JPH03272840A - 超電導物品の製造方法 - Google Patents
超電導物品の製造方法Info
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- JPH03272840A JPH03272840A JP2072472A JP7247290A JPH03272840A JP H03272840 A JPH03272840 A JP H03272840A JP 2072472 A JP2072472 A JP 2072472A JP 7247290 A JP7247290 A JP 7247290A JP H03272840 A JPH03272840 A JP H03272840A
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- Japan
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- superconducting
- mixture
- superconducting film
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超電導物品の製造方法、特に、高い臨界電
流密度(以下、単にJcという)を得ることができる、
超電導物品の製造方法に関するものである。
流密度(以下、単にJcという)を得ることができる、
超電導物品の製造方法に関するものである。
超電導材は、粒子加速器、医療診断器具等において、超
電導磁石の形で既に実用化されている。
電導磁石の形で既に実用化されている。
また、超電導材は、発電機、エネルギー貯蔵装置リニア
モーターカー、磁気選別機、核融合炉、送電ケーブル、
磁気遮蔽器等への応用が期待されている。夏に、ジョセ
フソン効果を利用した超電導素子は、超高速フンビュー
ター、赤外線センサ、低雑音増幅器等への応用が期待さ
れており、これらが本格的に実用化された場合の産業的
、社会的インパクトの大きさは、未だ測りがたい1、こ
れまでに開発された超電導材の代表的なものの1つとし
て、N b−T を合金がある。これは、現在、磁界発
生用線材として広く実用に供されている。Nb−Ti合
金の臨界温度、即ち、超電導状態が生じる臨界温度(以
下、単にTeという)は、9にである。また、Nb−T
i合金よりも格段に高いTeを有する超電導材として化
合物系超電導材が開発され、現在、Nb、5n(Te
: 18K>とV*Ga(Te:15K>が線材化さ
れ実用に供せられている。
モーターカー、磁気選別機、核融合炉、送電ケーブル、
磁気遮蔽器等への応用が期待されている。夏に、ジョセ
フソン効果を利用した超電導素子は、超高速フンビュー
ター、赤外線センサ、低雑音増幅器等への応用が期待さ
れており、これらが本格的に実用化された場合の産業的
、社会的インパクトの大きさは、未だ測りがたい1、こ
れまでに開発された超電導材の代表的なものの1つとし
て、N b−T を合金がある。これは、現在、磁界発
生用線材として広く実用に供されている。Nb−Ti合
金の臨界温度、即ち、超電導状態が生じる臨界温度(以
下、単にTeという)は、9にである。また、Nb−T
i合金よりも格段に高いTeを有する超電導材として化
合物系超電導材が開発され、現在、Nb、5n(Te
: 18K>とV*Ga(Te:15K>が線材化さ
れ実用に供せられている。
近年、L述した、合金系および化合物系の超電導材より
もさらに高いT cを有する超電導材として、CuvO
y基を含む複合酸化物超電導材が開発された。例えば、
Y−Ba−Cu系の超電iJi祠のTeは、約93にで
ある。液体窒素の温度は、77にであるから、複合酸化
物超電導材については、液体ヘリウムより安価な液体窒
素を冷却祠サシ、て使用することができる。液体窒素温
度で使用可能な高温超電導材料の発見は、前述し、た応
用分野への期待度をますまず高めるものであるが、実際
の応用化に当たっては、超ml導材を皮膜化および練絹
化4−ることは勿論、このようへ超電導物品の、J c
をいかにして高めるかが問題となる。
もさらに高いT cを有する超電導材として、CuvO
y基を含む複合酸化物超電導材が開発された。例えば、
Y−Ba−Cu系の超電iJi祠のTeは、約93にで
ある。液体窒素の温度は、77にであるから、複合酸化
