JPH03263422A - 半導体封止用樹脂組成物および装置 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物および装置Info
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- JPH03263422A JPH03263422A JP2042845A JP4284590A JPH03263422A JP H03263422 A JPH03263422 A JP H03263422A JP 2042845 A JP2042845 A JP 2042845A JP 4284590 A JP4284590 A JP 4284590A JP H03263422 A JPH03263422 A JP H03263422A
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- H10W72/874—On different surfaces
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体封止用樹脂組成物および装置に関する
。
。
近年、半導体素子の高密度化、大型化に伴い樹脂にて封
止した場合、チップやリードフレームと封止樹脂との線
膨張率の差による熱応力により、チップにクラックが生
じたり、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品
の信頼性が低下するという問題点がある。この熱応力を
低減する基材として、少なくとも1ヶ以上のカルボキシ
ル基、ヒドロキシル基またはエポキシ基を有する1、4
−ポリブタジェンゴムを配合する方法(例えば、特公昭
83−51447号公報)が知られている。
止した場合、チップやリードフレームと封止樹脂との線
膨張率の差による熱応力により、チップにクラックが生
じたり、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品
の信頼性が低下するという問題点がある。この熱応力を
低減する基材として、少なくとも1ヶ以上のカルボキシ
ル基、ヒドロキシル基またはエポキシ基を有する1、4
−ポリブタジェンゴムを配合する方法(例えば、特公昭
83−51447号公報)が知られている。
しかしながら、1,4−ポリブタジェンゴムを使用する
方法は、高温時に酸化されるなど耐熱性に劣〔課題を解
決するための手段〕 本発明者らは、耐熱性のすぐれた、熱応力を低減する半
導体1」土用樹脂組成物について鋭意検討した結果、本
発明に到達した。
方法は、高温時に酸化されるなど耐熱性に劣〔課題を解
決するための手段〕 本発明者らは、耐熱性のすぐれた、熱応力を低減する半
導体1」土用樹脂組成物について鋭意検討した結果、本
発明に到達した。
即ち本発明は水素化された共役ジエン重合体のグリシジ
ル1−チル(I)とエポキシ樹脂(II)とフェノール
系化合物のホルムアルデヒド反応物(III)とを必須
成分とする半導体封止用樹脂組成物;および請求項1〜
5のいずれか記載の樹脂組成物を用いて半導体素子を封
止してなる半導体装置である。
ル1−チル(I)とエポキシ樹脂(II)とフェノール
系化合物のホルムアルデヒド反応物(III)とを必須
成分とする半導体封止用樹脂組成物;および請求項1〜
5のいずれか記載の樹脂組成物を用いて半導体素子を封
止してなる半導体装置である。
(I[)のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂(たとえばビスフェノールAのジグ
リシジルエーテル)、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂(たとえばフェノールノボラックのポリグリシジル
エーテル、アルキルベンゼン変性フェノールノボラック
のポリグリシジルエーテル)、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂(たとえばオルトクレゾールノボラックの
ポリグリシジルエーテル)、フェノール型エポ4゛シ樹
脂(たとえばレゾルシンのジグリシジルエーテル、バラ
アミノフェノールのドリグリシジルエー・チル、フロロ
グリシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログリシ
ンのジグリシジルエーテル)、ff香族エポキシ樹脂[
1,3,5−1−リ(1,2−エポキシエチル)ベンゼ
ン、4.4’ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニル
エーテル、4.4’−(1,,2−エポキシエチル)ビ
フェニル]、環式脂肪族エポキシ樹脂[3,4−エポキ
シシクロヘキシルメチル−(3,4−エポキシ)シクロ
ヘキザンカルボキシレート、2.8−ビス(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)プロパン、2−(3,4−エポ
キシ)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−エポ
キシ)シクロヘキサン−■−ジオキザン、ビス−(3,
4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)アジペート
、NIN””11−フェニレンビス(4,5−エポキシ
−1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミド]、そ
の他のエポキシ樹脂Lブタジエンジエボキサイド、トリ
メチロールプロパンのジーおよびトリーグリシジルエー
テル、グリセリンのジーおよびトリーグリシジルエーテ
ル、ビス−(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ルなど]などが挙げられる。好ましくはフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂及びタレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂である。
ール型エポキシ樹脂(たとえばビスフェノールAのジグ
リシジルエーテル)、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂(たとえばフェノールノボラックのポリグリシジル
