JPH03260627A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、コンピュータ一端末、画像表示装置、シャ
ンク−のようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置に関する。

［発明のｖ１要］ 基板上に透明電極層、電極層上に配向膜層を設けた一対
の基板で液晶を挟持してなる液晶装置において、基板上
かつ電極層の下に抵抗値が１×１Ｑ　ＩＱΩａｎからｌ
Ｘｌ０”Ω印の導電層が設けられていることにより、静
電気による配向膜層の破壊を防止し、表示品質の高い液
晶装置を得ることを狙ったものである。

［従来の技術］ ドツトマトリクスタイプの表示装置として、薄型、軽量
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置が注目され
ている。

従来の液晶装置の配向膜の形成方法としては、基板上に
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。

し発明が解決しようとする課題］ しかし、前述のラビング法は量産性に優れるという特長
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。

この現象を第２図に基づいて説明する。第２図＋ａ＋は
液晶装置の電極の構造を説明した図で、図中２１ａ　、
２１ｂ　、２１ｃ　、と２２ａ　、２２ｂ　、２２ｃは
液晶装置におけるデータ信号電極（セグメント電極）で
、２３ａ　、２３ｂ　、２３ｃ　、２３ｄ　、　２３ｅ
　、　２３ｆは走査信号電極（コモン電極）で、セグメ
ント電極とコモン電極は対向する一対の基板上に設置さ
れている。

さらに配向膜層はこれら電極上に対向する形で設置され
ている。

第２図（ｂｌはセグメント電極側の基板を示した図であ
り、基板が布等でラビング処理されると、電極に電荷が
たまり、２１ａ　と２２ａ間、２１ｂ　と２２ｂ間、２
１ｃと２２ａ間でｆｔ荷の放電が起こる。その結果２４
ａ　、２４ｂ　、　２４ｃ　、２４ｄ　、　２４ｅ　、
　２４ｆの様に配向膜層が破壊されてしまう。

第２図ｆｃｌはこの様な基板をセグメント電極側基板に
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極とコモン電極が交差する場所が情報を
表示する領域で、画素と呼ばれている。２５ａ　、　２
５ｂ　、２５ｃ　、　２５ｄ　、　２５Ｂ　、２５ｆの
領域では配向膜層が静電気により破壊されているため画
素が欠けてしまうという問題があった。

実際このような液晶装置で表示を行うと、表示画面の中
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低下させていた。

本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的は
ラビング処理中に発生する静電気を防止するところにあ
る。

［課題を解決するための手段］ 上記問題を解決するためにこの発明は、基板上に透明電
極層、電極層上に配向膜層を設けた一対の基板で液晶を
挟持してなる液晶装置において、基板上かつ電極層の下
に抵抗値が１ｘｌＯ１０Ω１からｌＸｌ０”Ωωの導電
層を設けることを特徴とするものである。

［作用］ 従来配向膜の抵抗が高い場合、基板が布等でラビング処
理されると、電極層に電荷がたまり、第２図（ｂｌで２
１ａ　　と２２ａ間、２１ｂ　と２２ｂ間、２１Ｇ　と
２２Ｇ間で配向膜層を介して一気に電荷の放電が起こる
が、前述の様な導電層を設けることにより、電荷はこの
層を介して徐々に放電されるため配向膜を破壊すること
がなくなることを利用している。

［実施例］ 以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明す
る。

第１図は本発明の液晶装置の断面図で、図中１１ａ　、
　Ｉｌｂはガラス、プラスチック等でできた基板で、表
面にセグメント電極層１２ａ、１２ｂ、コモン電極１２
ｃ、配向膜層１３ａ　、１３ｂが設置されている。

一対の基板は配向膜面が対向するように設置されている
。１４ａ　、　１４ｂは液晶を封入するためのシーリン
グ剤、１５は液晶材料である。１６は本発明の導電層で
、抵抗値はｌＸｌ０ＩＯΩ１からｌＸｌ０”ΩＣ−であ
る。

図中の１６ａ　、１６ｂは二酸化珪素（ＳｉＯｌ）中に
カーボンの微粒子粉体を添加したものである。

層の厚さは０．１μｍ以上である。

この結果静電気の発生はなくなり、表示ムラのない液晶
装置が得られた。

層の抵抗値としでは、ｌＸｌ０１５Ωｌ以下で効果があ
られれ、ｌＸｌ０１０Ωｃ以下であると同し基板上のと
なりあう電極間でショートの原因となってしまう。よっ
てｌＸ１０”ΩＣ１１１から１×１０３Ωｃｃａが好ま
しい。

また厚みは０．１μｍ以上であればその厚みに制限はな
く、同様の効果が得られる。

本実施例では二酸化硅素中にカーボンの微粒子粉体を添
加したが、膜の抵抗値が所定の稙であれば使用する材料
は問わない。

本実施例ではカーボンの粉体を添加したが、配向膜を高
温で形成する場合、変成しないような材料であれば同様
の効果が得られる。具体的にはポリイミド系の配向膜を
形成する場合、配向膜材料を塗布後、１８０℃から３５
０℃で焼成するが、この温度で変成しないような膜の材
料であればよい。

配向膜材料としては、ラビング処理工程の必要な材料で
あれば同様の効果が得られる 以上の実施例に用いたラビング用の布は、ボリエステル
、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関係な
く、静電気は減少し、同様の効果が得られた。

また液晶装置については、水平配向を行うツイストネマ
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行うホ
メオトロピンク型等のラビング処理を行う液晶装置であ
れば、液晶材料の種類に関係なく同様の効果が得られた
。

さらにロールの回転方向、移動回数、回転速度、移動速
度を変化させたが、同様の効果が得られた。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、基板上に透明電極
層、電極層上に配向Ｆ！！層を設けた一対の基板で液晶
を挟持してなる液晶装置において、基板上かつ電極層の
下に抵抗値がｌＸｌ０１０Ω値からｌＸｌ０Ｉ３Ω値の
導電層を設けることにより、静電気による配向膜層の破
壊を防止し、表示品質の高い液晶装置を得ることができ
るようになった。

第１図は本発明の液晶装置の断面図、第２図＋ａ＋〜ｆ
ｃｉは本発明の作用を示す模式図である。

１１ａ　、　ｌｌｂ　　・・・・・基板１２ａ　、１２
ｂ　　・・・・・セグメント電極層１２ｃ　　・・・・
・・・コモン電極層１３ａ　、　１３ｂ　　・・・・・
配向膜層１４ａ　、　１４ｂ　　・・・・・シーリング
剤１５・・・・・・・・液晶材料 １６ａ　　・・・・・・・本発明の導電層以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に透明電極層、前記電極層上に配向膜層を設けた
   一対の基板で液晶を挟持してなる液晶装置において、前
   記基板上かつ前記電極層の下に抵抗値が１×１０＾１＾
   ０Ωｃｍから１×１０＾１＾３Ωｃｍの導電層が設けら
   れていることを特徴とする液晶装置。