JPH03268235A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH03268235A JPH03268235A JP2067885A JP6788590A JPH03268235A JP H03268235 A JPH03268235 A JP H03268235A JP 2067885 A JP2067885 A JP 2067885A JP 6788590 A JP6788590 A JP 6788590A JP H03268235 A JPH03268235 A JP H03268235A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G—PHYSICS
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- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
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-
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- G01D5/2033—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying inductance, e.g. by a movable armature by influencing the self-induction of one or more coils controlling the saturation of a magnetic circuit by means of a movable element, e.g. a magnet
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- H01F7/066—Electromagnets with movable winding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に係り、特に電磁力を利
用した半導体アクチュエータ、あるいは電磁誘導を利用
した半導体センサに関する。
用した半導体アクチュエータ、あるいは電磁誘導を利用
した半導体センサに関する。
最近、ディジタルオーディオディスクであるコンパクト
ディスク（ＣＤ）、映像・音響情報媒体であるレーザビ
ジョンディスク（ＬｖＤ）、追記型光ディスク、書換え
可能な光磁気ディスク等の発展に伴い、光ピツクアップ
には小形化、軽量化の要請が高まっている。かかる要請
に応えるべく、従来のバルク型の光ピツクアップに代り
、ＬＳＩの製造分野で確立された集積回路技術を応用し
た光集積回路型ピックアップが提案されている（例えば
「光集積ディスクピックアップヘッド」オプトロニクス
、１９８９Ｎｏ、２ Ｐ１４９〜１５４、あるいは特
開昭 ６１−２９６５４０号公報等参照）。
ディスク（ＣＤ）、映像・音響情報媒体であるレーザビ
ジョンディスク（ＬｖＤ）、追記型光ディスク、書換え
可能な光磁気ディスク等の発展に伴い、光ピツクアップ
には小形化、軽量化の要請が高まっている。かかる要請
に応えるべく、従来のバルク型の光ピツクアップに代り
、ＬＳＩの製造分野で確立された集積回路技術を応用し
た光集積回路型ピックアップが提案されている（例えば
「光集積ディスクピックアップヘッド」オプトロニクス
、１９８９Ｎｏ、２ Ｐ１４９〜１５４、あるいは特
開昭 ６１−２９６５４０号公報等参照）。
しかし、上記の光集積回路型ピックアップをＣＤプレー
ヤ、ＬＤプレーヤ等の実際の再生装置において使用する
場合には、制御用のアクチュエータを取付ける必要があ
る。この場合、従来の形式を踏襲すると、−例としては
、第２１．２２図に示すような構成となる。
ヤ、ＬＤプレーヤ等の実際の再生装置において使用する
場合には、制御用のアクチュエータを取付ける必要があ
る。この場合、従来の形式を踏襲すると、−例としては
、第２１．２２図に示すような構成となる。
第２１．２２図において、光集積回路型ピックアップが
形成された半導体チップ１０１は、円筒状のボビン１１
２上に取り付けられている。ボビン１１２の円筒表面に
は、電磁コイル１１０が設けられている。ボビン１１２
は挿入孔１１８において、マグネット１１４の下ヨーク
１１６の円筒部１１７に跨座するように載置され、かつ
ＶＩ−ＶＩ力方向移動可能である。
形成された半導体チップ１０１は、円筒状のボビン１１
２上に取り付けられている。ボビン１１２の円筒表面に
は、電磁コイル１１０が設けられている。ボビン１１２
は挿入孔１１８において、マグネット１１４の下ヨーク
１１６の円筒部１１７に跨座するように載置され、かつ
ＶＩ−ＶＩ力方向移動可能である。
この場合、マグネット１１４により磁場が存在しており
、リード線１１１により電磁コイル１１０に通電すると
、電磁コイル１１０には電磁力が作用し、ＶＩ−ＶＩ力
方向移動する。この動作により、例えば半導体チップ１
０１のフォーカシングサーボを行うことができる。ここ
において、電磁コイル１１０とマグネット１１４は、フ
ォーカシングアクチュエータを形成している。
、リード線１１１により電磁コイル１１０に通電すると
、電磁コイル１１０には電磁力が作用し、ＶＩ−ＶＩ力
方向移動する。この動作により、例えば半導体チップ１
０１のフォーカシングサーボを行うことができる。ここ
において、電磁コイル１１０とマグネット１１４は、フ
ォーカシングアクチュエータを形成している。
しかし、これらの電磁コイルやマグネットは半導体チッ
プのサイズに比べて相当に大きいため、半導体チップの
小型であるというメリットを生かせないという問題があ
った。さらに、部品点数が多いことから組立て工程およ
びコストの点からも改良の余地を残していた。
プのサイズに比べて相当に大きいため、半導体チップの
小型であるというメリットを生かせないという問題があ
った。さらに、部品点数が多いことから組立て工程およ
びコストの点からも改良の余地を残していた。
本発明の目的は、小型軽量のアクチュエータあるいは小
型センサとして利用可能な半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
型センサとして利用可能な半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、第
１図に示すように構成されている。
１図に示すように構成されている。
第１図において、この半導体集積回路装置１は、半導体
集積回路基板２上に電磁コイル３が設けられている。電
磁コイル３からは一対の導線４が引き出されている。ま
た、半導体集積回路基板２は、磁場Ｍ内において移動可
能に配置されている。
集積回路基板２上に電磁コイル３が設けられている。電
磁コイル３からは一対の導線４が引き出されている。ま
