JPH03258002A

JPH03258002A - ダイオード移相器

Info

Publication number: JPH03258002A
Application number: JP5623790A
Authority: JP
Inventors: Koji Nishida; 西田　幸治
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1990-03-07
Filing date: 1990-03-07
Publication date: 1991-11-18
Anticipated expiration: 2013-02-16
Also published as: JP2713335B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、誘電体外層基板の厚さが等価的に調整可能
なダイオード移相器に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は例えば実公昭６２−３６３２３号公報に示され
た、従来のトリプレート型ストリップ線で構成された３
ピツトのダイオード移相器を示す分解斜視図であり、第
５図はそのＡ−Ａ線断面図である。

図において、１は誘電体外層基板の一方としての誘電体
下層基板であり、２はその下面全体に被着された地導体
である。３はこの誘電体下層基板１をその地導体２が電
気的に良好に接触するように収容した金属ケースである
。４は誘電体下層基板１上に配置され、主線路５、結合
線路で構成した３　ｄＢハイブリッド結合器紅どの結合
器６、直流バイアスを外部回路と分離する直流ブロック
用コンデンサ７、反射波位相変換回路用線路８、バイア
ス回路に用いる１／４波長の長さを有する低インピーダ
ンス線路９、バイアス回路に用いる１／４波長の長さを
持つ高インピーダンス線路１０等の線路導体が、フォト
エツチング手法などによってその両面に形成された誘電
体中層基板である。

１１は前記反射波位相変換回路用線路８の先端に、図示
を省略した金線等を介して接続されたダイオードである
。このダイオードとしてはＰＩＮダイオード、バラクタ
ダイオードがあるが、いずれについても同じことがいえ
るので、以下ＰＩＮダイオードとして説明する。１２は
誘電体中層基板４上に前配線路導体とともにフォトエツ
チング手法にて形成されたバイアス供給端子であり、１
３は金属ケース３にマウントされ、このバイアス供給端
子１２が図示を省略した金属線を介して接続されるバイ
アス端子である。１４は誘電体中層基板４の上に配置さ
れて上面全体に地導体２が被着された、誘電体外層基板
の一方としての誘電体上層基板である。１５は誘電体下
層基板１、誘電体中層基板４、および誘電体上層基板１
４を収容した金属ケース３の開口面を覆う金属ケース上
蓋であり、前記誘電体上層基板１４の地導体２に電気的
に良好に接触している。１６はこのダイオード移相器を
外部回路と接続するための接栓座である。

次に動作について説明する。ここで、第６図はその動作
を説明するための回路図であり、簡略化のためにｌビン
１分だけを図示している。図において、１７は１／４波
長の長さの低インピーダンス線路９と高インピーダンス
線路１０で構成され、ＰＩＮダイオード１１に直流バイ
アスを印加するバイアス手段としてのバイアス回路、１
８は七〇ＰＩＮダイオード１１を含む反射波位相変換回
路である。

入力側の主線路５から入射した電波は、直流ブロック用
コンデンサ７を通過する。この直流ブロック用コンデン
サ７は、バイアス回路１７を介してＰＩＮダイオード１
１に供給される直流バイアスを外部回路と分離する役割
を果たしている。

次に直流ブロック用コンデンサ７を通過した電波は、結
合線路で構成した結合器６へ入射し、端子Ｔｌ　、　Ｔ
２へ電力が二等分配されて現われる。これら端子’ｒ１
．　Ｔ２に接続される反射波位相変換回路１８は、ＰＩ
Ｎダイオード１１に印加する直流バイアスの極性を切り
換えて得られる反射波の位相変化が所定の値になるよう
設計されている。

反射波位相変換回路１８で反射される電波は、出力側の
直流ブロック用コンデンサ７を通過し、出力側の主線路
５へ現われるのであるが、ＰＩＮダイオード１１に印加
されるバイアスの極性を切り換えると、前述のように反
射波位相変換回路１８が設計されているため、出力電波
の位相は所定の位相変化を受け、ダイオード移相器が構
成される。

この種類のトリプレート形ストリップ線路で構成された
ダイオード移相器では、電波伝搬方向に直交する金属ケ
ース幅Ｗが、導波管モードの電波伝搬をし中断とするよ
うに幅に設計されている。

