JPH03264683A - ジシランの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ジシランの製造方法に関する。

従来技術とその問題点 ジシランは、セラミックス前駆体、光・電子材料などと
して有用な５ｉ−８ｉ結合を有する化合物製造の中間体
として注目されている。

従来、ジシランの製造方法としては、金属ナトリウムな
どのアルカリ金属或いはアルカリ土類金属を用いて、溶
媒中のハロシランを溶媒の沸点程度の温度で長時間攪拌
し、還元的にカップリングさせる方法が知られている（
Ｊ、Ｏｒｇａｎｉｃｍｅｔ、Ｃｈｅｍ、　。

１３　（１９６８）　３２３〜３２８）。しかしながら
、この方法は、過酷な反応条件（例えば、長時間の加熱
が必要である）を必要とすること、工業的規模での生産
に際しては、アルカリ金属を大量に使用するので、安全
性に大きな問題があることなどの欠点を有している。

この様な欠点を克服する方法として、クロロシランを室
温で電極還元して、ジシランを製造するという温和な条
件下での製造方法が提案されている（Ａｎｇｅｗ、Ｃｈ
ｅｍ、ｌｎｔ、Ｅｄ、Ｅｎｇｌ、、１５　（１９７Ｂ）
　３７０Ｊ、Ｏｒｇａｎｉｃｍｅｔ、Ｃｈｅｍ、、２１
２　（１９８１）　１５５１　ｏこの製造方法は、隔膜
付きＨ型セル中で陽極に水銀またはカドミウムを使用し
、陰極に白金、水銀、鉛、チタンまたは鉄を使用し、支
持電解質に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを
使用し、溶媒として１，２−ジメトキシエタンを使用す
るものである。しかしながら、この方法は、（イ）収率
が、ヘキサメチルジシラン製造の場合で１０．５％程度
、ヘキサフエニルジシラン製造の場合で１３．９％程度
と極めて低い、（ロ）対応するシロキサン（例えば、原
料がトリメチルクロロシランの場合には、ヘキサメチル
ジシロキサン）の副生が多く、目的とするジシランとシ
ロキサンとの分離が困難であることから、純度の高いジ
シランが得られ難い、（ハ）陽極として水銀またはカド
ミウムを使用するので、作業上の操作性および安全性に
欠けるのみならず、環境汚染の危険性もある、などの点
で、工業的方法としては、適切であるとは言い難い。

問題点を解決するための手段 本発明者は、上記の如き従来技術の現状に鑑みて鋭意研
究を重ねた結果、ハロシランを特定の金属を陽極として
使用する電極反応に供することにより、従来技術の問題
点が実質的に解消されるか乃至は大幅に軽減されること
を見出した。

また、この様な電極反応において、画電極の極性を一定
時間間隔で切り替えることにより、反応効率と収率とが
大巾に改善されることをも見出した。

本発明者は、更に研究を重ねた結果、上記の如き電極反
応に際して、反応器乃至反応溶液に超音波を照射する場
合には、反応時間が大巾に短縮されることを見出した。

すなわち、本発明は、下記のジシランの製造方法を提供
するものである： ■ジシランの製造方法であって、一般式％式％（１） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同−或いは異
なって、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原子を表
わす） で示されるハロシランをＭｇ、Ｃｕ５ＺｎＳＳｎまたは
ｉを陽極として使用する電極反応に供することにより、
一般式 ％式％ （２） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記に同じ）で示され
るジシランを形成させることを特徴とする方法。

■ジシランの製造方法であって、一般式％式％（１） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同−或いは異
なって、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原子を表
わす） で示されるハロシランを超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、
ＺｎＳＳｎまたはＡＱを陽極として使用する電極反応に
供することにより、一般式％式％ （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記に同じ）で示され
るジシランを形成させることを特徴とする方法：および ■ジシランの製造方法であって、一般式（式中Ｒ１、Ｒ
２およびＲ３は、それぞれ同−或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原子を表わす） で示されるハロシランをＭｇＸＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎまたは
ＡＲを一方の極とし、これらと同種または異種の導電性
材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を切
り替える電極反応に供することにより、一般式 Ｒ２Ｒ２ Ｒ１−８ｉ−８１−Ｒ１（２） ３　Ｒ３ （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記に同じ）で示され
るジシランを形成させることを特徴とする方法。

