JPS6236323Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6236323Y2 JPS6236323Y2 JP1425881U JP1425881U JPS6236323Y2 JP S6236323 Y2 JPS6236323 Y2 JP S6236323Y2 JP 1425881 U JP1425881 U JP 1425881U JP 1425881 U JP1425881 U JP 1425881U JP S6236323 Y2 JPS6236323 Y2 JP S6236323Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- diode
- sides
- line
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はダイオード移相器の改良に関するも
のである。
のである。
この種の移相器は、特定の移相量を得る単ビツ
ト移相器を、数段縦続接続した３〜５ビツト移相
器が一般的であるので、ここでは３ビツト移相器
をとりあげて説明する。また移相器に使用される
ダイオードにはPINダイオード、バラクタダイオ
ードがあるが、いずれについても同じことが言え
るのでここではPINダイオードについて説明す
る。
ト移相器を、数段縦続接続した３〜５ビツト移相
器が一般的であるので、ここでは３ビツト移相器
をとりあげて説明する。また移相器に使用される
ダイオードにはPINダイオード、バラクタダイオ
ードがあるが、いずれについても同じことが言え
るのでここではPINダイオードについて説明す
る。
第１図ａは従来のトリプレート形ストリツプ線
路で構成された３ビツトダイオード移相器の構造
の一例を示したものである。第１図ｂはAA断面
図である。
路で構成された３ビツトダイオード移相器の構造
の一例を示したものである。第１図ｂはAA断面
図である。
誘電体下層基板１の一方の面には一面地導体２
となる金属が被着されており、金属ケース３に電
気的に良好な接触を持つよう配置されている。誘
電体下層基板１の他方の面は、全面が誘電体平面
となつている。誘電体中層基板４の両面には主線
路５と、結合線路で構成した3dBハイブリツド結
合器６と、直流バイアスを外部回路と分離するた
めのDCブロツク用コンデンサ７と、反射波位相
変換回路用線路８と、バイアス回路に用いる1/4
波長の長さを持つ低インピーダンス線路９と、バ
イアス回路に用いる1/4波長の長さを持つ高イン
ピーダンス線路１０とがフオトエツチング手法を
用いて形成されている。また反射波位相変換回路
用線路８の先端は金線（図示せず）等を介して
PINダイオード１１と接続され、バイアス供給端
子１２は適当な金属線（図示せず）を介して金属
ケース３にマウントされたバイアス端子１３に接
続されている。
となる金属が被着されており、金属ケース３に電
気的に良好な接触を持つよう配置されている。誘
電体下層基板１の他方の面は、全面が誘電体平面
となつている。誘電体中層基板４の両面には主線
路５と、結合線路で構成した3dBハイブリツド結
合器６と、直流バイアスを外部回路と分離するた
めのDCブロツク用コンデンサ７と、反射波位相
変換回路用線路８と、バイアス回路に用いる1/4
波長の長さを持つ低インピーダンス線路９と、バ
イアス回路に用いる1/4波長の長さを持つ高イン
ピーダンス線路１０とがフオトエツチング手法を
用いて形成されている。また反射波位相変換回路
用線路８の先端は金線（図示せず）等を介して
PINダイオード１１と接続され、バイアス供給端
子１２は適当な金属線（図示せず）を介して金属
ケース３にマウントされたバイアス端子１３に接
続されている。
誘電体上層基板１４の一方の面には一面地導体
２となる金属が被着されており金属ケース上蓋１
５に電気的に良好な接触を持つよう配置され、他
方の誘電体中層基板４に面した側は一面誘電体平
面となつている。
２となる金属が被着されており金属ケース上蓋１
５に電気的に良好な接触を持つよう配置され、他
方の誘電体中層基板４に面した側は一面誘電体平
面となつている。
また１６は接栓座で外部回路と接続するための
ものである。なお第１図ａならびに以下で示す構
造説明図では、判り易くするために誘電体中層基
板４、誘電体上層基板１４および金属ケース上蓋
１５を取りはずして上部に示してある。
ものである。なお第１図ａならびに以下で示す構
造説明図では、判り易くするために誘電体中層基
板４、誘電体上層基板１４および金属ケース上蓋
１５を取りはずして上部に示してある。
第２図は、第１図ａに示した移相器の動作説明
のための図である。簡単のため、単ビツト移相器
について示している。入力側の主線路５から入射
した電波は、DCブロツク用コンデンサ７を通過
する。このDCブロツク用コンデンサ７は、バイ
アス回路１７を介してPINダイオード１１に供給
される直流バイアスを外部回路と分離する役割を
果たしている。
のための図である。簡単のため、単ビツト移相器
について示している。入力側の主線路５から入射
した電波は、DCブロツク用コンデンサ７を通過
する。このDCブロツク用コンデンサ７は、バイ
アス回路１７を介してPINダイオード１１に供給
される直流バイアスを外部回路と分離する役割を
果たしている。
次にDCブロツク用コンデンサ７を通過した電
波は、結合線路で構成した3dBハイブリツド結合
器６へ入射し、端子T1，T2へ電力が二等分配さ
れて現われる。これら端子T1，T2に接続される
反射波位相変換回路１８は、PINダイオード１１
に印加する直流バイアスの極性を切り換えて得ら
れる反射波の位相変化が所定の値になるよう設計
されている。
波は、結合線路で構成した3dBハイブリツド結合
器６へ入射し、端子T1，T2へ電力が二等分配さ
れて現われる。これら端子T1，T2に接続される
反射波位相変換回路１８は、PINダイオード１１
