JPH03268427A - 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents
有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法Info
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- JPH03268427A JPH03268427A JP6700490A JP6700490A JPH03268427A JP H03268427 A JPH03268427 A JP H03268427A JP 6700490 A JP6700490 A JP 6700490A JP 6700490 A JP6700490 A JP 6700490A JP H03268427 A JPH03268427 A JP H03268427A
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- resin film
- wiring board
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線
基板の製造方法に関するものである。特に、計算機、薄
膜磁気ディスク、薄膜ヘッド、混成集積回路等の厚膜の
有機樹脂膜が絶縁膜として使用される薄膜多層基板の製
造において、その有機樹脂膜を高精度、高アスペクトに
加工する方法及びそれを用いて製造した多層配線基板の
製造方法に関するものである。
基板の製造方法に関するものである。特に、計算機、薄
膜磁気ディスク、薄膜ヘッド、混成集積回路等の厚膜の
有機樹脂膜が絶縁膜として使用される薄膜多層基板の製
造において、その有機樹脂膜を高精度、高アスペクトに
加工する方法及びそれを用いて製造した多層配線基板の
製造方法に関するものである。
近年、半導体素子等の隻積度の著しい向上に伴ない、線
幅が極めて小さいパターンを高精度に形成することが望
まれている。また、計算機、薄膜磁気ディスク、薄膜ヘ
ッド、混成集積回路等の電子回路においては、半導体素
子に比べて厚膜の有機膜を層間絶縁膜や絶縁保護膜とし
て用いた薄膜回路が使用されている。
幅が極めて小さいパターンを高精度に形成することが望
まれている。また、計算機、薄膜磁気ディスク、薄膜ヘ
ッド、混成集積回路等の電子回路においては、半導体素
子に比べて厚膜の有機膜を層間絶縁膜や絶縁保護膜とし
て用いた薄膜回路が使用されている。
ところで、この有機膜の所定位置に導体層間のための窓
や溝を設けるために、−船釣には周知のフォトリソグラ
フィー技術を用い、所定位置の有機膜をウェットエツチ
ングにより除去していた。
や溝を設けるために、−船釣には周知のフォトリソグラ
フィー技術を用い、所定位置の有機膜をウェットエツチ
ングにより除去していた。
すなわち、従来の薄膜多層基板の製造においてはまず、
基板上に有機樹脂膜を全面塗布して絶縁層を形成し、こ
の上にフォトレジストを塗布し、露光、Ｉ３１像、リン
スによって所望のレジストパターンを形成し、これをマ
スクにウェットエツチングによって有機膜に窓や溝を形
成していた。しかるのちに、配線金属層を形成し、レジ
ストを除去し、所定の配線パターンを形成していた。し
かし、ウェットエツチングは等方的エツチングであるた
めに、高解像度や高アスペクト比（高さ７幅を表わし、
大きい程急峻であることを示す。）の観点からはトライ
エツチングが望まれていた。その１くライエツチングは
酸素プラズマを用いて行なわれるが、汎用レジストには
トライエツチング耐性がないため、マスク材とはなり得
す、無機質膜とレジストを用いる方法が検討されてきた
。
基板上に有機樹脂膜を全面塗布して絶縁層を形成し、こ
の上にフォトレジストを塗布し、露光、Ｉ３１像、リン
スによって所望のレジストパターンを形成し、これをマ
スクにウェットエツチングによって有機膜に窓や溝を形
成していた。しかるのちに、配線金属層を形成し、レジ
ストを除去し、所定の配線パターンを形成していた。し
かし、ウェットエツチングは等方的エツチングであるた
めに、高解像度や高アスペクト比（高さ７幅を表わし、
大きい程急峻であることを示す。）の観点からはトライ
