JPH03263835A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。

従来の技術 従来、半導体基板上に、曲線状の形状部分を持つ導電体
を形成する場合、第２図ｔａ＋〜（ｅｌの工程順断面図
に示されるような工程が採用される。第２図（ａｌに示
すように、先ず、導電体８下部の形状を得るための誘電
体パターン７を形成し、第２図（ｂｌのように、前記誘
電体パターン７上から、全面に導電体膜６を堆積し、次
に、第２図ｔｃ＋のように前記導電体８上部の形状を得
るための誘電体パターン９を形成し、第２図（ｄｉのよ
うに選択的に、前記導電体膜を除去することにより第２
図ｔｅｌのような曲線状の形状部分をもつ導電体８を有
する半導体装置の形成を行っていた。

発明が解決しようとする課題 しかし、この製造方法では、導電体上部の形状を得るた
めに、誘電体膜をマスクとし、導電体膜のエツチング工
程を行わなければならず、誘電体膜や導電体膜の種類や
紹合せ方、あるいは、各膜厚や上部誘電体ののパターン
寸法などに多くの制約が存在した。

課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために、本発明の製造方法では、
先ず、半導体基板上に誘電体膜を堆積し、この誘電体膜
上に、部分的に開孔部を有する第１層目フォトレジスト
パターンを形成する。次にこのフォトレジストパターン
開孔部下に露出した部分の前記誘電体膜をエツチングに
より除去し、フォトレジストパターンを、下の誘電体膜
にパターン転写する。次に前記第１層目のフォトレジス
ト開孔部の断面形状を曲線状に加工する。次に前記フォ
トレジストパターン上に、前記第１層目フォトレジスト
開孔部より大きな開孔部を持ち、しかもその開孔部上部
の断面形状がオーバハング状になり、さらに、この開孔
部か第１層目フォルシスト開孔部を完全に含むように、
第２層目のフォトレジストパターンを形成する。次にこ
の開孔部を持つ誘電体膜と、２層のフォトレジストの形
成された半導体基板の上から、全面に導電体膜を堆積す
る。次にこの導電体膜のうち、第２層目のフォトレジス
ト上に堆積された部分を、２層のフォトレジストと共に
、前記誘電体膜上から除去する。

作用 上記の製造方法を用いた場合、最終的に所望の導電体膜
形状を半導体基板上に形成するために、エツチングによ
る導電体膜の選択的除去の必要がなくなり、この導電体
のエツチング工程で発生する。導電体膜の種類や膜厚、
さらにエツチングのマスクパターンとして用いる誘電体
膜の種類や膜厚への制約がなくなり、自由に導電体膜の
種類が選択でき、第２層のフォトレジストの膜厚を変え
ることにより、導電体膜の膜厚も自由に変えられる。

実施例 第１図（ａ）〜（ｈｌは、本発明の一実施例を説明する
ための工程順断面図で、半導体基板上に、部分的に基板
とつながった導電体膜を形成するものである。先ず、第
１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に、誘電体薄
膜２を堆積する。次に、第１図（ｂｌに示すように、誘
電体膜上に部分的に開孔部を持つように、フォトレジス
ト３をパターン寸法グする。次に、第１図（Ｃ）に示す
ように、フォトレジスト３をマスクとし、開孔部の下に
露出した誘電体膜２をエツチングにより除去する。次に
、第１図ｆｄ）に示すように、マスクとして使用したフ
ォトレジスト３の開孔部断面形状を曲線状に加工する。

次に第１図＋ｅ）に示すように前記第１層目のフォトレ
ジスト３上に、第１層目の開孔部より大きな開孔部を持
ち、しかもこの開孔部が、第１層目フォトレジスト３の
開孔部を完全に含むように、第２層目のフォトレジスト
パターン４を形成する。この際、第１図ｆｅ）に示すよ
うに、この第２層目のフォトレジスト４は、開孔部断面
形状がオーバハング状になるように形成する。次に、第
１図（ｆｌに示すように、フォトレジスト３．４および
誘電体膜２の開孔部下に露出した半導体基板１を、若干
、エツチングし、第１図（ｇ）に示すように、誘電体２
及び２層のフォトレジストの形成された半導体基板ｌの
上から全面に、導電体膜５を堆積する。次に、この導電
体膜５のうち、第２層目のフォトレジスト４上に堆積さ
れた部分を、２層のフォトレジス！・を誘電体膜２上か
ら除去することにより、同時に除去し、第１図（ｈｌに
示すように、半導体基板１と連結している部分のみ残っ
た導電体膜５を、半導体基板１上に形成する。

なお、本実施例では、先ず半導体基板上に、誘電体膜を
形成したが、これを省略し、直接第１層目のフォトレジ
ストパターンを形成してもよい。

また、本実施例では、第１層目のフォトレジスト開孔部
断面形状の加工を行ったが、この加工形状は、実施例の
形状に限ったものでなく、最終的に半導体基板上に形成
する導電体膜に要求される形状に合せて、適宜行えばよ
い。本実施例では、導電体膜の堆積を行う前に、開孔部
下に露出した半導体基板のエツチングを行ったが、半導
体基板の表面処理は、これに限ったものではない。

発明の効果 以上のように、本発明は、先ず半導体基板上に、部分的
に開孔部を有する２層のフォトレジストパターンを形威
し、その後基板上全面に堆積した導電体膜のうち、第２
層目のフォトレジスト上に堆積した部分を、２層のフォ
トレジストを基板上から除去することにより、同時に基
板上から除去し、部分的に半導体基板と連結した、所望
の形状の導電体膜を、導電体膜のエツチング工程を行う
ことなく形成することが可能となり、その実用的効果は
大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例半導体装置の製造方法を説明
するための工程順断面図、第２図は従来の製造方法を説
明するための工程順断面図である。 スト、８・・・・・・導電体膜、９・・・・・・フォト
レジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に、誘電体膜を堆積する工程と前記誘電体
   膜上に、部分的に開孔部を有する第１層目フォトレジス
   トパターンを形成する工程と、前記第１層目フォトレジ
   ストパターンをマスクとし、前記誘電体膜を形状加工す
   る工程と、前記第１層目のフォトレジスト開孔部断面形
   状を、曲線状に形状加工する工程と、前記形状加工を施
   した第１層目のフォトレジスト上に、部分的に開孔部を
   有する第２層目のフォトレジストパターンを形成する工
   程と、前記２層のフォトレジストパターンの形成された
   、前記半導体基板上から、全面に導電体膜を堆積する工
   程と、前記全面に堆積された導電体膜のうち、前記第２
   層目のフォトレジスト上に堆積された部分を、前記第１
   層目および同第２層目の２層のフォトレジストと共に、
   前記半導体基板上から除去する工程とからなる半導体装
   置の製造方法。