JPH03268321A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH03268321A JPH03268321A JP6755990A JP6755990A JPH03268321A JP H03268321 A JPH03268321 A JP H03268321A JP 6755990 A JP6755990 A JP 6755990A JP 6755990 A JP6755990 A JP 6755990A JP H03268321 A JPH03268321 A JP H03268321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- epitaxial growth
- chamber
- liquid phase
- crystal melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は化合物半導体の製造等に適用される液相エピ
タキシャル成長装置に関し、液相エピタキシャル成長後
中段の室の結晶融液を一気に下段の室に収容させるよう
にしたものである。
タキシャル成長装置に関し、液相エピタキシャル成長後
中段の室の結晶融液を一気に下段の室に収容させるよう
にしたものである。
化合物半導体を用いた半導体装置に於いて欣柑エピタキ
シャル成長の１産は重要な技術である。
シャル成長の１産は重要な技術である。
特にサイズの大きい太陽電池の場合非常に重要な技術で
ある。
ある。
第３図は太陽電池等のように蓋産を必要とする半導体装
置の製造に適用される従来の液相エピタキシャル成長Ｉ
Ｍｒｊ１の断面図で、図に於いて、（１）はポート本体
、＋２１ 、１３１ 、 ｆ４＋はポート本体（１）を
構成している上段の室、中段の室、下段の室である。上
段の室（４１は出し入れ可能な引出し式の容器（５）か
収容されている。（６）は上段の室（２）にある結晶融
液（９）を液相エピタキシャル成長前に開孔部ｄｌｌを
利用してキャリアガスによる還元作用を利用する事がで
きるスライド＝’Ｊ能な蓋である。
置の製造に適用される従来の液相エピタキシャル成長Ｉ
Ｍｒｊ１の断面図で、図に於いて、（１）はポート本体
、＋２１ 、１３１ 、 ｆ４＋はポート本体（１）を
構成している上段の室、中段の室、下段の室である。上
段の室（４１は出し入れ可能な引出し式の容器（５）か
収容されている。（６）は上段の室（２）にある結晶融
液（９）を液相エピタキシャル成長前に開孔部ｄｌｌを
利用してキャリアガスによる還元作用を利用する事がで
きるスライド＝’Ｊ能な蓋である。
（７）は上段の室（２）、中段の室（３）を仕切るスラ
イド可能な第１の板で、液相エピタキシャル成長を行わ
せるため、上段の室の結晶融液（９）を中段の室（３に
流入させるための開孔部りを有している。（８１は中段
の室（３）と下段の室（４）を仕切るスライド可能な第
２の板で、液相エピタキシャル成長終ｒ後、中段の室（
３）の結晶融液（９）を下段の室（４）の引出し容器（
５）に流入させることか可能な開孔部α３を臀する第２
の板である。
イド可能な第１の板で、液相エピタキシャル成長を行わ
せるため、上段の室の結晶融液（９）を中段の室（３に
流入させるための開孔部りを有している。（８１は中段
の室（３）と下段の室（４）を仕切るスライド可能な第
２の板で、液相エピタキシャル成長終ｒ後、中段の室（
３）の結晶融液（９）を下段の室（４）の引出し容器（
５）に流入させることか可能な開孔部α３を臀する第２
の板である。
Ｇαは液相エピタキシャル成長させるべき基板である。
従来の液相エピタキシャル成長装置は上記のように構成
されており、次に使用方法について説明する。
されており、次に使用方法について説明する。
この液相エピタキシャル成長装置で液相エピタキシャル
成長を行うためには、第３図の状態でポート本体（１）
を図示しない成長炉（図示せず）内に挿入する。
成長を行うためには、第３図の状態でポート本体（１）
を図示しない成長炉（図示せず）内に挿入する。
この状態で最初所定温度に達すると、上段の室の鐙（６
）の開孔部圓を利用して結晶融液（９）をキャリアガス
であるＨ２ガスによって還元処理を一定時間行う。所定
時間が経過すると、ａ ｔ６＋を矢印Ａの方向に移動さ
せ上段の室ｆ２１を密閉状態にして、結晶融液（９）か
らの蒸発を抑えた状態で炉内の温度を成長温度まで昇温
させる。
）の開孔部圓を利用して結晶融液（９）をキャリアガス
