JPH03268473A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH03268473A JPH03268473A JP6911190A JP6911190A JPH03268473A JP H03268473 A JPH03268473 A JP H03268473A JP 6911190 A JP6911190 A JP 6911190A JP 6911190 A JP6911190 A JP 6911190A JP H03268473 A JPH03268473 A JP H03268473A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要）
光半導体装置の製造方法に係り、特に光半導体装置のコ
ンタクト層の形成方法に関し。
ンタクト層の形成方法に関し。
量子井戸構造を有する活性層の特性を損なわずにコンタ
クト層を形成する方法の提供を目的とし。
クト層を形成する方法の提供を目的とし。
量子井戸構造を有する活性層を埋め込んだ後。
該活性層の上部にＩｎＰのクラッド層とＧａＩｎＡｓの
コンタクト層を順次、５５０℃以下の液相成長により〔
産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置の製造方法に係り、特に光半導体
装置のコンタクト層の形成方法に関する。
コンタクト層を順次、５５０℃以下の液相成長により〔
産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置の製造方法に係り、特に光半導体
装置のコンタクト層の形成方法に関する。
近年の結晶成長の発展に伴い、理想的に急峻なヘテロ界
面を有する量子井戸構造の作製が可能となった。量子効
果を十分に活用し得る素子を作製するに際しては２作製
された量子井戸構造をその後の素子作製の各高温処理過
程において、熱的に劣化させてはならない。
面を有する量子井戸構造の作製が可能となった。量子効
果を十分に活用し得る素子を作製するに際しては２作製
された量子井戸構造をその後の素子作製の各高温処理過
程において、熱的に劣化させてはならない。
すなわち、量子井戸構造を含む化合物半導体素子の作製
に際しては、各作製過程の温度と時間を量子井戸構造の
熱的劣化が無視できる程度にするように設定する必要が
ある。
に際しては、各作製過程の温度と時間を量子井戸構造の
熱的劣化が無視できる程度にするように設定する必要が
ある。
従来の量子井戸構造を含む化合物半導体素子の作製では
９例えばＩｎＧａＡｓＰ ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸構造
を活性層に有するレーザ素子を作製する場合、量子井戸
構造の上にのクラッド層を作製し、メサエッチングし、
それから液相成長により埋め込み層の作製を行い、さら
に液相成長によりクラッド層とコンタクト層の作製を行
っていた。この時のコンタクト層には、 ＩｎＧａＡｓ
Ｐの結晶を用いていた。
９例えばＩｎＧａＡｓＰ ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸構造
を活性層に有するレーザ素子を作製する場合、量子井戸
構造の上にのクラッド層を作製し、メサエッチングし、
それから液相成長により埋め込み層の作製を行い、さら
に液相成長によりクラッド層とコンタクト層の作製を行
っていた。この時のコンタクト層には、 ＩｎＧａＡｓ
Ｐの結晶を用いていた。
液相成長の温度と時間は９例えば６００℃と３時間であ
った。
った。
ところが、こうして作製された素子内の量子井戸構造の
各ヘテロ界面は、原子の熱的な拡散によって組成の急峻
性が低下し、その結果、各量子井戸内に形成される量子
準位が量子井戸構造作製直後に比べて広がり、完成した
素子から十分な量子効果の特性を引き出せないといった
問題があった。
各ヘテロ界面は、原子の熱的な拡散によって組成の急峻
性が低下し、その結果、各量子井戸内に形成される量子
準位が量子井戸構造作製直後に比べて広がり、完成した
素子から十分な量子効果の特性を引き出せないといった
問題があった。
量子井戸構造の熱的な拡散を防ぐため、熱的劣化が無視