た、半導体集積回路基板２は、磁場Ｍ内において移動可
能に配置されている。
本発明によれば、第１図において、導線４を介して電磁
コイル３に通電すると、「アンペールの右ねじの法則」
により電流の流れる方向に向って右まわりの磁場が発生
する。この場合、電磁コイル３には磁場Ｍが貫通してい
るから、電磁コイル３には磁場Ｍの方向５への引力又は
斥力が作用し、それに伴い半導体集積回路基板２も磁場
Ｍの方向５の前後に移動する。このことにより、この半
導体集積回路装置１をアクチュエータとして動作させる
ことができる。
コイル３に通電すると、「アンペールの右ねじの法則」
により電流の流れる方向に向って右まわりの磁場が発生
する。この場合、電磁コイル３には磁場Ｍが貫通してい
るから、電磁コイル３には磁場Ｍの方向５への引力又は
斥力が作用し、それに伴い半導体集積回路基板２も磁場
Ｍの方向５の前後に移動する。このことにより、この半
導体集積回路装置１をアクチュエータとして動作させる
ことができる。
次に、上記の半導体集積回路装置１において、半導体集
積回路基板２を測定対象に連動可能に配置して移動させ
ると、電磁コイル３には、「レンツの法則」により、こ
の電磁コイルを貫通する磁場の変化を妨げるような誘導
起電力が生じ、それに伴い誘導電流が流れる。この誘導
電流を導線４を介して取り出し、図示しない検流計等に
よって測定すれば、逆に測定対象の変化量を知ることが
できる。このことにより、この半導体集積回路装置１を
センサとして動作させることができる。
積回路基板２を測定対象に連動可能に配置して移動させ
ると、電磁コイル３には、「レンツの法則」により、こ
の電磁コイルを貫通する磁場の変化を妨げるような誘導
起電力が生じ、それに伴い誘導電流が流れる。この誘導
電流を導線４を介して取り出し、図示しない検流計等に
よって測定すれば、逆に測定対象の変化量を知ることが
できる。このことにより、この半導体集積回路装置１を
センサとして動作させることができる。
次に、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する
。
。
第１実施例
第２．３図に、請求項１．２．３．４又は５記載の発明
にかかる半導体集積回路装置の第１実施例である光ヘッ
ドを示す。
にかかる半導体集積回路装置の第１実施例である光ヘッ
ドを示す。
この光ヘッド１１は、半導体集積回路基板１２と、磁場
を発生させるためのマグネット１５と、導線を兼ねた支
持手段であるフレキシブル印刷配線板１６とを備えてい
る。
を発生させるためのマグネット１５と、導線を兼ねた支
持手段であるフレキシブル印刷配線板１６とを備えてい
る。
半導体集積回路基板１２の表面１２Ａには、光集積回路
型ピックアップ１８が形成され、裏面１２Ｂには、電磁
コイル１３が形成されている。
型ピックアップ１８が形成され、裏面１２Ｂには、電磁
コイル１３が形成されている。
第４．５図に、この半導体集積回路基板１２の光ディス
クＤに対向する表面１２Ａとその裏面でかつマグネット
１５に対向する表面１２Ｂを示す。
クＤに対向する表面１２Ａとその裏面でかつマグネット
１５に対向する表面１２Ｂを示す。
光集積回路型ピックアップ１８は、レーザダイオード１
８Ｌと、集光グレーティングカプラ１８Ｃと、グレーテ
ィングビームスプリッタ１８Ｓと、フォトディテクタ１
８Ｄとを備えている。
８Ｌと、集光グレーティングカプラ１８Ｃと、グレーテ
ィングビームスプリッタ１８Ｓと、フォトディテクタ１
８Ｄとを備えている。
レーザダイオード１８Ｌは、レーザ光を発生する。レー
ザ光は、半導体集積回路基板１２の図示しない光導波路
層を通って集光グレーティングカプラ１８Ｃに導かれる
。集光グレーティングカプラ１８Ｃは、対物レンズ作用
によりレーザ光をスポット状にして光ディスクＤの記録
面の情報ピットに集光する。レーザ光は、情報ピットの
表面で反射され、再び集光グレーティングカプラ１８Ｃ
に戻り、グレーティングビームスプリッタ１８８に導か
れる。グレーティングビームスプリッタ１８Ｓは、反射
光を２つの光路に分離する。２つの分離光は、４つのフ
ォトディテクタ１８Ｄに入射する。フォトディテクタ１
８Ｄは、入射光量に応じた電気信号を出力する。この電
気信号の中から、情報信号及びサーボ用の信号が得られ
る。
ザ光は、半導体集積回路基板１２の図示しない光導波路
層を通って集光グレーティングカプラ１８Ｃに導かれる
。集光グレーティングカプラ１８Ｃは、対物レンズ作用
によりレーザ光をスポット状にして光ディスクＤの記録
面の情報ピットに集光する。レーザ光は、情報ピットの
表面で反射され、再び集光グレーティングカプラ１８Ｃ
に戻り、グレーティングビームスプリッタ１８８に導か
れる。グレーティングビームスプリッタ１８Ｓは、反射
光を２つの光路に分離する。２つの分離光は、４つのフ
ォトディテクタ１８Ｄに入射する。フォトディテクタ１
８Ｄは、入射光量に応じた電気信号を出力する。この電
気信号の中から、情報信号及びサーボ用の信号が得られ
る。
また面１２Ｂ上には、電磁コイル１３が設けられている
。マグネット１５の発生する磁場は、この半導体集積回
路基板１２上の電磁コイル１３を貫通している。
。マグネット１５の発生する磁場は、この半導体集積回
路基板１２上の電磁コイル１３を貫通している。
フレキシブル印刷配線板１６は、第６図に示すようにプ
ラスチック材料のような弾性および絶縁性を有するフィ
ルム状の母材１６Ｍに、適当な剛性及び弾性を与えるた
めの金属フィルムのような弾性部材１６Ｓと配線用の導
線であるリード線１６Ｌを組み込んで構成したものであ
る。
ラスチック材料のような弾性および絶縁性を有するフィ
ルム状の母材１６Ｍに、適当な剛性及び弾性を与えるた
めの金属フィルムのような弾性部材１６Ｓと配線用の導
線であるリード線１６Ｌを組み込んで構成したものであ
る。
リード線１６Ｌと、光集積回路型ピックアップ１８や電
磁コイル１３との電気的接続はランド端子１６Ｔを介し
て行われる。
磁コイル１３との電気的接続はランド端子１６Ｔを介し
て行われる。
このフレキシブル印刷配線板１６は、第２．３図に示す
ように、帯状のフレキシブル印刷配線板の両端部をわん
曲させ、マグネット１５表面を筒状又は板バネ状に覆う
ように構成する。そして、マグネット１５直上の表面に
半導体集積回路基板１２が取りつけられる。したがって
、半導体集積回路基板１２は、フレキシブル印刷配線板
１６によって弾性的に支持され、光ディスクＤへの方向
（Ｉ−Ｉ方向）に移動可能である。この場合、光集積回
路型ピックアップ１８の集光グレーティングカプラ１８
Ｃ直上のフレキシブル印刷配線板１６の部分は第６図の
１６Ｗに示すように窓状に切除され、レーザ光を妨げな
いように構成されている。
ように、帯状のフレキシブル印刷配線板の両端部をわん
曲させ、マグネット１５表面を筒状又は板バネ状に覆う
ように構成する。そして、マグネット１５直上の表面に
半導体集積回路基板１２が取りつけられる。したがって
