JPH03259228A - 電気光学装置 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/088—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element
- G09G2300/0895—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element having more than one selection line for a two-terminal active matrix LCD, e.g. Lechner and D2R circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は駆動用電極に添って並んだ各画素毎に画素電
極と非線形抵抗素子を有する電気光学装置の構造に関す
る。
極と非線形抵抗素子を有する電気光学装置の構造に関す
る。
この発明は各画素電極毎に、複数個の非線形抵抗素子を
設け、隣接する２本の駆動用電極との間を別々の非線形
抵抗素子を介して接続し、この−対の駆動用電極を用い
て非線形抵抗素子の制御を行うことにより、非線形抵抗
素子の特性のばらつきや経時変化に対して安定な動作を
可能にするとともに、一つの画素に人力したデータに他
の画素へ人力するデータが影響を与えないような駆動が
可能な電気光学装置を提供するものである。
設け、隣接する２本の駆動用電極との間を別々の非線形
抵抗素子を介して接続し、この−対の駆動用電極を用い
て非線形抵抗素子の制御を行うことにより、非線形抵抗
素子の特性のばらつきや経時変化に対して安定な動作を
可能にするとともに、一つの画素に人力したデータに他
の画素へ人力するデータが影響を与えないような駆動が
可能な電気光学装置を提供するものである。
薄型、軽量、低消費電力のデイスプレィパネルとして、
液晶表示パネルは優れた特徴を有しており、現在ラップ
トツブやブック型のパソコン等をはじめ多く用いられて
いる。その中でアクティブマトリックス方式によるデイ
スプレィパネルは、表示情報量の増大化と高画質化が可
能な方法として注目を浴びている。アクティブ素子とし
ては、薄膜トランジスタなどを用いた三端子素子、ＭＩ
Ｍなどの非線形抵抗素子やＰＮ接合薄膜ダイオードなど
に代表される二端子素子がある。
液晶表示パネルは優れた特徴を有しており、現在ラップ
トツブやブック型のパソコン等をはじめ多く用いられて
いる。その中でアクティブマトリックス方式によるデイ
スプレィパネルは、表示情報量の増大化と高画質化が可
能な方法として注目を浴びている。アクティブ素子とし
ては、薄膜トランジスタなどを用いた三端子素子、ＭＩ
Ｍなどの非線形抵抗素子やＰＮ接合薄膜ダイオードなど
に代表される二端子素子がある。
この中で、三端子素子は形成薄膜が多いため工程は複雑
となり、歩留りは悪く、コスト高になる欠点がある。ま
た、ダイオードの場合は耐圧が低く、静電気に対して弱
いなどの問題がある。これに対し、非線形抵抗素子は構
造が単純で耐圧も高くできるので、低コストで、大面積
表示パネルへの応用に利用できる。
となり、歩留りは悪く、コスト高になる欠点がある。ま
た、ダイオードの場合は耐圧が低く、静電気に対して弱
いなどの問題がある。これに対し、非線形抵抗素子は構
造が単純で耐圧も高くできるので、低コストで、大面積
表示パネルへの応用に利用できる。
第２図（ａ）は非線形抵抗素子を用いた従来の電気光学
装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図であり、第２図
（ｂ）は装置の構造を示す一部断面図であり、第２図（
ｃ）は非線形抵抗素子の構造を示す平面図である。第２
図において、行電極１と列電極２は基板Ｂ及び対向基板
Ａにそれぞれ通常１００〜１０００本程形威される。Ｘ
形成交差部には画素電極２２と非線形抵抗層２１とを有
し、列電極２と接続された非線形抵抗素子４が設けられ
ている。そして基板Ａ、Ｂ間には電気光学材料３が保持
されている。液晶表示パネルとして用いる場合は、一般
的に基板Ａ、Ｂにはガラス、行電極１と画素電極２２に
はＩＴＯ，列電極２にはＣｒやＡｇ１非線形抵抗層２１
にはＳｉリッチな窒化シリコン膜などが用いられる。
装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図であり、第２図
（ｂ）は装置の構造を示す一部断面図であり、第２図（
ｃ）は非線形抵抗素子の構造を示す平面図である。第２
図において、行電極１と列電極２は基板Ｂ及び対向基板
Ａにそれぞれ通常１００〜１０００本程形威される。Ｘ
形成交差部には画素電極２２と非線形抵抗層２１とを有
し、列電極２と接続された非線形抵抗素子４が設けられ
ている。そして基板Ａ、Ｂ間には電気光学材料３が保持
されている。液晶表示パネルとして用いる場合は、一般
的に基板Ａ、Ｂにはガラス、行電極１と画素電極２２に
