JPH03258792A - １―シロキシ―１―シリルメタン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はヒドロシラン類とアルデヒド類を反応させるこ
とによる１−シロキシ−１−シリルメタン誘導体の製造
方法に関するものである。

１−シロキシ−１−シリルメタン誘導体は医農薬等ファ
インケミカルズの合成中間体として有用なものである。

［従来技術］ （但シ式中、Ｒ１，Ｒ”、　Ｒ’、　Ｒ’、　Ｒ”及び
Ｙはそれぞれ前述のとおり）で表される１−シロキシ−
１−シリルメタン誘導体の製造方法として工業的に有利
な方法は知られていない。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、安価かつ大量に入手可能な原料を用い温和な
条件で、１−シロキシ−１−シリルメタン誘導体を工業
的に有利に製造し得る方法を提供することをその課題と
する。

またそれによって得られる新規な１−シロキシ−１−シ
リルメタン誘導体を提供することをその課題とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結
果、 （ａ）一般式　ＨＲ１Ｒ２Ｓｉ−Ｙ−５ｉＲ３Ｒ’Ｈ（
但し式中、Ｒ１，Ｒ”、　Ｒ’、　Ｒ’及びＹはそれぞ
れ前述のとおり）で表されるヒドロシラン類と（ｂ）一
般式　ＲｓＣＨＯ （但し式中、Ｒ５は前述のとおり）で表されるアセチレ
ン類が、 （ｃ）白金、パラジウム、ニッケルの中から選ばれる遷
移金属錯体の存在下に、温和な条件下に迅速に反応し１
−シロキシ−１−シリルメタン誘導体を与えるという新
規な事実を発見し、これに基づき本発明を完成するに至
った。

すなわち本発明によれば、 （但し式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＹはそ
れぞれ前述のとおり）で表される１−シロキシ−１−シ
リルメタン誘導体の製造方法が提供される。

本発明の方法は、次式で示される反応によって進行する
。

ＨＲｌＲ”５Ｌ−Ｙ−５ｉＲ’Ｒ’）Ｉ　　＋　　Ｒｓ
ＣＨＯ→（但し式中、Ｒ１，Ｒ”、　Ｒ３，Ｒ’、　Ｒ
’及びＹはそれぞれ前述のとおり） 本発明で用いる（ａ）のヒドロシラン類は、一般式　Ｈ
Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｙ−５ｉＲ３Ｒ’Ｈ（但し式中、Ｒ１，
Ｒ”、　Ｒ’、　Ｒ’及びＹはそれぞれ前述のとおり）
で表される。Ｒ１，Ｒ’、　Ｒ’及びＲ４としては、ア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基
、アシロキシ基、ビス（ヒドロカルビル）アミノ基、ハ
ロゲン原子、水素原子等があげられ、互いに同一であっ
ても、相異なっていてもよい。

一般式中、Ｙは２価の有機基、酸素原子、窒素原子、硫
黄原子であり、２価の有機基として具体的には （Ａ）芳香環構造を有する２価の有機基（Ｂ）アルキレ
ン基 （Ｃ）へテロ原子として典型元素を含む２価の有機基 （Ｄ）へテロ原子として遷移金属を含む２価の有機基等
があげられる。

（Ａ）としては、例えば、 等があげられ、 （Ｂ）としては、例えば、 等があげられ、 （Ｃ）としては、例えば、 −０−ＣＩ（２−、−ＣＨ，−０−ＣＨ２−、−ＣＨ２
−Ｎ（ＣＦｌ、）−ＣＨ２−。

等があげられ、 （Ｄ）としては、例えば、 ｏ−０口 また、前記の２価の有機基の炭素原子上に置換基として
各種置換基を含むことができる。このような置換基の具
体例としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシロ
キシ基ジアルコキシカルボニル基、アシル基、ビス（ヒ
ドロカルビル）アミノ基、ハロゲン原子、水素原子等が
あげられる。