、半導体集積回路基板１２は、フレキシブル印刷配線板
１６によって弾性的に支持され、光ディスクＤへの方向
（Ｉ−Ｉ方向）に移動可能である。この場合、光集積回
路型ピックアップ１８の集光グレーティングカプラ１８
Ｃ直上のフレキシブル印刷配線板１６の部分は第６図の
１６Ｗに示すように窓状に切除され、レーザ光を妨げな
いように構成されている。
次に、この光へラド１１の動作を説明する。
図示しない電源によりリード線１６Ｌを通じて、電磁コ
イル１３に制御電流を流すと、電磁コイル１３に電流方
向に向かって右まわりの新たな磁場が発生する。したが
って、電磁コイル１３にはＩ−Ｉ方向の力が作用する。
イル１３に制御電流を流すと、電磁コイル１３に電流方
向に向かって右まわりの新たな磁場が発生する。したが
って、電磁コイル１３にはＩ−Ｉ方向の力が作用する。
これに伴い、この半導体集積回路基板１２にもＩ−Ｉ方
向の力が作用するので光へラド１１を光ディスクＤの方
向の前後に移動することができる。このようにして、光
へラド１１のフォーカシングサーボを行うことができる
。
向の力が作用するので光へラド１１を光ディスクＤの方
向の前後に移動することができる。このようにして、光
へラド１１のフォーカシングサーボを行うことができる
。
次に、半導体集積回路基板上に設けられる電磁コイルの
形成方法および構成について説明する。
形成方法および構成について説明する。
電磁コイル１３は、集積回路技術の一つである多層配線
形成技術を用い、シリコン基板の表面状に渦巻き状のコ
イルパターンをエツチングし、アルミニウム等を蒸着さ
せて形成する。
形成技術を用い、シリコン基板の表面状に渦巻き状のコ
イルパターンをエツチングし、アルミニウム等を蒸着さ
せて形成する。
電磁コイルのパターンとしては、第５図に示す方形の渦
巻きのみには限定されず、円、楕円その他の曲線でも構
わない。このコイルパターンは、平面的な渦巻状だけで
なく、多層配線技術の応用０ により通常の電磁コイルと同様に層方向に立体的な螺旋
状に構成することもできる。また、１つの半導体集積回
路基板上のコイルパターンの数についても、第５図のよ
うに１個には限定されず２個以上であってもかまわない
。例えば、第７図に示すように、光集積回路型ピックア
ップ１８を両側からはさむように２個の電磁コイル１３
Ａ１１３Ｂを設けてもよい。この場合には、個々の電磁
コイルに通電する制御電流を調節することにより、光デ
ィスクＤに対するレーザビームの方向角を変更すること
が可能で、これを利用して光ヘッドのトラッキングサー
ボを行うことも可能となる。
巻きのみには限定されず、円、楕円その他の曲線でも構
わない。このコイルパターンは、平面的な渦巻状だけで
なく、多層配線技術の応用０ により通常の電磁コイルと同様に層方向に立体的な螺旋
状に構成することもできる。また、１つの半導体集積回
路基板上のコイルパターンの数についても、第５図のよ
うに１個には限定されず２個以上であってもかまわない
。例えば、第７図に示すように、光集積回路型ピックア
ップ１８を両側からはさむように２個の電磁コイル１３
Ａ１１３Ｂを設けてもよい。この場合には、個々の電磁
コイルに通電する制御電流を調節することにより、光デ
ィスクＤに対するレーザビームの方向角を変更すること
が可能で、これを利用して光ヘッドのトラッキングサー
ボを行うことも可能となる。
また、電磁コイルは半導体集積回路基板１２のいずれの
面に設けてもよい。
面に設けてもよい。
第２実施例
第８．９図に、請求項１．２．３又は５記載の発明にか
かる半導体回路装置の第２実施例である光ヘッドを示す
。
かる半導体回路装置の第２実施例である光ヘッドを示す
。
この光ヘッド２１は、第２〜７図に示す第１実施例の光
へラド１１のフレキシブル印刷配線板１６の代わりに、
支持手段として４本の支持体２６を半導体集積回路基板
１２に取付けた点において第１実施例と異なる。支持体
２６はコイル状、棒状、板状等のほか他の形態であって
もかまわない。本数も４本には限定されない。
へラド１１のフレキシブル印刷配線板１６の代わりに、
支持手段として４本の支持体２６を半導体集積回路基板
１２に取付けた点において第１実施例と異なる。支持体
２６はコイル状、棒状、板状等のほか他の形態であって
もかまわない。本数も４本には限定されない。
この第２実施例においても、図示しない電源ににより図
示しない導線を介して電磁コイル１３に制御電流を流す
ことによりフォーカシングサーボを行うことができる。
示しない導線を介して電磁コイル１３に制御電流を流す
ことによりフォーカシングサーボを行うことができる。
また、第７図に示す第１実施例と同様に電磁コイルを２
個設けてトラッキングサーボを行うことも可能である。
個設けてトラッキングサーボを行うことも可能である。
また、コイルパターンの数等についても限定されないこ
とは第１実施例と同様である。
とは第１実施例と同様である。
上記第１、第２実施例においては、光集積回路型ピック
アップを設けた半導体集積回路基板上に電磁コイルを設
けて光ヘッドとしての機能を持たせた。しかし、本発明
は光集積回路型ピックアップのみにとどまらず、他の集
積回路を搭載し、かつ半導体集積回路基板自体が移動可
能な半導体集積回路装置として利用することも可能であ
る。
アップを設けた半導体集積回路基板上に電磁コイルを設
けて光ヘッドとしての機能を持たせた。しかし、本発明
は光集積回路型ピックアップのみにとどまらず、他の集
積回路を搭載し、かつ半導体集積回路基板自体が移動可
能な半導体集積回路装置として利用することも可能であ
る。
１
２
あるいは、集積回路を有しない純粋に駆動のみを目的と
する小型アクチュエータとして用いることもできる。
する小型アクチュエータとして用いることもできる。
第３実施例
第１０図に、請求項１．２．３又は６記載の発明にかか
る半導体集積回路装置の第３実施例である変位センサを
示す。
る半導体集積回路装置の第３実施例である変位センサを
示す。
この変位センサ３１は、第２〜７図に示す第１実施例で
ある光へラド１１から光集積回路型ピックアップを除去
し、その代わりに測定対象と連動させるためのロッド３
７を半導体集積回路基板に接触するように設けて構成す
る。
ある光へラド１１から光集積回路型ピックアップを除去
し、その代わりに測定対象と連動させるためのロッド３
７を半導体集積回路基板に接触するように設けて構成す
る。
このような構成により、ロッド３７の端点３７Ａに■−
■方向の変位が与えられると、その変位量はロッド３７
を介して半導体集積回路基板１２に伝達される。すなわ
ち、半導体集積回路基板１２はロッド３７の端点３７Ａ
のＩＩ−Ｉ［方向の変位量と等しい変位量を示す。この
場合、半導体集積回路基板１２の変位速度に応じた誘導
電流が電磁コイル１３に流れる。従って、これらの誘導
電流を図示しない導線を介して検流計等で計測すること
により、端点３７Ａの速度、位置、加速度等が算出でき
る。