■ジシランの製造方法であって、一般式％式％（１） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同−或いは異
なって、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原子を表
わす） で示されるハロシランを超音波の照射下にＭｇ、ＣｕＳ
Ｚｎ、ＳｎまたはＡＱを一方の極とし、これらと同種ま
たは異種の導電性材料を他方の極として一定の時間間隔
で電極の極性を切り替える電極反応に供することにより
、一般式 ％式％（２） （式中Ｒ□、Ｒ２およびＲ３は、上記に同じ）で示され
るジシランを形成させることを特徴とする方法。

以下において、上記■乃至■の発明をそれぞれ本願第１
発明乃至本願第４発明と言い、これらを総括して単に本
発明と言う。

本発明において、出発原料として使用するハロシランは
、一般式 ％式％（１） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同−或いは異
なって、水素原子、アルキル基、アリール１ ２ 基、アルコキシ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロ
ゲン原子を表わす） で示されるものである。

また、本発明における反応生成物は、一般式％式％（２
） （式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記に同じ）で示され
るジシランである。

一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３で示され
る水素原子、アミノ基および有機置換基は、それぞれが
相異なっていても良く、或いは２個以上が同一であって
も良い。アルキル基としては、炭素数１〜１０程度のも
のが挙げられ、これらの中でも炭素数１〜６のものがよ
り好ましい。

アリール基としては、フェニル基、炭素数１〜６個のア
ルキル基を少なくとも１つ置換基として有するフェニル
基、ｐ−アルコキシフェニル基などが挙げられる。アル
コキシ基としては、炭素数１〜１０程度のものが挙げら
れ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好ましい
。Ｒ工、Ｒ２およびＲ３が上記のアミノ基および有機置
換基である場合には、その水素原子が他のアルキル基、
アリール基、アルコキシ基などの官能基により置換され
ていても良い。

また、一般式（１）において、Ｘは、ハロゲン原子（Ｃ
Ｌ　　Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）を表わす。ハロゲン原子としては
、ＣΩがより好ましい。

本発明方法においては、一般式（１）で表わされるハロ
シランの１種を単独で使用しても良く、或いは２種を混
合使用しても良い。ハロシランは、出来るだけ高純度で
あることが好ましく、例えば、液体のハロシランについ
ては、水素化カルシウムにより乾燥し、蒸留して使用す
ることが好ましく、また、固体のハロシランについては
、再結晶法により、精製し、使用することか好ましい。

反応に際しては、ハロシランを溶媒に溶解して使用する
。溶媒としては、非プロトン性の溶媒が広く使用でき、
より具体的には、プロピレンカーボネート、アセトニト
リル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル
）エーテル、ｐ−ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩
化メチレンなどのエーテル系の溶媒が例′示される。こ
れらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上の混合物とし
ても使用できる。溶媒としては、１，２−ジメトキシエ
タンおよびテトラヒドロフランがより好ましい。溶媒中
のハロシランの濃度は、低すぎる場合には、電流効率が
低下するのに対し、高すぎる場合には、支持電解質が溶
解しないことがある。したがって、溶媒中のハロシラン
の濃度は、通常０．０５〜６ｍｏｌ／Ｑ程度であり、よ
り好ましくは０．１〜３［１Ｉｏｌ／Ｑ程度であり、特
に好ましくは０．　２〜０．　８ｍｏｌ／Ｑ程度である
。

本発明で使用する支持電解質としては、過塩素酸ナトリ
ウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸アルカリ金属；
テトラフルオロ硼酸リチウムなどのテトラフルオロ硼酸
アルカリ金属；塩化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムな
どのハロゲン化テトラアルキルアンモニウム；過塩素酸
テトラ−ｎブチルアンモニウムなどの過塩素酸テトラア
ルキルアンモニウム；テトラフルオロ硼酸テトラ−ｎ−
ブチルアンモニウムなどのテトラフルオロ硼酸テトラア
ルキルアンモニウムなどが例示される。