はＩＴＯ，列電極２にはＣｒやＡｇ１非線形抵抗層２１
にはＳｉリッチな窒化シリコン膜などが用いられる。
この種の液晶表示パネルの駆動は次のように行う。すな
わち、第２図の多数の行電極１（列電極２）を１本ずつ
線順次に選択し、その選択期間内に列電極２（行電極１
）によってデータを書き込む。このとき十分なコントラ
ストで表示が行えるためには、選択点での液晶に印加さ
れる実効電圧が液晶の飽和電圧よりも高いこと、非選択
点での液晶に印加される実効電圧が液晶のしきい値電圧
よりも低いことが必要である。非線形抵抗素子４は印加
電圧により、素子の抵抗が指数関数的に変化する特性を
持っているため、選択点では選択期間内により高い電圧
が非線形抵抗素子４にかかるようにすることによって、
素子の抵抗が低くなり、画素電極２２へ電荷が注入され
やすくなる。また、非選択点では選択期間内に非線形抵
抗素子４にかかる電圧を低めに抑えることにより、素子
の抵抗が低くならず、画素電極２２へ電荷が注入されに
くくなる。そして、保持期間においては選択点、非選択
点ともに非線形抵抗素子４には低い電圧が印加されるた
め、素子の抵抗は高くなり、注入された電荷の保持能力
が大きくなる。こうして、非線形抵抗素子を用いると、
液晶に加わる実効電圧を選択点では液晶の飽和電圧より
も高く保ち、非選択点では液晶のしきい値電圧よりも低
く保つことが容易になり、ドツト数を多くしていった場
合でも高いコントラストを得ることができる。
わち、第２図の多数の行電極１（列電極２）を１本ずつ
線順次に選択し、その選択期間内に列電極２（行電極１
）によってデータを書き込む。このとき十分なコントラ
ストで表示が行えるためには、選択点での液晶に印加さ
れる実効電圧が液晶の飽和電圧よりも高いこと、非選択
点での液晶に印加される実効電圧が液晶のしきい値電圧
よりも低いことが必要である。非線形抵抗素子４は印加
電圧により、素子の抵抗が指数関数的に変化する特性を
持っているため、選択点では選択期間内により高い電圧
が非線形抵抗素子４にかかるようにすることによって、
素子の抵抗が低くなり、画素電極２２へ電荷が注入され
やすくなる。また、非選択点では選択期間内に非線形抵
抗素子４にかかる電圧を低めに抑えることにより、素子
の抵抗が低くならず、画素電極２２へ電荷が注入されに
くくなる。そして、保持期間においては選択点、非選択
点ともに非線形抵抗素子４には低い電圧が印加されるた
め、素子の抵抗は高くなり、注入された電荷の保持能力
が大きくなる。こうして、非線形抵抗素子を用いると、
液晶に加わる実効電圧を選択点では液晶の飽和電圧より
も高く保ち、非選択点では液晶のしきい値電圧よりも低
く保つことが容易になり、ドツト数を多くしていった場
合でも高いコントラストを得ることができる。
また、この種の液晶表示パネルで表示を行うにあたって
は、選択期間と保持期間のそれぞれの期間で、非線形抵
抗素子４が所望の抵抗値になるよう駆動電圧や非線形抵
抗層２１の組成と膜厚、非線形抵抗素子４の構造を決定
することと、十分な駆動マージンを得るために、各々の
画素における液晶部の容量ＣＬＣと非線形抵抗素子部の
容Ｊｉ ｃ ＋との比を十分大きくすることが重要であ
る。（最低でもｅｔｃ／Ｃ＋；ｉ＝５゜） 〔発明が解決しようとする課題〕 このように非線形抵抗素子を用いた表示パネルでは表示
の大容量化が可能となるが、単純な選択、非選択の他に
階調表示を行おうとする場合などには、三端子素子と比
較して困難な事が起こる。それは、三端子素子の場合は
、−個一個の素子が完全なスイッチとして働くため、一
つの画素に注入された電荷は保持期間に他の画素に書き
込まれるデータの影響をほとんど受けないのに対し、非
線形抵抗素子では保持期間においても微弱な電流が流れ
得るので、他の画素に対するデータの影響が列電極（行
電極）を通して少しずつ加わってくることである。従っ
て、表示パターンにより液晶に加わる実効電圧値が所定
値からずれて来る。また、素子の抵抗値は電荷の注入能
力、保持能力に多大な影響を与えるので、素子特性がパ
ネル面内でばらついていたり、経時変化などでシフトし
てしまうと、それが液晶に加わる実効電圧値に直接動い
て来る。そのため、階調表示のように液晶に加わる実効
電圧値を精密にコントロールしなければならない場合に
はコントラストに差が出てしまい、この差はパネルサイ
ズが大きくなる程、ドツト数が多くなる程大きくなると
いう問題があった。
は、選択期間と保持期間のそれぞれの期間で、非線形抵
抗素子４が所望の抵抗値になるよう駆動電圧や非線形抵
抗層２１の組成と膜厚、非線形抵抗素子４の構造を決定
することと、十分な駆動マージンを得るために、各々の
画素における液晶部の容量ＣＬＣと非線形抵抗素子部の
容Ｊｉ ｃ ＋との比を十分大きくすることが重要であ
る。（最低でもｅｔｃ／Ｃ＋；ｉ＝５゜） 〔発明が解決しようとする課題〕 このように非線形抵抗素子を用いた表示パネルでは表示
の大容量化が可能となるが、単純な選択、非選択の他に
階調表示を行おうとする場合などには、三端子素子と比
