JPH03263016A - 光波長変換素子およびその作成方法 - Google Patents
光波長変換素子およびその作成方法Info
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- JPH03263016A JPH03263016A JP6372990A JP6372990A JPH03263016A JP H03263016 A JPH03263016 A JP H03263016A JP 6372990 A JP6372990 A JP 6372990A JP 6372990 A JP6372990 A JP 6372990A JP H03263016 A JPH03263016 A JP H03263016A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基本波を第2高調波や和周波、差周波等に変
換する光波長変換素子、特に詳細には有機非線形光学材
料を用いた光波長変換素子、およびその作成方法に関す
るものである。
換する光波長変換素子、特に詳細には有機非線形光学材
料を用いた光波長変換素子、およびその作成方法に関す
るものである。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料を利用して、レーザー光を第
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば[光エレクトロニクスの
基礎JA、YARIV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。ところがこの光波長
変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の複屈折
を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性が無い
材料あるいは小さい材料は利用できない、という問題が
あった。
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば[光エレクトロニクスの
基礎JA、YARIV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。ところがこの光波長
変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の複屈折
を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性が無い
材料あるいは小さい材料は利用できない、という問題が
あった。
上記のような問題を解決できる光波長変換素子として、
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究クルーフ機関誌VOL、 3.
No、2. p28〜32にはその一例が示されてい
る。このファイバー型の光波長変換素子は、基本波と第
2高調波との間の位相整合をとることも容易であるので
、最近ではこのファイバー型光波長変換素子についての
研究が盛んになされている。また、例えば特開昭63−
15233号、同63−15234号公報に示されるよ
うに、クラッド層となる2枚の基板の間に非線形光学材
料からなる先導波路を形成した先導波路型の光波長変換
素子も知られている。この光導波路型の光波長変換素子
も、上述のような特長を有している。
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究クルーフ機関誌VOL、 3.
No、2. p28〜32にはその一例が示されてい
る。このファイバー型の光波長変換素子は、基本波と第
2高調波との間の位相整合をとることも容易であるので
、最近ではこのファイバー型光波長変換素子についての
研究が盛んになされている。また、例えば特開昭63−
15233号、同63−15234号公報に示されるよ
うに、クラッド層となる2枚の基板の間に非線形光学材
料からなる先導波路を形成した先導波路型の光波長変換
素子も知られている。この光導波路型の光波長変換素子
も、上述のような特長を有している。
ところで、近時、これらファイバー型、先導波路型の光
波長変換素子において、非線形光学材料として単結晶の
有機非線形光学材料を用いる提案が種々なされている。
波長変換素子において、非線形光学材料として単結晶の
有機非線形光学材料を用いる提案が種々なされている。
この有機非線形光学材料は、無機材料に比べて非線形光
学定数が極めて大きいので、この有機非線形光学材料を
用いれば高い波長変換効率を得ることが可能となるので
ある。この有機非線形光学材料としては、例えば特開昭
60−250334号公報、“Non1iner 0p
ticalP roperties or Orga
nic and P oly+++ericMate
rials” AC8SYMPOS IUM 5ER
IES 223. Davfd J、 W111fa
ms編(American Cheslcal 5oc
1ety、 1983年刊)「有機非線形光学材料」
加藤政雄、中西へ部監修(シー・エム・シー社、198
5年刊)、“Non1inear 0ptical
Propertlesof OrganicMol
ecules and Crystals ” D、
S、 ChestaおよびJ、Zyss編(Ac
adeiicPress Inc。
学定数が極めて大きいので、この有機非線形光学材料を
用いれば高い波長変換効率を得ることが可能となるので
ある。この有機非線形光学材料としては、例えば特開昭
60−250334号公報、“Non1iner 0p
ticalP roperties or Orga
nic and P oly+++ericMate
rials” AC8SYMPOS IUM 5ER
IES 223. Davfd J、 W111fa
ms編(American Cheslcal 5oc
1ety、 1983年刊)「有機非線形光学材料」
加藤政雄、中西へ部監修(シー・エム・シー社、198
5年刊)、“Non1inear 0ptical
Propertlesof OrganicMol