さらに具体的に本発明で用いるヒドロシラン類を例示す
ると、０−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、０−ビス
（ジフェニルシリル）ベンゼン、０−ビス（ジメトキシ
シリル）ベンゼン、０−ビス（ジフェノキシシリル）ベ
ンゼン、０−（ビス（ジメチルアミノ）シリル）（ジメ
チルシリル）ベンゼン、０−ビス（ジクロロシリル）ベ
ンゼン、３．４−ビス（ジメチルシリル）ピリジン、２
゜３−ビス（ジメチルシリル）チオフェン、２，３−ビ
ス（ジメチルシリル）フラン、１，２−ビス（ジメチル
シリル）ナフタレン、１，２−ビス（ジメチルシリル）
アントラセン、１，２−ビス（ジメチルシリル）−４−
メトキシベンゼン、３゜４−ビス（ジメチルシリル）フ
ェニルエチルエーテル、１，２−ビス（ジメチルシリル
）−４−クロロベンゼン、１，２−ビス（ジメチルシリ
ル）エタン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，１，３．３−テトラメチルジシラザン、ビス−
η５−（（ジメチルシリル）シクロペンタジェニル）鉄
、ビス−η５−（（ジメチルシリル）シクロペンタジェ
ニル）ルテニウム等があげられる。

本発明で用いる（ｂ）のアルデヒド類は、一般式　Ｒ’
　ＣＨＯ （但し式中、Ｒ５はそれぞれ前述のとおり）で表される
。Ｒ５としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ
メチル基、アリーロキシメチル基等があげられる。

更に具体的に本発明で用いるアルデヒド類を例示すると
、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ｎ−ブチ
ルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ｎ−バレルアル
デヒド、イソバレルアルデヒド、２−メチルブタナール
、２−メチルプロパナール、２−エチルヘキサナール、
１−ヘキサナール、１−ウンデカナール、シトロネラー
ル、２−エチルクロトンアルデヒド、３−アセトキシ−
１−ブタナール、２−メチル−３−アセトキシ−１−ペ
ンタナール、シクロヘキサンカルボアルデヒド、ベンズ
アルデヒド、０−１ｍ−１またはｐ−トルアルデヒド、
０−１ｍ−１またはｐ−クロロベンズアルデヒド、０−
１ｍ−１またはＰ−アセトキシベンズアルデヒドｏ−１
ｍ−１またはＰ−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ベンズア
ルデヒド。

フルフラール等があげられる。

ヒドロシラン類とアルデヒド類の量関係は通常ヒドロシ
ラン類とアルデヒド類のモル比で１／１００〜１００の
範囲で実施され、好ましくは１／１０〜１０の範囲であ
る。

本発明によれば１次の一般式で表される新規な１−シロ
キシ−１−シリルメタン誘導体が提供される。

前記式中、Ｒ７，Ｒ’、　Ｒ’及びＲ”はアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシロキ
シ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ビス（ヒド
ロカルビル）アミノ基、ハロゲン原子、水素原子等を示
し、Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ”及びＲ”はアルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシロキシ基
、ビス（ヒドロカルビル）アミノ基、ハロゲン原子、水
素原子等を示し、Ｒ”はアルキル基、アリール基、アル
コキシメチル基、アリーロキシメチル基等を示す。

前記のアルキル基、アルコキシ基及びアシル基としては
、炭素数１〜１０の低級アルキル基、アルコキシ基及び
アシル基があげられ、アリール基及びアリーロキシ基と
しては炭素数６〜１５の例えばフェニル基、トリル基、
フェノキシ基等を示す。アシロキシ基、アルコキシカル
ボニル基、ビぐギ’（１：１３０カ２．ビ２．）ア、ッ
基、、−Ｃは、炭素数１〜１０のアシロキシ基、アルコ
キシカルボニル基、ビス（ヒドロカルビル）アミノ基が
あげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素原子があげられる。