較して困難な事が起こる。それは、三端子素子の場合は
、−個一個の素子が完全なスイッチとして働くため、一
つの画素に注入された電荷は保持期間に他の画素に書き
込まれるデータの影響をほとんど受けないのに対し、非
線形抵抗素子では保持期間においても微弱な電流が流れ
得るので、他の画素に対するデータの影響が列電極（行
電極）を通して少しずつ加わってくることである。従っ
て、表示パターンにより液晶に加わる実効電圧値が所定
値からずれて来る。また、素子の抵抗値は電荷の注入能
力、保持能力に多大な影響を与えるので、素子特性がパ
ネル面内でばらついていたり、経時変化などでシフトし
てしまうと、それが液晶に加わる実効電圧値に直接動い
て来る。そのため、階調表示のように液晶に加わる実効
電圧値を精密にコントロールしなければならない場合に
はコントラストに差が出てしまい、この差はパネルサイ
ズが大きくなる程、ドツト数が多くなる程大きくなると
いう問題があった。
そこで、本発明は階調表示などのより高度な表示が、非
線形抵抗素子を用いたパネルにおいても、より安定して
確実に行えるような電気光学装置を提供することを目的
としている。
線形抵抗素子を用いたパネルにおいても、より安定して
確実に行えるような電気光学装置を提供することを目的
としている。
本発明は上記問題点を解決するために、各画素電極毎に
非線形抵抗素子を複数個設け、それぞれ異なる２本の駆
動用電極と接続し、この一対のま駆動用電極を用いて非
線形抵抗素子の抵抗値を制御することにより、非線形抵
抗素子がより完全なスイッチとして働くようにしたもの
である。
非線形抵抗素子を複数個設け、それぞれ異なる２本の駆
動用電極と接続し、この一対のま駆動用電極を用いて非
線形抵抗素子の抵抗値を制御することにより、非線形抵
抗素子がより完全なスイッチとして働くようにしたもの
である。
本発明に用いることができる非線形抵抗素子は、アモル
ファスシリコン、または化学量論比よりもシリコン含有
量の多い窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、
または酸化窒化シリコンの層から成るもののいずれでも
よく、これら非線形抵抗素子が水素を含有していてもよ
く、さらに少くともリンスはボロンを含有していてもよ
い。
ファスシリコン、または化学量論比よりもシリコン含有
量の多い窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、
または酸化窒化シリコンの層から成るもののいずれでも
よく、これら非線形抵抗素子が水素を含有していてもよ
く、さらに少くともリンスはボロンを含有していてもよ
い。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図（ａ）は本発明の電気光学装置のＸ−Ｙマトリックス
パネル回路図であり、第１図（ｂ）は構造を示す一部断
面図であり、第１図（ｃ）は非線形抵抗素子の構造を示
す平面図である。第１図において、基板ＩＢ上に複数個
の画素電極１２２が形成されている。これは例えばＩＴ
Ｏなどをスパッタ法などによって堆積し、選択的にエツ
チングすることによって形成できる。次に非線形抵抗１
！２１ａ、２１ｂ （例えばＳｉリッチな５ｉＮＸ）と
駆動電極１２ａ、１２ｂ （例えばＣｒ）をこの順に連
続的に堆積し、それぞれを連続的にエツチングし、画素
電極１２２を第１の非線形抵抗素子１４ａを介して第１
の駆動用電極１２ａへ、第２の非線形抵抗素子１４ｂを
介して第２の駆動用電極１２ｂへ接続する。さらに対向
基板ＩＡには対向電極１１（例えばＩＴＯ）が形成され
、基板ＩＢとの間に電気光学材料１３（例えば液晶）が
保持される。
図（ａ）は本発明の電気光学装置のＸ−Ｙマトリックス
パネル回路図であり、第１図（ｂ）は構造を示す一部断
面図であり、第１図（ｃ）は非線形抵抗素子の構造を示
す平面図である。第１図において、基板ＩＢ上に複数個
の画素電極１２２が形成されている。これは例えばＩＴ
Ｏなどをスパッタ法などによって堆積し、選択的にエツ
チングすることによって形成できる。次に非線形抵抗１
！２１ａ、２１ｂ （例えばＳｉリッチな５ｉＮＸ）と
駆動電極１２ａ、１２ｂ （例えばＣｒ）をこの順に連
続的に堆積し、それぞれを連続的にエツチングし、画素
電極１２２を第１の非線形抵抗素子１４ａを介して第１
の駆動用電極１２ａへ、第２の非線形抵抗素子１４ｂを
介して第２の駆動用電極１２ｂへ接続する。さらに対向
基板ＩＡには対向電極１１（例えばＩＴＯ）が形成され
、基板ＩＢとの間に電気光学材料１３（例えば液晶）が
保持される。
このとき、装置の駆動は次のように行う。すなわち、第
１図の多数の駆動用電極１２を一対ずつ線順次に選択し
、その選択期間内に対向電極１１によってデータを書き
込む。第３図は本発明の電気光学装置の駆動方法を示す
図であり、第３図（ｇ）は第１の駆動用電極１２ｇへの
入力波形、第３図（ｂ）は第２の駆動用電極１２ｂへの