これらの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは
２種以上を併用しても良い。これら支持電解質の中でも
、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムおよびテトラフルオロ硼酸テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムがより好ましく、さらには過塩素酸リチウ
ムおよび過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムが最
も好ましい。支持電解質の濃度は、低すぎる場合には、
反５ 応溶液に与えられるイオン導電性が低いために反応が十
分に進行しなくなるのに対し、高すぎる場合には、電流
が流れ過ぎて反応に必要な電位が得られなくなる。した
がって、溶媒中の支持電解質の濃度は、通常０．０５〜
５ＩＩＩｏＩ／Ｑ程度であり、より好ましくは０．１〜
３ｍｏｌ／Ｒ程度であり、特に好ましくは０．　１５〜
１．　２ｍｏｌ／Ｑ程度である。

本願第１発明においては、陽極として、Ｍｇ。

ＣｕＳＺｎ、ＳｎおよびＡＱのいずれかまたはこれらの
金属を主成分とする合金を使用する。陰極としては、電
流を通じ得る物質であれば特に限定されないが、Ｍｇ５
ＣｕＳＺｎ、５ｎＳＡＱ。

Ｎｉおよびｃｏのいずれかまたはこれらの金属を主成分
とする合金を使用することが好ましい。陽極としては、
Ｍｇ５Ｃｕおよびこれらの金属を主成分とする合金がよ
り好ましく、Ｍｇが最も好ましい。電極の形状は、通電
を安定して行ない得る限り特に限定されないが、棒状、
板状、筒状、板６ 状体をコイル状に巻いたものなどが好ましい。電極の表
面からは、あらかじめ酸化被膜を出来るだけ除去してお
くことが好ましい。電極からの酸化被膜の除去は、任意
の方法で行えば良く、例えば、電極を酸により洗浄した
後、エタノールおよびエーテルなどにより洗浄し、減圧
下に乾燥する方法、窒素雰囲気下に電極を研磨する方法
、或はこれらの方法を組み合わせた方法などにより行う
ことが出来る。

本願第１発明を実施するに際しては、陽極および陰極を
設置した密閉可能な反応容器に一般式（１）で表わされ
るハロシランおよび支持電解質を溶媒とともに収容し、
好ましくは機械的もしくは磁気的に攪拌しつつ、所定量
の電流を通電することにより、電極反応を行わせる。反
応容器内は、乾燥雰囲気であれば良いが、乾燥した窒素
または不活性ガス雰囲気であることがより好ましく、さ
らに脱酸素し、乾燥した窒素または不活性ガス雰囲気で
あることが最も好ましい。通電量は、ハロシランを基準
として、通常１〜５Ｆ１モル程度であり、より好ましく
は１．１〜３Ｆ１モル程度であり、最も好ましくは１．
３〜２．３Ｆ１モル程度である。反応時間は、原料ハロ
シランの量、支持電解質の量に関係する電解液の抵抗な
どにより異なるが、通常０．５〜１００時間程度、例え
ば、原料ハロシランの濃度が、０．４モル／Ｑにおいて
は１０〜２５０〜２５時間程。反応時の温度は、通常−
１０°Ｃから使用する溶媒の沸点以下までの温度範囲内
にあり、より好ましくは一５〜３０’Ｃ程度であり、最
も好ましくは０〜２５°Ｃ程度である。通常の電極還元
反応においては必要とされている隔膜は、使用しても良
く、或いは使用しなくても良い。

本願第２発明は、電極反応中の反応容器または反応溶液
に対し、超音波を照射する以外の点では、本願第１発明
と実質的に異なるところはない。電極反応中の超音波の
照射方法は、特に限定されるものではないが、反応器を
超音波浴槽に収容して照射する方法、反応器内に超音波
発振子を装入して照射する方法などが例示される。超音
波の振動数は、１０〜７０　ｋ　Ｈｚ程度とすることが
好ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応溶液の量
、反応容器および電極の形状および大きさ、電極の材質
および表面積などの反応条件に応じて適宜穴めれば良い
が、通常反応液１Ｑ当り０．０１〜２４ｋＷ程度の範囲
内にある。この様な超音波照射により、反応時間が大巾
に短縮されて、例えば、原料ハロシランの濃度が０．４
モル／Ｑである場合には、５〜１２時間程度となる。本
願第２発明においては、超音波照射により良好に攪拌が
行われるが、必要ならば、更に機械的手段による攪拌を
併用しても良い。

