JPS62193Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62193Y2 JPS62193Y2 JP18310281U JP18310281U JPS62193Y2 JP S62193 Y2 JPS62193 Y2 JP S62193Y2 JP 18310281 U JP18310281 U JP 18310281U JP 18310281 U JP18310281 U JP 18310281U JP S62193 Y2 JPS62193 Y2 JP S62193Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- thin film
- antistatic
- static electricity
- antistatic agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は帯電防止処理を施した半導体デイバ
イスに関するものである。
イスに関するものである。
ICやLSI等の半導体デイバイスは半導体の特質
から静電気に対し、非常に弱く、特にMOS型IC
は、人体に蓄積した静電気、あるいは輸送中での
他物との摩擦及び接触により発生するわずかの静
電気により瞬時にゲート破壊を越し不良になつて
しまう。また、最近の16キロビツト又は64キロビ
ツトの高性能LSIは0.2ボルトぐらいのわずかな電
圧差で作動するように設計されているので、静電
気が伝わると機能が狂つたり、ひどいときには回
路が切断されて役立たなくなつてしまう。また半
導体デイバイスの輸送ケースとして使用している
マガジンステイツクは従来金属でできており、こ
れを接地して使用していたが、自動的に半導体デ
イバイスをマガジンステイツクから出していく際
中が見えず、中の残つた個数が分らなかつた。そ
こでこれを透明なプラスチツクで作つたものを使
用しているが、このプラスチツクのマガジンステ
イツクの中で半導体デイバイスが摺動する際、静
電気が生じ半導体が破壊されるおそれがある。し
かしながら半導体の包装材にはプラスチツクが多
く使用されており、かつ半導体デイバイスそのも
のもプラスチツクで絶縁被覆しているため、摩擦
接触によつて静電気が生じ易い。例えばプラスチ
ツクチユーブの中のセラミツクDIPSでは700V、
プラスチツクトレイに並べたセラミツクDIPSで
は4000V、発泡スチロールに入れたセラミツク
DIPSでは5000V、エアーキヤツプを取除いた時
のICでは20000V、発泡プラスチツク材で包装し
たICでは11000V、包装材から修理のために取出
したICでは6000Vの静電気が生ずる。そこで半導
体デイバイスの製造の段階、保管、運搬、機器へ
の組込み、機器の作動時等の夫々の段階において
静電気防止対策がとられている。これらの対策と
しては、帯電防止用接地ボンデイング、加湿、導
電性材料の使用、帯電防止剤の使用、静電気除電
器の使用、帯電防止作業衣の着用、静電靴の使
用、導電性床の使用、放電の抑制対策が採られて
いる。しかしながらこれらの静電気防止対策は主
に半導体デイバイスを取りまく夫々の環境におい
て行なわれているもので、製造、保管、運搬等の
各々の段階で夫々設備を施さなければならず、ま
た静電気防止効果も完全なものとは言い難いもの
であつた。また半導体デイバイスの保護容器に導
電性を付与したものが使用されているが、導電性
が付与されることにより、導体の瞬時放電、誘導
帯電等の性質を付与することとなるため、半導体
の静電破壊の防止対策としては疑問があるもので
ある。
から静電気に対し、非常に弱く、特にMOS型IC
は、人体に蓄積した静電気、あるいは輸送中での
他物との摩擦及び接触により発生するわずかの静
電気により瞬時にゲート破壊を越し不良になつて
しまう。また、最近の16キロビツト又は64キロビ
ツトの高性能LSIは0.2ボルトぐらいのわずかな電
圧差で作動するように設計されているので、静電
気が伝わると機能が狂つたり、ひどいときには回
路が切断されて役立たなくなつてしまう。また半
導体デイバイスの輸送ケースとして使用している
マガジンステイツクは従来金属でできており、こ
れを接地して使用していたが、自動的に半導体デ
イバイスをマガジンステイツクから出していく際
中が見えず、中の残つた個数が分らなかつた。そ
こでこれを透明なプラスチツクで作つたものを使
用しているが、このプラスチツクのマガジンステ
イツクの中で半導体デイバイスが摺動する際、静
電気が生じ半導体が破壊されるおそれがある。し
かしながら半導体の包装材にはプラスチツクが多
く使用されており、かつ半導体デイバイスそのも
のもプラスチツクで絶縁被覆しているため、摩擦
接触によつて静電気が生じ易い。例えばプラスチ
ツクチユーブの中のセラミツクDIPSでは700V、
プラスチツクトレイに並べたセラミツクDIPSで
は4000V、発泡スチロールに入れたセラミツク
DIPSでは5000V、エアーキヤツプを取除いた時
のICでは20000V、発泡プラスチツク材で包装し