であるＨ２ガスによって還元処理を一定時間行う。所定
時間が経過すると、ａ ｔ６＋を矢印Ａの方向に移動さ
せ上段の室ｆ２１を密閉状態にして、結晶融液（９）か
らの蒸発を抑えた状態で炉内の温度を成長温度まで昇温
させる。
炉内が成長温度に達すると、スライド可能な第１の板（
７）を矢印Ａの方向にスライドさせ、中段の室（３；に
開孔部０から結晶融液（９）を流入させ、基板（１（１
を浸漬した状態で成長炉を除冷しエピタキシャル成長さ
せる。
７）を矢印Ａの方向にスライドさせ、中段の室（３；に
開孔部０から結晶融液（９）を流入させ、基板（１（１
を浸漬した状態で成長炉を除冷しエピタキシャル成長さ
せる。
エピタキシャル成長終ｒ後、スライド可能な第２の板（
８；を矢印Ａの方向にスライドさせると、第２の板（８
）の開孔部口３から結晶融液（９）が引出し容器（５）
に流入し収容される。
８；を矢印Ａの方向にスライドさせると、第２の板（８
）の開孔部口３から結晶融液（９）が引出し容器（５）
に流入し収容される。
〔発明か解決しようとする課題１
化合物半導体を用いたＧａｔｓ 太陽電池ではエピタキ
シャル成長させた幕板には動作層の表面に窓効果を有す
るＡＩ！Ｇａｔｓ ｒ＠が形成されている。このＡｅＧ
ａ ｔ ｓ 層の窓効果を利用するため、Ａｆの組成
比は〜０．９程度と非常に大きく空気中では酸イヒしゃ
すい層である。このようにＡｌの組成比が大きい成長層
を得るにはＡＩ！の組成比が大きい結晶融液（９）を使
用する。
シャル成長させた幕板には動作層の表面に窓効果を有す
るＡＩ！Ｇａｔｓ ｒ＠が形成されている。このＡｅＧ
ａ ｔ ｓ 層の窓効果を利用するため、Ａｆの組成
比は〜０．９程度と非常に大きく空気中では酸イヒしゃ
すい層である。このようにＡｌの組成比が大きい成長層
を得るにはＡＩ！の組成比が大きい結晶融液（９）を使
用する。
液相エピタキシャル成長時に於いて、結晶融液（９）が
基板（１０１から完全に分離された状態でエピタキシャ
ル成長が終ｒすれば問題はないか、従来の液相エピタキ
シャル成長装置では成長終ｒ恢、第２の板（８）を矢印
Ａの方向にスライドさせると、中段の室（３）の結晶融
液（９１は開孔部（１３から大部分が引出し容器（５）
に流入するが、一部の結晶融液（９）は第２の板（８１
の上に残っており、開孔部ｕ３の移動に伴なって順次引
出し容器（５）に流入するか、この時基板ｕｏｌから結
晶融液（９）の分離が悪く、一部結晶融液（９）が基板
ａυに残った状態で冷却される為、結晶融液（９）の残
った箇所は設定されたＡＩ！の組成比より扁く空気中で
は間単に酸化するという問題点かあった。
基板（１０１から完全に分離された状態でエピタキシャ
ル成長が終ｒすれば問題はないか、従来の液相エピタキ
シャル成長装置では成長終ｒ恢、第２の板（８）を矢印
Ａの方向にスライドさせると、中段の室（３）の結晶融
液（９１は開孔部（１３から大部分が引出し容器（５）
に流入するが、一部の結晶融液（９）は第２の板（８１
の上に残っており、開孔部ｕ３の移動に伴なって順次引
出し容器（５）に流入するか、この時基板ｕｏｌから結
晶融液（９）の分離が悪く、一部結晶融液（９）が基板
ａυに残った状態で冷却される為、結晶融液（９）の残
った箇所は設定されたＡＩ！の組成比より扁く空気中で
は間単に酸化するという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、エピタキシャル成長終了後、引出し容器に流
入させる結晶融液を一気に流入させることで、結晶融液
の０暇により基板から完全に結晶融液を分離させること
により、成長表面に結晶融液の残りを形成させないこと
を目的としている。
たもので、エピタキシャル成長終了後、引出し容器に流
入させる結晶融液を一気に流入させることで、結晶融液
の０暇により基板から完全に結晶融液を分離させること
により、成長表面に結晶融液の残りを形成させないこと
を目的としている。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、ポート
本体か第２の板が移動する際、第２の板（８）の一部か
はすれる構造で、エピタキシャル成長層ｒＣ＆、結晶融
液が一気に引出し容器に流入できるようにしたものであ
る。
本体か第２の板が移動する際、第２の板（８）の一部か
はすれる構造で、エピタキシャル成長層ｒＣ＆、結晶融
液が一気に引出し容器に流入できるようにしたものであ
る。
〔作 用］
