JPH03260628A

JPH03260628A - 液晶装置の製造方法

Info

Publication number: JPH03260628A
Application number: JP6065790A
Authority: JP
Inventors: Mitsuyoshi Hara; 光義原
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1990-03-12
Filing date: 1990-03-12
Publication date: 1991-11-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、コンピュータ一端末、画像表示装置、シャ
ッターのようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置の製造方法、特に配向膜の形成方法に関する。

［発明の概要］一対の基板上に透明電極層からなるセグメント電極（デ
ータ信号電極）とコモン電極（走査信号電極）を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドツトマトリクス型液晶装置において、基板
をラビング処理した後、セグメント電極をレーザーで切
断することにより静電気による配向膜層の破壊を防止し
、表示品質の高い液晶装置を得ることを狙ったものであ
る。

［従来の技術］ドントマトリクスタイプの表示装置として、薄型、軽量
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置力く注目さ
れている。

従来の液晶装置の配向膜の形成方法としては、基板上に
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。

［発明が解決しようとする課題］しかし、前述のラビング法は量産性に優れるという特長
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。

この現象を第３図に基づいて説明する。第３図（δ）は
液晶装置の電極の構造を説明した図で、図中３１ａ　、
３１ｂ　、　３１ｃ　、と３２ａ　、　３２ｂ　、３２
ｃは液晶装置におけるセグメント電極で、３３ａ　、３
３ｂ　、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｆはコモン電極
で、セグメント電極とコモン電極は対向する一対の基板
上に設置されている。さらに配向１１Ｕ１ｍはこれら電
極上に月間する形で設置されている。

第３回出）はセグメント電極側の基板を示した図であり
、基板が布等でラビング処理されると、電極に電荷がた
まり、３１ａ　と３２ａ間、３１ｂ　と３２ｂ間、３１
ｃと３２ｃ間で電荷の放電が起こる。その結果３４ａ　
、３４ｂ　、　３４ｃ　、　３４ｄ　、　３４ｅ　、３
４ｆの様に配向膜層が破壊されてしまう。

第３図ｆｃｌはこの様な基板をセグメント電極側基板に
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極とコモン電極が交差する場所が情報を
表示する領域で、画素と呼ばれている。　３５ａ　、　
３５ｂ　、　３５ｃ　、　３５ｄ　、　３５ｅ　、　３
５ｆの領域では配向膜層が静電気により破壊されている
ため画素が欠けてしまうという問題があった。

実際このような液晶装置で表示を行うと、表示画面の中
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低下させていた。

本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的は
ラビング処理中に発生する静電気を防止するところにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題を解決するためにこの発明は、一対の基板上に
透明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け
、さらに各電橋層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を
挟持してなるドントマトリクス型液晶装置において、前
記基板をラビング処理した後、セグメント電極をレーザ
ーで切断することを特徴とするものである。

［作用］従来配向膜層の抵抗が高い場合、基板が布等でラビング
処理されると、電極層に電荷がたまり、第３図ｆｂｌで
３１ａと３２ａ間、３１ｂと３２ｂ間、３１ｃと３２ｃ
間で配向膜層を介して一気に電荷の放電が起こるが、本
発明ではこれらの間隙を接続した状態でラビング処理を
行ない、その後レーザーにより切断し、間隙を設けるこ
とにより、ラビング処理中の放電が発生しないようにし
、その結果配向膜層が破壊されることがなくなることを
利用している。

［実施例］以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明す
る。

第１図は本発明の液晶装置の断面図で、図中１１ａ　、
Ｉｌｂはガラス、プラスチック等でできたＸ＋反で、表
面にセグメント電極層１２ａ、コモン電極層１２ｂ、配
向膜層１３ａ　、１３ｂが設置されている。

対の基板は配向膜面が対向するように設置されている。

　１４ａ　、　１４ｂは液晶を封入するためのシーリン
グ剤、１５は液晶材料である。

（実施例１）第２図＋ａ＋はラビング処理する前の本発明の液晶装置
のセグメント電極の構造を示した図で、２１は基板、２
２ａ　、２２ｂ　、２２ｃはセグメント電極である。