に印加する直流バイアスの極性を切り換えて得ら
れる反射波の位相変化が所定の値になるよう設計
されている。
反射波位相変換回路１８で反射される電波は、
出力側のDCブロツク用コンデンサ７を通過し、
出力側の主線路５へ現われるのであるが、PINダ
イオード１１に印加されるバイアスの極性を切り
換えると、前述のように反射波位相変換回路１８
が設計されているため、出力電波の位相は所定の
位相変化を受け、ダイオード移相器が構成され
る。
出力側のDCブロツク用コンデンサ７を通過し、
出力側の主線路５へ現われるのであるが、PINダ
イオード１１に印加されるバイアスの極性を切り
換えると、前述のように反射波位相変換回路１８
が設計されているため、出力電波の位相は所定の
位相変化を受け、ダイオード移相器が構成され
る。
この種類のトリプレート形ストリツプ線路で構
成されたダイオード移相器では、電波伝搬方向に
直交する金属ケース幅Ｗが、導波管モードの電波
伝搬をしや断とするような幅に設計されている。
成されたダイオード移相器では、電波伝搬方向に
直交する金属ケース幅Ｗが、導波管モードの電波
伝搬をしや断とするような幅に設計されている。
一方、誘電体中層基板４の両面に形成されてい
る低インピーダンス線路９の幅が広いほどバイア
ス回路１７が良好な特性となる。そのため、ダイ
オード移相器内部の誘電体中層基板４両面におい
ては、バイアス回路１７の占める面積が大きくな
つている。
る低インピーダンス線路９の幅が広いほどバイア
ス回路１７が良好な特性となる。そのため、ダイ
オード移相器内部の誘電体中層基板４両面におい
ては、バイアス回路１７の占める面積が大きくな
つている。
このように従来のこの種の移相器では、金属ケ
ース幅Ｗに制限があり、しかも低インピーダンス
線路９の面積を大きくとる必要があるために低イ
ンピーダンス線路９を、その長さ方向が移相器の
長さ方向と一致するように配置していたので、移
相器長が長くなり大形化していた。
ース幅Ｗに制限があり、しかも低インピーダンス
線路９の面積を大きくとる必要があるために低イ
ンピーダンス線路９を、その長さ方向が移相器の
長さ方向と一致するように配置していたので、移
相器長が長くなり大形化していた。
すなわち、従来の低インピーダンス線路９の配
置方法では、移相器が大形化するという欠点があ
つた。
置方法では、移相器が大形化するという欠点があ
つた。
この考案は、1/4波長の長さを有する低インピ
ーダンス線路９を中間層誘電体基板４両面の対向
する位置に設けたものでその目的は小形、軽量の
ダイオード移相器を得ることにある。
ーダンス線路９を中間層誘電体基板４両面の対向
する位置に設けたものでその目的は小形、軽量の
ダイオード移相器を得ることにある。
第３図ａはこの考案によるトリプレート形スト
リツプ線路で構成された３ビツトダイオード移相
器の一実施例である。
リツプ線路で構成された３ビツトダイオード移相
器の一実施例である。
第３図ｂは、第３図ａの単ビツト移相器だけを
取り出して示したものである。
取り出して示したものである。
また第３図ｃは、第３図ｂのAA断面図であ
る。バイアス回路に用いる1/4波長の長さを有す
る低インピーダンス線路９は中間層誘電体基板４
の両面に対向する位置に形成されている。
る。バイアス回路に用いる1/4波長の長さを有す
る低インピーダンス線路９は中間層誘電体基板４
の両面に対向する位置に形成されている。
このため基板上でのバイアス回路１７の占有面
積が減少し、第３図ａに示す移相器では、移相器
を短くでき、小形化が達成できる。
積が減少し、第３図ａに示す移相器では、移相器
を短くでき、小形化が達成できる。
なお以上は、３ビツト移相器の場合について説
明したが、この考案はこれに限らず他の任意のビ
ツト数からなるこの種の移相器に使用してもよ
い。
明したが、この考案はこれに限らず他の任意のビ
ツト数からなるこの種の移相器に使用してもよ
い。
以上のように、この考案によるダイオード移相
器では小形、軽量なものが実現できる。
器では小形、軽量なものが実現できる。
第１図ａは従来のトリプレート形ストリツプ線
路で構成された３ビツトダイオード移相器の構造
を示した斜視図、第１図ｂはそのAA断面図、第
２図は従来のトリプレート形ストリツプ線路で構
成されたダイオード移相器の動作説明のための
図、第３図ａはこの考案によるトリプレート形ス
トリツプ線路で構成された３ビツトダイオード移
相器の構造を示した斜視図、第３図ｂは第３図ａ
のうち単ビツトダイオード移相器だけを取り出し
て構造を示した斜視図、第３図ｃはそのAA断面
図である。 図中、１は誘電体下層基板、２は地導体、３は
金属ケース、４は誘電体中層基板、５は主線路、
６は結合線路で構成した3dBハイブリツド結合
器、７はDCカツト用コンデンサ、８は反射波位
相変換回路用線路、９は低インピーダンス線路、
１０は高インピーダンス線路、１１はPINダイオ
ード、１２はバイアス供給端子、１３はバイアス
端子、１４は誘電体上層基板、１５は金属ケース
上蓋、１６は接栓座、１７はバイアス回路、１８
は反射波位相変換回路である。なお、図中同一あ
るいは相当部分には同一符号を付して示してあ
る。
路で構成された３ビツトダイオード移相器の構造
を示した斜視図、第１図ｂはそのAA断面図、第
２図は従来のトリプレート形ストリツプ線路で構
成されたダイオード移相器の動作説明のための
図、第３図ａはこの考案によるトリプレート形ス
トリツプ線路で構成された３ビツトダイオード移
相器の構造を示した斜視図、第３図ｂは第３図ａ
のうち単ビツトダイオード移相器だけを取り出し
て構造を示した斜視図、第３図ｃはそのAA断面
図である。 図中、１は誘電体下層基板、２は地導体、３は
金属ケース、４は誘電体中層基板、５は主線路、
６は結合線路で構成した3dBハイブリツド結合
器、７はDCカツト用コンデンサ、８は反射波位
相変換回路用線路、９は低インピーダンス線路、