ecules and Crystals ” D、
S、 ChestaおよびJ、Zyss編(Ac
adeiicPress Inc。
1987年刊) 、R,T、 Ba1ley等による”
The Quality and Perform
ance of’ TheOrganic Non−
Linear 0ptical Material(
−) 2−(a −Methylbenzylamin
o) −5−Nitropyridlne (MBA−
NP) ’ (Optics Cowmunicat
ions、 Vol、 85. No、3 、 P
229 )等に示されるMNA (2−メチル−4−ニ
トロアニリン) 、mNA (メタニトロアニリン)、
POM(3−メチル−4−ニトロピリジン−1−オキサ
イド)、尿素、NPP [N−(4−ニトロフェニル)
−(S)−プロリノール] 、NPAN (2−[N−
(4−ニトロフェニル)−N−メチルアミノコアセトニ
トリル) 、DAN (2−ジメチルアミノ−5−ニト
ロアセトアニリド) 、MBA−NP [2−N (α
−メチルベンジルアミノ)−5−二トロピリジン]さら
には特開昭62−210432号公報に示される3、5
−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール[
以下、DMNPと称するE、3.5−ジメチル−1−(
4−二トロフェニル)−1,2,4−)リアゾール、2
−エチル−1−(4−ニトロフェニル)イミダゾール、
1−(4−二トロフェニル)ビロール、2−ジメチルア
ミノ1−5−ニトロアセトアニリド、5−ニトロ−2−
ピロリジノアセトアニリド、3−メチル−4−ニトロピ
リジン−N−オキシド等が挙げられる。例えばMNAは
、無機非線形光学材料であるLiNbO3に比べると2
000倍程度高い波長変換効率を有するので、この有機
非線形光学材料を用いて光波長変換素子を形成すれば、
一般的な小型かつ低コストの半導体レーザーからの赤外
レーザー光を基本波として第2高調波を発生させること
により、青領域の短波長レーザー光を得ることも可能と
なる。
The Quality and Perform
ance of’ TheOrganic Non−
Linear 0ptical Material(
−) 2−(a −Methylbenzylamin
o) −5−Nitropyridlne (MBA−
NP) ’ (Optics Cowmunicat
ions、 Vol、 85. No、3 、 P
229 )等に示されるMNA (2−メチル−4−ニ
トロアニリン) 、mNA (メタニトロアニリン)、
POM(3−メチル−4−ニトロピリジン−1−オキサ
イド)、尿素、NPP [N−(4−ニトロフェニル)
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トリル) 、DAN (2−ジメチルアミノ−5−ニト
ロアセトアニリド) 、MBA−NP [2−N (α
−メチルベンジルアミノ)−5−二トロピリジン]さら
には特開昭62−210432号公報に示される3、5
−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール[
以下、DMNPと称するE、3.5−ジメチル−1−(
4−二トロフェニル)−1,2,4−)リアゾール、2
−エチル−1−(4−ニトロフェニル)イミダゾール、
1−(4−二トロフェニル)ビロール、2−ジメチルア
ミノ1−5−ニトロアセトアニリド、5−ニトロ−2−
ピロリジノアセトアニリド、3−メチル−4−ニトロピ
リジン−N−オキシド等が挙げられる。例えばMNAは
、無機非線形光学材料であるLiNbO3に比べると2
000倍程度高い波長変換効率を有するので、この有機
非線形光学材料を用いて光波長変換素子を形成すれば、
一般的な小型かつ低コストの半導体レーザーからの赤外
レーザー光を基本波として第2高調波を発生させること
により、青領域の短波長レーザー光を得ることも可能と
なる。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、上述の有機非線形光学材料によって光ファイ
バーのコア、あるいは光導波路を構成して得られたファ
イバー型あるいは光導波路型の光波長変換素子にあって
は、従来、波長変換効率および基本波の入射結合効率が
時間経過にともなって著しく悪化する、という問題が認
められていた。
バーのコア、あるいは光導波路を構成して得られたファ
イバー型あるいは光導波路型の光波長変換素子にあって
は、従来、波長変換効率および基本波の入射結合効率が
時間経過にともなって著しく悪化する、という問題が認
められていた。
すなわち、光波長変換素子を構成する有機非線形光学材
料は、その端面において周囲の空気等の雰囲気と接する
ので、この部分から昇華して単結晶部分が短くなり、あ
るいは変成して単結晶でなくなってしまって上述の問題
を招くのである。このような問題は、有機非線形光学材
料からなるバルク結晶型の非線形光学材料においても同
様に起こり得るものである。
料は、その端面において周囲の空気等の雰囲気と接する
ので、この部分から昇華して単結晶部分が短くなり、あ
るいは変成して単結晶でなくなってしまって上述の問題
を招くのである。このような問題は、有機非線形光学材
料からなるバルク結晶型の非線形光学材料においても同
様に起こり得るものである。
そこで例えば本出願人による特願昭62−309145
号明細書に示されるように、光波長変換素子を構成する
有機非線形光学材料の表面部分に、該表面部分と周囲雰
囲気とを遮断する遮断層を設けることが提案されている
。
号明細書に示されるように、光波長変換素子を構成する
有機非線形光学材料の表面部分に、該表面部分と周囲雰
囲気とを遮断する遮断層を設けることが提案されている
。
このような遮断層は一般に、その材料の溶液を有機非線
形光学材料の表面部分に塗布し、次いで該材料を乾燥、
固化させることによって形成される。したがってこの遮
断層の材料としては、有機非線形光学材料と相溶するこ
とのないものを用いる必要があり、そのためゼラチン、