できるとされている５００℃以下の温度で液相成長を行
えばよいのであるが、コンタクト層に用いるＩｎＧａＡ
ｓＰの結晶はＩｎＰの上に６００℃成長でも成長時間３
０秒で０．２μｍ程度しか成長せず。
できるとされている５００℃以下の温度で液相成長を行
えばよいのであるが、コンタクト層に用いるＩｎＧａＡ
ｓＰの結晶はＩｎＰの上に６００℃成長でも成長時間３
０秒で０．２μｍ程度しか成長せず。
それ以上の速度で成長を行うと成長面が荒れてしまうと
いった問題があった。
いった問題があった。
もし、コンタクト層に用いるＩｎＧａＡｓＰの結晶を５
００℃で成長を行うとすると、クラッド層と格子整合す
る組成の燐（Ｐ）の量は極めて微量となり。
００℃で成長を行うとすると、クラッド層と格子整合す
る組成の燐（Ｐ）の量は極めて微量となり。
成長とともにすぐ枯渇し、必要とするコンタクト層の厚
さを得るためには極めて多数回Ｐの補給と成長を続けな
ければならないので、実際上不可能に近い。
さを得るためには極めて多数回Ｐの補給と成長を続けな
ければならないので、実際上不可能に近い。
従って、量子効果が十分に発揮される量子井戸構造を活
性層に有する光半導体装置１例えばレーザ素子が作製で
きないという問題があった。
性層に有する光半導体装置１例えばレーザ素子が作製で
きないという問題があった。
本発明は、６００℃に達しない低温で液相成長を行って
、必要な厚さのコンタクト層を形成し、しかも急峻なヘ
テロ界面を有する量子井戸構造を活性層とする光半導体
装置を実現するための製造方法を提供することを目的と
する。
、必要な厚さのコンタクト層を形成し、しかも急峻なヘ
テロ界面を有する量子井戸構造を活性層とする光半導体
装置を実現するための製造方法を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は、量子井戸構造を有する活性層３を埋め込ん
だ後、該活性層３の上部にＩｎＰのクラッド層８とＧａ
１ｎＡｓのコンタクト層９を順次、５５０℃以下の液相
成長により形成する光半導体装置の製造方法によって解
決される。
だ後、該活性層３の上部にＩｎＰのクラッド層８とＧａ
１ｎＡｓのコンタクト層９を順次、５５０℃以下の液相
成長により形成する光半導体装置の製造方法によって解
決される。
量子井戸構造を有する素子において、量子井戸構造を形
成後、その量子井戸構造をほとんど損なわない範囲で熱
処理するためには温度と時間に次の制限が課せられる。
成後、その量子井戸構造をほとんど損なわない範囲で熱
処理するためには温度と時間に次の制限が課せられる。
Ｄａｒｔ ＝Ｃｄ Ｅｏ ｅ ｘ ｐ （Ｅｓ
／ｋＴ）Ｅｏ ＝ＥＣ（Ｉ ＡＣａ ）ここ
で。
／ｋＴ）Ｅｏ ＝ＥＣ（Ｉ ＡＣａ ）ここ
で。
Ｌ：素子に含まれる量子井戸の最小の井戸幅。
単位は、Ｉ Ｘ １０−＠ｃｍ。
Ｌ、ｃｌｔ：量子井戸構造作製開始時刻ｔ。から素子作
製全過程終了時刻ｔ１に渡る時間積分、単位は１時間。
製全過程終了時刻ｔ１に渡る時間積分、単位は１時間。
Ｃ４：量子井戸構造の中で第２の半導体層を構成するＶ
族元素に占めるＡｓ原子の割合と第１の半導体層を構成
するＶ族元素に占めるＡｓ原子の割合の差、単位は１゜ ｋ：ボルツマン定数。
族元素に占めるＡｓ原子の割合と第１の半導体層を構成
するＶ族元素に占めるＡｓ原子の割合の差、単位は１゜ ｋ：ボルツマン定数。
Ｔ：素子作製過程の時刻ｔにおける温度、単位はＫ。
また。
Ｅｐ−ｔｏ、ｏｘｔｏ−３（ｅ Ｖ ） 。
Ｅ□＝１．１ （ｅＶ）
ＥＣ＝６．３ ｘ１０６ （ｅＶ）。
Ａ＝０．５２
である。
この式は、特願平１−１７０３７０号にて提案されてお
り、実験的に得られたものである。
り、実験的に得られたものである。
この式を見ればわかるように、温度が高いと時間は短く
制限され、量子井戸の井戸幅が小さいと温度は低く時間
は短く制限される。
制限され、量子井戸の井戸幅が小さいと温度は低く時間
は短く制限される。
ところで、 ＩｎＧａＡｓＰ ４元系の組成を選ぶこと
により、 ＩｎＰのクラッド層の上にＩｎＧａＡｓＰ
４元系を平衡状態で格子整合するように成長することが
できる。これはコンタクト層の形成に従来用いられてい
る方法であるが、実用的な厚さのコンタクト層を得よう
