JPH0326486B2 - - Google Patents
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- JPH0326486B2 JPH0326486B2 JP58156467A JP15646783A JPH0326486B2 JP H0326486 B2 JPH0326486 B2 JP H0326486B2 JP 58156467 A JP58156467 A JP 58156467A JP 15646783 A JP15646783 A JP 15646783A JP H0326486 B2 JPH0326486 B2 JP H0326486B2
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- metal
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- stabilizing
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、安定化超電導導体に係り、特にブロ
ンズマトリツクスと安定化金属との間に拡散バリ
ヤ層を有するものの改良に関する。
ンズマトリツクスと安定化金属との間に拡散バリ
ヤ層を有するものの改良に関する。
安定化超電導導体は、ブロンズマトリツクス中
にNb3Sn、V3Gaの如きA3B型の化合物超電導体
を分布させ、そのブロンズマトリツクスの外周に
（あるいは中心に）銅などの安定化金属を一体的
に設けたものである。
にNb3Sn、V3Gaの如きA3B型の化合物超電導体
を分布させ、そのブロンズマトリツクスの外周に
（あるいは中心に）銅などの安定化金属を一体的
に設けたものである。
このような安定化超電導導体においては、ブロ
ンズマトリツクス中の元素Ｂ（Snブロンズの場合
はSn、Gaブロンズの場合はGa）が安定化金属の
中に拡散すると、安定化金属の純度が低下し、導
電率が低下して、安定化金属としての機能が損わ
れるおそれがある。このため従来より、ブロンズ
マトリツクスと安定化金属との間に、ブロンズマ
トリツクス中の元素Ｂが安定化金属の中に拡散す
るのを阻止するニオビウム、バナジウム、タンタ
ル等の遮蔽金属から成るバリヤ層を設けることが
提案されている（米国特許第4205119号明細書
等）。このようなバリヤ層を有する安定化超電導
導体は、一般に、ブロンズマトリツクスの周囲
に、その周長より充分長い幅の１枚の遮蔽金属テ
ープを、その両側縁がオーバーラツプするように
巻くか、あるいは何周にも巻いて、その外周に安
定化金属を被覆して母材を作り、それの断面減少
加工と熱処理を加えて得られるものである。
ンズマトリツクス中の元素Ｂ（Snブロンズの場合
はSn、Gaブロンズの場合はGa）が安定化金属の
中に拡散すると、安定化金属の純度が低下し、導
電率が低下して、安定化金属としての機能が損わ
れるおそれがある。このため従来より、ブロンズ
マトリツクスと安定化金属との間に、ブロンズマ
トリツクス中の元素Ｂが安定化金属の中に拡散す
るのを阻止するニオビウム、バナジウム、タンタ
ル等の遮蔽金属から成るバリヤ層を設けることが
提案されている（米国特許第4205119号明細書
等）。このようなバリヤ層を有する安定化超電導
導体は、一般に、ブロンズマトリツクスの周囲
に、その周長より充分長い幅の１枚の遮蔽金属テ
ープを、その両側縁がオーバーラツプするように
巻くか、あるいは何周にも巻いて、その外周に安
定化金属を被覆して母材を作り、それの断面減少
加工と熱処理を加えて得られるものである。
しかしながら、遮蔽金属は加工性の悪い材料で
あるため、上記のように周方向に閉じた完全な筒
の形でブロンズマトリツクスと安定化金属の間に
挾まれて断面減少加工を受けると、無理がかか
り、亀裂などが入つて破損してしまうという問題
がある。遮蔽金属が破損すると、破損箇所を通し
て拡散が進行するから、バリヤ層としての効果は
大きく減殺されることになる。
あるため、上記のように周方向に閉じた完全な筒
の形でブロンズマトリツクスと安定化金属の間に
挾まれて断面減少加工を受けると、無理がかか
り、亀裂などが入つて破損してしまうという問題
がある。遮蔽金属が破損すると、破損箇所を通し
て拡散が進行するから、バリヤ層としての効果は
大きく減殺されることになる。
本発明の目的は、上記のような従来技術の問題
点に鑑み、バリヤ層を構成する遮蔽金属が断面減
少加工によつて破損することのない安定化超電導
導体を提供せんとするものである。
点に鑑み、バリヤ層を構成する遮蔽金属が断面減
少加工によつて破損することのない安定化超電導
導体を提供せんとするものである。
上記目的を達成すべく本発明は、ブロンズマト
リツクスと安定化金属の間のバリヤ層を、その周
長より短かい幅の複数条の遮蔽金属条を、互いに
オーバーラツプさせて全周をカバーするように組
合せ、そのオーバーラツプ部分に加工硬化率が低
く且つ拡散して安定化金属の導電率を低下させる
ことのない金属条を介在させたものから構成した