物超電導材については、液体ヘリウムより安価な液体窒
素を冷却祠サシ、て使用することができる。液体窒素温
度で使用可能な高温超電導材料の発見は、前述し、た応
用分野への期待度をますまず高めるものであるが、実際
の応用化に当たっては、超ml導材を皮膜化および練絹
化4−ることは勿論、このようへ超電導物品の、J c
をいかにして高めるかが問題となる。
、Jcを高くするには、超i[沸皮膜の組織を緻密にし
、且つ、超電導皮膜を超電導相単相にする必要がある。
、且つ、超電導皮膜を超電導相単相にする必要がある。
従来、上述した目的を達成するために、以下に述べる超
電導物品の製造方法が、1988年8月に発行されたr
JAPANEAsE JOllRNAL OF APP
L[ED PHYSICSJ VOL、27、k8
PP l、+501−1)503 (以下、先行技術と
いう)に開示されでいる。以F、先行技術を図面を参照
しながら説明する。
電導物品の製造方法が、1988年8月に発行されたr
JAPANEAsE JOllRNAL OF APP
L[ED PHYSICSJ VOL、27、k8
PP l、+501−1)503 (以下、先行技術と
いう)に開示されでいる。以F、先行技術を図面を参照
しながら説明する。
第4図および第5図は、先行技術の、超電導物品の製造
方法の工程図である。
方法の工程図である。
先づ、粉末焼結法によって、Y、BaCuO3からなる
第1層(バルク状の基材)を形成する。次いで、Baと
Cuとの割合がモル比で3対5となるように、れC0,
とCuOとを混合して、第2層用原料を調製する、次い
で、第2層用原料を800°Cの温度で24時間加熱し
、次いで、900℃の温度で24時間、再度、加熱する
。次いで、このように熱処理を施した第2層用原料を粉
砕す′る。次いで、第4図に示すように、第2層用原料
の粉末を第1層1の表面上に塗布して、第1層1の表面
上に第2層2を形成する。次いで、第2層2を930か
ら950℃の温度で1から24時間加熱して、溶融させ
る。第2層2が溶融すると、第2層2の融液が第1層l
中に浸透して、前記融液と第1層lのY2BaCuOx
が反応する。この結果、第5図に示すように、未反応の
第1層1上にYBa、CuJ、からなる超電導皮膜3が
形成される。。
第1層(バルク状の基材)を形成する。次いで、Baと
Cuとの割合がモル比で3対5となるように、れC0,
とCuOとを混合して、第2層用原料を調製する、次い
で、第2層用原料を800°Cの温度で24時間加熱し
、次いで、900℃の温度で24時間、再度、加熱する
。次いで、このように熱処理を施した第2層用原料を粉
砕す′る。次いで、第4図に示すように、第2層用原料
の粉末を第1層1の表面上に塗布して、第1層1の表面
上に第2層2を形成する。次いで、第2層2を930か
ら950℃の温度で1から24時間加熱して、溶融させ
る。第2層2が溶融すると、第2層2の融液が第1層l
中に浸透して、前記融液と第1層lのY2BaCuOx
が反応する。この結果、第5図に示すように、未反応の
第1層1上にYBa、CuJ、からなる超電導皮膜3が
形成される。。
上記超電導皮膜3は、その組織か緻密で且−)超電導相
単相からな、っ〔いる。往っで、このように(5て製造
1.た超電導物品は、高いJ cを有する。
単相からな、っ〔いる。往っで、このように(5て製造
1.た超電導物品は、高いJ cを有する。
(発明が解決しよ・)とイる課題1
しかしなから、上述した先行技術は、次のよ・うな問題
を有している。
を有している。
■ 第2層2が溶融しで、超電導皮膜3か形成される際
に、超電導皮膜3に割れか1)じる。これは、第1層1
を構成する Y、BaCuO1第2層2の融液と反応す
ると、第1層lの体積か膨張するため、および、第1層
iの熱膨張率と超電導皮膜3の熱膨張率とに差があるた
めである。
に、超電導皮膜3に割れか1)じる。これは、第1層1
を構成する Y、BaCuO1第2層2の融液と反応す
ると、第1層lの体積か膨張するため、および、第1層
iの熱膨張率と超電導皮膜3の熱膨張率とに差があるた
めである。
■ 基材上に超電導皮膜を形成するために、前記基材上
に第1層lおよび第2層2を形成する場合、少なくとも
表面部分が銀からな一層でいる基材を使用イるのが好ま
しい。これは、銀は、超電導皮膜3を構成するYBa2