人力波形、第３図（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は対
向電極１１への人力波形を示している。第３図（ａ）に
おいて、駆動用電極１２ａの電位は非選択時にはＶｏに
保たれ、選択時においてＶ。＋ｖｏ、に立ち上がる。第
３図（ｂ）では、駆動用電極１２ｂは非選択的にｖｏの
電位、選択時にｖｏＶＯＰの電位となる。このとき、二
つの非線形抵抗素子１４ｇと１４ｂは極めて近傍に配置
されているため、その特性はほとんど同一であると考え
てよく、画素電極１２２の電位は常にＶ０近傍に保たれ
る。従って片側の非線形抵抗素子に加わる電圧は、非選
択時、選択時それぞれＯ，Ｖｏ、に極めて近い値となる
。よってＶ。、として十分大きな値をとってやれば、非
線形抵抗素子は選択時に低抵抗、非選択時に高抵抗とな
るような駆動が可能で、完全なスイッチに近い動作をす
るようになる。
１図の多数の駆動用電極１２を一対ずつ線順次に選択し
、その選択期間内に対向電極１１によってデータを書き
込む。第３図は本発明の電気光学装置の駆動方法を示す
図であり、第３図（ｇ）は第１の駆動用電極１２ｇへの
入力波形、第３図（ｂ）は第２の駆動用電極１２ｂへの
人力波形、第３図（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は対
向電極１１への人力波形を示している。第３図（ａ）に
おいて、駆動用電極１２ａの電位は非選択時にはＶｏに
保たれ、選択時においてＶ。＋ｖｏ、に立ち上がる。第
３図（ｂ）では、駆動用電極１２ｂは非選択的にｖｏの
電位、選択時にｖｏＶＯＰの電位となる。このとき、二
つの非線形抵抗素子１４ｇと１４ｂは極めて近傍に配置
されているため、その特性はほとんど同一であると考え
てよく、画素電極１２２の電位は常にＶ０近傍に保たれ
る。従って片側の非線形抵抗素子に加わる電圧は、非選
択時、選択時それぞれＯ，Ｖｏ、に極めて近い値となる
。よってＶ。、として十分大きな値をとってやれば、非
線形抵抗素子は選択時に低抵抗、非選択時に高抵抗とな
るような駆動が可能で、完全なスイッチに近い動作をす
るようになる。
第３図（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は−本の対向電
極に添って並ぶすべての画素に書き込むべきデータのパ
ターンごとに対向電極への入力波形を示したもので、第
３図（ｃ）はすべての画素が選択の場合、第３図（ｄ）
はすべての画素が非選択の場合、第３図（ｅ）は一つの
画素が選択で残りのすべての画素が非選択の場合、第３
図（ｆ）は一つの画素が非選択で残りのすべての画素が
選択の場合を示している。すなわち、選択期間において
、非線形抵抗素子が低抵抗となり、電荷注入が行われた
結果、電気光学材料１３にかかる電圧は、画素が選択の
ときはＶｏｎ、画素が非選択のときはＶ。ｐｐとなるよ
うにしている。また、−周期ごとにデータの反転を行な
っているのは電気光学材料１３が液晶などの場合に、Ｄ
Ｃバイアスがかかって、特性の劣化が起こらないように
するためである。
極に添って並ぶすべての画素に書き込むべきデータのパ
ターンごとに対向電極への入力波形を示したもので、第
３図（ｃ）はすべての画素が選択の場合、第３図（ｄ）
はすべての画素が非選択の場合、第３図（ｅ）は一つの
画素が選択で残りのすべての画素が非選択の場合、第３
図（ｆ）は一つの画素が非選択で残りのすべての画素が
選択の場合を示している。すなわち、選択期間において
、非線形抵抗素子が低抵抗となり、電荷注入が行われた
結果、電気光学材料１３にかかる電圧は、画素が選択の
ときはＶｏｎ、画素が非選択のときはＶ。ｐｐとなるよ
うにしている。また、−周期ごとにデータの反転を行な
っているのは電気光学材料１３が液晶などの場合に、Ｄ
Ｃバイアスがかかって、特性の劣化が起こらないように
するためである。
こうして、選択期間に画素電極１２２が蓄えられた電荷
は、保持期間においては非線形抵抗素子が極めて高抵抗
となるので、対向電極１１の電位がどのように変化して
も容易には放電されることはない。従って、電気光学材
料１３にかかる実効電圧は、選択期間の対向電極のデー
タによってほとんど決まってしまい、他の画素への入力
データからの影響は大巾に軽減される。また、電気光学
材料１３にかかる実効電圧が対向電極のデータで決まる
ことは、この装置の動作が、非線形抵抗素子の特性にそ
れほど従属しないことになる。なぜなら非線形抵抗素子
は電荷の注入と保持が行えればよいので、ＶＯＰを適当
な値に設定してやれば、素子の特性にばらつきゃ経時変
化があっても、スイッチとして十分な動作が可能となる
からである。
は、保持期間においては非線形抵抗素子が極めて高抵抗
となるので、対向電極１１の電位がどのように変化して
も容易には放電されることはない。従って、電気光学材
料１３にかかる実効電圧は、選択期間の対向電極のデー
タによってほとんど決まってしまい、他の画素への入力
