JPH03275149A - 不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法 - Google Patents

不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法

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JPH03275149A
JPH03275149A JP2077212A JP7721290A JPH03275149A JP H03275149 A JPH03275149 A JP H03275149A JP 2077212 A JP2077212 A JP 2077212A JP 7721290 A JP7721290 A JP 7721290A JP H03275149 A JPH03275149 A JP H03275149A
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gas
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JP2077212A
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Akihiro Tsuji
辻 哲広
Isato Takagi
高城 勇人
Masamitsu Morofuji
諸藤 正光
Hideetsu Fujiwara
秀悦 藤原
Soichi Yoshida
宗一 吉田
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JSR Corp
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法に関
し、さらに詳しくは、共役ジエン、カルボン酸および分
子状酸素を含有する混合ガスを気相流通反応させて、不
飽和ジエステルを製造する際に用いられて活性の低下し
た担持型パラジウム系触媒を高活性に再生する方法に関
する。
[従来の技術と発明か解決しようとする課題]共役ジエ
ン、カルボン酸および分子状酸素を反応させて、不飽和
クリコールジエステル(すなわち、不飽和ジエステル)
を製造するにあたり、パラジウム系触媒が有効であるこ
とは公知である。
たとえば、特公昭57−51375号公報、特公昭53
15488号公報、特公昭53−15490号公報には
、不飽和ジエステル製造用触媒として、パラジウムとア
ンチモン、あるいはパラジウム、アンチモンおよびバナ
ジウムを必須金属成分とする担持型パラジウム系触媒か
著しく高活性であることか示されている。
また、上記の必須金属成分を含有する担持型パラジウム
系触媒に対してさらに、活性促進成分として、アルカリ
金属のカルボン酸塩またはそれとアルカリ金属のハロゲ
ン化物を担持させると、より高活性てより長寿命の、工
業的に優れた触媒が得られることも示されている。
しかしなから、かかる触媒といえども、長時間の使用に
より、その活性が徐々に低下することば避けられない。
この触媒活性低下の原因としては種々考えられるが、主
たる原因として触媒表面I\の炭素質の蓄積か考えられ
る。他の原因としては、触媒の金属成分であるパラジウ
ムやその他の金属成分のシンタリンクや、反応ガス中の
酸素によって引き起こされる原子価の変動等が推測され
る。
一般に、活性低下した貴金属触媒の再生処理方法として
は、失活した触媒を100〜6006Cの範囲の温度で
分子状酸素により酸化処理し、触媒上の炭素系付着物を
焼却除去すると共に、貴金属をその金属の酸化物にし、
次いてその酸化物を還元処理して金属状態に戻す方法が
ある。
しかしなから、このような−殻内再生処理方法は、活性
促進成分として、アルカリ金属のカルボン酸塩またはそ
れとアルカリ金属のハロゲン化物を用いるパラジウム系
不飽和ジエステル製造用触媒に対しては適当てない。す
なわち、このような触媒を再生するにあたって、前記−
殻内再生処理方法のように高温において酸化、還元を繰
り返すと、活性促進成分であるアルカリ金属化合物の一
部ないし全部かアルカリ金属等に変質して触媒表面に残
留する。この種の残留アルカリ金属等の変質物は、十分
な活性促進作用を示さなかったり、むしろ触媒毒として