エーテル、アルキルベンゼン変性フェノールノボラック
のポリグリシジルエーテル)、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂(たとえばオルトクレゾールノボラックの
ポリグリシジルエーテル)、フェノール型エポ4゛シ樹
脂(たとえばレゾルシンのジグリシジルエーテル、バラ
アミノフェノールのドリグリシジルエー・チル、フロロ
グリシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログリシ
ンのジグリシジルエーテル)、ff香族エポキシ樹脂[
1,3,5−1−リ(1,2−エポキシエチル)ベンゼ
ン、4.4’ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニル
エーテル、4.4’−(1,,2−エポキシエチル)ビ
フェニル]、環式脂肪族エポキシ樹脂[3,4−エポキ
シシクロヘキシルメチル−(3,4−エポキシ)シクロ
ヘキザンカルボキシレート、2.8−ビス(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)プロパン、2−(3,4−エポ
キシ)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−エポ
キシ)シクロヘキサン−■−ジオキザン、ビス−(3,
4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)アジペート
、NIN””11−フェニレンビス(4,5−エポキシ
−1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミド]、そ
の他のエポキシ樹脂Lブタジエンジエボキサイド、トリ
メチロールプロパンのジーおよびトリーグリシジルエー
テル、グリセリンのジーおよびトリーグリシジルエーテ
ル、ビス−(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ルなど]などが挙げられる。好ましくはフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂及びタレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂である。
(II)の分子量は通常100〜1500. 好まし
くは200〜1000である。
くは200〜1000である。
(IN)のエポキシ当量は通常50−1000 g /
eq、 好ましくは100〜300g/eqである
。
eq、 好ましくは100〜300g/eqである
。
(■)のフェノール系化合物のホルムアルデヒド反応物
に使用されるフェノール系化合物としては、フェノール
、クレゾール、キシレノール、ビスフェノールA1
ビスフェノールF1 レゾルシン、力戸コール、ハイ
ドロキノン、ピロガロールなどが挙げられ、好ましくは
フ。、ノールおよびクレゾ・−ルである。
に使用されるフェノール系化合物としては、フェノール
、クレゾール、キシレノール、ビスフェノールA1
ビスフェノールF1 レゾルシン、力戸コール、ハイ
ドロキノン、ピロガロールなどが挙げられ、好ましくは
フ。、ノールおよびクレゾ・−ルである。
(Tfl)はフェノール系化合物とホルムアルデヒドき
を酸性触媒Jパで縮合反応さぜることによって得られる
。反応温度は、通常50〜100℃、反応n間は通常1
へ一10時間“(゛ある。
を酸性触媒Jパで縮合反応さぜることによって得られる
。反応温度は、通常50〜100℃、反応n間は通常1
へ一10時間“(゛ある。
(11N)の分子量は通常200〜・l500、好まし
くは300〜1000である。
くは300〜1000である。
(I)の水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエ
ーテルにおいて、共役ジエン重合体としては共役ジエン
ホモ重合体、共役ジエン共重合体、および共役ジエン−
オレフィン系炭化水素共重合体があげられる。
ーテルにおいて、共役ジエン重合体としては共役ジエン
ホモ重合体、共役ジエン共重合体、および共役ジエン−
オレフィン系炭化水素共重合体があげられる。
共役ジエンホモ重合体のグリシジルエーテルとしては、
水素化されたブタジェン重合体のグリシジルエーテル(
水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテルな
ど)、水素化されたイソプレン重合体のグリシジルエー
テル(水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエー
テルなど)および水添ポリ1.3−ペンタジェングリコ
ールのグリシジルエーテルおよび水添ポリシクロペンタ
ジェングリコールのグリシジルエーテルが挙げられる。
水素化されたブタジェン重合体のグリシジルエーテル(
水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテルな
ど)、水素化されたイソプレン重合体のグリシジルエー
テル(水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエー
テルなど)および水添ポリ1.3−ペンタジェングリコ
ールのグリシジルエーテルおよび水添ポリシクロペンタ
ジェングリコールのグリシジルエーテルが挙げられる。
これらのほかにトリオール、モノオールのグリシジルエ
ーテルを用いてもよい。
ーテルを用いてもよい。
共役ジエン共重合体のグリシジルエーテルとしては、水
素化された、ブタジェンとイソプ1/ンの共重合体のグ
リシジルエーテル[水添ポリ(ブタジエン−イソプレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよびトリオール、
モノオールのグリシジルエーテルコがあげられる。
素化された、ブタジェンとイソプ1/ンの共重合体のグ
リシジルエーテル[水添ポリ(ブタジエン−イソプレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよびトリオール、
モノオールのグリシジルエーテルコがあげられる。
共役ジエン−オレフィン系炭化水素共重合体のグリシジ
ルエーテルとしては、水添ポリ(ブタジェン−スチレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリ(イ