たICでは11000V、包装材から修理のために取出
したICでは6000Vの静電気が生ずる。そこで半導
体デイバイスの製造の段階、保管、運搬、機器へ
の組込み、機器の作動時等の夫々の段階において
静電気防止対策がとられている。これらの対策と
しては、帯電防止用接地ボンデイング、加湿、導
電性材料の使用、帯電防止剤の使用、静電気除電
器の使用、帯電防止作業衣の着用、静電靴の使
用、導電性床の使用、放電の抑制対策が採られて
いる。しかしながらこれらの静電気防止対策は主
に半導体デイバイスを取りまく夫々の環境におい
て行なわれているもので、製造、保管、運搬等の
各々の段階で夫々設備を施さなければならず、ま
た静電気防止効果も完全なものとは言い難いもの
であつた。また半導体デイバイスの保護容器に導
電性を付与したものが使用されているが、導電性
が付与されることにより、導体の瞬時放電、誘導
帯電等の性質を付与することとなるため、半導体
の静電破壊の防止対策としては疑問があるもので
ある。
この考案はこれらの点に鑑みて考案されたもの
で、従来の半導体デイバイスを取りまく環境の帯
電防止対策に代えて、半導体デイバイスそのもの
に帯電防止処理を施すことによつて、他物との摩
擦接触によつても静電気が生ぜず、それ故静電破
壊、各種機器の誤動作等が生ぜず、半導体ものも
のの機能が十分発揮できる半導体デイバイスを提
供することを目的としたもので、これによつて従
来の如く半導体の製造、運搬保管、各種機器への
組み込み時等の各段階においていちいち静電防止
対策を施すことを要せず、半導体デイバイスの取
扱いが容易となるものである。
で、従来の半導体デイバイスを取りまく環境の帯
電防止対策に代えて、半導体デイバイスそのもの
に帯電防止処理を施すことによつて、他物との摩
擦接触によつても静電気が生ぜず、それ故静電破
壊、各種機器の誤動作等が生ぜず、半導体ものも
のの機能が十分発揮できる半導体デイバイスを提
供することを目的としたもので、これによつて従
来の如く半導体の製造、運搬保管、各種機器への
組み込み時等の各段階においていちいち静電防止
対策を施すことを要せず、半導体デイバイスの取
扱いが容易となるものである。
この半導体デイバイスの本体はエポキシ樹脂等
のプラスチツクで被い絶縁を付与しているが、こ
の表面に帯電防止剤を施す方法としては従来、表
面塗布法及び帯電防止剤の樹脂練込法が考えられ
る。しかしながら一般的にはこれらの方法はいず
れも欠点がある。即ち表面塗布法では塗布前の樹
脂表面上の帯電状態が、塗布形成にかなり影響が
あり、帯電の分布の不均一が塗膜厚の不均一や不
連続と関係する。従つて必然的に塗膜の厚さを大
きくすることとなり、塗布工程での乾燥工程に時
間を費す等の経済的欠点が指摘され、かつ、処理
后の表面状態にベタツキ、外観の問題が生じ、耐
久性（持続性）にも問題があつた。また樹脂練込
法においては、プラスチツク材料に適合した帯電
防止剤の選択が極めて困難であり、かつ帯電防止
剤とプラスチツクとの相溶性から表面へのブリー
ド速度、ブリードの不均一等により、形成被膜は
必ずしも全表面に亘り、均一、連続な膜を形成す
るものでない。これらの被膜のばらつきにより帯
電防止効果のばらつきが生ずる。
のプラスチツクで被い絶縁を付与しているが、こ
の表面に帯電防止剤を施す方法としては従来、表
面塗布法及び帯電防止剤の樹脂練込法が考えられ
る。しかしながら一般的にはこれらの方法はいず
れも欠点がある。即ち表面塗布法では塗布前の樹
脂表面上の帯電状態が、塗布形成にかなり影響が
あり、帯電の分布の不均一が塗膜厚の不均一や不
連続と関係する。従つて必然的に塗膜の厚さを大
きくすることとなり、塗布工程での乾燥工程に時
間を費す等の経済的欠点が指摘され、かつ、処理
后の表面状態にベタツキ、外観の問題が生じ、耐
久性（持続性）にも問題があつた。また樹脂練込
法においては、プラスチツク材料に適合した帯電
防止剤の選択が極めて困難であり、かつ帯電防止
剤とプラスチツクとの相溶性から表面へのブリー
ド速度、ブリードの不均一等により、形成被膜は
必ずしも全表面に亘り、均一、連続な膜を形成す
るものでない。これらの被膜のばらつきにより帯
電防止効果のばらつきが生ずる。
そこでこの考案ではこれらのものと異なり、帯
電防止剤から成る均一かつ連続した極薄膜を形成
して上記目的を達成せしめるものである。そして
この考案の構成は、極く少量の帯電防止剤を含む
薄い濃度の水溶液又は水分散液の表面張力を、フ
ツ素系界面活性剤により30dyne／cm25℃以下に
したものを適宜の方法で煙霧状にし、このエアロ
ゾルの粒径５μ以下に選択したものを半導体デイ
バイスの本体及び各端子の外表面に付着させて、
帯電防止剤から成る均一かつ連続した極薄膜を該
外表面に形成せしめた帯電防止処理を施した半導
体デイバイスである。
電防止剤から成る均一かつ連続した極薄膜を形成
して上記目的を達成せしめるものである。そして
この考案の構成は、極く少量の帯電防止剤を含む
薄い濃度の水溶液又は水分散液の表面張力を、フ