作用する。
それ故、このような触媒に対しては、貴金属触媒の一般
的再生処理方法をそのまま適用することかできない。
そこて、このようなアルカリ金属化合物を活性促進成分
として含有する担持型パラジウム系不飽和ジエステル製
造用触媒の再生方法としては、従来、たとえば、■失活
した触媒を水蒸気を含むガスで100〜600℃の範囲
の温度で処理する方法(特公昭55−33660号公報
参照)、■水および/またはアルコールを用いて、失活
した触媒から活性促進成分を洗浄除去した後、酸素含有
ガスの雰囲気下、100〜500℃の範囲の温度て酸化
処理し、次いて100〜500℃の範囲の温度て還元処
理し、再び活性促進成分を担持する方法などが提案され
ている。
これらの再生方法は、活性促進成分としてアルカリ金属
のカルボン酸塩、またはそれとアルカリ金属のハロゲン
化物を添加担持したパラジウム系触媒を再生するにあた
り、ある程度有効ではあるか、それぞれ問題点を有して
いる。
すなわち、上記■の水蒸気処理による再生方法は、活性
点を覆うように触媒表面に付着している高沸点物の除去
に対しては有効と思われる。すなわち、反応最初の最高
活性値を基準として、未だ約50%以上の活性が残って
いる比較的軽度の活性低下触媒に対しては、実際上顕著
な再生効果を発揮し、最初の活性値にまでほぼ完全に復
元することばてきる。しかし、触媒活性残存率か約50
%以下の重度の活性低下触媒に対しては、再生効果が不
十分であり、活性を十分に復元することができず、もち
ろん、完全に最初の活性にまで復元することかできない
。また、触媒活性残存率が約50%以下の活性低下が軽
度のものてあっても、反応再生処理を繰り返すと、再生
の回数を重ねる度に再生の効果は減していく。
こうした問題か生しるのは、水蒸気を含むガスで処理し
ても、除去不可能な、より高沸点の物質か触媒上に残留
し、これか次第に蓄積して行くためと考えられる。
一方、前記■の、失活触媒上に残存する活性促進成分の
洗浄除去、酸化処理、還元処理および活性促進成分の再
担持による再生方法は、■操作かまことに複雑である、 ■洗浄時に、触媒金属成分の溶出を引き起こしやすい、 ■洗浄の際、活性促進成分であるアルカリ金属のハロゲ
ン化物により反応器等の装置の腐食か引き起こされる、 ■活性促進成分の回収および補給のコストかかさむ、 などの問題点を有している。
特に、上記の■の問題は、触媒からの必須な触媒金属成
分の脱落により、活性の復元か望めないばかりか、再生
の度に触媒活性が不可逆的に失われて行くことを意味し
ており、その結果、触媒の反応−再生サイクルによる利
用可能期間が短くなるという重大な問題点を生しる。
本発明は、前記の事情に鑑みてなされたものである。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、共役ジエンのカ
ルボン酸による気相流通酸化的アシルオキシ化反応によ
る不飽和ジエステル(不飽和クリコールジエステル)の
製造において使用され、活性促進成分としてアルカリ金
属のカルボン酸塩、またはそれとアルカリ金属のハロゲ
ン化物を含有する担持型パラジウム系触媒の再生方法と
して、劣化した触媒を、有効にかつ効率よく、しがも簡
単な操作で再生することのてきる不飽和ジエステル製造
用触媒の工業的に著しく優れた再生方法を提供すること
にある。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、活性促進成分として、アルカリ金属のカ
ルボン酸塩、またはそれとアルカリ金属のハロゲン化物
を担持させた担持型パラジウム系触媒(不飽和ジエステ
ル製造用触媒)の再生処理方法について鋭意研究を重ね
た結果、活性低下した触媒を一連の特定の工程に従って
順次に処理することにより、その失活触媒か活性の点で
も、選択性の点でも最初の触媒と同等の性能を有するに
至ることを見出し、その知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
すなわち、請求項1に記載の発明は、共役ジエン、カル
ボン酸および分子状酸素を含有する混合ガスを気相流通
法で反応させて、不飽和ジエステルを製造する方法に使
用する触媒であって、活性促進成分としてアルカリ金属
のカルボン酸塩、またはそれとアルカリ金属のハロゲン