Cu、、0.と反応しに<<、良好な超電導特性を有す
る超電導皮膜3が得られるからである。しかし、銀の融
点は、第2層2の融点に近いので、基材として銀を使用
することができない。
に第1層lおよび第2層2を形成する場合、少なくとも
表面部分が銀からな一層でいる基材を使用イるのが好ま
しい。これは、銀は、超電導皮膜3を構成するYBa2
Cu、、0.と反応しに<<、良好な超電導特性を有す
る超電導皮膜3が得られるからである。しかし、銀の融
点は、第2層2の融点に近いので、基材として銀を使用
することができない。
この発明は、少なくとも表面部分が銀からなっている基
材の表面上に、Ln28aCuO,およびLnBa 2
CosO5の混合物からなる第1層を形成し、次いで、
前記第1層の表面上に、加熱されることにより、前記第
1層の一部を構成する前記LnJaCuO,と反応して
、LnBa2Cu3Ox生成される成分組成からなる第
2層を形成しく但し、Lnは、Yおよび希土類元素を表
す)、次いで、前記第2層を、oolから20%の酸素
含有雰囲気中で加熱して溶融させ、次いで、前記第2層
に、20%以上の酸素含有雰囲気中で熱処理を施し、か
くして、前記基材の表面上に、LnBa2CusO9か
らなる超電導皮膜を形成することに特徴を有するもので
ある。
材の表面上に、Ln28aCuO,およびLnBa 2
CosO5の混合物からなる第1層を形成し、次いで、
前記第1層の表面上に、加熱されることにより、前記第
1層の一部を構成する前記LnJaCuO,と反応して
、LnBa2Cu3Ox生成される成分組成からなる第
2層を形成しく但し、Lnは、Yおよび希土類元素を表
す)、次いで、前記第2層を、oolから20%の酸素
含有雰囲気中で加熱して溶融させ、次いで、前記第2層
に、20%以上の酸素含有雰囲気中で熱処理を施し、か
くして、前記基材の表面上に、LnBa2CusO9か
らなる超電導皮膜を形成することに特徴を有するもので
ある。
次に、この発明の、超電導物品の製造方法の一実施態様
を、図面を参照しながら説明する。
を、図面を参照しながら説明する。
第1図から第3図は、この発明の、超電導物品の製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
第1図に示すように、少なくとも表面部分が銀からなっ
ている基材4の表面上に、LnzBaCuO,およびL
nBazCusO,混合物からなり、前記混合物中のL
n、BaCuOにの割合がモル比で5から80%の第1
層5を、プラズマ溶射法等によって形成する。
ている基材4の表面上に、LnzBaCuO,およびL
nBazCusO,混合物からなり、前記混合物中のL
n、BaCuOにの割合がモル比で5から80%の第1
層5を、プラズマ溶射法等によって形成する。
基材4として、少なくとも表面部分が銀からなっている
ものを使用したのは、前述したように、銀は、YBa、
Cu!0.からなる超電導皮膜と反応しにくいからであ
る。
ものを使用したのは、前述したように、銀は、YBa、
Cu!0.からなる超電導皮膜と反応しにくいからであ
る。
前記混合物中のLn2BaCuO1の割合を、5から8
゜Vol、%の範囲内に限定したのは、次の理由による
。即ち、Ln2BzCuO,の割合が5νof、 X未
満では、後述するように、第1層5に浸透した第2層の
融液に対して十分な量のLn、BaCu0kが第1層5
中に存在しないために、未反応のが超電導皮膜中に残存
して、超電導皮膜の超電導特性が悪くなる。−方、Ln
JxCuO,の割合が80Vol.%を超えると、Ln
、BxCuO,の割合が多すぎるために、前述したよう
に、LnBa2Co、0.とLnzBgCuO,との熱
膨張率の違いにより、超電導皮膜に割れが生じるからで
ある。ここで、Lnは、Yおよび希土類元素を表す。
゜Vol、%の範囲内に限定したのは、次の理由による
。即ち、Ln2BzCuO,の割合が5νof、 X未
満では、後述するように、第1層5に浸透した第2層の
融液に対して十分な量のLn、BaCu0kが第1層5
中に存在しないために、未反応のが超電導皮膜中に残存
して、超電導皮膜の超電導特性が悪くなる。−方、Ln
JxCuO,の割合が80Vol.%を超えると、Ln
、BxCuO,の割合が多すぎるために、前述したよう
に、LnBa2Co、0.とLnzBgCuO,との熱
膨張率の違いにより、超電導皮膜に割れが生じるからで