カゼイン、コラーゲン等の蛋白質、カルボキシメチルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース
化合物、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん誘導体等の
糖誘導体、ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルピ
ロリドン、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミ
ド、またはこれらの誘導体および部分加水分解物等の合
成水溶性高分子といった水溶性高分子化合物が好適に用
いられる。
形光学材料の表面部分に塗布し、次いで該材料を乾燥、
固化させることによって形成される。したがってこの遮
断層の材料としては、有機非線形光学材料と相溶するこ
とのないものを用いる必要があり、そのためゼラチン、
カゼイン、コラーゲン等の蛋白質、カルボキシメチルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース
化合物、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん誘導体等の
糖誘導体、ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルピ
ロリドン、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミ
ド、またはこれらの誘導体および部分加水分解物等の合
成水溶性高分子といった水溶性高分子化合物が好適に用
いられる。
しかし、このような水溶性高分子化合物により遮断層を
形成した光波長変換素子においては、波長変換効率が経
時劣化するという問題が認められている。
形成した光波長変換素子においては、波長変換効率が経
時劣化するという問題が認められている。
そこで本発明は、上記の問題を防止できる波長変換素子
を提供することを目的とするものである。
を提供することを目的とするものである。
また本発明は、上記のような光波長変換素子を作成する
方法を提供することを目的とするものである。
方法を提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明による光波長変換素子は、先に述べたような有機
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子において、 前記水溶性高分子化合物からなる前述の遮断層を、有機
非線形光学材料の表面部分に形成し、そしてこの遮断層
を、含水率が8重量%以下のものとしたことを特徴とす
るものである。
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子において、 前記水溶性高分子化合物からなる前述の遮断層を、有機
非線形光学材料の表面部分に形成し、そしてこの遮断層
を、含水率が8重量%以下のものとしたことを特徴とす
るものである。
一方、本発明による光波長変換素子の作成方法は、有機
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子を作成する
際に、 上記有機非線形光学材料の表面部分に前記水溶性高分子
化合物の水溶液を塗布し、 次いでこの水溶液を乾燥させることにより、前記水溶性
高分子化合物を含水率8重量%以下の状態に乾固させて
、上記表面部分とその周囲の雰囲気とを遮断する遮断層
を形成することを特徴とするものである。
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子を作成する
際に、 上記有機非線形光学材料の表面部分に前記水溶性高分子
化合物の水溶液を塗布し、 次いでこの水溶液を乾燥させることにより、前記水溶性
高分子化合物を含水率8重量%以下の状態に乾固させて
、上記表面部分とその周囲の雰囲気とを遮断する遮断層
を形成することを特徴とするものである。
(作 用)
本発明者等の研究によると、水溶性高分子化合物により
遮断層を形成した場合に起きる前述の問題は、水溶性高
分子化合物中に含まれる水分により有機非線形光学材料
が長期間の経時において若干溶出してしまうことに起因
することが判った。
遮断層を形成した場合に起きる前述の問題は、水溶性高
分子化合物中に含まれる水分により有機非線形光学材料
が長期間の経時において若干溶出してしまうことに起因
することが判った。
上記の水溶性高分子化合物は従来の光波長変換素子の通
常の使用状況下では、該化合物からなる遮断層の含水量
が一般にかなり高くなっており、そのために上述の問題
が起きやすくなっている。
常の使用状況下では、該化合物からなる遮断層の含水量
が一般にかなり高くなっており、そのために上述の問題
が起きやすくなっている。
それに対して、遮断層を構成する上記水溶性高分子化合
物に特別な乾燥処理を施して、その含水率を8重量%以
下にまで落としておくと、波長変換効率の経時劣化が良
好に防止されうることが確認された。
物に特別な乾燥処理を施して、その含水率を8重量%以
下にまで落としておくと、波長変換効率の経時劣化が良
好に防止されうることが確認された。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1図は、本発明の一実施例による光波長変換素子lO
を示すものであり、また第2図はこの光波長変換素子1
0の使用時の状態を示している。この光波長変換素子l
Oは、クラッド12の中心の中空部分内に、非線形光学
材料からなるコア11が充てんされた光ファイバーであ
る。上記非線形光学材料としては、前述したように波長
変換効率が高い有機非線形光学材料が用いられる。そし
てコア11の端面を含む素子端面10a、lOb上には
、それぞれ遮断層13a113bが形成されている。
を示すものであり、また第2図はこの光波長変換素子1
0の使用時の状態を示している。この光波長変換素子l
Oは、クラッド12の中心の中空部分内に、非線形光学
材料からなるコア11が充てんされた光ファイバーであ
る。上記非線形光学材料としては、前述したように波長
変換効率が高い有機非線形光学材料が用いられる。そし
