JPH03268501A

JPH03268501A - 無反射終端器

Info

Publication number: JPH03268501A
Application number: JP6694690A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Ikeda; 豊池田; Hitoshi Tomita; 富田　均; Takushi Kunimoto; 國本　琢司
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1990-03-19
Filing date: 1990-03-19
Publication date: 1991-11-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明はマイクロ波集積回路におけるストリップライ
ンの終端に用いられる無反射終端器の改良に関する。

（従来の技術）マイクロ波集積回路用の無反射終端器の従来の代表的な
構成例を第３図に示している。第３図（Ａ）はショート
型無反射終端器であり、裏面に接地導体膜１が形成され
た誘電体基板２と、この基板２の表面に長方形状にパタ
ーン形成された抵抗体膜３と、この抵抗体膜３の一端部
に接合した状態で基板表面に帯状にパターン形成された
ストリップライン導体膜４と、抵抗体膜３の他端部と接
地導体膜１とを接続するように基板２の表裏にわたって
帯状に形成されたショート導体膜５とを備えている。シ
ョート導体膜５の幅はストリップライン導体膜４の幅よ
りも少し大きく形成されているのか普通である。他のマ
イクロ波回路のストリップラインが前記ストリップライ
ン導体膜４に接続され、ここに加えられる入射波のエネ
ルギーが抵抗体３で吸収される。

第３図（Ｂ）（Ｃ）はオーブンスタブ型と称される無反
射終端器である。（Ａ）のショート型では抵抗体３の他
端部がショート導体膜５を介して直流的に接地導体膜１
に接続されている。これに対してオーブンスタブ型では
、ショート導体膜５はなく、代わりに抵抗体膜３の他端
部に接合した状態でスタブ導体膜６を基板表面にパター
ン形成したものである。スタブ導体膜６の幅ａはストリ
ップライン導体膜４の幅よりも充分大きく、長さｂは使
用する波長の１／４に設定する。第３図（Ｂ）ではスタ
ブ導体膜６は長方形状に形成され、（Ｃ）の例ではスタ
ブ導体は半円状に形成されている。

オーブンスタブ型では抵抗体膜３の他端側はスタブ導体
膜６を介して接地導体膜１にキャパシタンス結合するこ
とになる。

（発明が解決しようとする課題）従来のショート型およびオーブンスタブ型無反射終端器
の電圧定在波比の周波数特性を第４図に示している。シ
ョート型終端器では抵抗体膜３の他端側をショート導体
膜５で直流的に接地導体膜１に接続しているので、低周
波はど定在波比は小さい。しかしショート導体膜５かイ
ンダクタンス成分を持つことから、周波数が高くなるほ
と定在波比が悪化し、一般的な素子では８ＧＨｚ程度か
限界で、それ以上の高周波域で充分な定在波比を実現す
ることが難しい。

オーブンスタブ型ではスタブ導体膜６を介して交流的に
接地導体膜１と結合しているのて、スタブ導体膜６の寸
法で決まる特定の周波数帯域（使用周波数帯域）で定在
波比か充分に小さくなる。

しかしその使用周波数帯域より低い周波数領域では定在
波比が急増し、無反射終端器としては全く機能しない。

そのためマイクロ波回路内に低周波バイアスなどを印加
した場合、その低周波成分について無反射終端機能かな
いためにノイズか発生する場合がある。

この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、設定した使用周波数帯域で充分小さな定
在波比が得られるとともに、その帯域よりもずっと低い
周波数帯域でもショート型と同様な充分小さな定在波比
が得られるようにした無反射終端器を提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段）この発明に係る無反射終端器は、裏面に接地導体膜が形
成された誘電体基板と、この基板表面にパターン形成さ
れた抵抗体膜と、この抵抗体膜の一端部に接合した状態
で前記基板表面にパターン形成されたストリップライン
導体膜と、前記抵抗体膜の他端部に接合した状態で前記
基板表面にパターン形成され、前記ストリップライン導
体膜の幅よりも大きな幅のスタブ導体膜と、このスタブ
導体膜の一部と前記接地導体膜とを接続するように前記
基板の表裏にわたって形成され、前記ストリップ導体膜
よりも小さな幅のショート導体とを備えたものである。

（作　用）前記抵抗体膜の他端側は前記スタブ導体膜を介して交流
的に接地導体膜と結合しているとともに、前記ショート
導体を介して接地導体膜と直流的にも結合している。