この発明における液相エピタキシャル成長装置は、液相
エピタキシャル成長終１時に第２の板をスライドさせる
と、第２の板の一部かはすれることにより、結晶融液か
一気に引出し容器に流入させることができる。
エピタキシャル成長終１時に第２の板をスライドさせる
と、第２の板の一部かはすれることにより、結晶融液か
一気に引出し容器に流入させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例である液相エピタキシャル
成長装置の構成を示す断面図、第２図は第１図のロー■
線から下の拡大断面図である。
成長装置の構成を示す断面図、第２図は第１図のロー■
線から下の拡大断面図である。
なお、図中符号は前記従来のものと同一符号は同一につ
きその説明は省略する。
きその説明は省略する。
本実施例の特徴はエピタキシャル成長終ｒ後、結晶融液
（９）を−気に引出し容器（５ｉに流入させることによ
り基板００１表面に結晶融液（９）を残さないように出
来ることである。そのため、第２の板（８＋は３号割さ
れた構造になっている。
（９）を−気に引出し容器（５ｉに流入させることによ
り基板００１表面に結晶融液（９）を残さないように出
来ることである。そのため、第２の板（８＋は３号割さ
れた構造になっている。
図において、［４１は第２の板（８）の一部でエピタキ
シャル成長終ｒ後には引出し容器（５）に落下する板、
ＵＳは板Ｉを支えるための支柱、口θは板（１４１がス
ライドした際支柱（１５１か入る為の穴である。
シャル成長終ｒ後には引出し容器（５）に落下する板、
ＵＳは板Ｉを支えるための支柱、口θは板（１４１がス
ライドした際支柱（１５１か入る為の穴である。
次に本実施例における液相エピタキシャル成長装置の使
用方法について説明する。
用方法について説明する。
第１図の状態でポート本体山を図示しない成長炉内に挿
入する。この状態で最初の所定温度に達すると、上段の
室（２）の盈（６）の開孔部ａＤを利用して結晶融液（
９）をキャリアガスであるＨ２ガスで還元処理を一定時
間行う。
入する。この状態で最初の所定温度に達すると、上段の
室（２）の盈（６）の開孔部ａＤを利用して結晶融液（
９）をキャリアガスであるＨ２ガスで還元処理を一定時
間行う。
所定時間が経過すると、蓋（６）を矢印Ａの方向に移動
させ、上段の室（２）を密閉状態にして、結晶融液（９
）からの蒸発を抑えた状態で、炉内の温度を成長温度ま
で昇温する。
させ、上段の室（２）を密閉状態にして、結晶融液（９
）からの蒸発を抑えた状態で、炉内の温度を成長温度ま
で昇温する。
炉内が成長温度に達すると、スライド可能な第１の板（
７）を矢印Ａの方向にスライドさせ中段の室（３）に開
孔部ｕｚから結晶融液（９）を流入させて、基板ＱＯＩ
を浸漬した状態で成長炉を徐冷し、エピタキシャル成長
を行う。
７）を矢印Ａの方向にスライドさせ中段の室（３）に開
孔部ｕｚから結晶融液（９）を流入させて、基板ＱＯＩ
を浸漬した状態で成長炉を徐冷し、エピタキシャル成長
を行う。
エピタキシャル成長終ｒ後、第１の板（７）を矢印Ａの
方向に移動させる。第１の板（７）Ｋ連動して第２の板
（８）も矢印Ａの方向に移動する。第２の板（８）か移
動することによって、２つの支柱（１５１で支えられて
いた根囲は支柱回からはずれる。この時１つの支柱ｕ５
１は根囲にあけられている穴口ｅに入る。
方向に移動させる。第１の板（７）Ｋ連動して第２の板
（８）も矢印Ａの方向に移動する。第２の板（８）か移
動することによって、２つの支柱（１５１で支えられて
いた根囲は支柱回からはずれる。この時１つの支柱ｕ５
１は根囲にあけられている穴口ｅに入る。
２本の支柱０５からはずれた板ａ０は中段の室（３）に
ある結晶融液（９）の１暇により一気に引出し容器（５
に根囲と共に落下する。従って、従来のように基板α■
の表面に結晶融液（９）か付くことはなくなる。
ある結晶融液（９）の１暇により一気に引出し容器（５
に根囲と共に落下する。従って、従来のように基板α■
の表面に結晶融液（９）か付くことはなくなる。
以上のようにこの発明によれば、エピタキシャル成長終
ｒ時に基板と結晶融液を一気に分離させることが可能と
なり、従来のように基板表圓に付看した結晶融液によっ
て発生していたＡｌの組成比が大きい鎖酸か基板表面か
らな（なるという効果がある。
ｒ時に基板と結晶融液を一気に分離させることが可能と
なり、従来のように基板表圓に付看した結晶融液によっ
て発生していたＡｌの組成比が大きい鎖酸か基板表面か
