JPH03266473A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH03266473A JPH03266473A JP6580690A JP6580690A JPH03266473A JP H03266473 A JPH03266473 A JP H03266473A JP 6580690 A JP6580690 A JP 6580690A JP 6580690 A JP6580690 A JP 6580690A JP H03266473 A JPH03266473 A JP H03266473A
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- JP
- Japan
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- wafer
- recesses
- mask
- depth
- layer
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- Granted
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一枚の半導体ウェーハから複数の圧力センサ
チップを得るためにその一面からドライエツチングによ
り複数の凹部を加工する半導体圧力センサの製造方法に
関する。
チップを得るためにその一面からドライエツチングによ
り複数の凹部を加工する半導体圧力センサの製造方法に
関する。
ダイヤフラム部に形成されたゲージ抵抗のダイヤフラム
の変形による抵抗変化を利用して圧力を検知する半導体
圧力センサを製造するためには、寥導体つェーへに凹形
状加工をする必要がある。
の変形による抵抗変化を利用して圧力を検知する半導体
圧力センサを製造するためには、寥導体つェーへに凹形
状加工をする必要がある。
」形状加工にはウェットエツチングによる方法とドライ
エツチングによる方法があるが通常この両方法を組合わ
せる。すなわち、ドライエツチングで所定の凹部深さよ
り浅い凹部を形成したのち、導電形の異なる二つの層の
界面で停止する電解エツチングにより所定の深さの凹部
を得る。
エツチングによる方法があるが通常この両方法を組合わ
せる。すなわち、ドライエツチングで所定の凹部深さよ
り浅い凹部を形成したのち、導電形の異なる二つの層の
界面で停止する電解エツチングにより所定の深さの凹部
を得る。
第２図ｆａｌ〜（ｄｌはドライエツチングの工程を示し
、図（４）に示すようなＮ“層１．Ｐ層２．Ｎ層３から
なるシリコンウェーハのＮ゛層の表面にＭ膜４を蒸着す
る （図ｂ）０次いでフォトリソグラフィで。
、図（４）に示すようなＮ“層１．Ｐ層２．Ｎ層３から
なるシリコンウェーハのＮ゛層の表面にＭ膜４を蒸着す
る （図ｂ）０次いでフォトリソグラフィで。
シストパターン５を形成し、Ｍ膜４をエツチングしてＭ
マスクを設ける （図ｃＬそしてドライエツチングガス
６により凹部７の加工を行う （図ｄ）。
マスクを設ける （図ｃＬそしてドライエツチングガス
６により凹部７の加工を行う （図ｄ）。
しかし、この際ウェーハの周辺のエンチング速度が速い
ため、凹部７の深さが深くなり、２層２まで達する穴７
１あるいは２層２．Ｎ層３を貫通する穴７２が生ずるこ
とがある。Ｐ層まで達する穴７１が住すると凹部が所定
の深さより深くなり、貫通する穴７２が生ずると後工程
でのウェーハの搬送、吸着などの際ウェーハが割れやす
（なる。
ため、凹部７の深さが深くなり、２層２まで達する穴７
１あるいは２層２．Ｎ層３を貫通する穴７２が生ずるこ
とがある。Ｐ層まで達する穴７１が住すると凹部が所定
の深さより深くなり、貫通する穴７２が生ずると後工程
でのウェーハの搬送、吸着などの際ウェーハが割れやす
（なる。
本発明の目的は、ドライエツチングの際に半導体ウェハ
の外局部に深い凹部の生ずることのない半導体圧力セン
サの製造方法を提供することにある。
の外局部に深い凹部の生ずることのない半導体圧力セン
サの製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は一枚の半導体ウ
ェーハの一面にマスクを被着してゲージ抵抗の設けられ
るダイヤフラム部に対応する複数の位置にドライエツチ
ングにより凹部を形成する原に、ドライエンチングのた
めのマスクの開口部をウェーハ外局部において他の部分
より大きくするものとする。
ェーハの一面にマスクを被着してゲージ抵抗の設けられ
るダイヤフラム部に対応する複数の位置にドライエツチ
ングにより凹部を形成する原に、ドライエンチングのた
めのマスクの開口部をウェーハ外局部において他の部分
より大きくするものとする。
〔作用〕
ドライエツチングの速度はマスクの開口部の大きさに依
存する。第３図はその関係を示す、従ってエツチング速
度が中央部にくらべて速くなるウェーハ外局部で開口部
を大きくすれば中央部で形成される凹部より浅い凹部が
生じ、ウェーハを貫通するおそれはない、ただし、この
大きな四部を形成した部分は半導体圧力センサには使用
しない。
存する。第３図はその関係を示す、従ってエツチング速
度が中央部にくらべて速くなるウェーハ外局部で開口部
を大きくすれば中央部で形成される凹部より浅い凹部が
生じ、ウェーハを貫通するおそれはない、ただし、この
大きな四部を形成した部分は半導体圧力センサには使用
しない。
第１図＋ａ＋〜（ｄｌは本発明の一実施例の工程を示し
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている１
図Ｔａ）、（ｂ）に示すように、第２図と同様Ｎ″１１
．２層２．Ｎ層３を有するシリコンウェーハのＮ層層の
面にＭ蒸着膜４を設けた０図（Ｃ１においては、このＭ
膜４の上にレジスト膜５のパターンを形成するが、その
パターンは中央部では１．６ｆｉφの開口部８を有する
のに対し、周辺部では２．２ｕ角の開口部８１を有する
。そしてＭをエツチングしてＭマスクを残した。このＭ
マスクを用いてドライエツチングガス６によりエツチン
グすると、周辺のマスク開口部８１を通じて形成される
凹部７１は、第３図に示すような遅いエツチング速度に
より中央部の凹部７よりも浅くなる。従ってウェーハを
貫通するような凹部は生じない、これに対し中央部の凹
部７は均一な深さになるので、さらに電解エンチングに
よってＮ０Ｎ−と２層２の界面でエツチングを停止させ
ることにより所定の深さを均一に形成することができた
。このあとウェーハを分割することにより、ウェーハの
周辺部を除く中央部から均一な厚さのダイヤフラム部を
有する圧力センサ用チップを得ることができた。
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている１
図Ｔａ）、（ｂ）に示すように、第２図と同様Ｎ″１１
．２層２．Ｎ層３を有するシリコンウェーハのＮ層層の
面にＭ蒸着膜４を設けた０図（Ｃ１においては、このＭ
膜４の上にレジスト膜５のパターンを形成するが、その
パターンは中央部では１．６ｆｉφの開口部８を有する
のに対し、周辺部では２．２ｕ角の開口部８１を有する
。そしてＭをエツチングしてＭマスクを残した。このＭ