（実施例）第１図（Ａ）’　　（Ｂ）（Ｃ）は本発明による無反射
終端器の３つの例を示している。ここで接地導体膜１、
誘電体基板２、抵抗体膜３、ストリップライン導体膜４
の構成は先に説明した従来と同じである。

第１図（Ａ）の実施例では、抵抗体膜３の他端部に接合
した状態で幅Ｃ１長さｄの大きな長方形状のスタブ導体
膜６０を基板表面にパターン形成しているとともに、ス
タブ導体膜６０と抵抗体膜３との接合辺と反対側の辺の
中央部に連続した状態で幅ｅの細い帯状のショート導体
膜５０を基板２の表裏にわたってパターン形成し、ショ
ート導体膜５０を接地導体膜１に接続している。図のよ
うにスタブ導体膜６０の幅はストリップライン導体膜４
よりも充分に大きく、またショート導体膜５０の幅ｅは
ストリップライン導体膜４より小さい。またスタブ導体
膜６０の長さｄおよびショート導体膜５０の幅ｅは使用
周波数帯域に合わせて適宜に設定する。

このように構成した本発明の無反射終端器の特性を第２
図に示している。抵抗体膜３はスタブ導体膜６０とショ
ート導体膜５０を介して直流的に接地導体膜１に接続さ
れているので、低周波領域では従来のショート型終端器
と同様に電圧定在波比は充分に小さい。また大面積のス
タブ導体膜６０を介して抵抗体膜３の他端側は交流的に
も接地導体膜１に結合しているので、所定の使用周波数
帯域で従来のオーブンスタブ型終端器と同様な共振特性
を示し、そこでの定在波比は充分小さくなる。ただし、
スタブ導体膜６０によるキャパシタンス成分とショート
導体膜５０によるインダクタンス成分との共振特性によ
り、使用周波数帯域から少し低い周波数領域で定在波比
が急激に大きくなる（ただしこれより周波数が低いと前
述のように直流結合による特性が支配的になり、定在波
比は充分に小さくなる）。

第１図（Ｂ）の実施例ではスタブ導体膜６０を半円形に
形成している。この無反射終端器での使用周波数帯域で
の特性はスタブ導体膜６０の幅、長さ、形状によって変
化するとともに、それに組合わされるショート導体膜５
０の幅によっても変化する。

第２図（Ｃ）の実施例ではスタブ導体膜６０と接地導体
膜１とを基板２を貫通するスルーホール接続によりショ
ート導体５１でもって接続したものである。

（発明の効果）以上詳細に説明したように、この発明に係る無反射終端
器では、終端抵抗である抵抗体膜の端部をスタブ導体膜
で交流的に接地導体膜と結合するとともに、ショート導
体膜でもって直流的に接地導体膜に結合したので、使用
周波数帯域では主に交流結合による低い定在波比特性が
得られ、直流までの低周波領域では直流結合による低い
定在波比特性が得られる。したがって使用周波数信号に
対して低周波バイアスなどを印加するようなマイクロ波
回路においても、その低周波数バイアス成分も良好に終
端されてノイズの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による無反射終端器の３つの実施例を示
す斜視図、第２図は本発明の無反射終端器の周波数特性
図、第３図は従来の無反射終端器の３つの例を示す斜視
図、第４図は従来の無反射終端器の周波数特性図である
。第２ｒｇ１・・・接地導体膜２・・・誘電体基板３・・・抵抗体膜４・・・ストリップライン導体膜５・・・ショート導体膜６・・・スタブ導体膜５０・・・ショート導体膜６０・・・スタブ導体膜５１・・・スルーホール接続によるショート導体ＦＲＥ
Ｑ（ＧＨｚ）第４区

Claims

【特許請求の範囲】

　裏面に接地導体膜が形成された誘電体基板と、この基
板表面にパターン形成された抵抗体膜と、この抵抗体膜
の一端部に接合した状態で前記基板表面にパターン形成
されたストリップライン導体膜と、前記抵抗体膜の他端
部に接合した状態で前記基板表面にパターン形成され、
前記ストリップライン導体膜の幅よりも大きな幅のスタ
ブ導体膜と、このスタブ導体膜の一部と前記接地導体膜
とを接続するように前記基板の表裏にわたって形成され
、前記ストリップ導体膜よりも小さな幅のショート導体
とを備えたことを特徴とする無反射終端器。