この基板上に配向膜層を設け、ラビング処理を行なった
後、レーザーでセグメント電極を切断する。

第２図（ｂｌは切断された後のセグメント電極を示した
図である。２３は基板、２４ａ　、　２４ｂ　、２４ｃ
　、　２４ｄ　、２４ｅ　、２４ｆはレーザー切断後の
セグメント電極である。

（実施例２）第２図（Ｃ）はラビング処理する前の本発明の液晶装置
のセグメント電極の構造を示した図で、２５は基板、２
６ａ　、２６ｂ　、２２ｃはセグメント電極である。

この基板上に配向ｎり層を設け、ラビング処理を行なっ
た後、レーザーでセグメント電極を切断する。

第２図＋ｄｌは切断された後のセグメント電極を示した
図である。２７は基板、２８ａ　、　２８ｂ　、２８ｃ
　、２８ｄ　、２８ｅ　、２８ｆはレーザー切断後のセ
グメント電極である。

本実施例では（実施例１）と比較するとレーザーの照射
面積が少ないので切断作業時間が短くなるという特長が
ある。

（実施例３）第２図（ｅ）はラビング処理する前の本発明の液晶装置
のセグメント電極の構造を示した図で、４１は基板、４
２ａ　、４２ｂ　、４２ｃはセグメント電極である。

第２図１ｆｌは切断された後のセグメント電極を示した
図である。４３は基板、４４ａ　、　４４ｂ　、　４４
ｃ　、　４４ｄ　、４４ｅ　、４４ｆはレーザー切断後
のセグメント電極である。

本実施例は切断を二ケ所にした。（実施例２）と比較す
ると、切断作業時間は約二倍になるが、切断作業の歩留
まりが向上することに特長がある。

以上の結果ラビング工程中の静電気によるセグメント電
極の破壊はなくなり、表示ムラのない液晶装置が得られ
た。

本実施例に用いた電極の材質はＩＴｏ製で、層ｆｆ１０
００オングストロームであった。また使用したレーザー
はＹＡＧレーザーである。セグメント電極が切断でき、
かつ基板にまで影響を及ぼさないエネルギーを持ったレ
ーザーであればよい。

切断されたセグメント電極の間隙としては、視認上３μ
ｍ以下が好ましい。これは間隙の部分がレーザーにより
配向膜層も破壊されてしまい液晶分子が配列しなくなる
である。　配向膜材料としては、ラビング処理工程の必
要な材料であれば同様の効果が得られる。

以上の実施例に用いたラビング用の布は、ポリエステル
、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関係な
く、静電気は減少し、同様の効果が得られた。

また液晶装置については、水平配向を行うツイストネマ
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行うホ
メオトロピンク型等のラビング処理を行う液晶装置であ
れば、液晶材料の種類に関係なく同様の効果が得られた
。

さらにロールの回転方向、移動回数、回転速度、移動速
度を変化させたが、同様の効果が得られた。

［発明の効果コ以上説明したように本発明によれば、一対の基板上に透
明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドントマトリクス型液晶装置において、前記
基板をラビング処理した後、セグメント電極をレーザー
で切断することにより、静電気による配向膜の破壊を防
止し、表示品質の高い液晶装置を得ることができるよう
になった。

１２ｂ　　・・・・・・・・・・コモン電極層１３ａ、
　１３ｂ　・・・・・・・・配向膜層１４ａ、　１４ｂ
　　・・・・・・・・シーリンク剤１５・・・・・・・
・・・・液晶材料出廓人　セイコー電了工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

一対の基板上に透明電極層からなるセグメント電極とコ
モン電極を設け、さらに前記各電極層上に配向膜層を設
け、前記基板間に液晶を挟持してなるドットマトリクス
型液晶装置において、前記基板をラビング処理した後、
セグメント電極をレーザーで切断することを特徴とする
液晶装置の製造方法。