１０は高インピーダンス線路、１１はPINダイオ
ード、１２はバイアス供給端子、１３はバイアス
端子、１４は誘電体上層基板、１５は金属ケース
上蓋、１６は接栓座、１７はバイアス回路、１８
は反射波位相変換回路である。なお、図中同一あ
るいは相当部分には同一符号を付して示してあ
る。
Claims (1)
- 片面がすべて地導体となる２枚の誘電体基板、
これらの間に配置され、両面に線路導体が形成さ
れた中間層誘電体基板、PINダイオードおよびこ
れらを外部から遮へいする金属ケースから構成さ
れ、かつPINダイオードに直流バイアスを印加す
る手段を有するダイオード移相器において、中間
層誘電体基板の両面に形成された1/4波長の長さ
を有する高インピーダンス線路、および1/4波長
の長さを有する低インピーダンス線路から成るバ
イアス回路のうち、低インピーダンス線路を中間
層誘電体基板の両面に対向する位置に形成したこ
とを特徴とするダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1425881U JPS6236323Y2 (ja) | 1981-02-03 | 1981-02-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1425881U JPS6236323Y2 (ja) | 1981-02-03 | 1981-02-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57128202U JPS57128202U (ja) | 1982-08-10 |
| JPS6236323Y2 true JPS6236323Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=29812315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1425881U Expired JPS6236323Y2 (ja) | 1981-02-03 | 1981-02-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236323Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2713335B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-02-16 | 三菱電機株式会社 | ダイオード移相器 |
-
1981
- 1981-02-03 JP JP1425881U patent/JPS6236323Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57128202U (ja) | 1982-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4604591A (en) | Automatically adjustable delay circuit having adjustable diode mesa microstrip delay line | |
| US4340873A (en) | Periodic transmission structure for slow wave signals, for miniaturized monolithic circuit elements operating at microwave frequency | |
| GB1591858A (en) | Microwave devices | |
| KR960006457B1 (ko) | 마이크로스트립과 슬롯라인간의 광대역 전이부, 및 마이크로스트립 공급 회로를 구비한 양면 인쇄된 플레어형 슬롯 방사기 | |
| US4331942A (en) | Stripline diode phase shifter | |
| US3538465A (en) | Strip transmission line diode switch | |
| US5162761A (en) | Microwave stripline resonator including a dielectric substrate having a depression | |
| JP2004104382A5 (ja) | ||
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| US4275367A (en) | Digital diode phase shifter elements | |
| US4380829A (en) | Simplified double balanced frequency converter | |
| JPS5827522Y2 (ja) | ストリツプ線路形ダイオ−ド移相器 | |
| JPS5951602A (ja) | 半導体移相器 | |
| JP2713335B2 (ja) | ダイオード移相器 | |
| JPS633207Y2 (ja) | ||
| JPS6036881Y2 (ja) | ダイオ−ド移相器 | |
| JPS6322723B2 (ja) | ||
| SU1550590A1 (ru) | Микрополоскова нагрузка | |
| JPS60212001A (ja) | マイクロ波モノリシツク集積回路 | |
| JPS6230321Y2 (ja) | ||
| JPH0746711B2 (ja) | チツプキヤリア | |
| JPS6010084Y2 (ja) | ダイオ−ド移相器 | |
| JPS6312561Y2 (ja) | ||
| JPH056801B2 (ja) | ||
| JPH0794908A (ja) | ストリップラインフィルタ |