らな（なるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である液相エピタキシャル
成長装置の構成を示す断面図、第２図は第１図のローロ
線から下の拡大断面図、第３図は従来の液相エピタキシ
ャル成長装置の構成を示す断面図である。 図において、（１）はポート本体、（２）は上段の室、
（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は引出し
容器、（６）は上段の室（２）を密閉するためのスライ
ド６Ｉ能な衾、（７）はスライド可能な第１の板、（８
）はスライド可能な第２の板、（９）は結晶融液、ＯＯ
ｌは基板、口１］は！ １６＋に設けられたガス１１換
用の開孔部、■は上段の室（２）から中段の室（３１に
結晶融液（９）を流入させるための開孔部、（１３１は
中段の室（３）から下段の室（４）の引出し容器（５）
に結晶融液（９）を流入させるための開孔部、０ａは第
１の板（７）の一部で結晶融液（９）を−気に落下させ
ることが出来る板、（１５＋は根囲を支える支柱、ｕ６
１は板［１４１が移動する際支柱０５）か入る開孔部を
示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
成長装置の構成を示す断面図、第２図は第１図のローロ
線から下の拡大断面図、第３図は従来の液相エピタキシ
ャル成長装置の構成を示す断面図である。 図において、（１）はポート本体、（２）は上段の室、
（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は引出し
容器、（６）は上段の室（２）を密閉するためのスライ
ド６Ｉ能な衾、（７）はスライド可能な第１の板、（８
）はスライド可能な第２の板、（９）は結晶融液、ＯＯ
ｌは基板、口１］は！ １６＋に設けられたガス１１換
用の開孔部、■は上段の室（２）から中段の室（３１に
結晶融液（９）を流入させるための開孔部、（１３１は
中段の室（３）から下段の室（４）の引出し容器（５）
に結晶融液（９）を流入させるための開孔部、０ａは第
１の板（７）の一部で結晶融液（９）を−気に落下させ
ることが出来る板、（１５＋は根囲を支える支柱、ｕ６
１は板［１４１が移動する際支柱０５）か入る開孔部を
示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 液相エピタキシャル成長に用いる結晶融液を収容する
上段の室、液相エピタキシャル成長させるべき基板を収
納する中段の室、液相エピタキシャル成長に用いる結晶
融液を流入し貯める容器を収納する下段の室、上記上段
の室の結晶融液をガスにさらすことか可能なスライド式
の板及び上記上段の室と中段の室、中段の室と下段の室
を仕切り１つ、結晶融液を上から下へ移動させる事が可
能な２枚のスライド式の板から成るポート本体に於いて
、上記中段の室と下段を室を仕切るスライド式の板が移
動する際スライド式の板の一部がはずれることにより上
記中段の室の結晶融液が一気に下段の室に収容されてい
る容器に収容される事を特徴とする液相エピタキシャル
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6755990A JPH03268321A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6755990A JPH03268321A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268321A true JPH03268321A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13348440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6755990A Pending JPH03268321A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268321A (ja) |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6755990A patent/JPH03268321A/ja active Pending
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