■方向の変位が与えられると、その変位量はロッド３７
を介して半導体集積回路基板１２に伝達される。すなわ
ち、半導体集積回路基板１２はロッド３７の端点３７Ａ
のＩＩ−Ｉ［方向の変位量と等しい変位量を示す。この
場合、半導体集積回路基板１２の変位速度に応じた誘導
電流が電磁コイル１３に流れる。従って、これらの誘導
電流を図示しない導線を介して検流計等で計測すること
により、端点３７Ａの速度、位置、加速度等が算出でき
る。
なお、測定対象と連動させるための機構は、ロッドには
限定されず、他の機構であってもかまわない。
限定されず、他の機構であってもかまわない。
第４実施例
さらに、第１１図に示すように、第８．９図の第２実施
例から光集積回路型ピックアップを除去しその代わりに
連動手段たるロッド３７を半導体集積回路基板に接触す
るように設けて構成した変位センサも請求項１．２又は
６記載の発明の第４実施例として有効である。
例から光集積回路型ピックアップを除去しその代わりに
連動手段たるロッド３７を半導体集積回路基板に接触す
るように設けて構成した変位センサも請求項１．２又は
６記載の発明の第４実施例として有効である。
第５実施例
第１２図に、請求項１．２又は６記載の発明にかかる半
導体集積回路装置の第５実施例である圧力センサの断面
図を示す。
導体集積回路装置の第５実施例である圧力センサの断面
図を示す。
この圧力センサ５０は、圧力を測定する流体を収容する
缶体５王と、半導体集積回路基板５２を備えている。半
導体集積回路基板５２は缶体５１３ ４ 上において、支持手段でありかつ測定対象と連動させる
ためのダイヤフラム５７上に取付けられ、しかも半導体
集積回路基板５２は電磁コイル５３を有している。また
、半導体集積回路基板５２の直上には磁場を発生させる
ためのマグネット５５が設けられている。流体りは、注
入管５８を通じて缶体５１内に導かれる。
缶体５王と、半導体集積回路基板５２を備えている。半
導体集積回路基板５２は缶体５１３ ４ 上において、支持手段でありかつ測定対象と連動させる
ためのダイヤフラム５７上に取付けられ、しかも半導体
集積回路基板５２は電磁コイル５３を有している。また
、半導体集積回路基板５２の直上には磁場を発生させる
ためのマグネット５５が設けられている。流体りは、注
入管５８を通じて缶体５１内に導かれる。
以上の構成をとることにより、缶体５１内に注入された
流体りの圧力Ｐが変動するとダイヤフラム５７が■−■
方向に変動し、それに伴い半導体集積回路基板５２がｍ
−ｍ方向に移動する。従って、電磁コイル５３に誘導電
流が流れる。この誘導電流を図示しない導線を介して検
流計等を用いて計測することにより流体りの圧力Ｐを算
出することができる。
流体りの圧力Ｐが変動するとダイヤフラム５７が■−■
方向に変動し、それに伴い半導体集積回路基板５２がｍ
−ｍ方向に移動する。従って、電磁コイル５３に誘導電
流が流れる。この誘導電流を図示しない導線を介して検
流計等を用いて計測することにより流体りの圧力Ｐを算
出することができる。
第６実施例
第１３図に、請求項１．２又は６記載の発明にかかる半
導体集積回路装置の第６実施例である変位センサを示す
。
導体集積回路装置の第６実施例である変位センサを示す
。
この変位センサ６１は、半導体集積回路基板６２と磁場
を発生させるためのマグネット６５と、測定対象と連動
させるためのロッド６７及び支承６８とを備えている。
を発生させるためのマグネット６５と、測定対象と連動
させるためのロッド６７及び支承６８とを備えている。
マグネット６５は、半導体集積回路基板６２の直上に設
けられている。また、半導体集積回路基板６２には片持
ち梁状のカンチレバ一部材６６が形成されており、カン
チレバ一部材６６上に電磁コイル６３が設けられている
。ここにカンチレバ一部材６６は支持手段を構成してい
る。
けられている。また、半導体集積回路基板６２には片持
ち梁状のカンチレバ一部材６６が形成されており、カン
チレバ一部材６６上に電磁コイル６３が設けられている
。ここにカンチレバ一部材６６は支持手段を構成してい
る。
ロッド６７はカンチレバ一部材６６に接触しており、支
承６８により端点６７ＡのＴＶ−ＩＶ力方向変位をカン
チレバ一部材６６に伝達する。
承６８により端点６７ＡのＴＶ−ＩＶ力方向変位をカン
チレバ一部材６６に伝達する。
このような構成をとることにより、この変位センサ６１
は第１０．１１図に示す変位センサと同様、ロッド６７
の端点６７Ａに変位を与えると、その変位量を電気出力
に変換して出力するセンサ機能を有する。
は第１０．１１図に示す変位センサと同様、ロッド６７
の端点６７Ａに変位を与えると、その変位量を電気出力
に変換して出力するセンサ機能を有する。
本実施例は、支持手段がカンチレバ一部材として半導体
集積回路基板内に一体として組み込まれており、第１０
．１１図に示す第３．４実施例た５ ６ る変位センサに比べさらに小形化が図れるという利点を
有する。なお、測定対象と連動させるための機構は、ロ
ッドには限定されず、他の機構であってもかまわない。
集積回路基板内に一体として組み込まれており、第１０
．１１図に示す第３．４実施例た５ ６ る変位センサに比べさらに小形化が図れるという利点を
有する。なお、測定対象と連動させるための機構は、ロ
ッドには限定されず、他の機構であってもかまわない。
次に、第１４図に、この半導体集積回路基板６２のカン
チレバ一部材６６の形成方法を示す。
チレバ一部材６６の形成方法を示す。
まず、シリコン基板６２Ｓ上にシリコン酸化膜６２Ｄを
形成する。
形成する。
次いで、多層配線形成技術により電磁コイル６３を形成
する。
する。
次いで、シリコン酸化膜６２Ｄをエツチングする（第１
４図（Ａ））。
４図（Ａ））。
次いで、露出したシリコン面を結晶の方向によりエツチ
ング速度が異なる異方性エツチングによりエツチングす
る。最初はＶ形の溝状にエツチングが進行する（第１４
図（Ｂ））。
ング速度が異なる異方性エツチングによりエツチングす
る。最初はＶ形の溝状にエツチングが進行する（第１４
図（Ｂ））。
次いで、さらにエツチングを進行させてシリコン酸化膜
部分の一部をカンチレバー状に残して下部をエツチング
することにより電磁コイル６３を表面に有するカンチレ
バ一部材６６を形成することができる（第１４図（Ｃ）
）。
部分の一部をカンチレバー状に残して下部をエツチング
することにより電磁コイル６３を表面に有するカンチレ
バ一部材６６を形成することができる（第１４図（Ｃ）
）。
第７実施例
第１５図に、請求項１．２又は６記載の発明にかかる半
導体集積回路装置の第７実施例である圧力センサを示す
。
導体集積回路装置の第７実施例である圧力センサを示す
。
この圧力センサ７０は、半導体缶体７１と、半導体缶体
７１の直上に設けられる磁場を発生させるためのマグネ
ット７５を備えている。半導体缶体７１にはダイヤフラ
ム７６が設けられており、このダイヤフラム７６上に電
磁コイル７３が設けられている。また、圧力を測定する