てコア11の端面を含む素子端面10a、lOb上には
、それぞれ遮断層13a113bが形成されている。
ここで、本実施例ではコア11を前述のDMNP。
クラッド12をパイレックスガラス、遮断層13a。
13bを水溶性高分子化合物の1つであるゼラチンから
形成する。以下、この光波長変換素子10の作成方法を
説明する。
形成する。以下、この光波長変換素子10の作成方法を
説明する。
まずクラッド12となる中空のガラスファイバー12’
が用意される。このガラスファイバー12’ は−例と
して、外径が1mm程度で、中空部の径が0.1〜10
μm程度のものである。そして第3図に示すように、炉
内等においてDMNPII’を融液状態に保ち、この融
液内にガラスファイバー12′ の一端部を浸入させる
。すると毛細管現象により、融液状態のDMNPII’
がガラスファイバー12゛ の中空部内に進入する。な
お該融液の温度は、DMNPIIoの分解を防止するた
め、その融点(102℃)よりも僅かに高い温度とする
。その後ガラスファイバー12’ を急冷させると、中
空部に進入していたDMNPIIoが多結晶化する。
が用意される。このガラスファイバー12’ は−例と
して、外径が1mm程度で、中空部の径が0.1〜10
μm程度のものである。そして第3図に示すように、炉
内等においてDMNPII’を融液状態に保ち、この融
液内にガラスファイバー12′ の一端部を浸入させる
。すると毛細管現象により、融液状態のDMNPII’
がガラスファイバー12゛ の中空部内に進入する。な
お該融液の温度は、DMNPIIoの分解を防止するた
め、その融点(102℃)よりも僅かに高い温度とする
。その後ガラスファイバー12’ を急冷させると、中
空部に進入していたDMNPIIoが多結晶化する。
なお、さらに好ましくはこの光ファイバー12′を、D
MNPII’の融点より高い温度(例えば102.5℃
)に保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた
炉外に徐々に引き出すことにより、溶融状態のDMNP
IIoを炉外への引出し部分から単結晶化させる。それ
により、極めて長い単結晶状態で結晶方位も一定に揃っ
たコア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長
くすることができる。周知のようにこの種の光波長変換
素子の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波
長変換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
MNPII’の融点より高い温度(例えば102.5℃
)に保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた
炉外に徐々に引き出すことにより、溶融状態のDMNP
IIoを炉外への引出し部分から単結晶化させる。それ
により、極めて長い単結晶状態で結晶方位も一定に揃っ
たコア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長
くすることができる。周知のようにこの種の光波長変換
素子の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波
長変換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
以上述べたようにしてコア11が充てんされた後、適宜
両端が切断されたガラスファイバー12“の両端面には
、ゼラチンからなる遮断層13a、 tabが形成され
る。以下、この遮断層13a、 13bの形成について
説明する。
両端が切断されたガラスファイバー12“の両端面には
、ゼラチンからなる遮断層13a、 tabが形成され
る。以下、この遮断層13a、 13bの形成について
説明する。
まずゼラチンの10重量%水溶液を、コア11が充てん
された上記ガラスファイバー12’ の両端面に、デイ
ツプコート法、スピンコード法等により塗布する。この
ときのゼラチン水溶液の塗布膜厚は、0.1〜5μm程
度とする。
された上記ガラスファイバー12’ の両端面に、デイ
ツプコート法、スピンコード法等により塗布する。この
ときのゼラチン水溶液の塗布膜厚は、0.1〜5μm程
度とする。
ここで用いるゼラチンとしては、石灰処理ゼラチン、酸
処理ゼラチン、酵素処理ゼラチン、およびゼラチン誘導
体、変成ゼラチン等いずれのものでもよい。
処理ゼラチン、酵素処理ゼラチン、およびゼラチン誘導
体、変成ゼラチン等いずれのものでもよい。
なお上記ゼラチン水溶液中に、コア材料と同じDMNP
を飽和状態まで溶解させておくと、このゼラチン水溶液
の塗布時にコア11が若干溶けてしまうことを防止でき
る。またこうして予め遮断層13g、13b中にDMN
Pを混ぜておくと、コア11を構成するDMNPが後で
自然経時によって拡散して遮断層1!fa、 13b中
に溶は込むことも防止できる。
を飽和状態まで溶解させておくと、このゼラチン水溶液
の塗布時にコア11が若干溶けてしまうことを防止でき
る。またこうして予め遮断層13g、13b中にDMN
Pを混ぜておくと、コア11を構成するDMNPが後で
自然経時によって拡散して遮断層1!fa、 13b中
に溶は込むことも防止できる。
次に上記ガラスファイバー12°を、50−100”c
に保ったN2 、He、Ne、Ars Kr、Xe等の
乾燥不活性ガスの流れの中で乾燥させる。この乾燥の後
、温度を低下させた上記乾燥不活性ガス中でそのまま冷
却させる。
に保ったN2 、He、Ne、Ars Kr、Xe等の
乾燥不活性ガスの流れの中で乾燥させる。この乾燥の後
、温度を低下させた上記乾燥不活性ガス中でそのまま冷
却させる。
なお、本実施例では、DMNPの融点が102℃のため
、乾燥温度を100℃としたが、融点がさらに高いもの
では、ゼラチンが分解しない200 ”C程度まで、温
度を上げることが出来る。
、乾燥温度を100℃としたが、融点がさらに高いもの
では、ゼラチンが分解しない200 ”C程度まで、温
度を上げることが出来る。
なおゼラチン水溶液の乾燥は、上記の処理に限らず、そ