本発明で用いる（Ｃ）の遷移金属錯体触媒において、そ
の遷移金属成分としては、白金、パラジウム、ニッケル
があげられるが、特に白金の使用が好適である。

遷移金属錯体としては、従来公知の各種のものを使用す
ることができるが、反応系に少なくとも一部は可溶の化
合物を用いるのが反応速度的には好ましい。これらの化
合物としては有機配位子あるいは一酸化炭素を含む錯体
が特に好ましく用いられる。これらの具体例を示すと、
（η−エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）白金
、テトラキス（ジフェニルメチルホスフィン）白金、ジ
クロロビス（フエニルジメチルホスフィンクロロヒドリ
ドビス（トリブチルホスフィン）白金、ジクロロ（テト
ラメチルエチレンジアミン）％．ジブロモビス（トリエ
チルホスファイト）白金、ジクロロビス（ベンゾニトリ
ル）白金、ビス（ηー１，５ーシクロオクタジエン）白
金、ジクロロ（ηー１，５ーシクロオクタジエン）白金
、ジカルボニルビス（トリブチルホスフィン）白金、カ
ルボナトビス（トリシクロヘキシルホスフィン）白金、
ジフェニルアセチレンビス（トリフェニルホスフィン）
白金、ビス（ジベンジリデンアセトン）ビス（トリフェ
ニルホスフィン）白金、（ηーエチレン）ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（ジフェニ
ルメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（フエ
ニルジメチルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）ニパラジウム、ジクロロ（η−１、
５−シクロオクタジエン）パラジウム、ビス（ηーアリ
ル）パラジウム、（ηーエチレン）ビス（トリフェニル
ホスフィン）ニッケル、トリカルボニル（ジフェニルメ
チルホスフィン）ニッケル、ジブロモビス（トリエチル
ホスフィン）ニッケル、テトラキス（フエニルジメチル
ポスフィン）ニッケル、ブロモトリス（トリブチルホス
フィン）ニッケル、ビス（η５ーシクロペンタジェニル
）ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル等が
あげられるが、これに制限されるものではない。

またこれらの遷移金属化合物を単独でなく、２種以上を
共存させて実施してもよく、さらに遷移金属化合物と共
に該遷移金属化合物にふくまれるものと同一もしくは異
なる有機配位子を添加して実施することも本発明の有利
な態様に含まれる。

このような有機配位子を例示すると、ホスフィン、ホス
ホナイト、ホスフィナイト、ホスファイト、オレフィン
、β−ジケトン、アミン、ニトリル等があげられる。こ
れらを例示すると、トリメチルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリシクロヘキ
シルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ　（ｐ
−トリル）ホスフィン、トリ　（ｐ−アニシル）ホスフ
ィン、ジフェニルメチルホスフィン、フエニルジメチル
ホスフィン等の鎖状ホスフィン、ｐ−メチルホスホール
、ｐ−メチルホスホール、９−メチル−９−ホスファビ
シクロ［４．２．１１ノナン等の環状ホスフィン、１，
２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス
（ジメチルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジメ
チルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン、１，１′−ビス（ジメチルホスフィノ）フェロ
セン、１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロ
セン、α，α′−ビス（ジメチルホスフィノ）−０−キ
シレン、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）ベンゼン
等のビスホスフィン、ジメチルメチルホスホナイト、ジ
メチルフェニルホスホナイト等のホスホナイト、メチル
ジメチルホスフィナイト、ジフェニルホスフィナイト等
のホスフィナイト及びトリエチルホスファイト、トリフ
ェニルホスファイト、トリメチロールプロパンホスファ
イト等のホスファイト、エチレン、プロペン、シクロオ
クテン、１，５−へキサジエン、１．５−シクロオクタ
ジエン、１，３−シクロペンタジェン、ノルボルナジェ
ン、１，３，５，７−シクロオクタジエンニン等のオレ
フィン、アセチルアセトン等のβ−ジケトン、２，２′
−ビピリジル、エチレンジアミン等のアミン、ベンゾニ
トリル等のニトリルがあげられる。

遷移金属錯体触媒の使用量はいわゆる触媒量でよく、ヒ
ドロシランに対するモル比で。

０．００００１〜０．５の範囲で使用される。

本発明の反応は特に溶媒を使用する事なく、反応に供す
べきヒドロシラン類とアルデヒド類の混合物を用いる事
により容易に実施される。しかし、溶媒を用いることは
本反応の生起にとって障害となるものでなく、必要に応
じ溶媒中で実施される。

これらの溶媒の選択は反応させるべきヒドロシラン類の
反応性や沸点及びアルデヒド類の沸点等を考慮して一般
に用いられる溶媒１例えば炭化水素系、またはエーテル
系の溶媒の中から選ぶのが好ましい。

本発明の反応は０℃以下でも進行するが、好ましい速度
を達するためには２５０”Ｃまでの温度に加熱すること
もできる。原料物質の構造にもよるが、−船釣に好まし
い温度領域は０〜１５０℃である。

