JPH03264181A - ダイヤモンドの研磨方法 - Google Patents
ダイヤモンドの研磨方法Info
- Publication number
- JPH03264181A JPH03264181A JP2058702A JP5870290A JPH03264181A JP H03264181 A JPH03264181 A JP H03264181A JP 2058702 A JP2058702 A JP 2058702A JP 5870290 A JP5870290 A JP 5870290A JP H03264181 A JPH03264181 A JP H03264181A
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- JP
- Japan
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- diamond
- laser beam
- atmosphere
- polishing method
- laser
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- Pending
Links
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- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
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- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims abstract 2
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、切削工具、メス、ヒートシンク、電子基板
材料などに用いられるダイヤモンドの研磨方法に関する
ものである。
材料などに用いられるダイヤモンドの研磨方法に関する
ものである。
従来の技術
切削工具、例えば、切削用バイトの先端には人造ダイヤ
モンドで形式したチップが設けられているが、このチッ
プのすくい面は切れ味を良くするため研磨されている。
モンドで形式したチップが設けられているが、このチッ
プのすくい面は切れ味を良くするため研磨されている。
このチップ（ダイヤモンド）のすくい面の研磨方法とし
て、従来、ダイヤモンド粒子を用いた、所謂「とも擦り
法」が用いられている。
て、従来、ダイヤモンド粒子を用いた、所謂「とも擦り
法」が用いられている。
発明が解決しようとする課題
従来例のダイヤモンドの研磨方法では、研磨速度が０．
１ μｓ／ｍｉｎ、〜０．１ μ＠／ｈ、と遅いので小
さなチップの研磨に長時間を要している。
１ μｓ／ｍｉｎ、〜０．１ μ＠／ｈ、と遅いので小
さなチップの研磨に長時間を要している。
この発明は、前記事情に鑑み効率良くダイヤモンドを研
磨できるようにすることを目的とする。
磨できるようにすることを目的とする。
課題を解決するための手段
この発明は、ダイヤモンドの表面にレーザビームの側面
を当接せしめることにより前記目的を遠戚しようとする
ものである。
を当接せしめることにより前記目的を遠戚しようとする
ものである。
作用
レーザビームの側面がダイヤモンドの表面に当接すると
、該表面は同時に広い範囲に亘りレーザビームの熱エネ
ルギが与えられ、該表面の凹凸部分が除去され平坦な面
となる。
、該表面は同時に広い範囲に亘りレーザビームの熱エネ
ルギが与えられ、該表面の凹凸部分が除去され平坦な面
となる。
実施例
この発明の実施例を添付図面により説明するが、同一図
面符号はその名称も機能も同一である。
面符号はその名称も機能も同一である。
メタンと水素ガスを原料としてアーク放電プラズマジェ
ットＣＶＤ法によりダイヤモンド１を合成し、該ダイヤ
モンド１をＹＡＧレーザ装置などにより三角形状に切断
して切削用バイトのチップ１を形成する。
ットＣＶＤ法によりダイヤモンド１を合成し、該ダイヤ
モンド１をＹＡＧレーザ装置などにより三角形状に切断
して切削用バイトのチップ１を形成する。
このチップ（ダイヤモンド〉１の表面１ａにレーザ発生
装置、例えば、ＹＡＧレーザ装置３のレーザビーム４を
照射する。
装置、例えば、ＹＡＧレーザ装置３のレーザビーム４を
照射する。
この時の仮想設計面、すなわち、研磨完了時のダイヤモ
ンドの研磨面、１ｂに対する照射角度θは、１５度にし
、レーザビーム４の側面４ａがチップの仮想設計面１ｂ
と平行となるようにする。照射角度θは、レーザビーム
の広がり角やパワー等により適宜調整されることは勿論
である。このＹＡＧレーザ装置３は、平均出力で最大１
２Ｗの連続発振と尖頭値出力で最大２３ＫＷのパルス発
振が可能であり、また、発振したレーザビーム４は焦点
距離５０■のレンズ５により集光される。
ンドの研磨面、１ｂに対する照射角度θは、１５度にし
、レーザビーム４の側面４ａがチップの仮想設計面１ｂ
と平行となるようにする。照射角度θは、レーザビーム
の広がり角やパワー等により適宜調整されることは勿論
である。このＹＡＧレーザ装置３は、平均出力で最大１
２Ｗの連続発振と尖頭値出力で最大２３ＫＷのパルス発
振が可能であり、また、発振したレーザビーム４は焦点
距離５０■のレンズ５により集光される。
次に、Ｘ−Ｙテーブル２を矢印２Ｙ方向に移動して、チ
ップの表面１ａをレーザビーム４の側面４ａに当接させ
ると、第２図に示すように、レーザビーム４の側面４ａ
はチップ１の底辺上に位置し、該底辺の全長に亘り同時
に接触して熱エネルギを与える。この状態において、テ
ーブル２を矢印２Ｘ方向に移動すると、チップ１の表面
１ａはレーザビームの側面４ａからの熱エネルギを吸収
して第３図に示すように凹凸部分が除去され、滑らかな
すくい面となる。
ップの表面１ａをレーザビーム４の側面４ａに当接させ
ると、第２図に示すように、レーザビーム４の側面４ａ
はチップ１の底辺上に位置し、該底辺の全長に亘り同時
に接触して熱エネルギを与える。この状態において、テ
ーブル２を矢印２Ｘ方向に移動すると、チップ１の表面
１ａはレーザビームの側面４ａからの熱エネルギを吸収
して第３図に示すように凹凸部分が除去され、滑らかな
すくい面となる。
チップの逃げ面はＹＡＧレーザ装置により切断されたレ
ーザ切断面である。ＹＡＧレーザをダイヤモンドに対し
垂直に照射した場合レーザ切断面は垂直方向に対し７度
の傾きを持つ面となるがこの照射角度を変化させること
により任意の傾きを有する切断面を得ることが出来る。
ーザ切断面である。ＹＡＧレーザをダイヤモンドに対し
垂直に照射した場合レーザ切断面は垂直方向に対し７度
の傾きを持つ面となるがこの照射角度を変化させること
により任意の傾きを有する切断面を得ることが出来る。
この発明の実施例は上記に限定されるものではなく、例
えば、ＹＡＧレーザ装置３を固定し、ダイヤモンド１を
移動する代わりに、前者３を移動し、後者１を固定して
もよいことは勿論である。 又、Ｘ−Ｙテーブル上のダ
イヤモンド１をチャンバの中に入れ、該チャンバ内を真
空にしたり、または、酸素、空気、アルゴンの何れか、