ある。ここで、Lnは、Yおよび希土類元素を表す。
次いで、第2図に示すように、第1層5の表面上に、第
1層5の一部を構成するLn2BaCuOxと反応して
LnBa2Cu、0.が生成される成分組成を有する第
2層6を、プラズマ溶射法等によって形成する。第2層
6は、次のような成分組成からなっている。即ち、Cu
の酸化物およびBaの酸化物の混合物からなり、前記混
合物中のCuとBaとの割合は、モル比で、Cu :
Ba = 1 :O,]がら0.95であるか、また
は、Cuの酸化物、Baの酸化物およびYの酸化物の混
合物からなり、前記混合物中のCuとDaとYとの割合
は、モル比で、Cu : Ba : Y= I :
Q、Iから0.95 : 0.001から0、330で
ある。
1層5の一部を構成するLn2BaCuOxと反応して
LnBa2Cu、0.が生成される成分組成を有する第
2層6を、プラズマ溶射法等によって形成する。第2層
6は、次のような成分組成からなっている。即ち、Cu
の酸化物およびBaの酸化物の混合物からなり、前記混
合物中のCuとBaとの割合は、モル比で、Cu :
Ba = 1 :O,]がら0.95であるか、また
は、Cuの酸化物、Baの酸化物およびYの酸化物の混
合物からなり、前記混合物中のCuとDaとYとの割合
は、モル比で、Cu : Ba : Y= I :
Q、Iから0.95 : 0.001から0、330で
ある。
次いで、第2層6を0.01から20%の酸素含有雰囲
気中で加熱して溶融させる。第2層6が溶融すると、そ
の融液が第1層5中に浸透する。前記融液は、第1層5
の一部を構成するLn2BaCuOxと反応して、第3
図に示すように、基材4の表面上にLnBatCu、0
.からなる超電導皮膜7が形成される。
気中で加熱して溶融させる。第2層6が溶融すると、そ
の融液が第1層5中に浸透する。前記融液は、第1層5
の一部を構成するLn2BaCuOxと反応して、第3
図に示すように、基材4の表面上にLnBatCu、0
.からなる超電導皮膜7が形成される。
第2層6の加熱雰囲気の酸素含有量を0.Olから20
Xの範囲に限定したのは、次の理由による。即ち、第2
層6の加熱雰囲気の酸素含有量が少ない程、第2層6の
融点が下がり、基材4の溶融を防止できる。しかし、酸
素含有量が0.01%未満では、第2層6の融液と第1
層5の一部を構成するLnJaCuO,とが反応して生
成される LnBazC++sO。
Xの範囲に限定したのは、次の理由による。即ち、第2
層6の加熱雰囲気の酸素含有量が少ない程、第2層6の
融点が下がり、基材4の溶融を防止できる。しかし、酸
素含有量が0.01%未満では、第2層6の融液と第1
層5の一部を構成するLnJaCuO,とが反応して生
成される LnBazC++sO。
が分解して、超電導皮膜が形成されない。一方、酸素含
有量が20%を超えると、第2層6の融点は上昇して銀
の融点に近づき、基材4の表面部分の銀が溶融する虞れ
が生じる。従って、第2層6の加熱雰囲気の酸素含有量
は、0.01から20%の範囲に限定すべきである。
有量が20%を超えると、第2層6の融点は上昇して銀
の融点に近づき、基材4の表面部分の銀が溶融する虞れ
が生じる。従って、第2層6の加熱雰囲気の酸素含有量
は、0.01から20%の範囲に限定すべきである。
このようにして形成された超電導皮膜7に、割れは生じ
にくい。これは、次の理由による。即ち、第1層5に超
電導皮膜7を構成するLnBi、Cu。
にくい。これは、次の理由による。即ち、第1層5に超
電導皮膜7を構成するLnBi、Cu。
0、が予め含まれているので、第1層5中のLn、−B
aCuO,が第2層6の融液と反応する際の第1層5の
体積膨張率が減少し且つ第1層5の熱膨張率と超電導皮
膜7の熱膨張率との差が小さくなるノ。
aCuO,が第2層6の融液と反応する際の第1層5の
体積膨張率が減少し且つ第1層5の熱膨張率と超電導皮
膜7の熱膨張率との差が小さくなるノ。
めである。
次いで、このようにして生成された、LnBa2Cu。
0、からなる超電導皮膜゛lに酸素含有雰囲気中で熱処
理を施す。これは、次の理南による。即ち、1!2M1
0に、上達)7た低酸素含有雰囲気中で熱処理を施すと
、超電導皮膜7に酸素欠損が生じて、超電導皮膜7の超
1!導特性が悪くなる。従って、超電導度1)I7の超
電導特性を向上させるために、20%以上の高酸集金を