ツ素系界面活性剤により30dyne／cm25℃以下に
したものを適宜の方法で煙霧状にし、このエアロ
ゾルの粒径５μ以下に選択したものを半導体デイ
バイスの本体及び各端子の外表面に付着させて、
帯電防止剤から成る均一かつ連続した極薄膜を該
外表面に形成せしめた帯電防止処理を施した半導
体デイバイスである。
以下この考案の一実施例を図について説明す
る。
る。
１は半導体デイバイス、２は半導体デイバイス
１の本体で、この本体２はエポキシ樹脂等の合成
樹脂で被われている。３は本体２の両側から多数
本突出した端子、４はこれら本体２及び端子３の
外表面に被われた均一かつ連続した、帯電防止剤
から成る極薄膜である。この極薄膜は本出願人が
先に提出した特願昭56−143817号（特開昭58−
45237号公報）における極薄膜の構成と同様であ
る。即ち極く少量の帯電防止剤を含む薄い濃度の
水溶液又は水分散液の表面張力をフツ素系界面活
性剤によつて30dyne／cm25℃以下にしたもの
を、適宜の方法で煙霧状とし、このエアロゾルの
粒径５μ以下のものに選択したものを上記半導体
デイバイス１の外表面にさらし、吸着させる。こ
れにより粒子は凝集せず、外表面に拡がり、粒子
が微細なことと相俟つて水分は急速に気化し、膜
厚400ｍμ以下、即ち可視光線波長以下の厚さの
帯電防止剤から成る極薄膜が均一にまんべんなく
半導体デイバイス１の外表面に形成されたもので
ある。第３図は半導体デイバイス１の外表面に形
成した極薄膜４の拡大断面図を示し、半導体デイ
バイス１の本体２の外表面２ａの約１μ以下の微
細な凹凸２ｂの表面細部にまで、極薄膜４が被わ
れ、連続して形成されている。
１の本体で、この本体２はエポキシ樹脂等の合成
樹脂で被われている。３は本体２の両側から多数
本突出した端子、４はこれら本体２及び端子３の
外表面に被われた均一かつ連続した、帯電防止剤
から成る極薄膜である。この極薄膜は本出願人が
先に提出した特願昭56−143817号（特開昭58−
45237号公報）における極薄膜の構成と同様であ
る。即ち極く少量の帯電防止剤を含む薄い濃度の
水溶液又は水分散液の表面張力をフツ素系界面活
性剤によつて30dyne／cm25℃以下にしたもの
を、適宜の方法で煙霧状とし、このエアロゾルの
粒径５μ以下のものに選択したものを上記半導体
デイバイス１の外表面にさらし、吸着させる。こ
れにより粒子は凝集せず、外表面に拡がり、粒子
が微細なことと相俟つて水分は急速に気化し、膜
厚400ｍμ以下、即ち可視光線波長以下の厚さの
帯電防止剤から成る極薄膜が均一にまんべんなく
半導体デイバイス１の外表面に形成されたもので
ある。第３図は半導体デイバイス１の外表面に形
成した極薄膜４の拡大断面図を示し、半導体デイ
バイス１の本体２の外表面２ａの約１μ以下の微
細な凹凸２ｂの表面細部にまで、極薄膜４が被わ
れ、連続して形成されている。
この考案は以上の構造であり、これを透明なプ
ラスチツクのマガジンステイツク等の包装材に入
れても、この考案及び包装材の双方に静電気の発
生が生じない。従つて従来の如く包装材に導電性
を付与したりする等の処理が不要となる。これは
この考案が半導体デイバイス１の外表面に均一か
つ連続した極薄膜４を形成しているため他物と摩
擦接触しても静電気が生ぜず、帯電防止効果を長
期にわたつて持続できるものである。この様にこ
の考案では半導体デイバイスそのものに帯電防止
効果を施しているため、製造、保管、運搬、種々
の機器への組み込み等の各段階で静電気防止対策
を施さなくてよい。しかもこの考案では半導体デ
イバイス１の本体２及び端子３を極薄膜４で被つ
ているため、夫々の素地が直接外気に接触せず、
半導体デイバイス１の置かれた雰囲気乃至は環境
に影響されない。またこの考案の半導体デイバイ
ス１は端子３をハンダ付けによつて機器へ接続す
るため、ハンダ熱によつて端子３の該箇所の極薄
膜４がとび端子３の導体が露出するため機器への
接続の障害とならない。また極薄膜４は半導体デ
イバイス１の全周を被つているが端子３相互の導
通はない。即ち極薄膜４の面方向に対しては抵抗
率が高い（実測値1014オーム／cm）ため極薄膜４
を通つて隣接相互の端子３が導通しない。
ラスチツクのマガジンステイツク等の包装材に入
れても、この考案及び包装材の双方に静電気の発
生が生じない。従つて従来の如く包装材に導電性
を付与したりする等の処理が不要となる。これは
この考案が半導体デイバイス１の外表面に均一か
つ連続した極薄膜４を形成しているため他物と摩
擦接触しても静電気が生ぜず、帯電防止効果を長
期にわたつて持続できるものである。この様にこ
の考案では半導体デイバイスそのものに帯電防止
効果を施しているため、製造、保管、運搬、種々
の機器への組み込み等の各段階で静電気防止対策
を施さなくてよい。しかもこの考案では半導体デ
イバイス１の本体２及び端子３を極薄膜４で被つ
ているため、夫々の素地が直接外気に接触せず、
半導体デイバイス１の置かれた雰囲気乃至は環境
に影響されない。またこの考案の半導体デイバイ
ス１は端子３をハンダ付けによつて機器へ接続す