本願第３発明においては、ＭｇＸＣｕ、Ｚｎ。

ＳｎまたはＡＱを一方の極とし、これらと同種ま１つ たは異種の導電性材料（Ｎｉ、Ｃｏなど）を他方の極と
して一定の時間間隔で電極の極性を切り替える以外は、
本願第１発明と同様の操作により反応を行なう。この極
性の切り替えにより、電流値が安定して反応が円滑に進
行し、本願第１発明に比して反応時間が短縮され、典型
的には５〜１０時間程度になる。極性切り替えは、通常
０．０１秒〜６０分程度の間隔で行なうが、より好まし
くは１秒〜１０分間程度の間隔で行ない、特に好ましく
は１０秒〜３分間程度の間隔で行なう。極性切り替えを
行なう場合には、２つの電極を同種の金属により構成す
ることが、その金属イオンが両極間を移動するため、電
極の消耗が少なく、且つジシランの収率も高くなるため
、最も好ましい。

画電極の極性の切り換えを行なう本願第３発明において
は、隔膜は使用しないことが好ましい。

本願第４発明においては、電極反応中の反応容器または
反応溶液に対し、超音波を照射する。本０ 願第４発明は、超音波を照射する以外の点では、本願第
３発明と実質的に異なるところはない。また、超音波の
照射は、本願第２発明の場合と同様にして行なえば良い
。本願第４発明においては、極性の切り替えと超音波照
射との併用により、反応時間がさらに大巾に短縮されて
、典型的には、２〜６時間時間色なる。本願第４発明に
おいても、必要ならば、更に機械的手段による攪拌を併
用しても良い。

なお、本発明において、シロキサンの副生を抑制するた
めに、溶媒および支持電解質中の水分を予め除去してお
くことが望ましい。例えば、溶媒としてテトラヒドロフ
ラン或いは１，２−ジメトキシエタンを使用する場合に
は、ナトリウムーベンゾフェノンケチルなどによる乾燥
を予め行なっておくことが好ましい。また、支持電解質
の場合には、減圧加熱による乾燥、或いは水分と反応し
やすく且つ容易に除去し得る物質（例えば、トリメチル
クロロシランなど）の添加による水分除去を行なってお
くことが好ましい。

発明の効果 本発明によれば、下記の様な顕著な効果が達成される。

（ａ）対応するシロキサンの生成を大幅に抑制すること
ができ、ジシランの収率が高められる。

（ｂ）水銀或いはカドミウムを使用しないので、操作性
および安全性に優れ、環境汚染の危険性を回避し得る。

（Ｃ）隔膜の使用を必要としないので、操作が簡便であ
る。

（ｄ）電極反応時に超音波の照射を行なう場合には、反
応時間を半分程度以下に大巾に減少させることができる
。

（ｅ）本発明方法は、ジシランのみならず、他の５ｉ−
８ｉ結合を有する化合物の製造にも適用できる。

実施例 以下に実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明確にする。

実施例１ 三方コックおよびＭｇ電極（１ｃｍＸ　１　ｃｍＸ　５
ｃｍ）２個を装着した内容積３０ｍ１の３つ目フラスコ
（以下反応器と言う）に無水過塩素酸リチウム０．６４
ｇを収容し、５０℃、ｌｍｍＨｇに加熱減圧して、過塩
素酸リチウムを乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を反応
器内に導入し、さらに予めナトリウムーベンゾフエノン
ケチルで乾燥したテトラヒドロフラン１５ｍ１を加えた
。これに予め水素化カルシウムにより乾燥し、蒸留した
ジメチルフェニルクロロシラン１ｍｌ　（６ｍｍｏｌ）
をシリンジで加え、ウォーターバスにより反応器を室温
に保持しつつ、定電圧電源により通電した。この際、コ
ミュテータ−を使用して、２つの電極の極性を１分毎に
変換しつつ、ジメチルフェニルクロロシラン３ を基準として２Ｆ／ｍｏｌの通電量となる様に約９時間
通電した。

