、その後段に設けられた組成比Ｘの小
さいＣＭＴ層に吸収され、検出されるように構成されて
いる。
従って、各波長領域の赤外線は、それぞれの波長に高感
度を有する各ＣＭＴ層に吸収され、検出されて、各ＣＭ
Ｔに設けられたそれぞれの電極から別々に得られ、広範
囲の波長にわたって識別して測定される。
度を有する各ＣＭＴ層に吸収され、検出されて、各ＣＭ
Ｔに設けられたそれぞれの電極から別々に得られ、広範
囲の波長にわたって識別して測定される。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明は、広い波長領域にわた
って赤外線を検出することがてき、かつ、各ＣＭＴ層の
それぞれの電極からそれぞれ異なる波長領域を識別して
検出することがてきる。
って赤外線を検出することがてき、かつ、各ＣＭＴ層の
それぞれの電極からそれぞれ異なる波長領域を識別して
検出することがてきる。
第１図はこの発明の一実施例の主要構成を示す断面図、
第２図は第１図の実施例における赤外線検出装置の光の
波長−感度特性を示す曲線図、第３図はＣｄｘＨｇ５−
ｘＴｅにおけるｘ＝０．２ 、 ｘ＝０．３ 。 ｘ ＝ ０．８５の場合の入射光の波長変化に対する感
度特性を示す図である。 図中。 １ ： ＣｄＴｅ基板 ２ａ〜２ｅ：ＣＭＴ層３ ：
ＣｄＴｅ絶縁層
第２図は第１図の実施例における赤外線検出装置の光の
波長−感度特性を示す曲線図、第３図はＣｄｘＨｇ５−
ｘＴｅにおけるｘ＝０．２ 、 ｘ＝０．３ 。 ｘ ＝ ０．８５の場合の入射光の波長変化に対する感
度特性を示す図である。 図中。 １ ： ＣｄＴｅ基板 ２ａ〜２ｅ：ＣＭＴ層３ ：
ＣｄＴｅ絶縁層
Claims (1)
- ＣｄＴｅ基板上に、それぞれ組成比ｘ（但し、ｘは正
の数）の異なる複数のＣｄ＿ｘＨｇ＿１＿−＿ｘＴｅ層
をエピタキシャル成長させて具備し、これら各ＣｄＨｇ
＿１＿−＿ｘＴｅ層の間に、絶縁性のＣｄＴｅ層をエピ
タキシャル成長させて介在させ、さらに、前記各Ｃｄ＿
ｘＨｇ＿１＿−＿ｘＴｅ層にそれぞれ別個の読出し電極
を設けたことを特徴とする赤外線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054956A JPH03257974A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054956A JPH03257974A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 赤外線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257974A true JPH03257974A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=12985122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054956A Pending JPH03257974A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257974A (ja) |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2054956A patent/JPH03257974A/ja active Pending
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