雰囲気中で超電導皮膜7に熱処理を施すべきである。
理を施す。これは、次の理南による。即ち、1!2M1
0に、上達)7た低酸素含有雰囲気中で熱処理を施すと
、超電導皮膜7に酸素欠損が生じて、超電導皮膜7の超
1!導特性が悪くなる。従って、超電導度1)I7の超
電導特性を向上させるために、20%以上の高酸集金を
雰囲気中で超電導皮膜7に熱処理を施すべきである。
次に、この・発明的、超電導物品の製造方法を実施例に
よって更に詳細に説明ず゛る。
よって更に詳細に説明ず゛る。
実施例I
YとBaとCuとの割合がモル比で3対3刻4となるよ
うに、Y2O5とB1C0a とCuOとをそれぞれ混
合したものからなる第1層用原料を、900℃f)温度
で10時間1次焼成し、粉砕した。次いで、この1次焼
成し、粉砕した原料を、920℃の温度で10時間2次
焼成し、粉砕した。次いで、この2次焼成(2、粉砕(
5た原料を、950 ”Cの温顔73次焼成し2、粉砕
(1,26から44μ船の平均粒径を有tも第1層用粉
末原料を調製し、た。こθ)よ・)にして調製(、た第
1FJ用粉末原利は、セル比で50X 0)Y2BaC
an、および50%のYBa2CuJ、からな−ぶてイ
fl。
うに、Y2O5とB1C0a とCuOとをそれぞれ混
合したものからなる第1層用原料を、900℃f)温度
で10時間1次焼成し、粉砕した。次いで、この1次焼
成し、粉砕した原料を、920℃の温度で10時間2次
焼成し、粉砕した。次いで、この2次焼成(2、粉砕(
5た原料を、950 ”Cの温顔73次焼成し2、粉砕
(1,26から44μ船の平均粒径を有tも第1層用粉
末原料を調製し、た。こθ)よ・)にして調製(、た第
1FJ用粉末原利は、セル比で50X 0)Y2BaC
an、および50%のYBa2CuJ、からな−ぶてイ
fl。
次に、B aとCoとの割合がモル比で1対2となるよ
−)ζご、 BaC0,(LCuOとをそ1)ぞれ混合
したものからなる第2層用原料を、900℃山温度で1
0時間1次焼成(7、粉砕(また。次いで、この1次焼
成し、粉砕した原料を、920 ”Cの温度で10時間
2次焼成し、粉砕した。次いで、この2次焼成し、粉砕
した原料を、950℃の温序で3次焼成し、粉砕し、2
6から44μmの平均粒径を有する第2履用粉末原料を
調製した。
−)ζご、 BaC0,(LCuOとをそ1)ぞれ混合
したものからなる第2層用原料を、900℃山温度で1
0時間1次焼成(7、粉砕(また。次いで、この1次焼
成し、粉砕した原料を、920 ”Cの温度で10時間
2次焼成し、粉砕した。次いで、この2次焼成し、粉砕
した原料を、950℃の温序で3次焼成し、粉砕し、2
6から44μmの平均粒径を有する第2履用粉末原料を
調製した。
次に、■積がlc!lの銅製基板の表面上に、Jlll
、紀第1層用粉末原料を、プラズマ溶射法によって吹き
付けて、基板の表面上に厚さ100μCの第iPaを形
成(7た。次いで、第1層の表面ユ、に、上記第2層用
粉末原料を、プラズマ溶射法によって吹き付けて、第1
層の表面14ご厚さ50μMの第2履を形成した。次い
で、このようにし°C第1層および第2層を形成(、た
基板を、酸素含有量が01%、残りがアルゴンガスの雰
囲気に維持【、た加熱炉に入れ、900℃の温度に30
飴間加熱(1,て、第2屓を溶融させた。次いで、基板
を純酸素雰囲気に維持した加熱炉に入れ、900℃の温
度に1時間加熱し、そして、徐冷した。
、紀第1層用粉末原料を、プラズマ溶射法によって吹き
付けて、基板の表面上に厚さ100μCの第iPaを形
成(7た。次いで、第1層の表面ユ、に、上記第2層用
粉末原料を、プラズマ溶射法によって吹き付けて、第1
層の表面14ご厚さ50μMの第2履を形成した。次い
で、このようにし°C第1層および第2層を形成(、た
基板を、酸素含有量が01%、残りがアルゴンガスの雰
囲気に維持【、た加熱炉に入れ、900℃の温度に30
飴間加熱(1,て、第2屓を溶融させた。次いで、基板
を純酸素雰囲気に維持した加熱炉に入れ、900℃の温
度に1時間加熱し、そして、徐冷した。
この結果、基板の表面上に“は、未反応の厚さ75μ首
の第1層を介し、で、YBa、Cu3Ozからなる厚さ
50μ櫛の超電導皮膜か形成された。基材の溶融は、全
く見られなか−)た。
の第1層を介し、で、YBa、Cu3Ozからなる厚さ