反応後め生成物の分離は未反応原料等を蒸留等で分離後
、精留、再結晶、クロマトグラフィー等に付すことで容
易に実施される。

［発明の効果］ 本発明によれば、ヒドロシラン類とアルデヒド類から容
易に１−シロキシ−１−シリルメタン誘導体が得られ、
その産業的意義は多大である。

［実施例］ 次に本発明を実施例によって更に詳細に説明する。

実施例Ｉ Ｐｔ　（ＣＨ２＝ＣＨ２）　（ＰＰｈ、　）、を０．０
０５ｍモル及び〇−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを
０．２５ｍモル含むベンゼン溶液２ｍＱに８０℃にて、
ベンズアルデヒドを０．２５ｍモル含むベンゼン溶液２
ｍＡを加え、８０℃にて反応させた。４０時間反応させ
た後濃縮し、蒸留すると１，１，４，４−テトラメチル
−３−フェニル−２，１，４−ベンゾオキサジシランが
収率４０％で得られた。

本化合物は文献に未収載の新規化合物であり。

その物性値、スペクトルデータは以下の通りであった・ １Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）　　： ６　７．６−７．１　　（ｍ、９Ｈ）。

（Ｓ　、ＩＨ）、　０．４３　（Ｓ　、３Ｈ）ｔ（ｓ　
、３Ｈ）、　　０．２９　（ｓ　、３Ｈ）。

（ｓ　、３Ｈ）。

δ　　１４４．６，１４３．７゜ １３３．４，１３２．５，１２８．６４゜１２８．１　
（２Ｃ）。

１２４．５　（２Ｃ）、　６９．８゜ −０，６２，−４，９８，−５，０３ ２９８（Ｍ”、　３９）。

２８３　　（１６）、　　１９３　　（１００）ＩＲ（
第１図）

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例により合成した１゜１．４，
４−テトラメチル−３−フェニル−２゜１．４−ベンゾ
オキサジシランの赤外吸収スペクトルをヌジョール法で
測定したものであり、縦軸は透過率（％）であり、横軸
は波数（ａｌｌ−１）である。 ５．０ ０．３７ ０．００ ”Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）　　： １４２．６゜ １２８．６０゜ １２５．５゜ ０．２１゜ ＧＣ−ＭＳ　（ＥＩ、７０ｅＶ）　　；１、事件の表示 ２０発明の名称 手続補正書（句ん） ３化技研第６０５号 平成２年特許願第５７２７６号 １−シロキシ−１−シリルメタン誘導体及びその製造方
法 ３、補正をする者 事件との関係特許呂願人 住所　　東京都千代田区霞が関１丁目３番１号氏名（１
１４）工業技術院長　　杉浦　　賢８、補正の内容 本願明細書中において、以下のとおり補正を行います。 （１）第１７頁第６行の「・・・・・・以下の通りであ
った。」の次の行に、「融点：　８０．５〜８１．０℃
」を挿入します。 （２）第１８頁第２行のｒＩＲ（第１図）」の次の行に
、「元素分析値：実測値　Ｃ６８，０９％、　Ｈ７，４
８％理論値　Ｃ６８，４０％、　Ｈ７，４３％実施例２ ベンゼンの代わりにトルエンを溶媒とし、温度を１１０
℃にして実施例１と同様に反応を行った。６時間後、１
，１，４，４−テトラメチル−３−フェニル−２，１，
４−ベンゾオキサジシランが７７％の収率で得られた。 」を挿入します。 ６、補正により増加する請求項の数 手続ネ甫正書（自発） 平成３年６月４日 １、事件の表示 平成２年特許願第５７２７６号 ２、発明の名称 １−シロキシ−１−シリルメタン誘導体及びその製造方
法 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住所　東京都千代田区霞が関１丁目３番１号名称（１１
４）工業技術院長　杉　浦　　賢５、補正命令の日付　
　自発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄、「図面の簡単７、
補正の内容 （１）明細書第４頁第５〜６行の「アセチレン」を「ア
ルデヒド」に補正する。 （２）同書第８頁第１３行の「アルキル基、」の次に「