エツチングが望まれていた。その１くライエツチングは
酸素プラズマを用いて行なわれるが、汎用レジストには
トライエツチング耐性がないため、マスク材とはなり得
す、無機質膜とレジストを用いる方法が検討されてきた
。
しかし、無機質膜とレジストをエツチングマスクとして
用いる方法では工程が長く、そのプロセス簡略化が量産
上、強く望まれていた。特に、有機樹脂膜が厚くなると
、厚い無機質膜が必要となリ、その形成や剥離に長い時
間を要した。
用いる方法では工程が長く、そのプロセス簡略化が量産
上、強く望まれていた。特に、有機樹脂膜が厚くなると
、厚い無機質膜が必要となリ、その形成や剥離に長い時
間を要した。
本発明は、従来技術の欠点をなくシ、簡便な方法で、か
つ、信頼性、歩留り等に優れた有機樹脂膜のパターン形
成方法及び多層配線基板の製造方法を提供することに・
ある。
つ、信頼性、歩留り等に優れた有機樹脂膜のパターン形
成方法及び多層配線基板の製造方法を提供することに・
ある。
本発明者らは、上記目的を達成するために、有機樹脂膜
のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法に関し
、材料並びにプロセスを種々検討した結果、感光性を有
し、酸素プラズマに対する耐性を有する材料を用い、パ
ターン形成すれば良いことを見い出した。すなわち、本
発明においては、光照射によるパターン形成材とドライ
エツチングマスク材を一つの膜で行なわせるものである
。
のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法に関し
、材料並びにプロセスを種々検討した結果、感光性を有
し、酸素プラズマに対する耐性を有する材料を用い、パ
ターン形成すれば良いことを見い出した。すなわち、本
発明においては、光照射によるパターン形成材とドライ
エツチングマスク材を一つの膜で行なわせるものである
。
従来のように無機質膜とレジストの２層を用いることは
不要となり、その結果、工程が簡略化される。また、こ
の感光性とプラズマ耐性の両方の機能を有するレジスト
の除去も簡単であり、汎用のレジスト剥離液やアルカリ
現像液等で剥離できる。
不要となり、その結果、工程が簡略化される。また、こ
の感光性とプラズマ耐性の両方の機能を有するレジスト
の除去も簡単であり、汎用のレジスト剥離液やアルカリ
現像液等で剥離できる。
本発明において使用される酸素プラズマ耐性に優れた感
光性材料としては、アルカリ現像形の有機ケイ素糸しジ
ス１−材料、特に、側鎖のすべてあるいは一部がフェノ
ール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリ
オルガノシルセスキオキサン系重合体と１，２−ナフト
キノンジアジド系感光性溶解阻害剤とを主成分とするも
のが望ましい。これらは、エチルセロソルブアセテート
等の有機溶媒に溶解させた状態で塗布して使用される。
光性材料としては、アルカリ現像形の有機ケイ素糸しジ
ス１−材料、特に、側鎖のすべてあるいは一部がフェノ
ール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリ
オルガノシルセスキオキサン系重合体と１，２−ナフト
キノンジアジド系感光性溶解阻害剤とを主成分とするも
のが望ましい。これらは、エチルセロソルブアセテート
等の有機溶媒に溶解させた状態で塗布して使用される。
有機樹脂膜のエツチングは１通常酸素ガスあるいは酸素
とハロゲン化炭素との混合ガスを用いて行なわれる。加
工すべき有機樹脂膜が比較的薄い場合には問題はないが
、有機樹脂膜が厚くなるに従ってエツチング後、基板上
に残渣（スカム）が発生することが詔められる。これを
なくするために発明者は種々検討した結果、酸素ガスあ
るいは酸素とハロゲン化炭素との混合ガスによるエツチ
ング前に、あるいは後にＣＦ４等のハロゲン化炭素ガス
によりライトエツチングすれば良いことを見い出した。
とハロゲン化炭素との混合ガスを用いて行なわれる。加
工すべき有機樹脂膜が比較的薄い場合には問題はないが
、有機樹脂膜が厚くなるに従ってエツチング後、基板上
に残渣（スカム）が発生することが詔められる。これを
なくするために発明者は種々検討した結果、酸素ガスあ
るいは酸素とハロゲン化炭素との混合ガスによるエツチ
ング前に、あるいは後にＣＦ４等のハロゲン化炭素ガス
によりライトエツチングすれば良いことを見い出した。
当然のことではあるが、酸素ガスあるいは酸素とハロゲ
ン化炭素との混合ガスによるエツチング前後にＣＦ４等
のハロゲン化炭素ガスによりライトエツチングを行なっ
てもよい。
ン化炭素との混合ガスによるエツチング前後にＣＦ４等
のハロゲン化炭素ガスによりライトエツチングを行なっ
てもよい。
また、レジストの除去は、通常、ウェットで行なうこと
が望まれているが、ドライ除去も可能である。特に、後
露光を行ない、レジスト除去を行なうと効果的である。
が望まれているが、ドライ除去も可能である。特に、後
露光を行ない、レジスト除去を行なうと効果的である。
このように、感光性と酸素プラズマ耐性とを一つの層に
持たせたことにより、簡略なプロセスで有機樹脂膜パタ
ーンが形成でき、また、多層配線基板も製造できる。
持たせたことにより、簡略なプロセスで有機樹脂膜パタ
ーンが形成でき、また、多層配線基板も製造できる。
以下、本発明の概要を第１図に例示する構成に従って説
明する。
明する。
本発明の有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基
板の製造方法に当たっては、まず基板（絶縁基板、配線
基板、又は多層配線基板）１上に有機樹脂膜２を形成す
る（第１図（ｂ））。この形成法は１通常、ポリイミド
溶液（日立化成工業製ＰＩＱ、など）等をスピンコーテ
ィングなどによって行なわれる。次に、この上に感光性
と酸素プラズマ耐性とを有するレジスト層３を形成する
（第１図（Ｃ））。
板の製造方法に当たっては、まず基板（絶縁基板、配線
基板、又は多層配線基板）１上に有機樹脂膜２を形成す
る（第１図（ｂ））。この形成法は１通常、ポリイミド
溶液（日立化成工業製ＰＩＱ、など）等をスピンコーテ
ィングなどによって行なわれる。次に、この上に感光性
と酸素プラズマ耐性とを有するレジスト層３を形成する
（第１図（Ｃ））。
その後、フ第１−リソグラフィー技術によって上記レジ
ストＪｔｌＪ３をパターンニングし、このレジストパタ
ーン４をマスクに、有機樹脂膜を酸素プラズマ等でドラ
イエツチングする（第１図（ｄ））。
ストＪｔｌＪ３をパターンニングし、このレジストパタ
ーン４をマスクに、有機樹脂膜を酸素プラズマ等でドラ
イエツチングする（第１図（ｄ））。
このようにして有機樹脂膜２に窓や溝７を開けた後（第
１図（ｅ））、リンス］・をウェット又はドライで除去
り、 （第１図（ｆ））、その後、このパターンニング
された有機樹脂膜５の上に配線導体６を形成しく第１図
（ｇ））、多層配線構造体を得る。必要に応し、上記工
程を繰り返し行なう。
１図（ｅ））、リンス］・をウェット又はドライで除去
り、 （第１図（ｆ））、その後、このパターンニング
された有機樹脂膜５の上に配線導体６を形成しく第１図
（ｇ））、多層配線構造体を得る。必要に応し、上記工
程を繰り返し行なう。
本発明を具体化するには、次のような材料並びにプロセ
スを用いれば良い。
スを用いれば良い。
前記有機樹脂膜としては、ポリイミド樹脂系材料、ポリ
スチレン材料、ノボラック系のポジ形フォトレジストを
ハートベークした材料、あるいはポリビニルフェノール
系のネガ形フォトレジストをハードベークした材料など
の耐熱性のある有機高分子材料であることが望ましく、
スピンコーティング等によって形成される。その膜厚は
５〜１００μｍで使用され、−回で形成できない場合に
は塗布、乾燥、硬化の工程を繰り返して行なわれる。
スチレン材料、ノボラック系のポジ形フォトレジストを
ハートベークした材料、あるいはポリビニルフェノール
系のネガ形フォトレジストをハードベークした材料など
の耐熱性のある有機高分子材料であることが望ましく、
スピンコーティング等によって形成される。その膜厚は
５〜１００μｍで使用され、−回で形成できない場合に
は塗布、乾燥、硬化の工程を繰り返して行なわれる。
前記レジスト材料としては、例えば、有機ケイ素糸ポジ
形フォトレジスト（日立化成工業＄２ＲＵ−１６００Ｐ
など）を塗布、乾燥して形成する。
形フォトレジスト（日立化成工業＄２ＲＵ−１６００Ｐ
など）を塗布、乾燥して形成する。
通常は、０．５〜１０μｍ程度の膜厚で使用される。こ
のパターニングは、周知のフォトリソグラフィーによっ
て行なわれる。すなわち、密着アライナ−やプロジェク
ションアライナ−を用いて所望のパターンに露光し、現
像、リンスを行なってレジストパターンを得る。有機ケ
イ素糸ポジ形フォトレジストは単層で使用されるため、
厚くしてもクラック等が入らず、また、厚膜感光化が可
能であるため、厚膜有機樹脂膜の加工に好都合である。
のパターニングは、周知のフォトリソグラフィーによっ
て行なわれる。すなわち、密着アライナ−やプロジェク
ションアライナ−を用いて所望のパターンに露光し、現
像、リンスを行なってレジストパターンを得る。有機ケ
イ素糸ポジ形フォトレジストは単層で使用されるため、
厚くしてもクラック等が入らず、また、厚膜感光化が可
能であるため、厚膜有機樹脂膜の加工に好都合である。
エツチングに関しては、特に限定されるものではないが
、平行平板形ドライエツチング装置やマイクロ波エツチ
ング装置などが使用される。エツチングガスとしては、
酸素ガスあるいは酸素とハロゲン化炭素との混合ガスな
どが使用され、そのエツチング前か後に、あるいは前後
にＣＦ４等のハロゲン化炭素ガスによりライトエツチン
グすれば、エツチング後の残渣がなくなり、更に良い。
、平行平板形ドライエツチング装置やマイクロ波エツチ
ング装置などが使用される。エツチングガスとしては、
酸素ガスあるいは酸素とハロゲン化炭素との混合ガスな
どが使用され、そのエツチング前か後に、あるいは前後
にＣＦ４等のハロゲン化炭素ガスによりライトエツチン
グすれば、エツチング後の残渣がなくなり、更に良い。
また、レジストの除去は、通常、ポスト露光後。
アルカリ現像液やレジスト剥離液に浸漬して行なうと良
いが、ドライ除去でも良い。配線材料としては、銅、ア
ルミニウム、ニッケル等の金属材料が使用される。
いが、ドライ除去でも良い。配線材料としては、銅、ア
ルミニウム、ニッケル等の金属材料が使用される。
以上、本発明のｖａ造方法を実際の材料及びプロセスを
用いて説明したが、これに限定されるものではない。
用いて説明したが、これに限定されるものではない。
本発明においては、レジスト層としてアルカリ現像形の
有機ケイ素系レジストを用い、エツチングガスとして酸
素ガスあるいは酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いること
により、光照射によるパターン形成とドライエツチング
を一つの膜で行なわせることを可能とし、工程を簡略化
できる。特に。
有機ケイ素系レジストを用い、エツチングガスとして酸
素ガスあるいは酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いること
により、光照射によるパターン形成とドライエツチング
を一つの膜で行なわせることを可能とし、工程を簡略化
できる。特に。
酸素プラズマ耐性に優れたフォトレジストを単層で使用
する為に、厚く感光できるとともに、クランク等が入ら
ず、除去も簡単であることから、厚い有機桐脂膜を加工
する時に有利である。また、プロセス上の観点からも量
産性はもちろんのこと、高歩留りで信頼性の高い多層配
線構造体の製造が可能である。また、高解像度化の観点
からも優れた方法である。
する為に、厚く感光できるとともに、クランク等が入ら
ず、除去も簡単であることから、厚い有機桐脂膜を加工
する時に有利である。また、プロセス上の観点からも量
産性はもちろんのこと、高歩留りで信頼性の高い多層配
線構造体の製造が可能である。また、高解像度化の観点
からも優れた方法である。
・以下、本発明を具体的に実施例をもって説明する。
実施例 １
第１図に示したような配線アルミナ基板１上に有機樹脂
膜であるポリイミド樹脂（本例では、日立化成工業Ｊｌ
１％ＰＩＱ（商品名）を使用）をスピン塗布した。その
硬化は２００℃／３０分＋３５０℃／３０分の条件で行
なった。この操作を４回繰り返して約２０μｍ厚のポリ
イミド層２を得た。
膜であるポリイミド樹脂（本例では、日立化成工業Ｊｌ
１％ＰＩＱ（商品名）を使用）をスピン塗布した。その
硬化は２００℃／３０分＋３５０℃／３０分の条件で行
なった。この操作を４回繰り返して約２０μｍ厚のポリ
イミド層２を得た。
次に、酸素プラズマ耐性に優れたレジスト材料として、
アルカリ可溶性ラダーシリコーンをマトリックスポリマ
ーとする有機ケイ素糸ポジ形フォトレジスト（目立化成
製Ｒｔ＞１６００Ｐ）を用い、スピン塗布した後、９０
℃／３０分でプリベークすることによりレジストｗｌ３
を形成した。
アルカリ可溶性ラダーシリコーンをマトリックスポリマ
ーとする有機ケイ素糸ポジ形フォトレジスト（目立化成
製Ｒｔ＞１６００Ｐ）を用い、スピン塗布した後、９０
℃／３０分でプリベークすることによりレジストｗｌ３
を形成した。
ここにおいて用いた有機ケイ素系レジストは、その側鎖
のすべてあるいは一部がフェノール性水酸基を有する有
機であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサ
ン系重合体と１，２−ナフトキノンジアジド系感光性溶
解阻害剤とからなるものである。なお、本例におけるそ
の膜厚は約５μｍである。続いて、このレジストを通常
のフォトリソグラフィー技術によってパターニングした
。
のすべてあるいは一部がフェノール性水酸基を有する有
機であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサ
ン系重合体と１，２−ナフトキノンジアジド系感光性溶
解阻害剤とからなるものである。なお、本例におけるそ
の膜厚は約５μｍである。続いて、このレジストを通常
のフォトリソグラフィー技術によってパターニングした
。
すなわち、１／１プロジェクションアライナ−を用いて
約２０００ ｍ Ｊ ／ ｃＪ照射し、アルカリ現像液
（０，６６ｗｔ、％−ＮＭＤ−３）を用いて２分間で現
像し、流水でリンスすることによりレジストパターンを
得た。
約２０００ ｍ Ｊ ／ ｃＪ照射し、アルカリ現像液
（０，６６ｗｔ、％−ＮＭＤ−３）を用いて２分間で現
像し、流水でリンスすることによりレジストパターンを
得た。
続いて、本例では、平行平板形ドライエツチング装置に
試料を設置し、まず、ＣＦ４ガスで５分間エツチングし
た後、酸素プラズマで露出した有機樹脂膜を３時間でエ
ツチングし、１５μｍの窓７（スルーホール）を形成し
た。（酸素プラズマエツチング条件：酸素圧力、５Ｐａ
；流藍、３０ｓ ｃ ｃ ｍ ；電力、ｓｏｏ’ｗ；バ
イアス電圧、−１１０Ｖ） この時の有機樹脂膜のスルーホールは急峻であり微細化
の観点からは極めて好都合である。なお、スルーホール
の断面形状は、ドライエツチング条件をコントロールす
ることにより制御することができる。
試料を設置し、まず、ＣＦ４ガスで５分間エツチングし
た後、酸素プラズマで露出した有機樹脂膜を３時間でエ
ツチングし、１５μｍの窓７（スルーホール）を形成し
た。（酸素プラズマエツチング条件：酸素圧力、５Ｐａ
；流藍、３０ｓ ｃ ｃ ｍ ；電力、ｓｏｏ’ｗ；バ
イアス電圧、−１１０Ｖ） この時の有機樹脂膜のスルーホールは急峻であり微細化
の観点からは極めて好都合である。なお、スルーホール
の断面形状は、ドライエツチング条件をコントロールす
ることにより制御することができる。
次に、第２層配線導体６を形成する前にレジストをウェ
ット剥１１１（例えば、東京応化工業製剥離液５−１０
の６０℃溶液に１０分間浸漬）した。
ット剥１１１（例えば、東京応化工業製剥離液５−１０
の６０℃溶液に１０分間浸漬）した。
その後、配線導体６を形成し、２層配線構造体を得た。
なお、多層配線４１！！造体を１２造する場合には上記
工程を順次繰り返した。
工程を順次繰り返した。
このように、通常のフォトリソグラフィー技術を使って
、比較的簡略なプロセスで高精度に有機樹脂膜のパター
ン形成や多層配線構造体の製造が可能である。
、比較的簡略なプロセスで高精度に有機樹脂膜のパター
ン形成や多層配線構造体の製造が可能である。
実施例 ２〜１０
実施例１と同様にして１表１に示すような条件有機樹脂
膜のパターン形成や多層配線構造体の製造を行なった。
膜のパターン形成や多層配線構造体の製造を行なった。
いずれにおいても簡略なプロセスで高精度に有機樹脂膜
のパターン形成や多層配線構造体のｋＪ造が可能であり
、優れた方法であった。
のパターン形成や多層配線構造体のｋＪ造が可能であり
、優れた方法であった。
以下余白
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明の方法を用いれば
、極めて簡略な方法で有機樹脂膜をＩｌｌ林膜とする多
層配線構造体を製造できる。また、レジスト層と有機樹
脂膜との酸素プラズマに対するエツチンググレート比が
大きい為に、高いアスペクト比を有するパターンを形成
することが可能である。特に１本発明によれば、特に厚
い有機樹脂膜パターンの形成やそれを用いた多層配線基
板の１ａ造が簡略なプロセスででき、量産性や低コスト
化に優れるという利点を有している。また、エツチング
後の残渣等がないため、信頼性や歩留り向上が期待でき
る。
、極めて簡略な方法で有機樹脂膜をＩｌｌ林膜とする多
層配線構造体を製造できる。また、レジスト層と有機樹
脂膜との酸素プラズマに対するエツチンググレート比が
大きい為に、高いアスペクト比を有するパターンを形成
することが可能である。特に１本発明によれば、特に厚
い有機樹脂膜パターンの形成やそれを用いた多層配線基
板の１ａ造が簡略なプロセスででき、量産性や低コスト
化に優れるという利点を有している。また、エツチング
後の残渣等がないため、信頼性や歩留り向上が期待でき
る。
なお、当然のことではあるが、本発明は上記した実施例
や図示した構造例にのみ限られるものではない。
や図示した構造例にのみ限られるものではない。
第１図は本発明の詳細な説明するための工程図であり、
本発明の実施例において適用し得るものである。 １・・・基板、２・・・有機樹脂膜（絶縁膜）、３・・
・プラズマ耐性に優れたレジスト材料、４・・・パター
ニングされたレジスト材料、５・・パターニングされた
有機樹脂膜、６・・配線導体、７・・・スルーホール。
本発明の実施例において適用し得るものである。 １・・・基板、２・・・有機樹脂膜（絶縁膜）、３・・
・プラズマ耐性に優れたレジスト材料、４・・・パター
ニングされたレジスト材料、５・・パターニングされた
有機樹脂膜、６・・配線導体、７・・・スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に有機樹脂膜を設け、この有機樹脂膜の上に
酸素プラズマエッチングに対する耐性を有するレジスト
層を形成し、このレジスト層を光により所望の部分を露
光し、現像、リンスして露出した有機樹脂膜をドライエ
ッチングにより除去することによって有機樹脂膜のパタ
ーンを形成する方法において、膜厚５〜１００μｍの有
機樹脂膜を用い、レジスト層としてアルカリ現像形の有
機ケイ素系レジストを用い、ドライエッチングガスとし
て酸素ガスあるいは酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いる
ことを特徴とする有機樹脂膜のパターン形成方法。 ２、前記アルカリ現像形の有機ケイ素系レジストが側鎖
のすべてあるいは一部がフェノール性水酸基を有する有
機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキ
サン系重合体と１、２−ナフトキノンジアジド系感光性
溶解阻害剤とからなる請求項１記載の有機樹脂膜のパタ
ーン形成方法。 ３、前記有機樹脂膜がポリイミド樹脂系材料、ポリスチ
レン系材料、ノボラック系のポジ形フォトレジストをハ
ードベークした材料、あるいは、ポリビニルフェノール
系のネガ形フォトレジストをハードベークした材料であ
る請求項１記載の有機樹脂膜のパターン形成方法。 ４、前記ドライエッチングにおいて、酸素ガスあるいは
酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いてエッチングする前あ
るいは後に、もしくは前後にハロゲン化炭素ガスを用い
てライトエッチングすることを特徴とする請求項１記載
の有機樹脂膜のパターン形成方法。 ５、前記基板が、配線基板又は多層配線基板である請求
項１記載の有機樹脂膜のパターン形成方法。 ６、第１層配線導体が形成されている基板上に有機樹脂
膜を形成する工程と、この膜上に酸素プラズマエッチン
グに対する耐性を有するレジスト層を形成する工程と、
このレジスト層を光により所望の部分を露光し、現像、
リンスして部分的に有機樹脂膜を露出させる工程と、露
出した有機樹脂膜をドライエッチングにより除去する工
程と、レジスト層を除去する工程と、所定パターンの第
２層配線導体を形成する工程からなる多層配線基板の製
造方法において、膜厚５〜１００μｍの有機樹脂膜を用
い、レジスト層としてアルカリ現像形の有機ケイ素系レ
ジストを用い、ドライエッチングガスとして酸素ガスあ
るいは酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いることを特徴と
する多層配線基板の製造方法。 ７、前記アルカリ現像形の有機ケイ素系レジストが側鎖
のすべてあるいは一部がフェノール性水酸基を有する有
機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキ
サン系重合体と１、２−ナフトキノンジアジド系感光性
溶解阻害剤とからなる請求項６記載の多層配線基板の製
造方法。 ８、前記有機樹脂膜がポリイミド樹脂系材料、ポリスチ
レン系材料、ノボラック系のポジ形フォトレジストをハ
ードベークした材料、あるいは、ポリビニルフェノール
系のネガ形フォトレジストをハードベークした材料であ
る請求項６記載の多層配線基板の製造方法。 ９、前記ドライエッチングにおいて、酸素ガスあるいは
酸素／ハロゲン化炭素ガスを用いてエッチングする前あ
るいは後にもしくは前後にハロゲン化炭素ガスを用いて
ライトエッチングすることを特徴とする請求項６記載の
多層配線基板の製造方法。 １０、前記レジスト除去において、後露光した後ウェッ
ト除去することを特徴とする請求項６記載の多層配線基
板の製造方法。 １１、前記基板が、配線基板又は多層配線基板である請
求項６記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700490A JPH03268427A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700490A JPH03268427A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268427A true JPH03268427A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13332351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6700490A Pending JPH03268427A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697128A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層金属構造の製造中におけるポリイミド皮膜のパターン形成方法 |
| US7638267B2 (en) | 2005-09-06 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2025088750A (ja) * | 2023-11-30 | 2025-06-11 | アブソリックス インコーポレイテッド | パッケージング基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6700490A patent/JPH03268427A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697128A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層金属構造の製造中におけるポリイミド皮膜のパターン形成方法 |
| US7638267B2 (en) | 2005-09-06 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2025088750A (ja) * | 2023-11-30 | 2025-06-11 | アブソリックス インコーポレイテッド | パッケージング基板の製造方法 |
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