化物を担持させた担持型パラジウム系触媒を再生するに
当たり、活性の低下した触媒を、 分子状酸素を含有するガスを用い、100〜600℃の
範囲の温度で処理する酸化処理と、還元性ガス雰囲気下
に、100〜600℃の範囲の温度て処理する還元処理
とを交互に行う加熱処理工程と、前記加熱処理工程によ
り得られた触媒を、カルボン酸とハロゲン含有化合物と
を含有するガス気流中て、100〜300℃の範囲の温
度て処理するハロゲン化処理工程と を含むことを特徴とする不飽和ジエステル製造用触媒の
再生方法であり、 請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の不飽和ジエ
ステル製造用触媒の再生方法に関し、触媒がパラジウム
、アンチモンおよびバナジウムを含有するものであり、 請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記
載の不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法に関し、加
熱処理工程を、前記還元処理、酸化処理1.還元処理の
順序で行うものてあり、請求項4に記載の発明は、請求
項1〜3のいずれかに記載の不飽和ジエステル製造用触
媒の再生方法に関し、加熱処理工程を、二酸化炭素を含
有するガスの存在下で行うものである。
以下、本発明の方法を詳細に説明する。
旌奴 共役ジエン、カルボン酸および分子状酸素を気相流通反
応させて、不飽和ジエステル(不飽和グリコールジエス
テル)を得る反応は、一般に、次式 (但し、式[1]中のR1−R6は、各々独立に、水素
原子、または低級アルキル基等の炭化水素基を表し、そ
れぞれ同一てあっても異なっていてもよく、また、R7
は低級アルキル基等の炭化水素基を表す。) で表される主反応からなる。
本発明の方法に係る前記担持型パラジウム系触媒を用い
る、共役ジエンのカルボン酸による酸化的アシルオキシ
化反応では、一般に、前記式[■i ]のようにアシルオキシ基(R7COO−)の、いわゆ
る1、4−付加型反応がほとんどであるが、他の位置へ
の付加型反応(たとえば、1.2−付加型反応)も極く
少ないか併発する。
たとえば、共役ジエンとしてブタジェンを用い、カルボ
ン酸として酢酸を用いた場合には、前記式[I]による
1、4−ジアセトキシブテン−2が主生成物てあり、同
時に極微量の1,2−ジアセトキシブテン−3などか生
成する。
本発明の触媒再生方法において、再生に供する触媒とし
ては、前記気相流通反応による不飽和ジエステルの製造
用の、活性促進成分としてアルカリ金属のカルボン酸塩
またはそれとアルカリ金属のハロゲン化物を担持した担
持型パラジウム系触媒てあって、活性低下もしくは失活
したものてあれば特に限定されるものではないが、好ま
しくは、前記反応(共役ジエン、カルボン酸および分子
状酸素から不飽和ジエステルな生成する反応)、特に好
ましくは、ブタジェン、酢酸および分子状酸素から気相
流通反応によりジアセトキシ2 ブテンを生成する反応に使用され、触媒活性が低下もし
くは失活した触媒である。
この担持型パラジウム系触媒には、担体成分のほかに少
なくともパラジウムを触媒金属成分として含有するもの
であるが、パラジウムのほかに、所望に応じて、たとえ
ば、Mg、Ca、Ba等のna族、■(バナジウム)等
のVa族、Cr、Mo等のVla族、Mn等の■a族、
Co、Ni等の■a族、Zn等のnb族、B(ホウ素)
、AM等のmb族、Sn、Pb等のIVb族、P(リン
)、As、Sb、Bi等のvb族、Se、Te等の■b
族の各元素等の各種の元素のうちの一種または二種以上
が、適宜の組み合わせで、触媒金属成分等の触媒成分と
して含有されていてもよい。
これらの中でも、特に、少なくともパラジウム、アンチ
モンおよびバナジウムを含有するものか好ましい。
前記触媒を調製するに際して、前記アンチモンおよびバ
ナジウムは、各種の化合物、たとえば、ハロゲン化物、
無機酸塩、有機酸塩、酸化物、水酸化物など、あるいは
これらの混合物もしくは複合化合物等として担持可能で
あるか、アンチモンについては、通常、三酸化アンチモ
ンが、バナジウムについては、通常、メタバナジン酸ア
ンモニウムか特に好適に使用される。
前記担持型パラジウム系触媒に使用される担体としては