アルケニル基、ｊを加入する。 （３）同書第９頁第３行の「−エチルクロトンアルデヒ
ド、」の次に「シンナムアルデヒド、」を加入する。 （４）同書第１０頁下から第８行の「アルキル基、」の
次に「アルケニル基、」を加入する。 （５）同書第１２頁第８〜９行の「ビス（ジベンジリデ
ンアセトン）ビス（トリフェニルホスフィン）白金、」
の次に「ビス（ジベンジリデンアセトン）白金、」を加
入する。 （６）同書第１８頁第２行の次の「実施例２」の記載（
平成３年４月４日提出の手続補正書で加入）の次に改行
して下記の記載を加入する。 「実施例３ Ｐｔ（ＣＨ２＝ＣＨ＊）　（ＰＰｈ３）２の代わりにＰ
ｔ（ｄｂａ）ｚ　（ビス（ジベンジリデンアセトン）白
金）を用いて実施例１と同様に８０℃にて１時間反応を
行った。反応後１．ｌ、４．４−テトラメチル−３−フ
ェニル−２，ｌ、４−ベンゾオキサジシランが９１％の
収率で得られた。 実施例４ ベンズアルデヒドの代わりにｎ−ヘプタナールを用い、
温度を８０℃にして実施例１と同様に６００時間反応行
った。反応後濃縮し、蒸留すると１，１，４．４−テト
ラメチル−３−へキシル−２，１，４−ベンゾオキサジ
シランが４７％の収率で得られた。本化合物は文献に未
収載の新規化合物であり、そのスペクトルデータは以下
の通りであった。 １．１，４．４−テトラメチル−３−ヘキシル−２１，
４−ベンゾオキサジシラン 沸点９５−１０５℃／　０．５ｍｍＨｇ　　（クーゲル
ロール）’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩｍ）　：６７．５５−
７．３４　（４Ｈ，ｍｌ、　３．８０−３．７０（１）
１．ｍ）、　１．８−１．５　（４Ｈ，ｍ）、　１．５
−１．１５　（６Ｈ，ｂｒ　ｓ）、０．９（３Ｈ，ｔ　
１ｉｋｅ）、　０．３５　（３Ｈ，ｓ）、　　０．３１
　（３Ｈ，ｓ）、　　０．２８（３Ｈ，ｓ）、　０．２
５　（３Ｈ，ｓ）１３ｃｍＮＭＴｈ（ｃｐｃｌ、＋　：
　δ１４４．９．１４４．１．１３３．２．１３２．３
゜１２８．４４．１２８．３８．６６．６．３３．２．
３１．９．２９．１．２６．６゜２２．７．１４．１．
０．２．−０．７．−４．１．−４．８ＧＣ−ＭＳ：３
０６（Ｍ′″０．１）、　　２９１（Ｍ−１５，０，１
）、　　１９３（１００）工Ｒ：第２図 実施例５ Ｐｔ（ＣＨ２＝ＣＨ−）　（ＰＰｈ−）　２の代わりに
Ｐｔ（ｄｂａ）２を用いて実施例４と同様に８０℃にて
１時間反応を行った。反応後１．１，４．４−テトラメ
チル−３−ヘキシル−２゜１．４−ベンゾオキサジシラ
ンが９１％の収率で得られた。 実施例６ ベンズアルデヒドの代わりにｎ−ヘキサナールを用い、
温度を８０℃にして実施例１と同様に１７時間反応を行
った。反応後濃縮し、蒸留すると１．１，４．４−テト
ラメチル−３−ベンチルー２．１．４−ベンゾオキサジ
シランが５２％の収率で得られた。本化合物は文献に未
収載の新規化合物であり、そのスペクトルデータは以下
の通りであった。 １．１，４．４−テトラメチル−３−ベンチルー２゜１
．４−ベンゾオキサジシラン ’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ）　：δ　７．５５−７．３
４　（４Ｈ，ｍ）、　３．８０−３．７０（ＬＨ，ｍ）
、　１．８−１．５　（４Ｎ、ｍ）、　１．５−１．１
５　（４Ｈ，ｂｒ　ｓ）０．９　　（３Ｈ，ｔ　１ｉｋ
ｅ）、　　０．３５　　（３Ｈ，ｓ）、　　０．３１　
　（３Ｈ，ｓ）０．２８　　（３Ｈ，ｓ）、　　０．２
５　　（３Ｈ，ｓ）実施例７ Ｐｔ（ＣＨ２＝ＣＨｉ）　（ＰＰｈｓ）ｚの代わりにＰ
ｔ（ｄｂａ）ｚを用いて実施例６と同様に８０℃にて１
６時間反応を行った。反応後１．１，４．４−テトラメ
チル−３−へキシル−２゜１．４−ベンゾオキサジシラ
ンが７１％の収率で得られた。 実施例８ ベンズアルデヒドの代わりにトランス−シンナムアルデ
ヒドを用い、温度を１１０℃にして実施例１と同様に１
２時間反応を行った。反応後濃縮し、蒸留すると１゜１
．４．４−テトラメチル−３−（トランス−２−フェニ
ルエチニル）−２，１，４−ベンゾオキサジシランが８