とすれば成長温度を少なくとも６００℃にする必要があ
り、液相成長時の高温でのトータル時間を上述の式の制
限内に抑えることは極めて困難となる。
により、 ＩｎＰのクラッド層の上にＩｎＧａＡｓＰ
４元系を平衡状態で格子整合するように成長することが
できる。これはコンタクト層の形成に従来用いられてい
る方法であるが、実用的な厚さのコンタクト層を得よう
とすれば成長温度を少なくとも６００℃にする必要があ
り、液相成長時の高温でのトータル時間を上述の式の制
限内に抑えることは極めて困難となる。
本発明は、 ＩｎＰのクラッド層の上にＩｎＧａＡｓ
３元系を若干の格子不整のある非平衡状態であっても液
相成長し、しかも５００℃程度の液相成長により実用的
な厚さのコンタクト層が得られる。という新しい知見に
基づいている。
３元系を若干の格子不整のある非平衡状態であっても液
相成長し、しかも５００℃程度の液相成長により実用的
な厚さのコンタクト層が得られる。という新しい知見に
基づいている。
例えば、８０人の最小井戸幅を有する量子井戸構造では
成長温度を５００℃とすれば上述の式により制限時間は
５時間程度となり、制限時間内にＩｎＰのクラッド層の
上に実用的に十分な厚さのＩｎＧａＡｓ３元系のコンタ
クト層が形成できるのである。
成長温度を５００℃とすれば上述の式により制限時間は
５時間程度となり、制限時間内にＩｎＰのクラッド層の
上に実用的に十分な厚さのＩｎＧａＡｓ３元系のコンタ
クト層が形成できるのである。
しかし、成長温度が５５０℃を超えると、量子井戸構造
を損なわずにＩｎＧａＡｓ ３元系のコンタクト層を形
成することが困難となる。
を損なわずにＩｎＧａＡｓ ３元系のコンタクト層を形
成することが困難となる。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は実施例を説明するための工程
を示す断面図であり、さらに第２図はガイド層の構造、
第３図は活性層の構造、第４図は第１のクラッド層の構
造、第５図はキャンプ層の構造を示し、以下、これらの
図を参照しながら説明する。
を示す断面図であり、さらに第２図はガイド層の構造、
第３図は活性層の構造、第４図は第１のクラッド層の構
造、第５図はキャンプ層の構造を示し、以下、これらの
図を参照しながら説明する。
第１図（ａ）参照
半導体基板１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ガイド層２．
活性層３．第１のクラッド層４．キャップ層５を順次形
成する。
活性層３．第１のクラッド層４．キャップ層５を順次形
成する。
半導体基板ｌはＳｎドープ（Ｉ Ｘ １０ ’ ”ｃｍ
−３）の厚さ２７０ μｍのｎ−ＩｎＰ基板である。
−３）の厚さ２７０ μｍのｎ−ＩｎＰ基板である。
第２図参照
ガイド層２は２ａ、 ２ｂの２層からなる。各層の諸元
は次の如くである。
は次の如くである。
符号 材料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ２ａ
ＩｎＧａＡｓＰ １．１０ ｎ ７ ＸＩＯ”
（Ｓｉ） ０．１２２ｂ ＩｎＧａＡｓＰ １．
１０ ｎ １ ｘｉｏ” ０．０３符号 材
料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ４ａ
ＩｎＰ Ｏ，９２ｐ Ｉ ＸＩＯ”
０．０３４ｂ ＩｎＰ Ｏ，９
２Ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．３２第３図参照 活性層３はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ ５対と上下
のＩｎＧａＡｓＰ層からなる多重量子井戸構造を有し、
各層の諸元は次の如くである。
ＩｎＧａＡｓＰ １．１０ ｎ ７ ＸＩＯ”
（Ｓｉ） ０．１２２ｂ ＩｎＧａＡｓＰ １．
１０ ｎ １ ｘｉｏ” ０．０３符号 材
料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ４ａ
ＩｎＰ Ｏ，９２ｐ Ｉ ＸＩＯ”
０．０３４ｂ ＩｎＰ Ｏ，９
２Ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．３２第３図参照 活性層３はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ ５対と上下
のＩｎＧａＡｓＰ層からなる多重量子井戸構造を有し、
各層の諸元は次の如くである。
符号 材料
３ａ ＩｎＧａＡｓＰ
３ｂ ＩｎＧａＡｓＰ
３ｃ ＩｎＧａＡｓ
以下、 ３ａ層まで
す。
３ ｔ ＴｎＧａＡｓＰ
ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ
１．３０ ｎ Ｉ ＸＩＯ” ３００１．３０
ｎ Ｉ ＸＩＯ” １３０１．５６ ｎ
Ｉ ＸＩＯ” ８０ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡ
ｓを４対繰り返１．３０ ｎ Ｉ ＸＩＯ”
３００第４図参照 第１のクラッド層４は４ａ、 ４ｂの２層からなる。
ｎ Ｉ ＸＩＯ” １３０１．５６ ｎ
Ｉ ＸＩＯ” ８０ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡ
ｓを４対繰り返１．３０ ｎ Ｉ ＸＩＯ”
３００第４図参照 第１のクラッド層４は４ａ、 ４ｂの２層からなる。
各層の諸元は次の如くである。
第５図参照
キャップ層５は５ａ、 ５ｂの２層からなる。各層の諸
元は次の如くである。
元は次の如くである。
符号 材料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ５ａ
ＩｎＧａＡｓＰ １．４０ Ｔ） ５ ＸＩＯ
”（Ｚｎ） ０．１０５ｂ ＩｎＰ Ｏ，９
２ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．１５第２図乃至
第５図において。
ＩｎＧａＡｓＰ １．４０ Ｔ） ５ ＸＩＯ
”（Ｚｎ） ０．１０５ｂ ＩｎＰ Ｏ，９
２ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．１５第２図乃至
第５図において。
ＰＬ：組成の波長換算（単位はμｍ）。
型：伝導型の別（ｐまたはｎ）
キャリア濃度二単位はｃｍ−”、括弧はドーパント。
厚さ：単位はμｍ、ただし、活性層は人。
である。
第１図（ｂ）参照
キャップ層５上にストライプ状の５ｉｎ２マスク６を形
成し２メサエツチングを行う。
成し２メサエツチングを行う。
第１図（ｃ）参照
メサの側面を埋め込んで、電流ブロック層７を形成する
。電流ブロック層７は７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、 ７ｄの
４層からなり、４８０℃の液相成長で形成する。各層の
材料、厚さ等は次の如くである。
。電流ブロック層７は７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、 ７ｄの
４層からなり、４８０℃の液相成長で形成する。各層の
材料、厚さ等は次の如くである。
符号 材料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ７ａ
ＩｎＰ Ｏ，９２Ｐ ２ ＸＩＯ”（Ｚｎ
） ０．２７ｂ ＩｎＰ Ｏ，９２Ｔ）
５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．６７ｃ ＩｎＰ
Ｏ，９２ｎ ３ ＸＩＯ”（Ｔｅ） ０．６７ｄ
ＩｎＰ Ｏ，９２Ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ
） ０．４第１図（ｄ）参照 マスク６とキャップ層５を除去し、第１のクラッド層４
上に第２のクラッド層８．コンタクト層９を４８０℃の
液相成長で形成する。各層の材料。
ＩｎＰ Ｏ，９２Ｐ ２ ＸＩＯ”（Ｚｎ
） ０．２７ｂ ＩｎＰ Ｏ，９２Ｔ）
５ ＸＩＯ”（Ｚｎ） ０．６７ｃ ＩｎＰ
Ｏ，９２ｎ ３ ＸＩＯ”（Ｔｅ） ０．６７ｄ
ＩｎＰ Ｏ，９２Ｐ ５ ＸＩＯ”（Ｚｎ
） ０．４第１図（ｄ）参照 マスク６とキャップ層５を除去し、第１のクラッド層４
上に第２のクラッド層８．コンタクト層９を４８０℃の
液相成長で形成する。各層の材料。
厚さ等は次の如くである。
