JPH0325960A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0325960A JPH0325960A JP16154089A JP16154089A JPH0325960A JP H0325960 A JPH0325960 A JP H0325960A JP 16154089 A JP16154089 A JP 16154089A JP 16154089 A JP16154089 A JP 16154089A JP H0325960 A JPH0325960 A JP H0325960A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- thin film
- plastic
- conductive thin
- leads
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にプラスティックパッ
ケージの表面構造の改良に関する。
ケージの表面構造の改良に関する。
従来、この種のプラスティックパッケージは、第4図の
斜視図に示される様にその内部から表面に致るまで同一
の材質、すなわちプラスティックで構成されていた。
斜視図に示される様にその内部から表面に致るまで同一
の材質、すなわちプラスティックで構成されていた。
(発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のプラスティックパッケージは帯電し易い
材質であり、その内部から表面に致るまで同一材料で楕
戒されていた。従って、例えば高温電気検査時に吹きが
ける熱風とパッケージとの摩擦によって生じた静電気が
帯電し半導体素子に対しゲート破壊,ジャンクション破
壊等のダメージを与えるという欠点がある。
材質であり、その内部から表面に致るまで同一材料で楕
戒されていた。従って、例えば高温電気検査時に吹きが
ける熱風とパッケージとの摩擦によって生じた静電気が
帯電し半導体素子に対しゲート破壊,ジャンクション破
壊等のダメージを与えるという欠点がある。
本発明によるプラスティックパッケージは、パッケージ
のリードに接触していない表面の一部に導電性の薄膜を
有しており、薄膜をグランドに落すことで、薄膜を通し
て静電気が逃げることにより内部半導体素子を保護する
ことができる。
のリードに接触していない表面の一部に導電性の薄膜を
有しており、薄膜をグランドに落すことで、薄膜を通し
て静電気が逃げることにより内部半導体素子を保護する
ことができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する,
第1図は本発明の第1の実施例を示すDIP型のプラス
ティックパッケージの斜視図である。本実施例では、プ
ラスティックバッゲージの表面に導電性の薄膜2が形成
されている。図において、1はプラスティック部、−3
はリード部である。
ティックパッケージの斜視図である。本実施例では、プ
ラスティックバッゲージの表面に導電性の薄膜2が形成
されている。図において、1はプラスティック部、−3
はリード部である。
第2図は半導体装置の電気的検査時の縦断面図である。
第2図に示されるように例えばオートハンドラの導電性
プッシュロッド4をGNDと接続しておけば、プラステ
ィックパッケージ8に帯電したチャージ6を導電薄膜2
→プッシュロツド4→GNDと逃がすことができる。
プッシュロッド4をGNDと接続しておけば、プラステ
ィックパッケージ8に帯電したチャージ6を導電薄膜2
→プッシュロツド4→GNDと逃がすことができる。
第3図は本発明の第2の実施例の縦断面図である。本実
施例では上方にリード戒形されたフラットパッケージ8
の電気的検査時の様子を示す。
施例では上方にリード戒形されたフラットパッケージ8
の電気的検査時の様子を示す。
以上説明したように本発明では、プラスティックパッケ
ージのリードに接触していない表面の一部に導電性の薄
膜を設けることにより、この薄膜を通して帯電したチャ
ージを逃がすことにより内部素子の静電破壊等を防止で
きる効果がある。
ージのリードに接触していない表面の一部に導電性の薄
膜を設けることにより、この薄膜を通して帯電したチャ
ージを逃がすことにより内部素子の静電破壊等を防止で
きる効果がある。
1の実施例の電気的検査時の様子を示す縦断面図、第3
図は本発明の第2の実施例の縦断面図、第4図は従来の
DIP型プラスティックパッケージの斜視図である. 1・・・プラスティック部、2・・・導電性薄膜部、3
・・・リード部、4・・・オートハンドラのプッシュロ
ッド、5・・・ソケット、6・・・帯電したチャージ、
7・・・フラットパッケージのリード部、8・・・パッ
ケージ。
図は本発明の第2の実施例の縦断面図、第4図は従来の
DIP型プラスティックパッケージの斜視図である. 1・・・プラスティック部、2・・・導電性薄膜部、3
・・・リード部、4・・・オートハンドラのプッシュロ
ッド、5・・・ソケット、6・・・帯電したチャージ、
7・・・フラットパッケージのリード部、8・・・パッ
ケージ。
Claims (1)
- 半導体装置のパッケージにおいて、該パッケージのリー
ドに接触していない表面の一部に導電性の薄膜を有する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154089A JPH0325960A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154089A JPH0325960A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325960A true JPH0325960A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15737044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16154089A Pending JPH0325960A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761861B1 (ko) * | 2006-10-11 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 정전기를 방지하는 반도체 패키지 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247951A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Epson Corp | プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16154089A patent/JPH0325960A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247951A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Epson Corp | プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761861B1 (ko) * | 2006-10-11 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 정전기를 방지하는 반도체 패키지 |
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