ソプレン−スチレン)グリコールのグリシジルエーテル
があげられる。これらのうち好ましくは水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリイ
ソプレングリコールのグリシジルエーテルである。
ルエーテルとしては、水添ポリ(ブタジェン−スチレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリ(イ
ソプレン−スチレン)グリコールのグリシジルエーテル
があげられる。これらのうち好ましくは水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリイ
ソプレングリコールのグリシジルエーテルである。
ブタジェン(共)重合体のブタジェン骨格には1.2−
ブタジエン、l、4−ブタジエンが存在するが、通常ど
ちらを含んでいてもよく、任意の割合で両者を含んでい
てもよい。好ましくは1.2−ブタジエン骨格を70%
以上含有するものであり、さらに好ましくは85%以上
の1.2−ブタジエン骨格を含有するものである。
ブタジエン、l、4−ブタジエンが存在するが、通常ど
ちらを含んでいてもよく、任意の割合で両者を含んでい
てもよい。好ましくは1.2−ブタジエン骨格を70%
以上含有するものであり、さらに好ましくは85%以上
の1.2−ブタジエン骨格を含有するものである。
グリシジルエーテルの製法としては、従来知られている
亘設法及び2段法のどちらの方法でも構わない。1段法
は、水素化された水酸基含有共役ジエン重合体をエピク
ロルヒドリンの存在下に通常、30〜70℃において苛
性ソーダと反応させることにより、合成することが出来
る。
亘設法及び2段法のどちらの方法でも構わない。1段法
は、水素化された水酸基含有共役ジエン重合体をエピク
ロルヒドリンの存在下に通常、30〜70℃において苛
性ソーダと反応させることにより、合成することが出来
る。
2段法は、触媒の存在下、水素化された水酸基含有共役
ジエン重合体とエピクロルヒドリンを付加反応させ、つ
いで苛性アルカリを加え脱塩化水素化することにより合
成することができる。好ましくは全塩素含量の少ない1
段法である。
ジエン重合体とエピクロルヒドリンを付加反応させ、つ
いで苛性アルカリを加え脱塩化水素化することにより合
成することができる。好ましくは全塩素含量の少ない1
段法である。
グリシジルエーテル(I)の平均分子量は、通常500
〜1000n、好ましくは、1000〜5000である
。
〜1000n、好ましくは、1000〜5000である
。
500未溝では、熱応力低減効果が十分でな(,100
00を越えると封止用樹脂組成物としたときの系に対す
る溶解度が十分でなく、熱応力低減効果を発揮できない
。
00を越えると封止用樹脂組成物としたときの系に対す
る溶解度が十分でなく、熱応力低減効果を発揮できない
。
(1)のエポキシ当量は通常200〜10000g/e
q1好ましくは500〜5000g/eqである。
q1好ましくは500〜5000g/eqである。
本発明において(II)および(I)におけるエポキシ
基と(III)におけるフェノール性水酸基の当量比は
、通常 0.6〜1.4、好ましくは0.75〜1゜2
5である。0.6未満でも1.25を越えてもエポキシ
基とフェノール性水酸基硬化反応のバランスが悪く、十
分な強度の硬化物が得られない。
基と(III)におけるフェノール性水酸基の当量比は
、通常 0.6〜1.4、好ましくは0.75〜1゜2
5である。0.6未満でも1.25を越えてもエポキシ
基とフェノール性水酸基硬化反応のバランスが悪く、十
分な強度の硬化物が得られない。
又、本発明における(I)の量は、 (■)、 (■)
および(III)の合計重量に基づいて通常1〜50重
量%、好ましくは2〜30%である。1%未満では、応
力低減効果が十分でなく、また50%を越えると耐熱性
が不十分である。
および(III)の合計重量に基づいて通常1〜50重
量%、好ましくは2〜30%である。1%未満では、応
力低減効果が十分でなく、また50%を越えると耐熱性
が不十分である。
又、本発明における(I)の量は、 (■)の重量に対
して通常1〜70重I%、好ましくは2〜50重量%で
ある。
して通常1〜70重I%、好ましくは2〜50重量%で
ある。
本発明の樹脂組成物には硬化促進剤を配合することが出
来る。硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、
亜リン酸トリフェニル等のリン系化合物類、2−メチル
イミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデ
シルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2
−エチル−4−メチルイミダゾール、等のイミダゾール
類、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2.4
、e 、−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチ
ルアミン、l、8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウン
デセン−7等の第3級アミン類が挙げられる。
来る。硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、
亜リン酸トリフェニル等のリン系化合物類、2−メチル
イミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデ
シルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2
−エチル−4−メチルイミダゾール、等のイミダゾール
類、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2.4
、e 、−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチ
ルアミン、l、8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウン
デセン−7等の第3級アミン類が挙げられる。
硬化促進剤の添加量は(II)の100重量部に対し、