反応終了後、反応溶液をシリカゲルに吸着させ、テトラ
ヒドロフランを水流ポンプで十分に吸引除去した後、シ
リカゲルカラムで展開剤上に反応溶液を吸着させたシリ
カゲルを入れ、ヘキサン溶媒で生成物を単離した。

生成物を分析したところ、１，２−ジフェニル−１，１
，２，２−テトラメチルジシランが９２．３％の収率で
得られており、高収率で５ｉＳｉ結合が生成しているこ
とが確認された。

なお、副生じたシロキサンの割合は、２％以下であった
。

実施例２ 反応器を振動数４５ｋＨｚ、出力６０Ｗの超音波洗浄器
に浸漬し、超音波を反応液に照射し続けた以外は実施例
１と同様にして電極反応を行なった。この場合、通電量
が２Ｆ／ｍｏ！となるまでに４ 約４時間を要したのみであった。

生成物を分析したところ、１，２−ジフェニル１．１．
２．２−テトラメチルジシランが９１．７％の収率で得
られており、高収率で５ｉ−８ｉ結合が生成しているこ
とが確認された。

実施例３ 一般式（１）で示される原料としてｎ−オクチルジメチ
ルクロロシランを使用する以外は実施例１と同様にして
電極反応を行なった。その結果、１．２−ジ−ｎ−オク
チル−１，１，２，２−テトラメチルジシランが高収率
で生成していることが確認された。

実施例４ 一般式（１）で示される原料として、再結晶法により精
製したトリフェニルクロロシランを使用する以外は実施
例１と同様にして電極反応を行なった。次いで、ＩＮ塩
酸を１００ｍ１加え、濾過した後、得られた固体生成物
をＩＮ塩酸とエタノールで洗浄した。

分析の結果、８５．３％の収率でヘキサフエニルジシラ
ンが得られており、高収率で５ｉ−８ｉ結合が生成して
いることが確認された。

実施例５ 一般式（１）で示される原料として、蒸留法で精製した
メチルジメトキシクロロシランを使用する以外は実施例
１と同様にして電極反応を行なった。

その結果、１，２−ジメチル−１，１，２，２テトラメ
トキシジシランが高収率で生成していることが確認され
た。

実施例６ 陽極としてＭ　ｇ　（ｌ　ｃｍＸ　ｌ　ｃｍＸ　５ｃｍ
）を使用し、陰極としてＮｉ　　（１ｃｍＸＯ，１ｃｍ
Ｘ５ｃｍ）を使用し、且つ電極の極性を変換しない以外
は実施例１と同様にして、ジメチルフェニルクロロシラ
ンを電極反応に供した。通電量が２Ｆ／＋１１０１とな
るまでの時間は、約２１時間であった。

その結果、９０．７％の収率で１，２−ジフェニル−１
，１，２，２−テトラメチルジシランが得られており、
高収率で５ｉ−８ｉ結合が生成していることが確認され
た。

実施例７ ２つの極として銅（１ｃｍＸＯ，１ｃｍＸ５ｃｍ）を使
用する以外は実施例１と同様にしてジメチルフェニルク
ロロシランを電極反応に供した。

分析の結果、１，２−ジフェニル−１，１，２゜２−テ
トラメチルジシランが得られていることが確認された。

実施例８ 極性変換の時間間隔を１５秒とする以外は実施例１と同
様にしてジメチルフェニルクロロシランの電極反応を行
なった。

分析の結果、１．２−ジフェニル−１，１，２゜２−テ
トラメチルジシランが高収率で得られてい７ ることか確認された。

実施例９ 支持電解質として過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムを使用する以外は実施例１と同様にしてジメチルフ
ェニルクロロシランの電極反応を行なった。

分析の結果、７５．２％の収率で１，２−ジフェニル−
１，１，２，２−テトラメチルジシランが得られており
、高収率で５ｉ−８ｉ結合が生成していることが確認さ
れた。

実施例１０ 支持電解質として過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムを使用し且つ溶媒として予めナトリウムーベンゾフ
ェノンケチルにより乾燥した１゜２−ジメトキシエタン
１５ｍ１を使用する以外は実施例１と同様にしてジメチ
ルフェニルクロロシランの電極反応を行なった。