データからの影響は大巾に軽減される。また、電気光学
材料１３にかかる実効電圧が対向電極のデータで決まる
ことは、この装置の動作が、非線形抵抗素子の特性にそ
れほど従属しないことになる。なぜなら非線形抵抗素子
は電荷の注入と保持が行えればよいので、ＶＯＰを適当
な値に設定してやれば、素子の特性にばらつきゃ経時変
化があっても、スイッチとして十分な動作が可能となる
からである。
以上説明したように、本発明によれば一個の画素電極に
つき非線形抵抗素子を複数個設け、それらを各画素電極
に隣接する一対の駆動用電極によって駆動することによ
り、非線形抵抗素子に高いスイッチ機能を持たせること
ができ、各画素につき、細かな調整を安定して行うこと
が可能となる。
つき非線形抵抗素子を複数個設け、それらを各画素電極
に隣接する一対の駆動用電極によって駆動することによ
り、非線形抵抗素子に高いスイッチ機能を持たせること
ができ、各画素につき、細かな調整を安定して行うこと
が可能となる。
実際に、非線形抵抗素子の特性に±２０％程度のばらつ
きがあっても、液晶層にがかる実効電圧をあらゆる表示
パターンに対して、所望する値の±０、ＩＶ以内に設定
できることが確認されている。
きがあっても、液晶層にがかる実効電圧をあらゆる表示
パターンに対して、所望する値の±０、ＩＶ以内に設定
できることが確認されている。
第１図（ａ）は本発明の電気光学装置のＸ−Ｙマトリッ
クスパネル回路図、 第１図（ｂ）本発明の電気光学装置の構造を示す断面図
、 第１図（ｃ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗素子
の構造を示す平面図、 第２図（ａ）は従来の電気光学装置のＸ−Ｙマトリック
スパネル回路図、 第２図（ｂ）従来の電気光学装置の構造を示すす断面図
、 第２図（ｃ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗素子の
構造を示す平面図、 第３図は本発明の電気光学装置の駆動方法を示す図で、 ＄３図（ａ）は第１の駆動用電極への入力波形を示す図
、 第３図（ｂ）第２の駆動用電極への人力波形を示す図、 ３１３図（Ｃ）はすべての画素が選択である時の対向電
極への入力波形を示す図、 第３図（ｄ）はすべての画素が非選択である時の対向電
極への人力波形を示す図、 第３図（ｅ）は特定の一画素が選択で、残りのすべての
画素が非選択である時の対向電極への入力波形を示す図
である。 第３図（ｆ）は特定の一画素が非選択で、残りのすべて
の画素が選択である時の対向電極への人力波形を示す図
である。 Ａ、ＩＡ・・・・・・・・・対向基板 Ｂ、ＩＢ・・・・・・・・・基板 １．１１・・・・・・・・・行電極（対向電極）２．１
２，１２ａ、１２ｂ・列電極（駆動用電極） ２１．２１ａ、２１ｂ−−−非線形抵抗層２２．１２２
・■・・・・画素電極 ３．１３・・・・・・・・・電気光学材料（液晶） ４．１４ａ、１４ｂ・・・・非線形抵抗素子＋２ 本発明のｔ′ｆＩ光ｇ躾、１７’）Ｘ−Ｙマトリｌクス
ノでフル回路国々５１ 図 （ａ） 一−１３ 本発明の電気尤李任置ハ構造乞示す前曲図第１図（ｂ） ｍ＝＼３ 従来（７＋ｔｙｔ光学装置の構造４ホ【断面図第２図（
Ｉ）） ■綿１５抵ａ稟子ハ栖慮りホＴ平面図 翌２図（Ｃ）
クスパネル回路図、 第１図（ｂ）本発明の電気光学装置の構造を示す断面図
、 第１図（ｃ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗素子
の構造を示す平面図、 第２図（ａ）は従来の電気光学装置のＸ−Ｙマトリック
スパネル回路図、 第２図（ｂ）従来の電気光学装置の構造を示すす断面図
、 第２図（ｃ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗素子の
構造を示す平面図、 第３図は本発明の電気光学装置の駆動方法を示す図で、 ＄３図（ａ）は第１の駆動用電極への入力波形を示す図
、 第３図（ｂ）第２の駆動用電極への人力波形を示す図、 ３１３図（Ｃ）はすべての画素が選択である時の対向電
極への入力波形を示す図、 第３図（ｄ）はすべての画素が非選択である時の対向電
極への人力波形を示す図、 第３図（ｅ）は特定の一画素が選択で、残りのすべての
画素が非選択である時の対向電極への入力波形を示す図
である。 第３図（ｆ）は特定の一画素が非選択で、残りのすべて
の画素が選択である時の対向電極への人力波形を示す図
である。 Ａ、ＩＡ・・・・・・・・・対向基板 Ｂ、ＩＢ・・・・・・・・・基板 １．１１・・・・・・・・・行電極（対向電極）２．１
２，１２ａ、１２ｂ・列電極（駆動用電極） ２１．２１ａ、２１ｂ−−−非線形抵抗層２２．１２２
・■・・・・画素電極 ３．１３・・・・・・・・・電気光学材料（液晶） ４．１４ａ、１４ｂ・・・・非線形抵抗素子＋２ 本発明のｔ′ｆＩ光ｇ躾、１７’）Ｘ−Ｙマトリｌクス
ノでフル回路国々５１ 図 （ａ） 一−１３ 本発明の電気尤李任置ハ構造乞示す前曲図第１図（ｂ） ｍ＝＼３ 従来（７＋ｔｙｔ光学装置の構造４ホ【断面図第２図（