通常0.1〜5.0重量部、好ましくは0.2〜3.0
重量部である。
通常0.1〜5.0重量部、好ましくは0.2〜3.0
重量部である。
また、本発明には、必要に応じて、例えば結晶性シリカ
粉、石英ガラス粉、アルミナ等の充填剤、高級脂肪酸ま
たはその金属塩、天然ワックス、合成ワックス、パラフ
ィンなどの離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン等の
カップリング剤あるいは、アンチモンリン化合物等の難
燃化剤を使用することが出来る。
粉、石英ガラス粉、アルミナ等の充填剤、高級脂肪酸ま
たはその金属塩、天然ワックス、合成ワックス、パラフ
ィンなどの離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン等の
カップリング剤あるいは、アンチモンリン化合物等の難
燃化剤を使用することが出来る。
充填剤の添加量は(II)のioo重量部に対し、通常
200〜800重量部である。離型剤、カップリング剤
および難燃化剤の添加量はそれぞれ(II)の100重
量部に対し、0.1〜5重量部である。
200〜800重量部である。離型剤、カップリング剤
および難燃化剤の添加量はそれぞれ(II)の100重
量部に対し、0.1〜5重量部である。
本発明における半導体封止用樹脂組成物の製造法は、(
I)、(II)、(III)およびその他の添加剤を同
時に配合する方法、 (I)と(III)をあらかじめ
反応さぜ、そのf備反応物と(II) i5よびその他
の添加剤を開音″リ−る方法があげられる。
I)、(II)、(III)およびその他の添加剤を同
時に配合する方法、 (I)と(III)をあらかじめ
反応さぜ、そのf備反応物と(II) i5よびその他
の添加剤を開音″リ−る方法があげられる。
好ま1.2<は後者の方法?・ある5、(i)と(IT
) 、、!−の予備反応はc、x>p:clll>の混
合物に触媒とじ−で7リン系化合物、γミン系化合物あ
るいはイミダゾ・−ル系化合物などを加え窒素雰囲気1
ぐC゛通常100〜170°C,1〜20時間の条件で
行うことが出来る。
) 、、!−の予備反応はc、x>p:clll>の混
合物に触媒とじ−で7リン系化合物、γミン系化合物あ
るいはイミダゾ・−ル系化合物などを加え窒素雰囲気1
ぐC゛通常100〜170°C,1〜20時間の条件で
行うことが出来る。
このようにし、て得られた配合物を加熱lff−ルなど
の混練機で混練後、冷却、粉砕し必四に応じC打錠する
とい・う−・連の工程を経ることにより本発明の樹脂組
成物を得ることができる。
の混練機で混練後、冷却、粉砕し必四に応じC打錠する
とい・う−・連の工程を経ることにより本発明の樹脂組
成物を得ることができる。
本発明の樹脂射1成物は必要により部分的に硬化(Bス
テ・−ジ、半硬化状態)させて使用することができる。
テ・−ジ、半硬化状態)させて使用することができる。
この部分的な硬化は通常50〜150℃、5分〜5時間
の条件で行うことができる。
の条件で行うことができる。
本発明の樹脂組成物を用いての半導体素rの封止は特に
限定されるものではなく、通常の方法、例えばトランス
ツアー成形などの公知のモールl!法により行・)こと
ができる。トランスツアー成形1− の場合、月−力は通常50〜・90kg八2mへ、温度
は通常IGθ〜・200℃、時間は60秒〜180秒で
ある3、このよ、゛)にして得られた(樹脂月J))′
4″導体装置i、1.1f 、+、l・樹脂の内部応力
が小さくバラゲージクラックの発生数を低減させる3、 [実施例コ 以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。実施例および参考例
中の部は重量部である。
限定されるものではなく、通常の方法、例えばトランス
ツアー成形などの公知のモールl!法により行・)こと
ができる。トランスツアー成形1− の場合、月−力は通常50〜・90kg八2mへ、温度
は通常IGθ〜・200℃、時間は60秒〜180秒で
ある3、このよ、゛)にして得られた(樹脂月J))′
4″導体装置i、1.1f 、+、l・樹脂の内部応力
が小さくバラゲージクラックの発生数を低減させる3、 [実施例コ 以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。実施例および参考例
中の部は重量部である。
参考例1
(グリシジルエーテルの合成)
水添ポリイソプレングリコール(PIF−1i、 平
均分子量25oo、出光石油化学(株)製)100部、
エピクロルヒドリン35部、粒状水酸化ナトリウムIG
部、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド1部及び
トルエン50部を仕込み、激しく攪拌し、なから窒素雰
囲気ト′で50℃、5時間反応させた。反応後、水10
0部を加え10分撹拌して水洗した。静置後、上層を分
液し、濾過後、過剰のエピクロルヒドリンとトルエンを
減圧除去し、残渣として水添ポリイソプ12 レンゲリコールのグリシジル−T−−デル(イ)90部
を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当量は16
50ごあった。
均分子量25oo、出光石油化学(株)製)100部、
エピクロルヒドリン35部、粒状水酸化ナトリウムIG
部、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド1部及び
トルエン50部を仕込み、激しく攪拌し、なから窒素雰
囲気ト′で50℃、5時間反応させた。反応後、水10
0部を加え10分撹拌して水洗した。静置後、上層を分
液し、濾過後、過剰のエピクロルヒドリンとトルエンを
減圧除去し、残渣として水添ポリイソプ12 レンゲリコールのグリシジル−T−−デル(イ)90部
を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当量は16
50ごあった。
参考例2
(グリシジルニ・−デルの合成)
水添ボリイソプレンゲリコール(P[P−H1平均分子
量2500. 出光石油化学(株)製)100部、エ
ピクロルヒドリン3部、三フッ化ホウ素ジエチルエーテ
ル錯体0,15部およびトルエン50部を仕込み、激し
く攪拌しながら窒素雰囲気下で55°C15時間付加反
応させた。その後、48%水酸化ナトリウム水溶液9.