、前記反応に使用可能な触媒の担体として使用されうる
ものであればどのようなものでもよく、具体的にはたと
えば、シリカ、アルくす、シリカアルくす、チタニア、
ジルコニア、マグネシア、ゼオライト等の酸化物系担体
、活性炭などが代表的な例として挙げられる。これらの
中でも、特にシリカ、チタニアなどが好ましい。
なお、これらの担体は、一種単独で用いられていてもよ
いし、二種以上を混合物等として併用されていてもよい
。
触媒の活性促進成分として用いられる前記アルカリ金属
のカルボン酸塩としては、アルカリ金属(リチウム、ナ
トリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウム)のカ
ルボン酸塩(脂肪族カルボン酸塩、芳香族カルボン酸塩
、脂環式カルボン酸塩等)であれば特に制限はないが、
通常は、酢酸セシウム等の前記各種のアルカリ金属の酢
酸塩か好適に使用される。
なお、これらは一種単独で使用されていてもよく、二種
以上か併用されていてもよい。
触媒の活性促進成分として場合により用いられる前記ア
ルカリ金属のハロゲン化物としては、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムのフッ化物
、塩化物、臭化物またはヨウ化物を挙げることかできる
。これらの中ても、通常は、塩化セシウム等の前記各種
アルカリ金属の塩化物を好適に使用することかてきる。
なお、これらは、一種単独て使用されていてもよいし、
二種以上か併用されていてもよい。
前記アルカリ金属のカルボン酸塩は、担体1gに対して
、0.01〜40mmo文の範囲の担持量て担持させる
ことか好ましいが、この範囲に限定されるものではない
。
 5 前記アルカリ金属のハロゲン化物は、必ずしも担持しな
くてもよいが、通常、アルカリ金属のカルボン酸塩と共
に担持することか好ましい。その場合、アルカリ金属の
ハロゲン化物は、担体1gに対して、0.01〜40m
mo文の範囲の担持量て担持させることが好ましいが、
この範囲に限定されるものではない。
触m査」」4在 本発明の方法においては、前記活性低下もしくは失活し
た触媒を、前記したように一連の特殊な処理工程、すな
わち、酸化処理、還元処理を交互に行う加熱処理工程、
それに次いで行う塩素化処理工程によって再生すること
ができる。
(加熱処理工程) く酸化処理〉 前記酸化処理は、分子状酸素を含有するガスを用いて、
対象とする触媒を、100〜600℃の温度範囲で酸化
処理することにより行う。この酸化処理温度があまり低
すぎると、触媒上の付着物(炭 6 素質等)の焼却除去か不十分になり、一方、あまり高す
ぎるとパラジウム等の触媒金属成分のシンタリング等が
引き起こされ、十分な再生を行うことができない。特に
好ましい酸化処理の温度範囲は、200〜400℃程度
である。
この酸化処理に用いる分子状酸素含有ガスとしては、純
酸素を用いることもてきるか、通常は、空気あるいは窒
素、水蒸気等の不活性ガスで希釈したものを好適に使用
することかできる。この場合、酸素濃度は、0.1〜5
0容量%の範囲内に調整するのか好ましい。
なお、後述のように、この酸化処理を、上記の分子状酸
素含有ガスに二酸化炭素を同伴させて行うことにより、
再生効果をより一層向上させることかできる。
〈還元処理〉 前記還元処理は、対象とする触媒を、還元性ガスの雰囲
気下、100〜500℃1好ましくは150〜500℃
1さらに好ましくは200〜400℃の温度範囲て還元
処理することにより行う。
この還元性ガスとしては、水素、アルコール、オレフィ
ンなど各種のものを一種単独であるいは二種以上を混合
して使用可能であるが、特に好ましいのは水素である。
なお、前記還元性ガスは、窒素、水蒸気等の不活性ガス
て希釈して用いることもてきる。
また、後述のように、この還元処理を、上記の還元性ガ
スに二酸化炭素を同伴させて行うことにより、再生効果
をより一層向上させることかできる。
〈酸化処理と還元処理の順序〉 本発明の触媒再生方法において、前記加熱処理工程では
、前記酸化処理と前記還元処理とを交互に行う。その際
の、酸化処理と還元処理とをどちらから初めてもよいか
、この交互に行う処理のうち最後の処理は、還元処理に
することか好ましい。
処理の繰り返し数としては、特に制限はないが、酸化処