流体りは半導体缶体７１に連絡する注入管７８を通じて
半導体缶体７１内に導かれる。この場合、ダイヤフラム
７６はこの半導体集積回路基板を測定対象に連動させる
。
７１の直上に設けられる磁場を発生させるためのマグネ
ット７５を備えている。半導体缶体７１にはダイヤフラ
ム７６が設けられており、このダイヤフラム７６上に電
磁コイル７３が設けられている。また、圧力を測定する
流体りは半導体缶体７１に連絡する注入管７８を通じて
半導体缶体７１内に導かれる。この場合、ダイヤフラム
７６はこの半導体集積回路基板を測定対象に連動させる
。
以上の構成をとることにより、半導体缶体７１内に注入
された流体りの圧力が変動すると、ダイヤフラム７６お
よび電磁コイル７３がｖ−■方向に移動する。従って、
電磁コイル７３に誘導電流が流れるので、この誘導電流
を図示しない導線を７ ８ 介し検流計等を用いて計測することにより流体りの圧力
を算出することがでできる。
された流体りの圧力が変動すると、ダイヤフラム７６お
よび電磁コイル７３がｖ−■方向に移動する。従って、
電磁コイル７３に誘導電流が流れるので、この誘導電流
を図示しない導線を７ ８ 介し検流計等を用いて計測することにより流体りの圧力
を算出することがでできる。
次に第１６図に、この半導体缶体７１の形成方法を示す
。
。
あらかじめ、シリコン基板７２Ｓ上にボロン等を拡散さ
せることによりエツチングを停止させるエツチング停止
部７２Ｂを形成する。
せることによりエツチングを停止させるエツチング停止
部７２Ｂを形成する。
次いで、そのエツチング停止部７２Ｂで囲まれる部分の
内部に多層配線技術により電磁コイル７３を形成する（
第１６図（Ａ））。
内部に多層配線技術により電磁コイル７３を形成する（
第１６図（Ａ））。
次いで、シリコン基板７２Ｓの表面において電磁コイル
７３の周囲にダイヤフラムのジャバラ部分のエツチング
を行う（第１６図（Ｂ））。
７３の周囲にダイヤフラムのジャバラ部分のエツチング
を行う（第１６図（Ｂ））。
次いで、表面からボロン等を拡散してエツチング停止層
７６Ｂを形成する（第１６図（Ｃ））。
７６Ｂを形成する（第１６図（Ｃ））。
次いで、シリコン基板７２８の裏面からエツチングを行
うと、エツチングはエツチング停止部７２Ｂおよびエツ
チング停止層７６Ｂで停止し、電磁コイル７３を表面に
有するとともにジャバラ部分を有するダイヤフラム７６
が残る（第１６図（Ｄ））。
うと、エツチングはエツチング停止部７２Ｂおよびエツ
チング停止層７６Ｂで停止し、電磁コイル７３を表面に
有するとともにジャバラ部分を有するダイヤフラム７６
が残る（第１６図（Ｄ））。
次いで、このダイヤフラム７６と半導体缶体７１の基部
となるシリコン部材７１８とをシリコン直接接合により
接合して半導体缶体７１を形成することができる（第１
６図（Ｅ））。
となるシリコン部材７１８とをシリコン直接接合により
接合して半導体缶体７１を形成することができる（第１
６図（Ｅ））。
上記の第３〜７実施例におけるコイルパターンの形状、
数については、これに限定されず、他の形状、数であっ
てもかまわない。
数については、これに限定されず、他の形状、数であっ
てもかまわない。
また、上述した第３〜７実施例のセンサは変位、速度等
のいわば機械的な物理量変化のみならず、磁気の変化も
測定可能である。すなわち、電磁コイルの相互誘導作用
により、外部の磁界が変化する場合、誘導電源を測定す
ることにより磁場を発生する物体がセンサに対し接離す
る場合等の磁界の変化も計測可能である。
のいわば機械的な物理量変化のみならず、磁気の変化も
測定可能である。すなわち、電磁コイルの相互誘導作用
により、外部の磁界が変化する場合、誘導電源を測定す
ることにより磁場を発生する物体がセンサに対し接離す
る場合等の磁界の変化も計測可能である。
第８実施例
次に、第１７．１８図に、請求項１．２．３．４又は５
記載の発明にかかる半導体集積回路装置の第８実施例で
ある光ヘッドを示す。
記載の発明にかかる半導体集積回路装置の第８実施例で
ある光ヘッドを示す。
この光ヘッド８１は、半導体集積回路基板８２９
０
と、磁場を発生させるためのマグネット８５Ａ１８５Ｂ
と、導線を兼ねた指示手段であるフレキシブル印刷配線
板８６とを備えている。
と、導線を兼ねた指示手段であるフレキシブル印刷配線
板８６とを備えている。
半導体集積回路基板８２の光ディスクＤ側の表面８２Ａ
には、光集積回路型ピックアップ８８が形成され、裏面
８２Ｄには、電磁コイル８３ａ〜８３ｄが形成されてい
る。
には、光集積回路型ピックアップ８８が形成され、裏面
８２Ｄには、電磁コイル８３ａ〜８３ｄが形成されてい
る。
第１９図に、電磁コイル８３ａ〜８３ｄの配置を示す。
電磁コイル８３ａ〜８３ｄは、第１９図に示すように、
８３ａと８３ｂが互いに逆の向きに巻かれており、８３
ｃと８３ｄも互いに逆向きに巻かれている。又、８３ａ
と８３ｃ、８３ｂと８３ｄも各々互いに逆の向きに巻か
れている。光集積回路型ピックアップ８８は、半導体集
積回路基板８２の略中央部に設けられている。ここに、
マグネット８５Ａは、光集積回路型ピックアップ８８か
らのレーザ光を妨げないように設けられている。そして
、マグネット８５ＡはＳ極とし、マグネット８５ＢはＮ
極とする。また、この半導体集積回路基板８２上の電磁
コイル８３ａ〜８３ｄとの電気的接続はランド端子８６
Ｔを介して行われる。
８３ａと８３ｂが互いに逆の向きに巻かれており、８３
ｃと８３ｄも互いに逆向きに巻かれている。又、８３ａ
と８３ｃ、８３ｂと８３ｄも各々互いに逆の向きに巻か
れている。光集積回路型ピックアップ８８は、半導体集
積回路基板８２の略中央部に設けられている。ここに、
マグネット８５Ａは、光集積回路型ピックアップ８８か
らのレーザ光を妨げないように設けられている。そして
、マグネット８５ＡはＳ極とし、マグネット８５ＢはＮ
極とする。また、この半導体集積回路基板８２上の電磁
コイル８３ａ〜８３ｄとの電気的接続はランド端子８６
Ｔを介して行われる。
次に、第２０図を参照して、この光ヘッド８１の動作を
説明する。第２０図においては、動作をわかり易くする
ため、電磁コイル８３ａ〜８３ｄは巻き数を１巻きとし
ている。
説明する。第２０図においては、動作をわかり易くする
ため、電磁コイル８３ａ〜８３ｄは巻き数を１巻きとし
ている。
ここに、図示しないランド端子を介して、電磁コイル８
３ａ〜８３ｄに電源８９Ａ、８９Ｂ、及びスイッチＳＷ
１ＳＷ２をそれぞれ図示のように接続する。ここでス
イッチＳＷ １ＳＷ２をそれぞれ図示の如＜ＯＮすると
矢印の方向に電流が流れ、各電磁コイル８３ａ、８３ｂ
の図上で上側の表面にはこの電流により図上Ｎ、Ｓで表
示する磁極があられれる。また、各電磁コイル８３Ｃ１
８３ｄの図上で下側の表面には図上ｎ、ｓで表示する磁
極があられれることになる。ここに、ｎはＮ極、ＳはＳ
極を示す。したがって、電磁コイル８３ａの上表面はＮ