の他例えば、室温下で乾燥不活性ガスの流れの中にガラ
スファイバー12′ を配する、あるいは室温下で密閉
容器中に、ガラスファイバー12゜を不活性ガスおよび
脱水剤とともに封入する、等の処理により行なってもよ
い。なおこの後者の処理における脱水剤としては例えば
、活性アルミナ、モレキュラシーブ(結晶性ゼオライト
)、シリカゲル、P! 05 、Mg (C104)2
、Bad。
の他例えば、室温下で乾燥不活性ガスの流れの中にガラ
スファイバー12′ を配する、あるいは室温下で密閉
容器中に、ガラスファイバー12゜を不活性ガスおよび
脱水剤とともに封入する、等の処理により行なってもよ
い。なおこの後者の処理における脱水剤としては例えば
、活性アルミナ、モレキュラシーブ(結晶性ゼオライト
)、シリカゲル、P! 05 、Mg (C104)2
、Bad。
KOHSNaOH,CabSCaSO4、MgO。
CaC12,100%H2So、等を用いることができ
る。
る。
上記のような乾燥処理のいずれを行なうにしても、本発
明において遮断層13a、13bの含水率は8重量%以
下、より好ましくは5重量%以下まで落とされる。
明において遮断層13a、13bの含水率は8重量%以
下、より好ましくは5重量%以下まで落とされる。
以上のようにして、第1図に示される光波長変換素子I
Oが作成される。この光波長変換素子lOは、遮断層1
3aS13bの吸湿を防止するように低湿度に保たれた
部屋中等で使用してもよいが、より好ましくは第2図に
示すようにして使用される。
Oが作成される。この光波長変換素子lOは、遮断層1
3aS13bの吸湿を防止するように低湿度に保たれた
部屋中等で使用してもよいが、より好ましくは第2図に
示すようにして使用される。
以下、この第2図に示される光波長変換装置について詳
しく説明する。この光波長変換装置は密閉容器20と、
その中に収納された上記の光波長変換素子10と、この
光波長変換素子lOにより波長変換される基本波15を
発する半導体レーザー16と、上記基本波15を光波長
変換素子lOのコアll内に入射させる入射光学系とし
てのコリメーターレンズ17および対物レンズ18とを
有している。そして上記密閉容器20内には、不活性媒
体の1つである乾燥N2 (窒素)ガス50が充填さ
れている。
しく説明する。この光波長変換装置は密閉容器20と、
その中に収納された上記の光波長変換素子10と、この
光波長変換素子lOにより波長変換される基本波15を
発する半導体レーザー16と、上記基本波15を光波長
変換素子lOのコアll内に入射させる入射光学系とし
てのコリメーターレンズ17および対物レンズ18とを
有している。そして上記密閉容器20内には、不活性媒
体の1つである乾燥N2 (窒素)ガス50が充填さ
れている。
なお光波長変換素子IOは、密閉容器20内で保持部材
22により保持されている。また密閉容器20には、基
本波15を透過させる透明窓27と、後述する第2高調
波を透過させる透明窓28とが設けられている。
22により保持されている。また密閉容器20には、基
本波15を透過させる透明窓27と、後述する第2高調
波を透過させる透明窓28とが設けられている。
なお、前述した遮断層13a%13bの乾燥処理が終了
した光波長変換素子10は、例えばグローブポック等を
用いて上記密閉容器20中に封入するようにし、乾燥そ
して密封容器20に封入する作業中に遮断層13a、
13bが吸湿してしまうことを防止する。
した光波長変換素子10は、例えばグローブポック等を
用いて上記密閉容器20中に封入するようにし、乾燥そ
して密封容器20に封入する作業中に遮断層13a、
13bが吸湿してしまうことを防止する。
半導体レーザー1Bから射出された発散ビームである波
長870nmのレーザー光(基本波)15は、コリメー
ターレンズI7によって平行ビームとされ、さらに対物
レンズ18で集光した上で密閉容器20の透明窓27を
透過させ、遮断層13aを通して素子端面10a上に照
射される。このレーザー光15は、コア11の端面上に
おいてそれと同径(本例では2μm)の小さなスポット
に収束する。それにより該レーザー光15が、コア11
内に入射する。この基本波15は、コア11を構成する
DMNPにより、波長が1/2の第2高調波15°に変
換される。この第2高調波15’ はクラッド12中に
放射し、その外表面の間で全反射を繰り返して素子10
内を端面側に進行する。位相整合は、基本波15のコア
部での導波モードと、第2高調波15°のクラッド部へ
の放射モードとの間で取られる(いわゆるチェレンコフ
放射の場合)。
長870nmのレーザー光(基本波)15は、コリメー
ターレンズI7によって平行ビームとされ、さらに対物
レンズ18で集光した上で密閉容器20の透明窓27を
透過させ、遮断層13aを通して素子端面10a上に照
射される。このレーザー光15は、コア11の端面上に
おいてそれと同径(本例では2μm)の小さなスポット
に収束する。それにより該レーザー光15が、コア11
内に入射する。この基本波15は、コア11を構成する
DMNPにより、波長が1/2の第2高調波15°に変
換される。この第2高調波15’ はクラッド12中に
放射し、その外表面の間で全反射を繰り返して素子10
内を端面側に進行する。位相整合は、基本波15のコア
部での導波モードと、第2高調波15°のクラッド部へ
の放射モードとの間で取られる(いわゆるチェレンコフ
放射の場合)。
光波長変換素子lOの出射端面10bからは、上記第2
高調波15゛ を含むビーム15“が出射する。この出
射ビーム15”は、密閉容器20の透明窓28を通して
容器外に出射し、コリメーターレンズ30で平行ビーム
とされ、集光レンズ31で集光される。またこの際、出
射ビーム15”はフィルター32に通され、第2高調波
15°のみが取り出される。
高調波15゛ を含むビーム15“が出射する。この出
射ビーム15”は、密閉容器20の透明窓28を通して
容器外に出射し、コリメーターレンズ30で平行ビーム
とされ、集光レンズ31で集光される。またこの際、出
射ビーム15”はフィルター32に通され、第2高調波
15°のみが取り出される。
なお、以上述べたような光波長変換装置を組み立てるた