5部を加え65°C,5時開閉環反応させた。反応後、
水1.00部を加え、あとの操作は参考例1と同様に行
い水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル
(ロ)95部を得た1、このグリシジルニー・チルのエ
ポキシ当量は1430であった。
量2500. 出光石油化学(株)製)100部、エ
ピクロルヒドリン3部、三フッ化ホウ素ジエチルエーテ
ル錯体0,15部およびトルエン50部を仕込み、激し
く攪拌しながら窒素雰囲気下で55°C15時間付加反
応させた。その後、48%水酸化ナトリウム水溶液9.
5部を加え65°C,5時開閉環反応させた。反応後、
水1.00部を加え、あとの操作は参考例1と同様に行
い水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル
(ロ)95部を得た1、このグリシジルニー・チルのエ
ポキシ当量は1430であった。
参考例3
(グリシジルエーテルの合成)
水添ポリブタジゴングリコール(ポリテール■、平均分
子量2370. 1.2−ブタジエン骨格/1,4ブタ
ジエン骨格=20/80、三菱化成(株)製)100部
、エピクロルヒドリン12部、三フッ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体0.2部、トルエン1.00部を仕込み参
考例2と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水
添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(ハ
)85部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当
量は1520であった。
子量2370. 1.2−ブタジエン骨格/1,4ブタ
ジエン骨格=20/80、三菱化成(株)製)100部
、エピクロルヒドリン12部、三フッ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体0.2部、トルエン1.00部を仕込み参
考例2と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水
添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(ハ
)85部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当
量は1520であった。
参考例4
(グリシジルエーテルの合成)
水添ポリブタジェングリコール(旧SHOPB G1
−1000、平均分子量1450、I、2−ブタノエン
骨格/l。
−1000、平均分子量1450、I、2−ブタノエン
骨格/l。
4−ブタジエン骨格= 90/ 10、日本曹達(株)
製)100部、エピクロルヒドリン25部、粒状水酸化
ナトリウム10部、ヘンシルトリメチルアンモニウムク
ロリド1部およびトルエン50部を仕込み参考例1と同
様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水添ポリブタ
ジェングリコールのグリシジルニーデル(へ) 906
1Kを得た。このグリシジルニーデルのエポキシ当量は
1030であった。
製)100部、エピクロルヒドリン25部、粒状水酸化
ナトリウム10部、ヘンシルトリメチルアンモニウムク
ロリド1部およびトルエン50部を仕込み参考例1と同
様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水添ポリブタ
ジェングリコールのグリシジルニーデル(へ) 906
1Kを得た。このグリシジルニーデルのエポキシ当量は
1030であった。
参考例5
(グリシジルエーテルの合成)
水添ポリブタジェングリコール(NISSOPB G
12000、平均分子量2500.1,2−ブタジエン
骨格/1゜4−ブタジエン骨格=90/10、日本曹達
(株)製)100部、エピクロルヒドリン30部、粒状
水酸化ナトリウム13部、ベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロリド1部およびトルエン50部を仕込み参考例
1と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水添ポ
リブタジェングリコールのグリシジルエーテル())8
5部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当量は
1800であった。
12000、平均分子量2500.1,2−ブタジエン
骨格/1゜4−ブタジエン骨格=90/10、日本曹達
(株)製)100部、エピクロルヒドリン30部、粒状
水酸化ナトリウム13部、ベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロリド1部およびトルエン50部を仕込み参考例
1と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、水添ポ
リブタジェングリコールのグリシジルエーテル())8
5部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ当量は
1800であった。
参考例6
(グリシジルエーテルの合成)
水添ポリ(ブタジェン−イソプレン)グリコール[ブタ
ジェン50モル%およびイソプレン50モル%を過酸化
水素触媒で80°C,5時間重合させて得たもので平均
分子量2900.1.2−ブタジエン骨格/l、4−ブ
タジエン骨格: 20/ 80コ100部、エピクロル
ヒドリン40部、粒状水酸化ナトリウム18部、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド1部およびトルエン
70部を仕込み参考例1と同様に反応させ、あとの操作
も同様に行い、水添ポリ(ブタジェン−イソプレン)グ
リコールのグリシジルエーテル(チ)80部を得た。こ
のグリシジルエーテルのエポキシ当量は1950であっ
た。
ジェン50モル%およびイソプレン50モル%を過酸化
水素触媒で80°C,5時間重合させて得たもので平均