極となるから、マグネット８５Ａの磁場の中心へ向う引
力を受ける。電磁コイル８３ｂの上表面は逆にＳ極とな
るからマグネ１ ２ ット８５Ａの磁場の中心から遠ざけられる斥力を受ける
。同様にして、電磁コイル８３ｃは、マグネット８５Ｂ
の磁場の中心へ向う引力を受け、電磁コイル８３ｄは、
マグネット８５Ｂの磁場の中心から遠ざけられる斥力を
受ける。
３ａ〜８３ｄに電源８９Ａ、８９Ｂ、及びスイッチＳＷ
１ＳＷ２をそれぞれ図示のように接続する。ここでス
イッチＳＷ １ＳＷ２をそれぞれ図示の如＜ＯＮすると
矢印の方向に電流が流れ、各電磁コイル８３ａ、８３ｂ
の図上で上側の表面にはこの電流により図上Ｎ、Ｓで表
示する磁極があられれる。また、各電磁コイル８３Ｃ１
８３ｄの図上で下側の表面には図上ｎ、ｓで表示する磁
極があられれることになる。ここに、ｎはＮ極、ＳはＳ
極を示す。したがって、電磁コイル８３ａの上表面はＮ
極となるから、マグネット８５Ａの磁場の中心へ向う引
力を受ける。電磁コイル８３ｂの上表面は逆にＳ極とな
るからマグネ１ ２ ット８５Ａの磁場の中心から遠ざけられる斥力を受ける
。同様にして、電磁コイル８３ｃは、マグネット８５Ｂ
の磁場の中心へ向う引力を受け、電磁コイル８３ｄは、
マグネット８５Ｂの磁場の中心から遠ざけられる斥力を
受ける。
この結果、半導体集積回路基板８２は、垂直方向の成分
の力がキャンセルされ、全体として、水平方向力Ｆを受
け、図上奥の方向へ移動する。このことを利用すること
により、この光ヘッドのトラッキングサーボを行うこと
がでできる。
の力がキャンセルされ、全体として、水平方向力Ｆを受
け、図上奥の方向へ移動する。このことを利用すること
により、この光ヘッドのトラッキングサーボを行うこと
がでできる。
この第８実施例において、電磁コイルの形状、数、半導
体集積回路基板上の設置位置はこれに限定されず、他の
形状、数、位置でもかまわない。
体集積回路基板上の設置位置はこれに限定されず、他の
形状、数、位置でもかまわない。
さらに支持手段についても第８．９図に示す構造であっ
てもよく、他の弾性を有する支持手段であってもかまわ
ない。
てもよく、他の弾性を有する支持手段であってもかまわ
ない。
また、この光ヘッド８１から光集積回路型ピックアップ
を除去し、磁場内で水平に移動させ、電磁コイルに発生
する誘導電流を計測することによりセンサとして利用し
てもよい。センサの態様と３ して、第３〜７実施例と同様の構成を採用することが可
能である。
を除去し、磁場内で水平に移動させ、電磁コイルに発生
する誘導電流を計測することによりセンサとして利用し
てもよい。センサの態様と３ して、第３〜７実施例と同様の構成を採用することが可
能である。
そして、上記第１〜８実施例において、磁場を発生させ
るためのマグネットは、永久磁石であってもよいし、電
磁石であってもよい。
るためのマグネットは、永久磁石であってもよいし、電
磁石であってもよい。
さらに、本発明の半導体集積回路装置は、アクチュエー
タ機能を備えた半導体集積回路装置、センサ機能を備え
た半導体集積回路装置のみならず、アクチュエータ機能
とセンサ機能を複合した半導体集積回路装置としても応
用可能である。例えば、第１．２．８実施例において、
半導体集積回路基板１２上にさらに光へ・ソドの速度を
検知するための速度コイルを設け、トラックジャンプ時
の速度を検出する機能を持たせた小型光ヘッドとするこ
ともできる。
タ機能を備えた半導体集積回路装置、センサ機能を備え
た半導体集積回路装置のみならず、アクチュエータ機能
とセンサ機能を複合した半導体集積回路装置としても応
用可能である。例えば、第１．２．８実施例において、
半導体集積回路基板１２上にさらに光へ・ソドの速度を
検知するための速度コイルを設け、トラックジャンプ時
の速度を検出する機能を持たせた小型光ヘッドとするこ
ともできる。
以上説明したように、本発明の請求項１．２．３又は４
にかかる半導体集積回路装置によれば、半導体集積回路
基板上に電磁コイルを設は磁界内で電流を流すことによ
りこれを超小型アクチュエ ４ 一夕機能を有する半導体集積回路装置として使用するこ
とができる。したがって、所定の機能を有する半導体集
積回路を移動させ、かつ位置制御を行なうことができる
ため、種々の用途に応用可能である。好適な例として、
請求項５に記載する半導体集積回路装置のように、従来
よりも更に小型・軽量化した光ディスクの記録再生用の
光ヘッドを提供することができるという利点を有してい
る。
にかかる半導体集積回路装置によれば、半導体集積回路
基板上に電磁コイルを設は磁界内で電流を流すことによ
りこれを超小型アクチュエ ４ 一夕機能を有する半導体集積回路装置として使用するこ
とができる。したがって、所定の機能を有する半導体集
積回路を移動させ、かつ位置制御を行なうことができる
ため、種々の用途に応用可能である。好適な例として、
請求項５に記載する半導体集積回路装置のように、従来
よりも更に小型・軽量化した光ディスクの記録再生用の
光ヘッドを提供することができるという利点を有してい
る。
また、本発明の請求項１．２．３又は６にかかる半導体
集積回路装置によれば、電磁コイルを設けた半導体集積
回路基板を磁界内で移動させ、もしくは磁界を変化させ
た場合に、コイルに発生する誘導電流を測定することに
より変位、圧力、磁気等の物理量変化を計測する超小型
センサ機能を有する半導体集積回路装置として使用する
ことができる。
集積回路装置によれば、電磁コイルを設けた半導体集積
回路基板を磁界内で移動させ、もしくは磁界を変化させ
た場合に、コイルに発生する誘導電流を測定することに
より変位、圧力、磁気等の物理量変化を計測する超小型
センサ機能を有する半導体集積回路装置として使用する
ことができる。
第１図は、本発明の原理説明図、
第２図は、請求項１．２．３．４又は５記載の発明の第
１実施例である光ヘッドの構成を示す図、第３図は、第
２図に示す光ヘッドの断面図、第４図は、第２図に示す
光ヘッドの半導体集積回路基板の表面を示す図、 第５図は、第２図に示す光ヘッドの半導体集積回路基板
の裏面を示す図、 第６図は、第２図に示す光ヘッドのフレキシブル印刷配
線板を示す図、 第７図は、第２図の光ヘッドの半導体集積回路基板の表
面の他の例を示す図、 第８図は、請求項１．２．３又は５記載の発明の第２実
施例である光ヘッドの構成を示す図、第９図は、第８図
に示す光ヘッドの断面を示す図、 第１０図は、請求項１．２．３又は６記載の発明の第３
実施例である変位センサの構成を示す間第１１図は、請
求項１．２又は６記載の発明の第４実施例である変位セ
ンサの構成を示す図、第１２図は、請求項１．２又は６
記載の発明の５ ６ 第５実施例である圧力センサの断面を示す図、第１３図
は、請求項１．２又は６記載の発明の第６実施例である
変位センサの断面を示す図、第１４図は、第１３図に示
す変位センサの形成方法を示す図、 第１５図は、請求項１．２又は６記載の発明の第７実施