めには、各素子の光軸合せをする必要があるが、光波長
変換素子lOを密閉容器20内に収納してそこにN2ガ
ス50を充填させてしまえば、その後はこの密閉容器2
0ごと光波長変換素子lOを位置調整して光軸合せが可
能である。
めには、各素子の光軸合せをする必要があるが、光波長
変換素子lOを密閉容器20内に収納してそこにN2ガ
ス50を充填させてしまえば、その後はこの密閉容器2
0ごと光波長変換素子lOを位置調整して光軸合せが可
能である。
ここで本装置においては、光波長変換素子lOを不活性
媒体であるN2ガス50内に閉じ込めているので、有機
材料のDMNPからなるコア11の端面が空気等の雰囲
気に接することがなく、シたがってこのコア11の昇華
や変成が防止される。しかも、光波長変換素子10の両
端面には遮断層13a、 13bが設けられているので
、コア11の端面がN2ガス50に接することさえもな
く、よって上記昇華や変成がより確実に防止される。
媒体であるN2ガス50内に閉じ込めているので、有機
材料のDMNPからなるコア11の端面が空気等の雰囲
気に接することがなく、シたがってこのコア11の昇華
や変成が防止される。しかも、光波長変換素子10の両
端面には遮断層13a、 13bが設けられているので
、コア11の端面がN2ガス50に接することさえもな
く、よって上記昇華や変成がより確実に防止される。
そして上記の構成においては、基本的に、ゼラチンから
なる遮断層13aS13bが吸湿してしまうこともない
ので、コア11を構成しているDMN Pが上記ゼラチ
ン中の水分によって溶けてしまうことが確実に防止され
る。
なる遮断層13aS13bが吸湿してしまうこともない
ので、コア11を構成しているDMN Pが上記ゼラチ
ン中の水分によって溶けてしまうことが確実に防止され
る。
ここで、遮断層13a、 13bを構成するゼラチンの
含水率を、前述のように特別低い値とすることによる効
果について説明する。ゼラチンからなる遮断層13a、
13bの含水率を種々に設定したファイバー型の光波長
変換素子を作成し、各々を50℃下で4日間放置する強
制劣化テストを行ない、その後の波長変換効率の低下の
程度を調べた。
含水率を、前述のように特別低い値とすることによる効
果について説明する。ゼラチンからなる遮断層13a、
13bの含水率を種々に設定したファイバー型の光波長
変換素子を作成し、各々を50℃下で4日間放置する強
制劣化テストを行ない、その後の波長変換効率の低下の
程度を調べた。
その結果を第4図に示す。なおこの第4図の縦軸は、強
制劣化テスト前の波長変換効率値を100%として示す
相対値である。図示される通り、遮断層13a%18b
の含水率が8重量%程度以下であれば、波長変換効率は
強制劣化テスト後もほとんど低下せず、特に含水率5重
量%以下であれば、全くテスト前と同じ値を取り得る。
制劣化テスト前の波長変換効率値を100%として示す
相対値である。図示される通り、遮断層13a%18b
の含水率が8重量%程度以下であれば、波長変換効率は
強制劣化テスト後もほとんど低下せず、特に含水率5重
量%以下であれば、全くテスト前と同じ値を取り得る。
なお遮断層13a、13bを構成するゼラチン等の水溶
性高分子化合物と、クラッド12を構成するガラスとは
、熱膨張係数にかなりの差が有るのが一般的である。そ
こで、光波長変換素子10が温度変化を受けると、熱膨
張あるいは収縮の差により、遮断層13a、l:(bと
ガラスの界面には応力が生じ、遮断層がガラスから剥離
しやすくなる。水溶性高分子化合物からなる遮断層L3
aS13bは、含水率により弾性率が変化するが、含水
率が本発明におけるように8重量%以下であると、遮断
層13a113bは低弾性のものとなり、上記の応力に
よって素子端面から剥離しやすくなる。このような不具
合の発生を防止するために、遮断層13a、 13bは
より薄く形成するのが好ましく、望ましくはその層厚を
500μm以下、さらに望ましくはlOμm以下程度に
するとよい。
性高分子化合物と、クラッド12を構成するガラスとは
、熱膨張係数にかなりの差が有るのが一般的である。そ
こで、光波長変換素子10が温度変化を受けると、熱膨
張あるいは収縮の差により、遮断層13a、l:(bと
ガラスの界面には応力が生じ、遮断層がガラスから剥離
しやすくなる。水溶性高分子化合物からなる遮断層L3
aS13bは、含水率により弾性率が変化するが、含水
率が本発明におけるように8重量%以下であると、遮断
層13a113bは低弾性のものとなり、上記の応力に
よって素子端面から剥離しやすくなる。このような不具
合の発生を防止するために、遮断層13a、 13bは
より薄く形成するのが好ましく、望ましくはその層厚を
500μm以下、さらに望ましくはlOμm以下程度に
するとよい。
また遮断層13a、 13bをこのようにより薄くすれ
ば、そこに含まれる水分の総量もより少なくなるので、
存機非線形光学材料からなるコア11の溶出を防止する
上でもより好ましい。
ば、そこに含まれる水分の総量もより少なくなるので、
存機非線形光学材料からなるコア11の溶出を防止する
上でもより好ましい。
なお上記第2図の装置では、密閉容器2o内に充填させ
る不活性媒体としてN2ガス5oが用いられているが、
この不活性媒体としてはその他例えば、気体ではHe5
Ne、Ars Kr、Xe、液体ではフッ素系オイル、
シリコンオイル、流動パラフィン等を用いることができ
る。
る不活性媒体としてN2ガス5oが用いられているが、
この不活性媒体としてはその他例えば、気体ではHe5
Ne、Ars Kr、Xe、液体ではフッ素系オイル、
シリコンオイル、流動パラフィン等を用いることができ
る。
しかし、不活性媒体としてガスを用いればそれは屈折率
の温度依存性が小さいため、対物レンズ18で集光され
る基本波15の収束位置が温度に応じて変動して、その
コア11への入射効率が低下するといった問題や、さら
には、光波長変換素子1oがら出射した第2高調波15
’の波面が歪んで、それを集光レンズ31で小さなスポ
ットに絞ることが困難になるといった問題が起き難い。
の温度依存性が小さいため、対物レンズ18で集光され
る基本波15の収束位置が温度に応じて変動して、その