理と還元処理との繰り返しを1サイクルとして、通常、
1〜2サイクル程度である。
具体的には、たとえば、還元処理→酸化処理→還元処理
にする方式、酸化処理→還元処理→酸化処理→還元処理
にする方式等を挙げることができる。特に好ましい方式
は、還元処理→酸化処理→還元処理の順序で加熱処理を
行う方式てあり、この方式によると、理由は明らかでは
ないか、極めて効果的にかつ効率よく再生することかて
きる。
なお、各処理の前後には、必要に応して適宜に、不活性
ガス等による系のパージ等の所望の処理を行ってもよい
。
〈同伴ガス〉 この加熱処理工程における前記酸化処理および還元処理
においては、前記それぞれのガス(分子状酸素含有ガス
、還元性ガス)中に、さらに二酸化炭素を含有させるこ
とか好ましく、特に加熱処理の全工程期間中に二酸化炭
素を含有させることが好ましい。
これらの加熱処理において二酸化炭素を存在(同伴)さ
せることにより、より一層の効果的な 9 再生を実現することかてきる。この同伴させる二酸化炭
素の濃度は、特に限定されるものではないか、通常は、
lO〜99容量%の範囲に設定するのが好ましい。
なお、この二酸化炭素の作用は、明らかてはないか、た
とえば、活性促進成分のひとっであるアルカリ金属のカ
ルボン酸塩の熱安定性を促進する効果に関係するものと
推定される。
(ハロゲン化処理工程) 前記加熱処理工程を行うことにより、活性低下もしくは
失活した触媒上の付着炭素質を焼却除去し、パラジウム
およびその他の金属成分を還元状態もしくは適度な酸化
状態に戻すことがてきる。
これにより、触媒活性は復元することかできるものの、
この加熱処理工程だけでは、場合によっては触媒活性の
復元か不十分になったり、あるいは復元できた場合にも
触媒の安定性に欠け、短期間に活性か低下したり、反応
−再生の繰り返しにより次第に復元率か不十分になるな
どの問題が生 0 し、本発明の目的を達成することがてきない。
本発明の触媒再生方法においては、前記加熱処理工程て
所定の処理を行った触媒(すなわち、再生中間触媒)を
、カルボン酸とハロゲン含有化合物とを含有するガス気
流中で、100〜300℃1好ましくは、150〜25
0−’Cの温度範囲で処理する。
このハロゲン化処理工程において用いる前記ハロゲン含
有化合物としては、特に限定されるものではないが、本
質的に、ハロゲンを含み、その全部または一部が分解し
て触媒にハロゲンを供給する化合物であればよい。
しかし、使用上の便宜を考慮すると、本発明においては
、ハロゲン含有化合物として、フッ化水素、塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素などのハロゲン化水素類;フッ化
メタン、クロロメタン、塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素、臭化メタン、ヨウ化メタンなどのハロゲン
化メタン誘導体;フッ化カルボニル、ホスゲン、臭化カ
ルボニルなどのカルボニル類:フルオロ酢酸、クロロ酢
酸、臭化酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、クロロ
プロピオン酸、クロロ醋酸などのハロゲン化カルボン酸
およびそれらのエステル類:クロロアセトアルデヒド、
ジクロロアセトアルデヒドなどのハロゲン化アルデヒド
類、クロロアセトン等のハロゲン化ケトン類、フッ化エ
タン、クロロエタン、臭化エタン、1,2−ジクロロエ
タン、1.1−ジクロロエタン、1,1.1−トリクロ
ロエタン、1.2−ジクロロプロパン、クロロブタン、
1.4−ジクロロブタン、クロロラテン、1.4−ジク
ロロブテンなどのハロゲン化炭化水素などを挙げること
ができる。
これらの中でも、1,4−ジクロロブテン等のクロロ炭
化水素類、モノクロロ酢酸等のクロロ酢酸類などか好ま
しく、特に、1,4−ジクロロブタンなどか好ましい。
なお、これらのハロゲン含有化合物は、一種単独で用い
てもよいし、二種以上を併用してもよい。
このハロゲン化処理に使用する前記カルボン酸としては
、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、脂環式カルボ
ン酸等の各種のものか使用可能であるか、通常は、酢酸