０％の収率で得られた。本化合物は文献に未収載の新規
化合物であり、そのスペクトルデータは以下の通りであ
った。 １．１，４．４−テトラメチル−３−（トランス−２−
フェニルエチニル）−２，１，４−ベンゾオキサジシラ
ン 沸点１４５−１５０℃７０．４ｍｍＨｇ　　（クーゲル
ロール）Ｈ−ＮＭＲ（（：ＤＣ１３）　：６７．４６−
７．１１　　（９Ｈ，ｍ）、　　６．５３　　（ＩＨ，
ｄｄ。 Ｊ＝１５．８．　１．４Ｈｚ）、　　６．２５（ＬＨ，
ｄｄ、　　Ｊ：１５．８．　５．５Ｈｚ）４．５６（Ｉ
Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝５．５．　１．４Ｈｚ）、　　０．３４
　（３Ｈ，ｓ）、　　０．３０（３Ｈ，ｓ）、　　０．
２７　　（３Ｈ，ｓ）、　　０．１３　（３Ｈ，ｓ）３
Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１ｇ　）　：　　６１４４．５．　
１４３．５．　１３７．７゜１３３．２．　１３２．５
．　１２９．７．　１２８．７．　１２８．６．　１２
８．４１２６．７．　１２６、ｌ、　　１２６．０．　
６８．９．　０．２．　−０．５．　−４．８ＧＣ−Ｍ
Ｓ；　　３２４（Ｍ”、５１）、　　１９３（３７）、
　　１１５（１００）工Ｒ；第３図 実施例９ Ｐｔ（Ｃ：Ｈ＊＝ＣＨ２）　（ＰＰｈｓ）　２の代わり
にＰｔ（ｄｂａ）ｚを用いて実施例６と同様に１１０℃
にて１２時間反応を行った。反応後１，１，４．４−テ
トラメチル−３−（トランス−２−フェニルエチニル）
−２，１，４−ベンゾオキサジシランが８％の収率で得
られた。」 （７）同書第１８頁第９行目の次に改行して下記の記載
を加入する。 「第２図は、本発明の実施例により合成した。１，１４
．４−テトラメチル−３−へキシル−２，１，４−ベン
ゾオキサジシランの赤外吸収スペクトルを液膜法で測定
したものであり、縦軸は透過率（％）であり、横軸は波
数（ｃｍ−’）である。 第３図は、本発明の実施例により合成した１、１゜４．
４−テトラメチル−３−（トランス−２−フェニルエチ
ニル）−２，１，４−ベンゾオキサジシランの赤外吸収
スペクトルを液膜法で測定したものであり、縦軸は透過
率（％）であり、横軸は波数（ｃｍ−’）である。］（
８）図面として第２図、第３図を追加する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）一般式ＨＲ＾１Ｒ＾２Ｓｉ−Ｙ−ＳｉＲ＾
   ３Ｒ＾４Ｈ（但し式中、Ｙは２価の有機基、酸素原子、
   窒素原子、硫黄原子を表し、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及
   びＲ＾４は１価の有機基、またはハロゲン原子、または
   水素原子を表す）で表されるヒドロシラン類と （ｂ）一般式Ｒ＾５ＣＨＯ （但し式中、Ｒ＾５は１価の有機基を表す）で表される
   アルデヒド類を、 （ｃ）白金、パラジウム、ニッケルの中から選ばれる遷
   移金属錯体の存在下に、反応させることを特徴とする、 一般式Ｒ＾１Ｒ＾２Ｓｉ−Ｒ＾５ＣＨ−Ｏ−ＳｉＲ＾３
   Ｒ＾４−Ｙ（但し式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾
   ４、Ｒ＾５及びＹはそれぞれ前述のとおり）で表される
   １−シロキシ−１−シリルメタン誘導体の製造方法。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し式中、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ
   ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３及びＲ＾１＾４は炭
   素数１〜１５の有機基、水素原子、ハロゲン原子の中か
   ら、 Ｒ＾１＾５は炭素数１〜１５の有機基の中から選ぶこと
   ができる）で表される１−シロキシ−１−シリルメタン
   誘導体。