コア11への入射効率が低下するといった問題や、さら
には、光波長変換素子1oがら出射した第2高調波15
’の波面が歪んで、それを集光レンズ31で小さなスポ
ットに絞ることが困難になるといった問題が起き難い。
したがってこの不活性ガスを用いた装置においては、周
囲温度の変化に応じて光学系を再調整するような必要が
無い。
囲温度の変化に応じて光学系を再調整するような必要が
無い。
また上記第2図の装置においては特に、密閉容器20内
に脱酸素剤51.脱水剤52および吸着剤53が固定さ
れている。これらの脱水剤52および吸着剤53を密閉
容器20内に収めておくと、N2ガス5oに混入してい
たり、あるいは密閉容器2oの内壁に付着していた水分
または活性ガスを、光波長変換素子10の雰囲気から取
り除くことが可能となる。そうなっていれば、遮断層1
3aS13bが吸湿することを防止できる。また、脱酸
素剤51を収めておけば、水溶性高分子化合物からなる
遮断層13a%13bにカビが発生することも防止可能
である。
に脱酸素剤51.脱水剤52および吸着剤53が固定さ
れている。これらの脱水剤52および吸着剤53を密閉
容器20内に収めておくと、N2ガス5oに混入してい
たり、あるいは密閉容器2oの内壁に付着していた水分
または活性ガスを、光波長変換素子10の雰囲気から取
り除くことが可能となる。そうなっていれば、遮断層1
3aS13bが吸湿することを防止できる。また、脱酸
素剤51を収めておけば、水溶性高分子化合物からなる
遮断層13a%13bにカビが発生することも防止可能
である。
上述の効果を得る上では、脱酸素剤51、脱水剤52お
よび吸着剤53のすべてを密閉容器2o内に収めておく
のが最も好ましいが、それらのうちの1つあるいは2つ
を収めておいても、それなりの効果が得られる。
よび吸着剤53のすべてを密閉容器2o内に収めておく
のが最も好ましいが、それらのうちの1つあるいは2つ
を収めておいても、それなりの効果が得られる。
上記の脱酸素剤51としては例えば鉄系脱酸素剤、活性
炭とオルト−ジ−フェノールからなる脱酸素剤等を用い
ることができる。また脱水剤52としては、先に述べた
ゼラチン水溶液乾燥用の脱水剤のうち、100%H2S
O,を除くものがすべて利用可能である。また吸着剤5
3としては例えば、活性アルミナ、モレキュラシーブ、
シリカゲル等を用いることができる。
炭とオルト−ジ−フェノールからなる脱酸素剤等を用い
ることができる。また脱水剤52としては、先に述べた
ゼラチン水溶液乾燥用の脱水剤のうち、100%H2S
O,を除くものがすべて利用可能である。また吸着剤5
3としては例えば、活性アルミナ、モレキュラシーブ、
シリカゲル等を用いることができる。
また本発明においては、特に有機非線形光学材料の表面
部分のみならず、上記実施例におけるように波長変換波
が出射するクラッド部の端面にまで遮断層を形成しても
よい。そのようにすればクラッド部が保護されるし、特
に該遮断層をクラッド部よりも低屈折率の材料で形成し
た場合は、波長変換波のクラッド部端面における反射力
(減少して、その出射効率が向上する。
部分のみならず、上記実施例におけるように波長変換波
が出射するクラッド部の端面にまで遮断層を形成しても
よい。そのようにすればクラッド部が保護されるし、特
に該遮断層をクラッド部よりも低屈折率の材料で形成し
た場合は、波長変換波のクラッド部端面における反射力
(減少して、その出射効率が向上する。
また勿論ながら本発明は、有機非線形光学材料としてD
MNPを用いる場合のみならず、先に述べたようなその
他の有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子を作成
する場合においても同様に適用され得るものである。
MNPを用いる場合のみならず、先に述べたようなその
他の有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子を作成
する場合においても同様に適用され得るものである。
また、上記の実施例の光波長変換素子lOは、基本波1
5のコア部での導波モードと、第2高調波15゜のクラ
ッド部への放射モードとの間で位相整合がとられるもの
であるが、本発明は、基本波と第2高調波をともにコア
部あるいは先導波路中において導波させ、両者の導波モ
ード間で位相整合をとるタイプの素子に対しても適用可
能である。
5のコア部での導波モードと、第2高調波15゜のクラ
ッド部への放射モードとの間で位相整合がとられるもの
であるが、本発明は、基本波と第2高調波をともにコア
部あるいは先導波路中において導波させ、両者の導波モ
ード間で位相整合をとるタイプの素子に対しても適用可
能である。
さらに、以上説明した実施例は、第2高調波を発生する
ファイバー型の光波長変換素子に適用されたものである
が、本発明は、第2高調波以外の例えば第3高調波、和
周波、差周波等を発生させる光波長変換素子に対しても
、また前述した先導波路型やバルク結晶型の光波長変換
素子に対しても適用可能である。
ファイバー型の光波長変換素子に適用されたものである
が、本発明は、第2高調波以外の例えば第3高調波、和
周波、差周波等を発生させる光波長変換素子に対しても
、また前述した先導波路型やバルク結晶型の光波長変換
素子に対しても適用可能である。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明によれば、有機非線形光
学材料の表面部分に遮断層を設けることにより、有機非
線形光学材料の昇華あるいは変成が確実に防止される。
学材料の表面部分に遮断層を設けることにより、有機非
線形光学材料の昇華あるいは変成が確実に防止される。
したがって、有機非線形光学材料の波長変換効率が低下
することを防止でき、また遮断層を設けた端面を基本波
入射端面とする場合は、基本波の入射結合効率も高く維
持できるようになる。
することを防止でき、また遮断層を設けた端面を基本波
入射端面とする場合は、基本波の入射結合効率も高く維
持できるようになる。
その上本発明においては、上記の遮断層を構成する水溶
性高分子化合物の含水率を8重量%以下としたことによ
り、該水溶性高分子化合物中に含まれる水分によって有