この場合、ＰＩＮダイオード１１の特性に製造ロフト等
によるバラツキがあると、当該ダイオード移相器そのも
のの特性が変動することになる。

ここで、ＰＩＮダイオード１１が接続された反射波位相
変換回路用線路８のインピーダンスは誘電体上層基板１
４や誘電体下層基板１の厚さによって変化するものであ
り、また、バイアス回路１７を構成する低インピーダン
ス線路９および高インピーダンス線路１０のインピーダ
ンスについても同様である。従って、厚さの異１．る誘
電体上層基板１４を何種類か準備しておき、組み立てら
れたダイオード移相器が要求性能を満足しない場合には
、誘電体上層基板１４を厚さの異なるものに変更するこ
とにより、前記ＰＩＮダイオード１１の特性のバラツキ
を吸収している。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のダイオード移相器は以上のように構成されている
ので、厚さの異なった多種の誘電体上層基板１４を用意
しておくことが必要であり、その厚さのコントロールが
難しく、誘電体のバラツキも発生して材料の損失が大き
くなり、さらに、ＰＩＮダイオード１１の特性がずれて
くると、要求性能を満足できなくなって誘電体中層基板
４の各線路導体のパターン自体を作り直すことが必要に
？ｊるように事態も発生し、また、歩留まりも悪くなる
などの課題があった。

この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、ダイオードの特性のバラツキが簡単に吸収でき
、歩留まりのよいダイオード移相器を得ることを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るダイオード移相器は、誘電体外層基板と
誘電体中層基板の間に、誘電体フィルムで構成された調
整シートを挿入したものである。

〔作　用〕

この発明における調整シートは、誘電体フィルムで構成
されて誘電体外層基板と誘電体内音基板上の導体線路と
の間に挿入され、その誘電体フィルムの枚数の調整によ
り、ダイオードの特性に合わせて線路導体のインピーダ
ンスを変化させ、歩留まりよ（要求性能を満足すること
のできるダイオード移相器を実現する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの実施例によるダイオード移相器を示す分解斜視
図であり、第２図はそのＡ−Ａ線断面図である。図にお
いて、１は誘電体外層基板の一方としての誘電体下層基
板、２は地導体、３は金属ケース、４は誘電体中層基板
、５〜１０は線路導体としての主線路、結合器、直流ブ
ロック用コンデンサ、反射波位相変換回路用線路、低イ
ンピーダンス線路、および高インピーダンス線路、１１
はダイオード（ＰＩＮダイオード）、１２はバイアス供
給端子、１３はバイアス端子、１４は誘電体外層基板の
一方としての誘電体上層基板、１５は金属ケース上蓋、
１６は接栓座であり、第４図および第５図に同一符号を
付した従来のそれらと同一、あるいは相当部分であるた
め詳細な説明は省略する。

また、１９は前記誘電体上層基板１４と誘電体中層基板
４０間に挿入される調整シートである。

この調整シート１９は誘電体上層基板１４と同−特性を
持つ誘電体フィルムで構成されており、当該誘電体フィ
ルムの枚数によってその厚さを調整することができるよ
うにｋっている。

次に動作について説明する。ここで、基本的な動作は第
４図および第５図に示した従来のダイオード移相器の場
合と同様であるため、調整シート１９の作用を中心に説
明を行う。

前述のように、反射波位相変換回路用線路８、低インピ
ーダンス線路９、高インピーダンス線路１０にどのイン
ピーダンスは、誘電体上層基板１４あるいは誘電体下層
基板１の厚さによって変化する。一方、ＰＩＮダイオー
ド１１は能動素子であるため、個々によって、特にその
製造ロフトによって特性にバラツキがある。従って、そ
のようなＰＩＮダイオード１１を用いてダイオード移相
器を組み立てた場合にはその性能にもノくラツキが生じ
る。ダイオード移相器の性能試験の結果、要求性能を満
足していないことがわかった場合には再調整を行うこと
に々る。そのような調整作業においては、現状を大幅に
変更することなく、一部の値を変化させるだけで再調整
できることが望ましい。