ことを特徴とする。
リツクスと安定化金属の間のバリヤ層を、その周
長より短かい幅の複数条の遮蔽金属条を、互いに
オーバーラツプさせて全周をカバーするように組
合せ、そのオーバーラツプ部分に加工硬化率が低
く且つ拡散して安定化金属の導電率を低下させる
ことのない金属条を介在させたものから構成した
ことを特徴とする。
第１図は本発明の一実施例に係る安定化超電導
導体を示す。図において、１はブロンズマトリツ
クス、３はその中に分布しているフイラメント状
のA3B型化合物超電導体、５は銅などからなる安
定化金属、７は上記ブロンズマトリツクス１と安
定化金属５の間にあるバリヤ層である。このバリ
ヤ層７は、その周長より短かい幅のニオビウム、
バナジウム、タンタル等から成る遮蔽金属条９を
複数条用い、それらを互いにオーバーラツプさせ
て全周をカバーするように組合せ、そのオーバー
ラツプ部分に加工硬化率の小さい金属条１１を介
在させたものである。その加工硬化率の小さい金
属条１１は安定化金属５と接することになるた
め、拡散して安定化金属の純度を低下させ、導電
率を低下させることのない材料例えば銅で構成す
る。これらの金属条９，１１はブロンズマトリツ
クス１上へのらせん巻あるいは縦沿えにより設け
ることができる。
導体を示す。図において、１はブロンズマトリツ
クス、３はその中に分布しているフイラメント状
のA3B型化合物超電導体、５は銅などからなる安
定化金属、７は上記ブロンズマトリツクス１と安
定化金属５の間にあるバリヤ層である。このバリ
ヤ層７は、その周長より短かい幅のニオビウム、
バナジウム、タンタル等から成る遮蔽金属条９を
複数条用い、それらを互いにオーバーラツプさせ
て全周をカバーするように組合せ、そのオーバー
ラツプ部分に加工硬化率の小さい金属条１１を介
在させたものである。その加工硬化率の小さい金
属条１１は安定化金属５と接することになるた
め、拡散して安定化金属の純度を低下させ、導電
率を低下させることのない材料例えば銅で構成す
る。これらの金属条９，１１はブロンズマトリツ
クス１上へのらせん巻あるいは縦沿えにより設け
ることができる。
バリヤ層７を以上のように構成すると、それぞ
れの遮蔽金属条９は両側縁が開放されているか
ら、断面減少加工時に無理がかかることが少くな
り、破損を防止できる。またそれぞれの遮蔽金属
条９は断面減少加工時に加工硬化率の小さいつま
り軟質の金属条１１に圧接され、それと一体とな
つて加工を受けるから、この点からも無理がかか
ることが少くなり、破損を防止できる。そして遮
蔽金属条９は互いにオーバーラツプさせて全周を
カバーしているから、拡散防止効果も充分であ
る。
れの遮蔽金属条９は両側縁が開放されているか
ら、断面減少加工時に無理がかかることが少くな
り、破損を防止できる。またそれぞれの遮蔽金属
条９は断面減少加工時に加工硬化率の小さいつま
り軟質の金属条１１に圧接され、それと一体とな
つて加工を受けるから、この点からも無理がかか
ることが少くなり、破損を防止できる。そして遮
蔽金属条９は互いにオーバーラツプさせて全周を
カバーしているから、拡散防止効果も充分であ
る。
第２図は本発明の他の実施例を示す。この安定
化超電導導体におけるバリヤ層７は、ブロンズマ
トリツクス１の外周に間隔をあけて複数条の遮蔽
金属条９Ａをらせん巻あるいは縦沿えし、その外
周に加工硬化率の小さい金属条１１を全周に巻
き、その外周に上記間隔を塞ぐように複数条の遮
蔽金属条９Ｂをらせん巻あるいは縦沿えすること
により構成したものである。
化超電導導体におけるバリヤ層７は、ブロンズマ
トリツクス１の外周に間隔をあけて複数条の遮蔽
金属条９Ａをらせん巻あるいは縦沿えし、その外
周に加工硬化率の小さい金属条１１を全周に巻
き、その外周に上記間隔を塞ぐように複数条の遮
蔽金属条９Ｂをらせん巻あるいは縦沿えすること
により構成したものである。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示す。こ
の安定化超電導導体におけるバリヤ層７は、ブロ
ンズマトリツクス１の外周にその周長より少し短
かい幅の１枚の遮蔽金属条９Ａをその両側縁間に
間隙を設けて縦沿えし、その外周に加工硬化率の
小さい金属条１１を全周にわたつて巻き、その外
周にもう１枚の遮蔽金属条９Ｂを今度はその両側
縁間の間隙が上記と反対側にくるように縦沿えす
ることにより構成したものである。
の安定化超電導導体におけるバリヤ層７は、ブロ
ンズマトリツクス１の外周にその周長より少し短
かい幅の１枚の遮蔽金属条９Ａをその両側縁間に
間隙を設けて縦沿えし、その外周に加工硬化率の
小さい金属条１１を全周にわたつて巻き、その外
周にもう１枚の遮蔽金属条９Ｂを今度はその両側
縁間の間隙が上記と反対側にくるように縦沿えす
ることにより構成したものである。
なお、第２図及び第３図のような実施形態の場
合は、必要い応じ、遮蔽金属条の層と加工硬化率
の小さい金属条の層とを交互に繰返して何層にも
形成することができる。
合は、必要い応じ、遮蔽金属条の層と加工硬化率