例である圧力センサの断面を示す図、第１６図は第１５
図に示す圧力センサの形成方法を示す図、 第１７図は、請求項１．２．３．４又は５記載の発明の
第８実施例である光ヘッドの構成を示す図、 第１８図は、第１７図に示す光ヘッドの断面図、第１９
図は、第１７図に示す光ヘッドの半導体集積回路基板の
裏面を示す図、 第２０図は、第１７図に示す光ヘッドの動作を説明する
図、 第２１図は、従来の光集積回路型光ピックアップを搭載
した光ヘッドの構成を示す図、第２２図は、第２１図に
示す光ヘッドの断面図である。 １・・・半導体集積回路装置 ２・・・半導体集積回路基板 ３・・・電磁コイル ４・・・導線 Ｍ・・・磁場 ５・・・磁場Ｍの方向 ６・・・支持手段 １１・・・光ヘッド １２・・・半導体集積回路基板 １３．１３Ａ、１３Ｂ・・・電磁コイル１５・・・マグ
ネット １６・・・フレキシブル印刷配線板 １６８・・・弾性部材 １８・・・光集積回路型ピックアップ １８Ｃ・・・集光グレーティングカプラ１８Ｌ・・・レ
ーザダイオード ２１・・・光ヘッド ２６・・・支持体 ３１・・・変位センサ ７ ３７・・・ロッド ４１・・・変位センサ ５０・・・圧力センサ ５１・・・缶体 ５２・・・半導体集積回路基板 ５３・・・電磁コイル ５５・・・マグネット ５７・・・ダイヤフラム ６１・・・変位センサ ６２・・・半導体集積回路基板 ６３・・・電磁コイル ６５・・・マグネット ６６・・・カンチレバ一部材 ６７・・・ロッド ６８・・・支承 ７０・・・圧力センサ ７１・・・半導体缶体 ７３・・・電磁コイル ７５・・マグネット ７６・・・ダイヤフラム ８１・・・光ヘッド ８２・・・半導体集積回路基板 ８３ａ〜８３ｄ・・・電磁コイル ８５Ａ，８５Ｂ・・・マグネット ８６・・・フレキシブル印刷配線板 ８８・・・光集積回路型ピックアップ １０１・・・半導体チップ １１０・・・電磁コイル １１２・・・ボビン １１４・・・マグネット １１６・・・下ヨーク
１実施例である光ヘッドの構成を示す図、第３図は、第
２図に示す光ヘッドの断面図、第４図は、第２図に示す
光ヘッドの半導体集積回路基板の表面を示す図、 第５図は、第２図に示す光ヘッドの半導体集積回路基板
の裏面を示す図、 第６図は、第２図に示す光ヘッドのフレキシブル印刷配
線板を示す図、 第７図は、第２図の光ヘッドの半導体集積回路基板の表
面の他の例を示す図、 第８図は、請求項１．２．３又は５記載の発明の第２実
施例である光ヘッドの構成を示す図、第９図は、第８図
に示す光ヘッドの断面を示す図、 第１０図は、請求項１．２．３又は６記載の発明の第３
実施例である変位センサの構成を示す間第１１図は、請
求項１．２又は６記載の発明の第４実施例である変位セ
ンサの構成を示す図、第１２図は、請求項１．２又は６
記載の発明の５ ６ 第５実施例である圧力センサの断面を示す図、第１３図
は、請求項１．２又は６記載の発明の第６実施例である
変位センサの断面を示す図、第１４図は、第１３図に示
す変位センサの形成方法を示す図、 第１５図は、請求項１．２又は６記載の発明の第７実施
例である圧力センサの断面を示す図、第１６図は第１５
図に示す圧力センサの形成方法を示す図、 第１７図は、請求項１．２．３．４又は５記載の発明の
第８実施例である光ヘッドの構成を示す図、 第１８図は、第１７図に示す光ヘッドの断面図、第１９
図は、第１７図に示す光ヘッドの半導体集積回路基板の
裏面を示す図、 第２０図は、第１７図に示す光ヘッドの動作を説明する
図、 第２１図は、従来の光集積回路型光ピックアップを搭載
した光ヘッドの構成を示す図、第２２図は、第２１図に
示す光ヘッドの断面図である。 １・・・半導体集積回路装置 ２・・・半導体集積回路基板 ３・・・電磁コイル ４・・・導線 Ｍ・・・磁場 ５・・・磁場Ｍの方向 ６・・・支持手段 １１・・・光ヘッド １２・・・半導体集積回路基板 １３．１３Ａ、１３Ｂ・・・電磁コイル１５・・・マグ
ネット １６・・・フレキシブル印刷配線板 １６８・・・弾性部材 １８・・・光集積回路型ピックアップ １８Ｃ・・・集光グレーティングカプラ１８Ｌ・・・レ
ーザダイオード ２１・・・光ヘッド ２６・・・支持体 ３１・・・変位センサ ７ ３７・・・ロッド ４１・・・変位センサ ５０・・・圧力センサ ５１・・・缶体 ５２・・・半導体集積回路基板 ５３・・・電磁コイル ５５・・・マグネット ５７・・・ダイヤフラム ６１・・・変位センサ ６２・・・半導体集積回路基板 ６３・・・電磁コイル ６５・・・マグネット ６６・・・カンチレバ一部材 ６７・・・ロッド ６８・・・支承 ７０・・・圧力センサ ７１・・・半導体缶体 ７３・・・電磁コイル ７５・・マグネット ７６・・・ダイヤフラム ８１・・・光ヘッド ８２・・・半導体集積回路基板 ８３ａ〜８３ｄ・・・電磁コイル ８５Ａ，８５Ｂ・・・マグネット ８６・・・フレキシブル印刷配線板 ８８・・・光集積回路型ピックアップ １０１・・・半導体チップ １１０・・・電磁コイル １１２・・・ボビン １１４・・・マグネット １１６・・・下ヨーク
Claims (6)
- １．一対の導線が引出された電磁コイルを有する半導体
集積回路基板を磁場内において移動可能に配置したこと
を特徴とする半導体集積回路装置。 - ２．前記半導体集積回路基板は、弾性を有する支持手段
により支持されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体集積回路装置。 - ３．前記支持手段は、わん曲させたフレキシブル印刷配
線板を用いて構成したことを特徴とする請求項２記載の
半導体集積回路装置。 - ４．前記半導体集積回路装置は、前記導線を介して前記
電磁コイルに駆動電源を供給するようにして、アクチュ
エータとして動作可能に構成したことを特徴とする請求
項１、２又は３記載の半導体集積回路装置。 - ５．前記半導体集積回路基板は、レーザダイオードとビ
ームスプリッタとフォトディテクタとを有する光集積回
路型ピックアップを備えたことを特徴とする請求項１、
２、３又は４記載の半導体集積回路装置。 - ６．前記半導体集積回路装置は、前記半導体集積回路基
板を測定対象に連動可能に配置し、当該半導体集積回路
基板が前記測定対象と連動したときに前記電磁コイル内
に生じる誘導電流を前記導線から取出すことにより、セ
ンサとして動作可能に構成したことを特徴とする請求項
１、２又は３記載の半導体集積回路装置。
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|---|---|---|---|
| JP2067885A JP2768792B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体集積回路装置 |
| EP90309030A EP0448861B1 (en) | 1990-03-16 | 1990-08-17 | Semiconductor integrated circuit device |