機非線形光学材料の表面部分が溶けてしまうことが防止
される。したがって、本発明によるファイバー型や先導
波路型の光波長変換素子にあっては、長期間の経時にお
いても遮断層形成のために基本波の入力結合効率が低下
してしまうことがなくなり、またバルク結晶型の光波長
変換素子にあっては結晶表面における基本波の散乱が防
止され、ともに波長変換効率を高める効果が得られる。
性高分子化合物の含水率を8重量%以下としたことによ
り、該水溶性高分子化合物中に含まれる水分によって有
機非線形光学材料の表面部分が溶けてしまうことが防止
される。したがって、本発明によるファイバー型や先導
波路型の光波長変換素子にあっては、長期間の経時にお
いても遮断層形成のために基本波の入力結合効率が低下
してしまうことがなくなり、またバルク結晶型の光波長
変換素子にあっては結晶表面における基本波の散乱が防
止され、ともに波長変換効率を高める効果が得られる。
第1図は、本発明の一実施例による光波長変換素子を示
す斜視図、 第2図は、上記光波長変換素子の使用形態の一例を示す
概略側面図、 第3図は、上記光波長変換素子の作成方法を説明する概
略図、 第4図は、ファイバー型光波長変換素子の遮断層の含水
率と、波長変換効率の劣化程度との関係を示すグラフで
ある。 10・・・光波長変換素子 10a、 LOb・・・
素子端面11・・・コ ア 12・・・クラ
ッド13a、 13b・・・遮断層 15・・・基
本 波15゛ ・・・第2高調波 50・・・N2ガス 52・・・脱水剤 20・・・密閉容器 51・・・脱酸素剤 53・・・吸着剤 含水子C艶i%) 平成02年05 平成02年特特許 発明の名称 第063.729 光波長変換素子およびその作成方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称 (
520)冨士写真フィルム株式会社4、代理人 住 所 東京都港区六本木5−2−1 はうらいやピル7111 自発補正 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄および図面7、補正
の内容 (1)明細書第14頁最終行 「例えば、」の次に「真空中で加熱する、」を加入する
。 (2] 図面中第2図を添付の通り訂正する。
す斜視図、 第2図は、上記光波長変換素子の使用形態の一例を示す
概略側面図、 第3図は、上記光波長変換素子の作成方法を説明する概
略図、 第4図は、ファイバー型光波長変換素子の遮断層の含水
率と、波長変換効率の劣化程度との関係を示すグラフで
ある。 10・・・光波長変換素子 10a、 LOb・・・
素子端面11・・・コ ア 12・・・クラ
ッド13a、 13b・・・遮断層 15・・・基
本 波15゛ ・・・第2高調波 50・・・N2ガス 52・・・脱水剤 20・・・密閉容器 51・・・脱酸素剤 53・・・吸着剤 含水子C艶i%) 平成02年05 平成02年特特許 発明の名称 第063.729 光波長変換素子およびその作成方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称 (
520)冨士写真フィルム株式会社4、代理人 住 所 東京都港区六本木5−2−1 はうらいやピル7111 自発補正 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄および図面7、補正
の内容 (1)明細書第14頁最終行 「例えば、」の次に「真空中で加熱する、」を加入する
。 (2] 図面中第2図を添付の通り訂正する。
Claims (2)
- (1)有機非線形光学材料からなる部分を有し、該材料
に入射した基本波を波長変換する光波長変換素子におい
て、 前記有機非線形光学材料の表面部分に、含水率が8重量
%以下の水溶性高分子化合物からなり、この表面部分と
その周囲の雰囲気とを遮断する遮断層が設けられている
ことを特徴とする光波長変換素子。 - (2)有機非線形光学材料からなる部分を有し、該材料
に入射した基本波を波長変換する光波長変換素子を作成
する方法であって、 前記有機非線形光学材料の表面部分に水溶性高分子化合
物の水溶液を塗布し、 次いでこの水溶液を乾燥させることにより、前記水溶性
高分子化合物を含水率8重量%以下の状態に乾固させて
、前記表面部分とその周囲の雰囲気とを遮断する遮断層
を形成することを特徴とする光波長変換素子の作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6372990A JPH03263016A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光波長変換素子およびその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6372990A JPH03263016A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光波長変換素子およびその作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263016A true JPH03263016A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13237784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6372990A Pending JPH03263016A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光波長変換素子およびその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263016A (ja) |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP6372990A patent/JPH03263016A/ja active Pending
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