るため、ハンダ熱によつて端子３の該箇所の極薄
膜４がとび端子３の導体が露出するため機器への
接続の障害とならない。また極薄膜４は半導体デ
イバイス１の全周を被つているが端子３相互の導
通はない。即ち極薄膜４の面方向に対しては抵抗
率が高い（実測値1014オーム／cm）ため極薄膜４
を通つて隣接相互の端子３が導通しない。
以上の如くこの考案は半導体デイバイス１その
ものに帯電防止処理を施し、しかもこの帯電防止
処理が半導体デイバイス１の外表面にわたつて均
一かつ連続した極薄膜４を形成せしめて、他物と
の接触によつても静電気を生じさせないように
し、持続性のある帯電防止効果を有して静電破壊
及び機器へ組込んだ際の静電気による誤動作等の
発生をなくしたものである。
ものに帯電防止処理を施し、しかもこの帯電防止
処理が半導体デイバイス１の外表面にわたつて均
一かつ連続した極薄膜４を形成せしめて、他物と
の接触によつても静電気を生じさせないように
し、持続性のある帯電防止効果を有して静電破壊
及び機器へ組込んだ際の静電気による誤動作等の
発生をなくしたものである。
図はこの考案の実施例を示し、第１図はこの考
案の半導体デイバイス、第２図この考案の断面
図、第３図はこの考案の本体の一部拡大断面図で
ある。 なお図中１は半導体デイバイス、２は本体、３
は端子、４は極薄膜である。
案の半導体デイバイス、第２図この考案の断面
図、第３図はこの考案の本体の一部拡大断面図で
ある。 なお図中１は半導体デイバイス、２は本体、３
は端子、４は極薄膜である。
Claims (1)
- 極く少量の帯電防止剤を含む薄い濃度の水溶液
又は水分散液の表面張力を、フツ素系界面活性剤
により30dyne／cm25℃以下にしたものを適宜の
方法で煙霧状にし、このエアロゾルの粒径５μ以
下に選択したものを半導体デイバイスの本体及び
各端子の外表面に付着させて、帯電防止剤から成
る均一かつ連続した極薄膜を該外表面に形成せし
めたことを特徴とする帯電防止処理を施した半導
体デイバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18310281U JPS5887348U (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 帯電防止処理を施した半導体デイバイス |
| EP82304114A EP0080790A3 (en) | 1981-08-10 | 1982-08-04 | Method and apparatus for forming an extremely thin film on the surface of an object |
| US06/412,988 US4605574A (en) | 1981-09-14 | 1982-08-30 | Method and apparatus for forming an extremely thin film on the surface of an object |
| US06/745,876 US4656963A (en) | 1981-09-14 | 1985-06-18 | Method and apparatus for forming an extremely thin film on the surface of an object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18310281U JPS5887348U (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 帯電防止処理を施した半導体デイバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887348U JPS5887348U (ja) | 1983-06-14 |
| JPS62193Y2 true JPS62193Y2 (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=29982064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18310281U Granted JPS5887348U (ja) | 1981-08-10 | 1981-12-09 | 帯電防止処理を施した半導体デイバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887348U (ja) |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP18310281U patent/JPS5887348U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5887348U (ja) | 1983-06-14 |
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