をチャンバ内に供給して雰囲気を形成しながら研磨作業
を行ってもよい。
えば、ＹＡＧレーザ装置３を固定し、ダイヤモンド１を
移動する代わりに、前者３を移動し、後者１を固定して
もよいことは勿論である。 又、Ｘ−Ｙテーブル上のダ
イヤモンド１をチャンバの中に入れ、該チャンバ内を真
空にしたり、または、酸素、空気、アルゴンの何れか、
をチャンバ内に供給して雰囲気を形成しながら研磨作業
を行ってもよい。
なお、このダイヤモンドの研磨方法によりダイヤモンド
の表面を一度粗研磨した後、従来の「とも擦り法」によ
り仕上げ研磨をすると、短時間に、しかも、より滑らか
な研磨面を得ることが出来る。 更に、この研磨方法に
より研磨されたダイヤモンド１は、切削用バイトのみな
らず、メス、ヒートシンク、電子基板材料等へも広く利
用できることは言うまでもない。
の表面を一度粗研磨した後、従来の「とも擦り法」によ
り仕上げ研磨をすると、短時間に、しかも、より滑らか
な研磨面を得ることが出来る。 更に、この研磨方法に
より研磨されたダイヤモンド１は、切削用バイトのみな
らず、メス、ヒートシンク、電子基板材料等へも広く利
用できることは言うまでもない。
発明の効果
この発明に係るダイヤモンドの研磨方法は、ダイヤモン
ドの表面にレーザビームの側面を当接せしめるので、レ
ーザビームがダイヤモンドの表面と広い範囲にわたり、
同時に接触して熱エネル玉゛−を与え、該表面の凹凸部
分を除去し平坦な面とする。
ドの表面にレーザビームの側面を当接せしめるので、レ
ーザビームがダイヤモンドの表面と広い範囲にわたり、
同時に接触して熱エネル玉゛−を与え、該表面の凹凸部
分を除去し平坦な面とする。
そのため、効率良くダイヤモンドの研磨作業を行うこと
ができる。
ができる。
第１図は本発明の実施例を示す正面図、第２図は平面図
の一部を示す略図、第３図は第１の■−■線断面の拡大
図、である。 １ ・・・・・・ ダイヤモンド ３ ・・・・・・ ＹＡＧレーザ装置 ４ ・・・・・・ レーザビーム ４ａ ・・・・・・ 側面 図
の一部を示す略図、第３図は第１の■−■線断面の拡大
図、である。 １ ・・・・・・ ダイヤモンド ３ ・・・・・・ ＹＡＧレーザ装置 ４ ・・・・・・ レーザビーム ４ａ ・・・・・・ 側面 図
Claims (8)
- （１）ダイヤモンドの表面にレーザビームの側面を当接
せしめることを特徴とするダイヤモンドの研磨方法 - （２）レーザビームの仮想設計面に対する照射角度が、
１５度であることを特徴とする請求項第１記載のダイヤ
モンドの研磨方法 - （３）レーザビームが、ＹＡＧレーザ装置により発生す
ることを特徴とする請求項第１記載のダイヤモンドの研
磨方法 - （４）雰囲気の中でダイヤモンドの表面にレーザビーム
の側面を当接せしめることを特徴とするダイヤモンドの
研磨方法 - （５）雰囲気が、酸素雰囲気であることを特徴とするダ
イヤモンドの研磨方法 - （６）雰囲気が、空気雰囲気であることを特徴とするダ
イヤモンドの研磨方法 - （７）雰囲気が、アルゴン雰囲気であることを特徴とす
るダイヤモンドの研磨方法 - （８）雰囲気が、真空雰囲気であることを特徴とするダ
イヤモンドの研磨方法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058702A JPH03264181A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | ダイヤモンドの研磨方法 |
| EP91103604A EP0446811A1 (en) | 1990-03-10 | 1991-03-08 | Method and apparatus for grinding diamond and diamond product using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058702A JPH03264181A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | ダイヤモンドの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03264181A true JPH03264181A (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13091853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2058702A Pending JPH03264181A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | ダイヤモンドの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03264181A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483038A (en) * | 1992-04-23 | 1996-01-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of working diamond with ultraviolet light |
| KR20140026749A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | 주식회사 엘지화학 | 유리 기판 연마 장치 및 방법 |
| US12697682B2 (en) * | 2022-01-27 | 2026-08-04 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Polycrystalline diamond (PCD) laser lapping machine |
-
1990
- 1990-03-10 JP JP2058702A patent/JPH03264181A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483038A (en) * | 1992-04-23 | 1996-01-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of working diamond with ultraviolet light |
| KR20140026749A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | 주식회사 엘지화학 | 유리 기판 연마 장치 및 방법 |
| US12697682B2 (en) * | 2022-01-27 | 2026-08-04 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Polycrystalline diamond (PCD) laser lapping machine |
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