| DE69013491T DE69013491T2 (de) | 1990-03-16 | 1990-08-17 | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung. |
| US07/855,496 US5631488A (en) | 1990-03-16 | 1992-03-23 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067885A JP2768792B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体集積回路装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268235A true JPH03268235A (ja) | 1991-11-28 |
| JP2768792B2 JP2768792B2 (ja) | 1998-06-25 |
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|---|---|---|---|
| JP2067885A Expired - Fee Related JP2768792B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体集積回路装置 |
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| JP (1) | JP2768792B2 (ja) |
| DE (1) | DE69013491T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7533588B2 (en) | 2000-11-24 | 2009-05-19 | A-Metrics, Llc | Micromovement measuring device and method of movement process conversion to an electric signal |
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| DE19625403A1 (de) * | 1996-06-25 | 1998-01-08 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Messen magnetischer Feldstärken |
| DE102004047188B4 (de) | 2004-09-29 | 2022-10-27 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Ortung metallischer Objekte |
| DE102010041214A1 (de) * | 2010-09-22 | 2012-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltgerät sowie Verfahren zur Steuerung eines Schaltgeräts |
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| JPS6459646A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Nippon Denki Home Electronics | Objective lens actuator for optical head |
| JPH01154522U (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-24 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3258723A (en) * | 1962-01-30 | 1966-06-28 | Osafune ia | |
| US3699249A (en) * | 1962-02-28 | 1972-10-17 | Magnavox Co | Facsimile systems, transceivers, and marking transducers therefor |
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| US4779259A (en) * | 1985-04-25 | 1988-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction |
| FR2582136B1 (fr) * | 1985-05-14 | 1987-06-26 | Labo Electronique Physique | Dispositif a transfert de charges muni d'organes selfiques |
| US4806859A (en) * | 1987-01-27 | 1989-02-21 | Ford Motor Company | Resonant vibrating structures with driving sensing means for noncontacting position and pick up sensing |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2067885A patent/JP2768792B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-17 DE DE69013491T patent/DE69013491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-17 EP EP90309030A patent/EP0448861B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-23 US US07/855,496 patent/US5631488A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768792B2 (ja) | 1998-06-25 |
| US5631488A (en) | 1997-05-20 |
| EP0448861B1 (en) | 1994-10-19 |
| DE69013491T2 (de) | 1995-05-18 |
| EP0448861A1 (en) | 1991-10-02 |
| DE69013491D1 (de) | 1994-11-24 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |