JPH03268464A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03268464A JPH03268464A JP6894890A JP6894890A JPH03268464A JP H03268464 A JPH03268464 A JP H03268464A JP 6894890 A JP6894890 A JP 6894890A JP 6894890 A JP6894890 A JP 6894890A JP H03268464 A JPH03268464 A JP H03268464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- polysilicon
- metal wiring
- semiconductor device
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関するものである。
第２図は従来の半導体装置を示す断面図で、図において
、（１）はシリコン基板、（５）は絶縁酸化膜、（６）
はコンタクトホール、（７）は上層メタル配線、（３）
はＮ＋拡散層である。
、（１）はシリコン基板、（５）は絶縁酸化膜、（６）
はコンタクトホール、（７）は上層メタル配線、（３）
はＮ＋拡散層である。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
上層メタル配線のコンタクトホール側壁でのカバレッジ
が悪く、最悪の場合メタル配線の断線等の信頼性上に問
題点があった。
上層メタル配線のコンタクトホール側壁でのカバレッジ
が悪く、最悪の場合メタル配線の断線等の信頼性上に問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、上層メタル配線のコンタクトホール側壁でのカ
バレッジの良い半導体装置を得るこ事を目的とする。
もので、上層メタル配線のコンタクトホール側壁でのカ
バレッジの良い半導体装置を得るこ事を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、上層メタル配線とシリコ
ン基板がコンタクトを取る位置にポリシリコンのパッド
を敷き、コンタクトホールのアスペクト比を下げ上層メ
タル配線のコンタクトホール側壁部を減少させカバレッ
ジを良くしたものである。
ン基板がコンタクトを取る位置にポリシリコンのパッド
を敷き、コンタクトホールのアスペクト比を下げ上層メ
タル配線のコンタクトホール側壁部を減少させカバレッ
ジを良くしたものである。
この発明における半導体装置は、シリコン基板上に形成
されたメタルパッドにより、層間絶縁膜の膜厚よりポリ
シリコンバッドの膜厚分だけコンタクトホールの高さが
低くなり、コンタクトホールをウェットエッチ＋ドライ
エッチで形成した際のコンタクトホールの側壁部分が減
少し、上層メタル配線のカバレッジが良くなり断線等が
なくなる。
されたメタルパッドにより、層間絶縁膜の膜厚よりポリ
シリコンバッドの膜厚分だけコンタクトホールの高さが
低くなり、コンタクトホールをウェットエッチ＋ドライ
エッチで形成した際のコンタクトホールの側壁部分が減
少し、上層メタル配線のカバレッジが良くなり断線等が
なくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例である半導
体装置の製造工程を示す断面図で、図において、（１）
はシリコン基板、（２）はポリシリコン、（３）はＮ”
拡散層、（４）はレジスト、（５）は層間絶縁膜、（６
）はコンタクトホール、（７）はメタル配線である。
体装置の製造工程を示す断面図で、図において、（１）
はシリコン基板、（２）はポリシリコン、（３）はＮ”
拡散層、（４）はレジスト、（５）は層間絶縁膜、（６
）はコンタクトホール、（７）はメタル配線である。
次に製造工程について説明する。
第１図（ａ）において、シリコン基板（１）上にポリシ
リコン（２）をデポし、その後のＮ＋拡散によりポリシ
リコンの抵抗を下げシリコン基板（１）上にＮ＋拡散層
（３）を形成する。（ｈ）図、（ｅ）図において、ポリ
シリコン（２）上にレジスト（４）を塗布し、後工程で
メタル配線とコンタクトを取る部分のみ、写真製版とド
ライエツチングによりポリシリコン（２）のパッドを形
成する。（ｄ）図において絶縁酸化膜（５）形成する。
リコン（２）をデポし、その後のＮ＋拡散によりポリシ
リコンの抵抗を下げシリコン基板（１）上にＮ＋拡散層
（３）を形成する。（ｈ）図、（ｅ）図において、ポリ
シリコン（２）上にレジスト（４）を塗布し、後工程で
メタル配線とコンタクトを取る部分のみ、写真製版とド
ライエツチングによりポリシリコン（２）のパッドを形
成する。（ｄ）図において絶縁酸化膜（５）形成する。
（ｅ）図、（ｆ）図において、絶縁酸化膜（４）上にレ
ジスト（４）を塗布し、写真製版とウェット＋ドライエ
ツチングによりコンタクトホール（６）を形成する。（
ｇ）図において、コンタクトホール（６）にメタル配線
（７）をデボする。
ジスト（４）を塗布し、写真製版とウェット＋ドライエ
ツチングによりコンタクトホール（６）を形成する。（
ｇ）図において、コンタクトホール（６）にメタル配線
（７）をデボする。
以上の様にこの発明によれば、コンタクトホールの底部
にポリシリコンバッドを形成したので、ポリシリコンの
膜厚分だけコンタクトホールの高さが低くなり、コンタ
クトホールの側壁部分か減少し、メタル配線のカバレッ
ジか改善され信頼性が良くなるという効果がある。
にポリシリコンバッドを形成したので、ポリシリコンの
膜厚分だけコンタクトホールの高さが低くなり、コンタ
クトホールの側壁部分か減少し、メタル配線のカバレッ
ジか改善され信頼性が良くなるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導体
装置を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はポリシリ
コン、（３）はＮ＋拡散層、（４）はレジスト、（５）
は層間絶縁膜、（６）はコンタクトホール、（７）はメ
タル配線を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図（Ｙの１）
体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導体
装置を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はポリシリ
コン、（３）はＮ＋拡散層、（４）はレジスト、（５）
は層間絶縁膜、（６）はコンタクトホール、（７）はメ
タル配線を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図（Ｙの１）
Claims (1)
- シリコン基板とメタル配線のコンタクト部において、
コンタクトホールの底部にポリシリコンパッドを敷き、
コンタクトホールのアスペクト比を下げメタル配線のコ
ンタクトホールでのカバレッジを良くした事を特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6894890A JPH03268464A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6894890A JPH03268464A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268464A true JPH03268464A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13388397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6894890A Pending JPH03268464A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268464A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6894890A patent/JPH03268464A/ja active Pending
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