符号 材料 ＰＬ 型 キャリア濃度 厚さ８
１ｎＰ Ｏ，９２ｐ２ ＸＩＯ”（Ｚｎ） １
．０９ ＩｎＧａＡｓ １．６６１） Ｉ ＸＩ
Ｏ”（Ｚｎ） ０．５第１図（ｃ）、 （ｄ）におい
て。
１ｎＰ Ｏ，９２ｐ２ ＸＩＯ”（Ｚｎ） １
．０９ ＩｎＧａＡｓ １．６６１） Ｉ ＸＩ
Ｏ”（Ｚｎ） ０．５第１図（ｃ）、 （ｄ）におい
て。
ＰＬ二組成の波長換算（単位はμｍ）。
型：伝導型の別（ｐまたはｎ）。
キャリア濃度二単位はｃ１３．括弧はドーパント。
厚さ：単位はμｍ
である。
このようにして、厚さ０．５ μｍのコンタクト層を多
重量子井戸構造を損なうことなく形成することができた
。
重量子井戸構造を損なうことなく形成することができた
。
第６図はＧａ−Ｉｎ−Ａｓ系の液相線を示す。この図は
例として４７０℃と４８０℃の液相線を示しており。
例として４７０℃と４８０℃の液相線を示しており。
この図からＧａＩｎＡｓのコンタクト層を成長する時の
液相の組成と成長温度をきめることができる。
液相の組成と成長温度をきめることができる。
第７図はＧａ１ｎＡｓの成長時間と成長膜厚の関係を示
す。Ｇａ１ｎＡｓはＩｎＰとは若干の格子不整をもち。
す。Ｇａ１ｎＡｓはＩｎＰとは若干の格子不整をもち。
完全平衡状態を保つものでないが、 ＩｎＰの上に成長
できることを確認した。
できることを確認した。
第７図は液相線が４７０℃の組成の液相からＩｎＰの上
にＧａ１ｎＡｓを４６５℃（過冷却度５℃）で成長した
例であり、この図から成長温度Ｔｇを４６５℃２成長温
度３０秒で約０．５μｍ厚のＧａ１ｎＡｓのコンタクト
層をＩｎＰの上に形成できることがわかる。
にＧａ１ｎＡｓを４６５℃（過冷却度５℃）で成長した
例であり、この図から成長温度Ｔｇを４６５℃２成長温
度３０秒で約０．５μｍ厚のＧａ１ｎＡｓのコンタクト
層をＩｎＰの上に形成できることがわかる。
多重量子井戸構造の界面が、熱処理のｔｖ族元素の相互
拡散により、どの程度熱変成しているかをＰＬ波長の測
定から評価した。
拡散により、どの程度熱変成しているかをＰＬ波長の測
定から評価した。
第１図（ａ）に示した工程直後の多重量子井戸構造のＰ
Ｌ波長は１．４７４ ｐ ｍで、第１図（ｄ）に示した
コンタクト層形成後のＰＬ波長は１．４７３μｍであり
、はとんど変化のないことがわかった。
Ｌ波長は１．４７４ ｐ ｍで、第１図（ｄ）に示した
コンタクト層形成後のＰＬ波長は１．４７３μｍであり
、はとんど変化のないことがわかった。
比較のため、従来の多重量子井戸構造の熱処理後のＰＬ
波長の変化の例を下に示す。
波長の変化の例を下に示す。
熱処理条件 熱処理後 熱処理前６４０″Ｃ，
１ｈ １．４３０ μｍ １．４６４ μｍ６
００ ：Ｃ，１ｈ １．４４４ ｕｍ １．４
６６ ｔｔｍ５００″Ｃ，２ｈ １．４６０ ｕｍ
１．４６５ ｕｍ実施例を従来例と比較して見る
とき、実施例ではＶ族元素の相互拡散による多重量子井
戸構造の界面熱変成は無視できて、量子効果の発揮され
る半導体レーザが得られることがわかる。
１ｈ １．４３０ μｍ １．４６４ μｍ６
００ ：Ｃ，１ｈ １．４４４ ｕｍ １．４
６６ ｔｔｍ５００″Ｃ，２ｈ １．４６０ ｕｍ
１．４６５ ｕｍ実施例を従来例と比較して見る
とき、実施例ではＶ族元素の相互拡散による多重量子井
戸構造の界面熱変成は無視できて、量子効果の発揮され
る半導体レーザが得られることがわかる。
しかし１本発明においても成長温度が５５０℃を超える
と、量子井戸構造を損なわずにＴｎＧａＡｓ ３元系の
コンタクト層を形成することが困難となる。
と、量子井戸構造を損なわずにＴｎＧａＡｓ ３元系の
コンタクト層を形成することが困難となる。
なお、実施例は半導体レーザについて説明したが２本発
明は量子井戸構造を有するその他の光半導体装置９例え
ば波長変換器等にも使用できることは勿論である。
明は量子井戸構造を有するその他の光半導体装置９例え
ば波長変換器等にも使用できることは勿論である。
（発明の効果〕
以上説明したように１本発明によれば、量子井戸構造の
活性層を含む化合物半導体素子に対して。
活性層を含む化合物半導体素子に対して。
低温成長によるＧａ１ｎＡｓコンタクト層を形成するこ
とによって、量子井戸構造の特性を損なわずに量子効果