この実施例では、あらかじめ誘電体上層基板１４の厚さ
を、若干薄めに設定しておき、当該誘電体上層基板１４
と誘電体中層基板４との間に挿入される、所定枚数の誘
電体フィルムによる調整シート１９でその不足分を有っ
ている。即ち、誘電体上層基板１４の厚さをＴ、誘電体
フィルムの厚さをｔＳｖＩ４整シート１９の誘電体フィ
ルム数をｎとした場合、誘電体上層基板１４の実質的な
厚さは（Ｔ＋ｎ−ｔ）と７’ｃる。ダイオード移相器の
性能試験の結果、要求性能を満足していｆ、い場合には
この調整シート１９の誘電体フィルムの枚数を変えるこ
とによって、等価的に誘電体上層基板１４の厚さを調整
している。従って、誘電体上層基板１４の実質的な厚さ
はｔ単位で調整可能となる。

このように、調整シート１９の誘電体フィルムの枚数を
変えることで誘電体上層基板１４の厚さを等価的に変化
させ、誘電体中層基板４上の反射波位相変換回路用線路
８、低インピーダンス線路９、高インピーダンス線路１
０等のインピーダンスを、使用したＰＩＮダイオード１
１の特性に合わせて調整する。これによってダイオード
移相器の性能が要求性能を満たすものに再調整される。

この実施例によれば、誘電体上層基板１４と誘電体中層
基板４０間にのみ調整シートを挿入しているので、再調
整の際にＰＩＮダイオード１１の接続ワイヤ等をはずし
たりする必要がなく、金属ケース上蓋１５をとって誘電
体上層基板１４をはずすだけの極めて簡単な作業によっ
て再調整を実施することができる。

々お、上記実施例では、調整シート１９を、誘電体上層
基板１４の全面に渡って挿入したものを示したが、その
一部にのみ調整シート１９を挿入するようにしてもよい
。例えば、ＰＩＮダイオード１１のインピーダンスの整
合だけを取る目的で、結合器６のところはそのままの厚
さｔで良いことモアリ、そのような場合には、低インピ
ーダンス線路９、あるいは高インピーダンス線路１０の
ところにだけ調整シート１９を挿入して調整する。

第３図はそのような実施例を示す断面図である。

この場合、調整シート１９が挿入されない結合器６０部
分に空隙が生じるので、誘電体上層基板１４の地導体２
と、金属ケース上蓋１５０間に金属箔２０を挿入して、
空隙が生じない様にする必要がある。

また上記実施例では、結合器６を除いた部分にだけ調整
シート１９を挿入した場合について説明したが、結合器
６のところにだけ調整シート１９を挿入することもあり
うるし、全体と一部との両方に調整シート１９を挿入す
ることも出来る。これらは実験によって、手順と方法を
あらかじめ、決めておけば良い。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、誘電体外層基板と誘
電体内１基板上の導体線路との間に、誘電体フィルムで
構成された調整シートを挿入するように構成したので、
その誘電体フィルムの枚数によって線路導体のインピー
ダンスを調整することが可能となって、ダイオードの特
性のバラツキを容易に吸収することができ、要求性能を
満すダイオード移相器が歩留まりよく得られる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるダイオード移相器を
示す分解斜視図、第２図はそのＡ−Ａ線断面図、第３図
はこの発明の他の実施例を示す断面図、第４図は従来の
ダイオード移相器を示す分解斜視図、第５図はそのＡ−
Ａ線断面図、第６図はその動作説明のための回路図であ
る。１は誘電体外層基板（誘電体下層基板）、２は地導体、
３は金属ケース、４は誘電体中層基板、５は線路導体（
主線路）、６は線路導体（結合器）、７は線路導体（直
流ブロック用コンデンサ）、８は線路導体（反射波位相
変換回路用線路）、９は線路導体（低インピーダンス線
路）、１０は線路導体（高インピーダンス線路）、１１
はダイオード（ＰＩＮダイオード）、１４は誘電体外層
基板（誘電体上層基板）、１５は金属ケース（金属ケー
ス上蓋）、１９は調整シート。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。１（

Claims

【特許請求の範囲】

　片面がすべて地導体となる２枚の誘電体外層基板と、
前記誘電体外層基板の間に配置され、両面に線路導体が
形成された誘電体中層基板と、前記線路導体に接続され
たダイオードと、前記誘電体外層基板、誘電体中層基板
、およびダイオードを収容して、それらを外部から遮蔽
する金属ケースとで構成され、前記ダイオードに直流バ
イアスを印加するバイアス手段を有するダイオード移相
器において、前記誘電体外層基板と誘電体中層基板の間
に、誘電体フィルムで構成される調整シートを配置した
ことを特徴とするダイオード移相器。