50μ櫛の超電導皮膜か形成された。基材の溶融は、全
く見られなか−)た。
このように(,1基板上に形成された超電導皮膜を観察
(7たところ、割り、 4−1生じておらず、その組織
は、緻密で且つ超電導相単相からなっていた。
(7たところ、割り、 4−1生じておらず、その組織
は、緻密で且つ超電導相単相からなっていた。
そ(7て、超電導皮膜の77Kにおける。Je測測定た
結果、4500A/−であり、極めτ高いJet得るこ
とができた。
結果、4500A/−であり、極めτ高いJet得るこ
とができた。
実施例2
YとBaとCoとの割合がモル比で3対3対4となるよ
うに、Y、0.とBaC01とCu口とをそれぞれ混合
[、たちのからなる第1層用原料苓、900℃σ)温度
で10時間1次焼成し、粉砕した。次いで1.″の1次
焼成(5、粉砕した原料を、920°Cの温度で10時
間2次焼成(2、粉砕した。次いで5.Xの?次焼成し
、粉砕した原料を、950°Cの温瑣で3次焼成(2、
粉砕し、26から44μmの平均粒径を有する第1)用
粉末原料イ・調製(、た。このJ、うにI2て調製I、
た第1)用粉末原料は、モル比で5096 +7) Y
2BaCub、才)よび50%σ)YBa2Cu、0.
からム−)でいた。
うに、Y、0.とBaC01とCu口とをそれぞれ混合
[、たちのからなる第1層用原料苓、900℃σ)温度
で10時間1次焼成し、粉砕した。次いで1.″の1次
焼成(5、粉砕した原料を、920°Cの温度で10時
間2次焼成(2、粉砕した。次いで5.Xの?次焼成し
、粉砕した原料を、950°Cの温瑣で3次焼成(2、
粉砕し、26から44μmの平均粒径を有する第1)用
粉末原料イ・調製(、た。このJ、うにI2て調製I、
た第1)用粉末原料は、モル比で5096 +7) Y
2BaCub、才)よび50%σ)YBa2Cu、0.
からム−)でいた。
次に、Yと13 aとCuとの割合かセル比でl対13
対26となるように、Y、0.とBaC0+ と(:
u (1とをそれぞれ混合したものからなる第2層用原
料を、900°Cの温度で10時間1次焼成i1、粉砕
し、た。次いで、ご091次焼成し、粉砕(7た原料を
、920℃の温度で10時間2次焼成し5、粉砕した。
対26となるように、Y、0.とBaC0+ と(:
u (1とをそれぞれ混合したものからなる第2層用原
料を、900°Cの温度で10時間1次焼成i1、粉砕
し、た。次いで、ご091次焼成し、粉砕(7た原料を
、920℃の温度で10時間2次焼成し5、粉砕した。
次いで、この2次焼成し、粉砕し5た原料を、950°
Cの温度で3次焼成し、粉砕し、26から44μMの平
均粒径を有する第2FJ用粉末原料を調製1.た。
Cの温度で3次焼成し、粉砕し、26から44μMの平
均粒径を有する第2FJ用粉末原料を調製1.た。
次に、面積がICUlfの銀製基板の表面上6ご、上記
第1層用粉末原料を、プラズマ溶射法によ−)て吹き付
けて、基板の表面上に厚さ100μ園の第1層を形成し
た。次いで、第1層の表面上に、上記第2層用粉末原料
を、プラズマ溶射法によって吹き付けて、第1層の表面
上に厚さ50μ■の第2層を形成した。次いで、このよ
うにして第1層および第2層を形成した基板を、酸素含
有量が77%、残りがアルゴンガスの雰囲気に維持した
加熱炉に入れ、900℃の温度に30分間加熱して、第
2層を溶融させた。次いで、基板を純酸素雰囲気に維持
した加熱炉に入れ、700℃の温度に4時間加熱し、そ
して、徐冷した。
第1層用粉末原料を、プラズマ溶射法によ−)て吹き付
けて、基板の表面上に厚さ100μ園の第1層を形成し
た。次いで、第1層の表面上に、上記第2層用粉末原料
を、プラズマ溶射法によって吹き付けて、第1層の表面
上に厚さ50μ■の第2層を形成した。次いで、このよ
うにして第1層および第2層を形成した基板を、酸素含
有量が77%、残りがアルゴンガスの雰囲気に維持した
加熱炉に入れ、900℃の温度に30分間加熱して、第
2層を溶融させた。次いで、基板を純酸素雰囲気に維持
した加熱炉に入れ、700℃の温度に4時間加熱し、そ
して、徐冷した。
この結果、基板の表面上には、未反応の厚さ75μ口の
第1層を介して、YBa2Cu、0.からなる厚さ50
μmの超電導皮膜が形成された。基材の溶融は、全く見
られなかった。
第1層を介して、YBa2Cu、0.からなる厚さ50
μmの超電導皮膜が形成された。基材の溶融は、全く見