Ｉ）） ■綿１５抵ａ稟子ハ栖慮りホＴ平面図 翌２図（Ｃ）
Claims (4)
- （１）２枚の対向する基板と該基板間に挟持された電気
光学効果を有する材料、一方の基板に形成した多数の行
電極群と他方の基板に形成した多数の列電極群、少なく
とも一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極
群と非線形抵抗素子とからなる電気光学装置において、
前記画素電極群の各電極毎に複数個の非線形抵抗素子を
設け、前記各電極をそれぞれ第１の非線形抵抗素子を介
して第１の行又は列電極に、第２の非線形抵抗素子を介
して第２の行又は列電極に接続し、該一対の行又は列電
極により該一対の非線形抵抗素子を制御するようにした
ことを特徴とする電気光学装置。 - （２）非線形抵抗素子はアモルファスシリコン、または
化学量論比よりもシリコン含有量の多い窒化シリコン、
酸化シリンダ、炭化シリコン、または酸化窒化シリコン
の層からなることを特徴とする請求項１記載の電気光学
装置。 - （３）非線形抵抗素子は少くとも水素を含有する層から
なることを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。 - （４）非線形抵抗素子は少くともリンまたはボロンを含
有する層からなることを特徴とする請求項２または３記
載の電気光学装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5909090A JP2630663B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電気光学装置 |
| US07/657,490 US5204764A (en) | 1990-03-09 | 1991-02-15 | Electro-optical device having a first and a second nonlinear resistance element formed on each pixel electrode |
| DE69116707T DE69116707T2 (de) | 1990-03-09 | 1991-03-01 | Elektrooptische Vorrichtung |
| EP91301705A EP0447077B1 (en) | 1990-03-09 | 1991-03-01 | Electro-optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5909090A JP2630663B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259228A true JPH03259228A (ja) | 1991-11-19 |
| JP2630663B2 JP2630663B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=13103294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5909090A Expired - Fee Related JP2630663B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電気光学装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204764A (ja) |
| EP (1) | EP0447077B1 (ja) |
| JP (1) | JP2630663B2 (ja) |
| DE (1) | DE69116707T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122982A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置の駆動方法 |
| US5680182A (en) * | 1994-11-11 | 1997-10-21 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear resistance films suitable for an active matrix LCD |
| US5572344A (en) * | 1995-01-03 | 1996-11-05 | Xerox Corporation | Pixel elements having resistive divider elements |
| US5814948A (en) * | 1997-01-14 | 1998-09-29 | Eastman Kodak Company | Flash circuit for low cost cameras |
