JPS6097681A - モノリシツク集積回路 - Google Patents

モノリシツク集積回路

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Publication number
JPS6097681A
JPS6097681A JP58206497A JP20649783A JPS6097681A JP S6097681 A JPS6097681 A JP S6097681A JP 58206497 A JP58206497 A JP 58206497A JP 20649783 A JP20649783 A JP 20649783A JP S6097681 A JPS6097681 A JP S6097681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
integrated circuit
photodiodes
monolithic integrated
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58206497A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Suzumura
正彦 鈴村
Tomizo Terasawa
寺沢　富三
Masao Arakawa
雅夫 荒川
Shugo Endo
遠藤　修吾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP58206497A priority Critical patent/JPS6097681A/ja
Publication of JPS6097681A publication Critical patent/JPS6097681A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明はカラーセンサーとして用いることができるモ
ノリシック集積回路（モノリシックＩＣ）に関する。
〔背景技術〕
光の吸収係数は波長によって異なり、長波長稈、吸収係
数は小さく透過性か大きい。この為、ＰＮ接合の拡散深
さの異なるフォトダイオードでは光の透過割合が異なり
、従って分光感度が異なってくる。このようなフォトダ
イオードの分光感度を利用したカラーセンサーは存在し
なかった。
〔発明の目的〕
この発明はカラーセンサーとして用いることができるフ
ォトダイオードを利用したモノリシックＩＣを提供せん
とする。
〔発明の開示〕
この発明の要旨とするところは分光感度の異なる二つの
シリコンフォトダイオードをモノリシックに形成して成
ることを特徴とするモノリシック集積回路である。
以下この発明を第１図乃至第３図１こ示す一実施例に基
づいて説明する。
この発明によるモノリシックＩＣは通常のバイポーラＩ
Ｃのプロセスにより製造されるが第１図に示す様に、２
つのフォトダイオードＰＤｉとＰＤ２において、いずれ
もシリコン基板の２層内に等しい大きさのＮ層を設けて
形成されているがＰＤｌはＮ１埋込層を持たす−ＰＤ２
はＮ層の底部にさらにＮ＋埋込層を有する構造からなっ
ている。
この構造の為、２つのフォトダイオードＰＤ１とＰＤ２
のＰＮ接合の拡散深さは異なっている。
このモノリシックＩＣの製法はＮ今埋込層形成工程にお
いて、２つのフォトダイオードＰＤ１とＰＯ２の内の一
方だけにＮ１埋込層を形成し、他方にはＮ＋埋込層を形
成しないだけで良いのできわめて容易におこなえる。
各フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２との表面は透光性の
保護膜（１）で被覆され、その他の部分はマスクされて
いる。
（２）はＮ層及びＰ層に接続された電極であり、該電極
（２）間に光電流を検出する電流計（６）が設けられて
いる。（４）は電極（２）間にバイアス電圧をかけるた
めの電池である。
而して光の吸収係数は波長の関数であるため、ＰＮ接合
の拡散深さの相違により２つのフォトダイオードＰＤ１
とＰＯ２の分光感度は異なることになり、そこに到達す
る光の量は異なる。第２図はフォトダイオードＰＤ１と
ＰＯ２の分光感度を示したもので縦軸に分光感度を、横
軸に入射光波長をとったもので、（イ）はフォトダイオ
ードＰＤ１の特性を、（ロ）はフォトダイオードＰＤ２
の特性を示す。
従って同時薔こ同じ光を受ける２つのフォトダイオード
ＰＤｌとＰＯ２に流れる光電流比は入射光の波長に依存
し、各々に流れる光電流を検出することにより入射光の
波長がわかる。このようにして被検物質から反射する光
である入射光の波長により光の色を定めることができる
。
尚、フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２に流れる電流はこ
の実施例の如く一緒にまとめてとり出してもよいし、各
別にとり出して検出してもよい。
各フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２の光の吸収係数が定
まっていることにより各別に流れる電流を検出しても、
−緒に流れる電流を検出しても、その光の波長を知りえ
、被検物の色を検出しうるのである。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によるモノリシックＩＣを使用す
ると被検物に照射する光の反射光を受けて各フォトダイ
オードに流れる電流特性から光の波長、色の検出ができ
るのである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し、第１図
は断面図、第２図はグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士　竹　元　敏　丸 （ほか２名） 第１図 第２図 入射光清畏

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）分光感度め異なる二つのシリコンフォトダイオー
    ドをモノリシックに形成して成ることを特徴とするモノ
    リシック集積回路。
JP58206497A 1983-10-31 1983-10-31 モノリシツク集積回路 Pending JPS6097681A (ja)

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