分子量2900.1.2−ブタジエン骨格/l、4−ブ
タジエン骨格: 20/ 80コ100部、エピクロル
ヒドリン40部、粒状水酸化ナトリウム18部、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド1部およびトルエン
70部を仕込み参考例1と同様に反応させ、あとの操作
も同様に行い、水添ポリ(ブタジェン−イソプレン)グ
リコールのグリシジルエーテル(チ)80部を得た。こ
のグリシジルエーテルのエポキシ当量は1950であっ
た。
参考例7
[(I)と(III)の予備反応物の合成]フェノール
ノボラック樹脂( TAMANOL)58、荒川化学(
株)製)100部、参考例1で合成した水添ポリイソプ
レングリコールのグリシジルエーテル(イ)20部、ト
リフェニルホスフィン1部を窒素を吹き込みながら15
0℃で3時間反応させ予備反応物(二)を得た。
ノボラック樹脂( TAMANOL)58、荒川化学(
株)製)100部、参考例1で合成した水添ポリイソプ
レングリコールのグリシジルエーテル(イ)20部、ト
リフェニルホスフィン1部を窒素を吹き込みながら15
0℃で3時間反応させ予備反応物(二)を得た。
参考例8
[(1)と(III)の予備反応物の合成]フェノール
ノボラック樹脂( T A M A N O L 7
58、荒川化学(株)製)100部、参考例3で合成し
た水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル
(ハ)40部、2−エチル−4−メチルイミダゾール0
.5部を窒素を吹き込みながら 180℃で2時間反応
させ18− 予備反応物(ホ)を得た。
ノボラック樹脂( T A M A N O L 7
58、荒川化学(株)製)100部、参考例3で合成し
た水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル
(ハ)40部、2−エチル−4−メチルイミダゾール0
.5部を窒素を吹き込みながら 180℃で2時間反応
させ18− 予備反応物(ホ)を得た。
参考例9
[(1)と(III)の予備反応物の合成コツエノール
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒川化学(
株)製)100部、参考例4で合成した水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテル(へ)40部、ト
リフェニルホスフィンo 、 5部ヲ窒素を吹き込みな
がら 150℃で3時間反応させ予備反応物(す)を得
た。
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒川化学(
株)製)100部、参考例4で合成した水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテル(へ)40部、ト
リフェニルホスフィンo 、 5部ヲ窒素を吹き込みな
がら 150℃で3時間反応させ予備反応物(す)を得
た。
参考例10
[(1)と(III)の予備反応物の合成コツエノール
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒j化学(
株)製)100部、参考例5で合成した水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテルへ) 40部、1
.8−ジアザビシクロ(5,4.0)ウンデセン−7
1部を窒素を吹き込みながら 150℃で2時間反応さ
せ予備反応物(ヌ)を得た。
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒j化学(
株)製)100部、参考例5で合成した水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテルへ) 40部、1
.8−ジアザビシクロ(5,4.0)ウンデセン−7
1部を窒素を吹き込みながら 150℃で2時間反応さ
せ予備反応物(ヌ)を得た。
参考例11
[(1)と(III)の予備反応物の合成コツエノール
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒j化学(
株)製) 100部、参考例6で合成した水添ポリ(ブ
タジェン−イソプレン)グリコールのグリシジルエーテ
ル(チ)40部、)リフェニルホスフィン 1部を窒素
を吹き込みながら 150℃で2時間反応させ予備反応
物(ル)を得た。
ノボラック樹脂( TAMANOL758、荒j化学(
株)製) 100部、参考例6で合成した水添ポリ(ブ
タジェン−イソプレン)グリコールのグリシジルエーテ
ル(チ)40部、)リフェニルホスフィン 1部を窒素
を吹き込みながら 150℃で2時間反応させ予備反応
物(ル)を得た。
実施例1
タレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキシES
CN220L, エポキシ当量210、住友化学(株
)製)、フェノールノボラック樹脂( TAMANOL
758、荒川化学(株)製)、 (I)として参考例1
で合成した水添ポリイソプレングリコールのグリシジル
エーテル(イ)、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィン、充填剤として溶融シリカ、シランカップリング剤
、カルナバワックス、三酸化アンチモン及びカーボンブ
ラックを第1表に示す量で混合したのち、加熱ロールに
より混練後、冷却し、粉砕して本発明の組成物を調製し
た。
CN220L, エポキシ当量210、住友化学(株
)製)、フェノールノボラック樹脂( TAMANOL
758、荒川化学(株)製)、 (I)として参考例1
で合成した水添ポリイソプレングリコールのグリシジル
エーテル(イ)、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィン、充填剤として溶融シリカ、シランカップリング剤
、カルナバワックス、三酸化アンチモン及びカーボンブ
ラックを第1表に示す量で混合したのち、加熱ロールに
より混練後、冷却し、粉砕して本発明の組成物を調製し
た。
得られた組成物を175℃73分の条件で成形し、18