、プロピオン酸等の低級カルボン酸か好適であり、特に
酢酸か好ましい。
このハロゲン化処理における、前記カルボン酸およびハ
ロゲン含有化合物を含有する混合ガス中のそれぞれの濃
度としては、特に制限はないが、通常は、カルボン酸の
濃度を5〜85容量%の範囲とし、ハロゲン含有化合物
の濃度を0.001〜5容量%の範囲にするのが好適で
ある。
なお、この混合ガスには、希釈剤として適当な不活性カ
ス、たとえば、窒素、水蒸気等を適宜に含有させて使用
することかでき、また、必要に応して上記以外の添加剤
を適宜に含有させることもてきる。
〈活性促進成分の添加〉 本発明の触媒再生方法においては、少なくとも前記加熱
処理工程と前記ハロゲン化処理工程とをこの順序で実施
するものてあれば、必要に応して、ほかにどのような操
作や処理を組み合わせてもよい。
 3 たとえば、所望に応じて、この再生に係るいずれかの時
点すなわち、前記加熱処理工程の開始前の段階(反応時
を含む)、加熱処理工程の開始から前記ハロゲン化処理
工程の終了までの段階およびハロゲン化処理工程終了後
の段階(反応時を含む)のうちの適当な時点において、
活性促進成分であるアルカリ金属のカルボン酸塩の触媒
成分を触媒に補給してもよい。中でも、加熱処理工程の
開始からハロゲン化処理工程の終了までの段階において
、活性促進成分の触媒への補給か好適である。
この活性促進成分の触媒への補給は、その成分となる前
記活性促進成分を再生処理ガス等の処理ガス(パージ用
ガスや反応ガスであってもよい)中に同伴させて、触媒
上に添加担持する方法、または、−旦再生器から触媒を
取り出し、これに活性促進成分を水および/またはアル
コールからなる溶媒で溶解したものを加え、溶媒を蒸発
させることにより、触媒上に添加担持する方法などによ
り好適に行うことかできる。具体的には、たとえ 4 ば、前記加熱処理工程の実施時に加熱処理ガス中に、前
記アルカリ金属のカルボン酸塩等の活性促進成分の蒸気
を同伴させて行う方法などを挙げることかできる。
なお、こうした活性促進成分の補給は、必ずしも必須て
はないが、再生処理後の触媒の安定性をより一層向上さ
せるために右動であり、この点から、適宜に実施するこ
とが好ましい。
の  ・ 以上のようにして再生操作を終了した触媒、そのまま反
応(共役ジエン、カルボン酸および分子状酸素を含有す
る反応ガスから気相流通反応により不飽和ジエステルを
生成する反応)に使用することができる。
この気相流通反応を実施する方法としては、固定床方式
、流動床方式など各種の方式による所望の方法を採用し
て行うことができる。
前記共役ジエンとしては、各種のものか使用可能である
が、通常は、炭素数6以下の共役ジエン、たとえば、ツ
タジエン、イソプレン、ピペリレン、2.3−ジメチル
ツタジエン、シクロペンタジェン等か好適に使用され、
中でも、ブタジェン、イソプレン等か好ましく、特にブ
タジェンか好ましい。
なお、これらは一種単独で使用してもよく、二種以上を
併用してもよい。
また、前記共役ジエンと反応させる前記カルボン酸とし
ては、通常この分野で使用されるものなど任意のものを
使用することができる。具体的には、たとえば、酢酸、
プロピオン酸、酪酸、イソ醋酸、ペンタン酸、ヘキサン
酸等の脂肪族カルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸等
の脂環式カルボン酸、安息香酸等の芳香族カルボン酸な
どを挙げることができる。これらの中でも、特に酢酸か
好ましい。
なお、これらは一種単独で使用してもよく、二種以上を
併用してもよい。
前記反応に供する酸素は、反応系に純酸素として供給し
てもよく、あるいは空気等の混合ガスとして供給しても
よい。
前記反応に供する反応ガス中における前記共役ジエン、
カルボン酸および酸素のそれぞれの濃度は、特に限定さ
れるものではなく、それぞれの濃度を広範囲に、たとえ
ば、1〜98容量%の範囲で変化させうる。好ましくは
、供給する反応ガス中の共役ジエンの濃度を1〜85容
量%、カルボン酸の濃度を5〜85容量%の範囲に適宜
に選定し、分子状酸素の濃度を反応ガスが爆発範囲の組
成とならない範囲に適宜に選定すればよい。この場合、
分子状酸素の濃度は、通常、1〜50容量%の範囲から
選定するのか好適である。
なお、前記反応は、たとえば、窒素、アルゴン、二酸化