を十分活用できるようにすることができる。
とによって、量子井戸構造の特性を損なわずに量子効果
を十分活用できるようにすることができる。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は実施例を説明するための図で
製造工程を示す断面図。 第２図はガイド層の構造を説明するための図。 第３図は活性層の構造を説明するための図。 第４図は第１のクラッド層の構造を説明するための図。 第５図はキャップ層の構造を説明するための図。 第６図はＧａ−Ｉｎ−Ａｓ系の液相線を示す図。 第７図は成長時間と成長膜厚の関係を示す図である。 図において。 １は半導体基板 ２、２ａ、 ２ｂはガイド層。 ３、３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｓ、 ３ｔは活性層。 ４、４ａ、 ４ｂはクラッド層であって第１のクラッド
層。 ５、５ａ、 ５ｂはキャップ層。 ６はタスク。 ７、７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、 ７ｄは電流ブロック層。 ８はクラッド層であって第２のクラッド層。 ９はコンタクト層 （１）） 活性層の構伍 第３ 図 （Ｃ） 第１のクラ、臼１の溝這 第 ４ 図 Ｎタフ１層の嘴ε 第 ５ 図 （ｄ） ￥ 胤 砕Ｉ 男 １ 図 Ａｓの組成 爪表時間 （ｅ） 爪１長時間と成長膜厚の関係 第 図
製造工程を示す断面図。 第２図はガイド層の構造を説明するための図。 第３図は活性層の構造を説明するための図。 第４図は第１のクラッド層の構造を説明するための図。 第５図はキャップ層の構造を説明するための図。 第６図はＧａ−Ｉｎ−Ａｓ系の液相線を示す図。 第７図は成長時間と成長膜厚の関係を示す図である。 図において。 １は半導体基板 ２、２ａ、 ２ｂはガイド層。 ３、３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｓ、 ３ｔは活性層。 ４、４ａ、 ４ｂはクラッド層であって第１のクラッド
層。 ５、５ａ、 ５ｂはキャップ層。 ６はタスク。 ７、７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、 ７ｄは電流ブロック層。 ８はクラッド層であって第２のクラッド層。 ９はコンタクト層 （１）） 活性層の構伍 第３ 図 （Ｃ） 第１のクラ、臼１の溝這 第 ４ 図 Ｎタフ１層の嘴ε 第 ５ 図 （ｄ） ￥ 胤 砕Ｉ 男 １ 図 Ａｓの組成 爪表時間 （ｅ） 爪１長時間と成長膜厚の関係 第 図
Claims (1)
- 量子井戸構造を有する活性層（３）を埋め込んだ後、該
活性層（３）の上部にＩｎＰのクラッド層（８）とＧａ
ＩｎＡｓのコンタクト層（９）を順次、５５０℃以下の
液相成長により形成することを特徴とする光半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6911190A JPH03268473A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6911190A JPH03268473A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268473A true JPH03268473A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13393193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6911190A Pending JPH03268473A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268473A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6911190A patent/JPH03268473A/ja active Pending
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