0℃/IG時間の後硬化を行い、硬化試験片を作製した
。得られた成形品の曲げ弾性率、ガラス転移点及び12
0℃、2気圧、200時間のプレッシャークツカーテス
ト前後の体積抵抗率を測定1、た。結果を第2表に示す
。
0℃/IG時間の後硬化を行い、硬化試験片を作製した
。得られた成形品の曲げ弾性率、ガラス転移点及び12
0℃、2気圧、200時間のプレッシャークツカーテス
ト前後の体積抵抗率を測定1、た。結果を第2表に示す
。
また得られた組成物を用い48plnソラットパックー
ジにSl導体素j′−を載ぜ175°C/120秒Cト
ンンスファー成形で−E−ルドし、その後175°C1
5時間のアフターキュアを行、うた。このようにし7°
C得られた第1図に示される゛V導体装置(各10個)
についご−196℃/2分〜150℃/2分のl000
回の温度サイクルテスト(TCTアスト)を行い、パッ
ク゛−ジクンツク発生数を測定した。結果を第3表に示
4゜実施例2 (I)として参考例2で合成した水添ポリイソプレング
リフールのグリシジルエーテル(ロ)ヲ用い、その他は
実施例1のごとく第1表に示す量で組成物を調製し評価
した。
ジにSl導体素j′−を載ぜ175°C/120秒Cト
ンンスファー成形で−E−ルドし、その後175°C1
5時間のアフターキュアを行、うた。このようにし7°
C得られた第1図に示される゛V導体装置(各10個)
についご−196℃/2分〜150℃/2分のl000
回の温度サイクルテスト(TCTアスト)を行い、パッ
ク゛−ジクンツク発生数を測定した。結果を第3表に示
4゜実施例2 (I)として参考例2で合成した水添ポリイソプレング
リフールのグリシジルエーテル(ロ)ヲ用い、その他は
実施例1のごとく第1表に示す量で組成物を調製し評価
した。
実施例3
(1)として水添ポリブタジェングリコールのグリシジ
ルエーテル(ハ)を用い、その他は実施例1のごとく第
1表に示す量で組成物を調製し、−′I9 評価した。
ルエーテル(ハ)を用い、その他は実施例1のごとく第
1表に示す量で組成物を調製し、−′I9 評価した。
実施例4
り1ノゾールノボラツクエボキシ樹脂(:スミ〕ポキシ
ESCN22C114、Jボキシ当量210、住友化学
(株)製)、参考例7で作製した予備反応物(=−゛、
)、硬化促進剤とし゛Cトリフ、x、コルホスフィン
、充填剤として溶融シリカ、シランカップリング剤、カ
ルナバワックス、三酸化アンチモン及びカーボンブラッ
クを第1表に示す量で混合し、その他は実施例1と同様
に操作し、組成物を調製し、評価し5た。
ESCN22C114、Jボキシ当量210、住友化学
(株)製)、参考例7で作製した予備反応物(=−゛、
)、硬化促進剤とし゛Cトリフ、x、コルホスフィン
、充填剤として溶融シリカ、シランカップリング剤、カ
ルナバワックス、三酸化アンチモン及びカーボンブラッ
クを第1表に示す量で混合し、その他は実施例1と同様
に操作し、組成物を調製し、評価し5た。
実施例5
参考例8で作製した予備反応物(ホ)を使用する以外は
実施例4と同様に行い、第1表に示す爪で組成物を調製
し5、評価した。
実施例4と同様に行い、第1表に示す爪で組成物を調製
し5、評価した。
実施例6
参考例9で作製した予備反応物(す)を使用する以外は
実施例4と同様に行い、第1表にボケ量で組成物を調製
し2、評価した。
実施例4と同様に行い、第1表にボケ量で組成物を調製
し2、評価した。
実施例7
参考例10で作製した予備反応物(ヌ)を使用20−
する以外は実施例4と同様に行い、第1表に示゛4量で
組成物を調製し、評価した。
組成物を調製し、評価した。
実施例8
参考例11で作製t、た予備反応物(ル)を使用する以
外は実施例4と同様に行い、第1表に示す量で組成物を
調製し、評価した。
外は実施例4と同様に行い、第1表に示す量で組成物を
調製し、評価した。
比較例1
(I)を添加しない以外はずべて実施例1と同様に行い
、第1表に示す量で組成物を調製し、評価した。
、第1表に示す量で組成物を調製し、評価した。
第1表
(1)
22−
第1表
−23−
第2表
■:
■:
■:
■:
■:
クレゾールノボラックエポキシ樹脂
フェノールノボラック樹脂
水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル(
イ) 水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル(
ロ) 水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(
ハ) 参考例7の予備反応物(ニ) 参考例8の予備反応物(ホ) 参考例8の予備反応物(す) 参考例10の予備反応物(ヌ) 参考例11の予備反応物(ル) トリフェニルホスフィン 1.8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
溶融シリカ シランカップリング剤 カルナバワックス 二酸化アンチモン カーボンブラック 24− 第3表 〔発明の効果〕 本発明の樹脂組成物は耐熱性が優れ、高温時に酸化され
るようなことがない。また、熱応力が低減されたもので
あるのでチップやリードフレームと封止樹脂との線膨張
率の差による熱応力により、チップにクラックが生じた
り、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品の信
頼性が低下することがない。また、シリコーン樹脂など
と比較した場合、金属との接着性が優れ、透湿1j1が
小さいため耐湿性を保持4”る。しかも低弾性率である
4、また1、水素化、へれた共役ジ〕ン重合体のグリシ
ジルエーテルは1−v1mキシル基を有する水素化され
た共役ジエン重合体を」ピクl′1ルヒドリンの存在下
に反応さゼるこ2:ζごJ、り得られるが、この反応(
グリシジルニー)−ル化反応)は、水添ポリシタジエン
樹脂をゴポキシ樹脂で変性する場合のような変性反応が
完全に進行し難いとか、長時間反応に要するとかの問題
点がなく、反応は進行しやず<、シかも比較的短時間で
反応がずずむという利点がある。
イ) 水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル(
ロ) 水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(