分析の結果、４９．６％の収率で１，２−シフ８ ユニルー１．１，２．２−テトラメチルジシランが得ら
れており、良好な収率で５ｉ−８ｉ結合が生成している
ことが確認された。

実施例１１ 一般式（１）で示される原料として、ベンジルジメチル
メチルクロロシランを使用する以外は実施例１と同様に
して電極反応を行なった。

その結果、７８．０％の収率で１，２−ジベンジル−１
，１，２，２−テトラメチルジシランが得られており、
高収率で５ｉ−８ｉ結合が生成していることが確認され
た。

実施例１２ 一般式（１）で示される原料として、フェニルメチルク
ロロンランを使用する以外は実施例１と同様にして電極
反応を行なった。

その結果、２１．２％の収率で１，２−ジフェニル−１
，２−ジメチルジシランが得られており、良好な収率で
５ｉ−３ｉ結合が生成していることが確認された。

実施例１３ 一般式（１）で示される原料として、アリルジメチルク
ロロシランを使用する以外は実施例１と同様にして電極
反応を行なった。

分析の結果、１，２−ジアリル−１，１，２゜２−テト
ラメチルジシランが得られていることが確認された。

実施例１４ 画電極としてＡＱ　（１ｃｍＸＯ，１ｃｍＸ５ｃｍ）を
使用する以外は実施例１と同様にして、ジメチルフェニ
ルクロロシランを電極反応に供した。

分析の結果、１，２−ジフェニル−１，１，２゜２−テ
トラメチルジシランが得られていることが確認された。

実施例１５ 一般式（１）で示される原料として、トリメチルクロロ
シラン（３ｍｍｏｌ）とトリフェニルクロロシラン（３
ｍｍｏｌ）とを使用する以外は実施例１と同様にして電
極反応を行なった。

反応終了後、ガスクロマトグラフィーによりヘキサメチ
ルジシランが生成していないことを確認し、ＩＮ塩酸を
１００ｍ１加え、エーテルで抽出した。抽出により得ら
れた白色固体を分析した結果、ヘキサフエニルジシラン
が６１．１％の収率で生成していることが明らかとなっ
た。

また、エーテル層からエーテルを留去して得られた固体
を分析した結果、１，１．１−）リフユニルー２．２，
２４リメチルジシランが３０゜３％の収率で得られてい
ることが判明した。

実施例１６ 反応器を出力６０Ｗ、周波数４５ｋＨｚの超音波洗浄器
に浸漬する以外は実施例６と同様にして電極反応を行な
った。通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなるまでの時間は、約１
０時間であった。

生成物を分析したところ、１，２−ジフェニル１ −１．１，２．２−テトラメチルジシランが、９１．３
％の収率で得られており、５ｉ−８ｉ結合が高収率で生
成していることが確認された。

（以　上） ２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］ジシランの製造方法であって、一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、それぞれ同一或
   いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
   ルコキシ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原
   子を表わす） で示されるハロシランをＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎまたは
   Ａｌを陽極として使用する電極反応に供することにより
   、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、上記に同じ）で
   示されるジシランを形成させることを特徴とする方法。 ［２］ジシランの製造方法であって、一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、それぞれ同一或
   いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
   ルコキシ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原
   子を表わす） で示されるハロシランを超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、
   Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを陽極として使用する電極反応に
   供することにより、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、上記に同じ）で
   示されるジシランを形成させることを特徴とする方法。 ［３］ジシランの製造方法であって、一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、それぞれ同一或
   いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
   ルコキシ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原
   子を表わす） で示されるハロシランをＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎまたは
   Ａｌを一方の極とし、これらと同種または異種の導電性
   材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を切
   り替える電極反応に供することにより、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、上記に同じ）で
   示されるジシランを形成させることを特徴とする方法。 ［４］ジシランの製造方法であって、一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、それぞれ同一或
   いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
   ルコキシ基またはアミノ基を表わし、Ｘは、ハロゲン原
   子を表わす） で示されるハロシランを超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、
   Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の極とし、これらと同種ま
   たは異種の導電性材料を他方の極として一定の時間間隔
   で電極の極性を切り替える電極反応に供することにより
   、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、上記に同じ）で
   示されるジシランを形成させることを特徴とする方法。