られなかった。
このようにして基板上に形成された超電導皮膜を観察し
たところ、割れは生じておらず、その組織は、緻密で且
つ超電導相単相からなっていた。
たところ、割れは生じておらず、その組織は、緻密で且
つ超電導相単相からなっていた。
そして、超電導皮膜の77KにおけるJc#I定した結
果、5000A/allであり、極めて高いJcを得る
ことができた。
果、5000A/allであり、極めて高いJcを得る
ことができた。
以上説明したように、この発明によれば、優れた超電導
特性を有する超電導物品を製造することができるといっ
た有用な効果がもたらされる。
特性を有する超電導物品を製造することができるといっ
た有用な効果がもたらされる。
第1図から第3図は、この発明の、超電導物品の製造方
法を示す工程図、第4図および第5図は、先行技術の、
超電導物品の製造方法を示す工程図である。図面におい
て、 1.5 第1層、 2.6 第2層、3.7−超電導
皮膜、 4 基材。
法を示す工程図、第4図および第5図は、先行技術の、
超電導物品の製造方法を示す工程図である。図面におい
て、 1.5 第1層、 2.6 第2層、3.7−超電導
皮膜、 4 基材。
Claims (4)
- (1)少なくとも表面部分が銀からなっている基材の表
面上に、Ln_2BaCuO_xおよびLnBa_2C
u_3O_xの混合物からなる第1層を形成し、次いで
、前記第1層の表面上に、加熱されることにより、前記
第1層の一部を構成する前記Ln_2BaCuO_xと
反応してLnBa_2Cu_3O_xが生成される成分
組成からなる第2層を形成し(但し、Lnは、Yおよび
希土類元素を表す)、次いで、前記第2層を、0.01
から20%の酸素含有雰囲気中で加熱して溶融させ、次
いで、前記第2層に、20%以上の酸素含有雰囲気中で
熱処理を施し、かくして、前記基材の表面上に、Ln−
Ba_2Cu_3O_zからなる超電導皮膜を形成する
ことを特徴とする超電導物品の製造方法。 - (2)前記混合物中のLn_2BaCuO_xの割合は
、5から80Vol.%であることを特徴とする、請求
項(1)記載の方法。 - (3)前記第2層は、Cuの酸化物およびBaの酸化物
の混合物からなり、前記混合物中のCuとBaとの割合
は、モル比で、Cu:Ba=1:0.1から0.95で
あることを特徴とする、請求項(1)記載の方法。 - (4)前記第2層は、Cuの酸化物、Baの酸化物およ
びYの酸化物の混合物からなり、前記混合物中のCuと
BaとYとの割合は、モル比で、Cu:Ba:Y=1:
0.1から0.95:0.001から0.330である
ことを特徴とする、請求項(1)記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072472A JPH03272840A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 超電導物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072472A JPH03272840A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 超電導物品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03272840A true JPH03272840A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13490294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2072472A Pending JPH03272840A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 超電導物品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03272840A (ja) |
-
1990
- 1990-03-22 JP JP2072472A patent/JPH03272840A/ja active Pending
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