ハ) 参考例7の予備反応物(ニ) 参考例8の予備反応物(ホ) 参考例8の予備反応物(す) 参考例10の予備反応物(ヌ) 参考例11の予備反応物(ル) トリフェニルホスフィン 1.8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
溶融シリカ シランカップリング剤 カルナバワックス 二酸化アンチモン カーボンブラック 24− 第3表 〔発明の効果〕 本発明の樹脂組成物は耐熱性が優れ、高温時に酸化され
るようなことがない。また、熱応力が低減されたもので
あるのでチップやリードフレームと封止樹脂との線膨張
率の差による熱応力により、チップにクラックが生じた
り、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品の信
頼性が低下することがない。また、シリコーン樹脂など
と比較した場合、金属との接着性が優れ、透湿1j1が
小さいため耐湿性を保持4”る。しかも低弾性率である
4、また1、水素化、へれた共役ジ〕ン重合体のグリシ
ジルエーテルは1−v1mキシル基を有する水素化され
た共役ジエン重合体を」ピクl′1ルヒドリンの存在下
に反応さゼるこ2:ζごJ、り得られるが、この反応(
グリシジルニー)−ル化反応)は、水添ポリシタジエン
樹脂をゴポキシ樹脂で変性する場合のような変性反応が
完全に進行し難いとか、長時間反応に要するとかの問題
点がなく、反応は進行しやず<、シかも比較的短時間で
反応がずずむという利点がある。
上記効果を奏することから、本発明の樹脂組成物は半導
体封止用樹脂組成物として好適である。
体封止用樹脂組成物として好適である。
本発明の半導体装置は封止樹脂の内部応力が小さく、耐
湿信頼性、耐熱信頼性に著しく優れ”Cいる。半l)]
実装におけるような過酷な条件下においてもパッケージ
クラックが生じることもなく表面実装型の半導体装置に
好適であるといえる。
湿信頼性、耐熱信頼性に著しく優れ”Cいる。半l)]
実装におけるような過酷な条件下においてもパッケージ
クラックが生じることもなく表面実装型の半導体装置に
好適であるといえる。
第1図は半導体装置の断面図Cある。
1・・・リー ドフレー・・ノ・ 2・・・ 半導体素
子3・・・ボンIイング線 4・・・グイバッド5・・
・保護被膜樹脂 6・・・モ・−ルド樹脂7− =28
子3・・・ボンIイング線 4・・・グイバッド5・・
・保護被膜樹脂 6・・・モ・−ルド樹脂7− =28
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエーテ
ル( I )とエポキシ樹脂(II)とフェノール系化合物
のホルムアルデヒド反応物(III)とを必須成分とする
半導体封止用樹脂組成物。 2、水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエーテ
ル( I )とフェノール系化合物のホルムアルデヒド反
応物(III)とをあらかじめ反応させたものと、エポキ
シ樹脂(II)とを必須成分とする半導体封止用樹脂組成
物。 3、水素化された共役ジエン重合体が、水素化された、
ブタジエンおよび/またはイソプレンの(共)重合体で
ある請求項1または2記載の組成物。 4、共役ジエン重合体が1、2−ブタジエン骨格を含む
請求項1〜3のいずれか記載の樹脂組成物。 5、請求項1〜4のいずれか記載の組成物を部分的に硬
化させてなる半導体封止用樹脂組成物。 6、請求項1〜5のいずれか記載の樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042845A JPH03263422A (ja) | 1989-03-15 | 1990-02-23 | 半導体封止用樹脂組成物および装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-64362 | 1989-03-15 | ||
| JP6436289 | 1989-03-15 | ||
| JP2-33223 | 1990-02-13 | ||
| JP2042845A JPH03263422A (ja) | 1989-03-15 | 1990-02-23 | 半導体封止用樹脂組成物および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263422A true JPH03263422A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=26382587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042845A Pending JPH03263422A (ja) | 1989-03-15 | 1990-02-23 | 半導体封止用樹脂組成物および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194061A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2019035032A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 日本曹達株式会社 | グリシジルエーテル変性ポリブタジエンまたはグリシジルエーテル変性水素添加ポリブタジエンの製造方法 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2042845A patent/JPH03263422A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194061A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2019035032A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 日本曹達株式会社 | グリシジルエーテル変性ポリブタジエンまたはグリシジルエーテル変性水素添加ポリブタジエンの製造方法 |
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