マスクを用いてドライエツチングガス６によりエツチン
グすると、周辺のマスク開口部８１を通じて形成される
凹部７１は、第３図に示すような遅いエツチング速度に
より中央部の凹部７よりも浅くなる。従ってウェーハを
貫通するような凹部は生じない、これに対し中央部の凹
部７は均一な深さになるので、さらに電解エンチングに
よってＮ０Ｎ−と２層２の界面でエツチングを停止させ
ることにより所定の深さを均一に形成することができた
。このあとウェーハを分割することにより、ウェーハの
周辺部を除く中央部から均一な厚さのダイヤフラム部を
有する圧力センサ用チップを得ることができた。
本発明によれば、ダイヤフラム部を有する圧力センサ用
半導体チップを得るためにウェーハにドライエンチング
により凹部を形成する際、エツチング速度が速くなる外
局部ではマスク開口部を大きくしてエツチング速度を遅
らせ、凹部が深くなってウェーハを貫通したり、不均一
な凹部が生ずることを防止することができる。これによ
り、後工程での作業における支障がなくなり、凹部形成
仕上げ用の電解エツチングを行って、精度のよい厚さを
有するダイヤフラム部を有する半導体圧力センサを製造
することが可能になった。また、ウェットエツチングを
用いないでドライエツチングのみで所定の厚さのダイヤ
フラム部を形成することも期待できる。
半導体チップを得るためにウェーハにドライエンチング
により凹部を形成する際、エツチング速度が速くなる外
局部ではマスク開口部を大きくしてエツチング速度を遅
らせ、凹部が深くなってウェーハを貫通したり、不均一
な凹部が生ずることを防止することができる。これによ
り、後工程での作業における支障がなくなり、凹部形成
仕上げ用の電解エツチングを行って、精度のよい厚さを
有するダイヤフラム部を有する半導体圧力センサを製造
することが可能になった。また、ウェットエツチングを
用いないでドライエツチングのみで所定の厚さのダイヤ
フラム部を形成することも期待できる。
第１図は本発明の一実施例におけるドライエツチング工
程を（ａｌ〜＋ｄｌの順に示す断面図、第２図は従来の
ドライエツチング工程をｔａｌ〜ｆｄｌの順に示す断面
図、第３図はエツチング速度とマスク開口部寸法との関
係曲線図である。 にＮ９層、２二Ｐ層、３：Ｎ層、４：Ａ７蒸着膜、５ニ
レジスト膜、６：ドライエツチングガス、７．７１ ：
凹部、８，８１ ：開口部。 第１図 ′Ｐ２記
程を（ａｌ〜＋ｄｌの順に示す断面図、第２図は従来の
ドライエツチング工程をｔａｌ〜ｆｄｌの順に示す断面
図、第３図はエツチング速度とマスク開口部寸法との関
係曲線図である。 にＮ９層、２二Ｐ層、３：Ｎ層、４：Ａ７蒸着膜、５ニ
レジスト膜、６：ドライエツチングガス、７．７１ ：
凹部、８，８１ ：開口部。 第１図 ′Ｐ２記
Claims (1)
- １）一枚の半導体ウェーハの一面にマスクを被着してゲ
ージ抵抗の設けられるダイヤフラム部に対応する複数の
位置にドライエッチングにより凹部を形成する際に、ド
ライエッチングのためのマスクの開口部をウェーハ外局
部において他の部分より大きくすることを特徴とする半
導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6580690A JP2576257B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6580690A JP2576257B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266473A true JPH03266473A (ja) | 1991-11-27 |
| JP2576257B2 JP2576257B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=13297639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6580690A Expired - Lifetime JP2576257B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576257B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549785A (en) * | 1992-09-14 | 1996-08-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing a semiconductor dynamic sensor |
| JP2003093854A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-02 | Toyo Kohan Co Ltd | 開口積層材の製造方法および開口積層材を用いた部品の製造方法 |
| JP2006186234A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム |
| JP2012243927A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 半導体ウェハ及びその加工方法 |
| JP2018013397A (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 株式会社デンソー | ダイアフラム構造体の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6580690A patent/JP2576257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549785A (en) * | 1992-09-14 | 1996-08-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing a semiconductor dynamic sensor |
| JP2003093854A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-02 | Toyo Kohan Co Ltd | 開口積層材の製造方法および開口積層材を用いた部品の製造方法 |
| JP2006186234A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム |
| JP2012243927A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 半導体ウェハ及びその加工方法 |
| JP2018013397A (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 株式会社デンソー | ダイアフラム構造体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2576257B2 (ja) | 1997-01-29 |
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