| US6738035B1 (en) | 1997-09-22 | 2004-05-18 | Nongqiang Fan | Active matrix LCD based on diode switches and methods of improving display uniformity of same |
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| US6225968B1 (en) | 1997-09-23 | 2001-05-01 | Ois Optical Imagaing Systems, Inc. | Method and system for addressing LCD including diodes |
| US6222596B1 (en) | 1998-03-06 | 2001-04-24 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Thin film diode including carbon nitride alloy semi-insulator and method of making same |
| WO2000028516A1 (en) * | 1998-11-08 | 2000-05-18 | Nongqiang Fan | Active matrix lcd based on diode switches and methods of improving display uniformity of same |
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| US20050225543A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-13 | Scanvue Technologies Llc | Display circuit having asymmetrical nonlinear resistive elements |
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Citations (3)
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| US4728175A (en) * | 1986-10-09 | 1988-03-01 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Liquid crystal display having pixels with auxiliary capacitance |
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-
1990
- 1990-03-09 JP JP5909090A patent/JP2630663B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-15 US US07/657,490 patent/US5204764A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69116707T patent/DE69116707T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-01 EP EP91301705A patent/EP0447077B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5153415A (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-11 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisochi |
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| JPS61206219A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69116707T2 (de) | 1996-05-30 |
| EP0447077A3 (en) | 1992-05-06 |
| JP2630663B2 (ja) | 1997-07-16 |
| DE69116707D1 (de) | 1996-03-14 |
| US5204764A (en) | 1993-04-20 |
| EP0447077A2 (en) | 1991-09-18 |
| EP0447077B1 (en) | 1996-01-31 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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