の小さい金属条の層とを交互に繰返して何層にも
形成することができる。
上記実施例では、１つの安定化金属の中に１つ
のマトリツクスがある場合について説明したが、
１つの安定化金属の中にマトリツクスのセグメン
トが複数ある場合にも、本発明は同様に適用する
ことができる。
のマトリツクスがある場合について説明したが、
１つの安定化金属の中にマトリツクスのセグメン
トが複数ある場合にも、本発明は同様に適用する
ことができる。
また上記実施例では、マトリツクスが内側で、
安定化金属が外側にある場合について説明した
が、安定化金属が内側で、マトリツクスが外側に
ある場合も、本発明は同様に適用することができ
る。
安定化金属が外側にある場合について説明した
が、安定化金属が内側で、マトリツクスが外側に
ある場合も、本発明は同様に適用することができ
る。
以上説明したように本発明によれば、バリヤ層
が、その周長より短かい幅の遮蔽金属条を複数条
オーバーラツプさせて組合せ、そのオーバーラツ
プ部分に加工硬化率の小さい金属条を介在させる
ことにより構成されているから、断面減少加工時
に遮蔽金属条に無理がかかることが少くなり、こ
のため遮蔽金属条の破損を防止できるという実益
がある。
が、その周長より短かい幅の遮蔽金属条を複数条
オーバーラツプさせて組合せ、そのオーバーラツ
プ部分に加工硬化率の小さい金属条を介在させる
ことにより構成されているから、断面減少加工時
に遮蔽金属条に無理がかかることが少くなり、こ
のため遮蔽金属条の破損を防止できるという実益
がある。
第１図ないし第３図はそれぞれ本発明の実施例
に係る安定化超電導導体を示す断面図である。 １……ブロンズマトリツクス、３……A3B型化
合物超電導体、５……安定化金属、７……バリヤ
層、９，９Ａ，９Ｃ……遮蔽金属条、１１……加
工硬化率の低い金属条。
に係る安定化超電導導体を示す断面図である。 １……ブロンズマトリツクス、３……A3B型化
合物超電導体、５……安定化金属、７……バリヤ
層、９，９Ａ，９Ｃ……遮蔽金属条、１１……加
工硬化率の低い金属条。
Claims (1)
- １ A3B型の化合物超電導体を内部に分布させた
ブロンズマトリツクスと安定化金属との間に、上
記ブロンズマトリツクス中の元素Ｂが安定化金属
中に拡散するのを阻止する遮蔽金属から成るバリ
ヤ層を設けた安定化超電導導体において、上記バ
リヤ層は、その周長より短かい幅の複数条の遮蔽
金属条を、互いにオーバーラツプさせて全周をカ
バーするように組合せ、そのオーバーラツプ部分
に加工硬化率が低く且つ拡散して安定化金属の導
電率を低下させることのない金属条を介在させた
ものから構成されていることを特徴とする安定化
超電導導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156467A JPS6049512A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 安定化超電導導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156467A JPS6049512A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 安定化超電導導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049512A JPS6049512A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0326486B2 true JPH0326486B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=15628381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156467A Granted JPS6049512A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 安定化超電導導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049512A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271306A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-25 | 日本原子力研究所 | 安定化超電導線 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58156467A patent/JPS6049512A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6049512A (ja) | 1985-03-18 |
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