炭素等の反応に支障のない不活性ガス等の他の成分の存
在下て行うこともできる。
また、所望に応じて、前記反応ガス中には、触媒活性も
しくは選択性の向上あるいは触媒寿命の延長のための添
加酸分(たとえば、1,4−ジクロロブテン等のクロロ
炭化水素類、モノクロロ酢酸等のカルボン酸の塩素誘導
体等のハロゲン含有有機化合物など〉を適宜に含有させ
てもよい。
 7 前記反応を行うに際しての反応ガスの供給速度は、触媒
組成、反応物の組成や反応条件などの他の条件や目標に
する生成物の収率等により適宜に選定すればよいのであ
るが、単位触媒1見に対して、通常、100〜10,0
009./hrの範囲から選ばれ、好ましくは、500
〜5,000文/hrの範囲から選ばれる。
反応温度は、特に限定されるものではないか、通常、1
00〜300℃1好ましくは100〜2500Cの範囲
に設定するのが適当である。
反応圧力は、反応ガスおよび生成ガスが実質的にガス状
態をを保つ範囲てあれば特に限定されるものではなく、
前記反応は、減圧、常圧あるいは加圧のいずれても行い
うる。一般には、常圧または加圧状態て行われる。
以」二のようにして、共役ジエンのカルボン酸による酸
化的アシルオキシ化反応によって不飽和ジエステル(不
飽和グリコールのカルボン酸ジエステル)、特にツタジ
エンの酢酸による酸化的アセトキシ化反応によって、工
業的に特に有用な1,48 ジアセトキシブテンを主成分にするジアセトキシブテン
を高い収率で長期間安定に生産することかできる。
この反応によって活性低下もしくは失活した触媒は、本
発明の触媒再生方法に従って好適に再生することかでき
、前記不飽和ジエステル製造用触媒として有効に利用す
ることがてきる。
[実施例] 次に、本発明を、実施例および比較例によってさらに詳
細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定される
ものてはなく、本発明の要旨の範囲を逸脱しない限り、
種々の変形が可能である。
(実施例1) (A)蚊畏曵1皇掬 三塩化アンチモン128.7 gを1,460mMのア
セトンに溶解して均一な溶液にし、一方、粒子径10〜
200gmのシリカ担体750 g (2,000m 
l )をフラスコに入れ、これに前記溶液を加えて前記
担体に含浸させた。フラスコ内をアスピレータて減圧し
、アセトンを蒸発させて、三塩化アンチモンを担体に担
持させた。
この担持物を、濃度20重量%の炭酸アンモニウム水溶
液よりなる中和液3,000 mlの中に投入し、30
分間かけて中和反応を行い、純水て1o回洗浄した後に
、110℃て一夜かけて乾燥させ、空気気流中で、大気
圧の下に500℃にて3時間かけて焼成処理した。
この焼成物を、ロータリーエバポレーターに入れ、11
2.2 gのテトラアンミンパラジウム硝酸塩、44.
0gのメタバナジン酸アンモニウムを溶解させた水溶液
(1450m l )を加え、水を蒸発させて、触媒金
属成分を担持させた。
この後、この担持物を、906Cにて一夜かけて乾燥し
、さらに、空気気流中で、500’Cで3時間かけて焼
成処理を行った後に、水素気流て、再生中間触媒を、2
00℃で2時間かけ、続いて400’Cで2時間かけて
、還元処理した。
次いて、この還元処理物に、120gの塩化セシウムと
120gの酢酸セシウムを1,420mMの水に溶解し
た水溶液を加え、水を蒸発させ、活性促進成分を担持し
た触媒(@持型パラジウム系触媒)を得た。以下、この
触媒を、触媒Iと称することがある。
(B)−の 前記(A)て調製した前記触媒工、1,500 mlを
、内径81mmのステンレス製の流動床反応器に投入し
、前記反応器にツタジエン:酢酸:酸素:窒素か10:
 30: 3 : 57 (容量比)である混合ガスを
毎時1.5001の速度で導入し、185℃において連
続反応(流動床式気相流通反応)を行った。
反応を開始してから適当な時間後の、触媒l!;L当た
りのジアセトキシブテン類(1,4−シアセトキシフテ
ン−2およびその異性体混合物)の生成量および選択率
を第1表に示す。
第1表 1 この反応で、800時間目のデータを採取した後に、反
応原料である混合ガスの供給を停止した。
そして、代りに窒素ガスを流通させて、1時間かけてこ
の状態を保持した後に、室温までゆっくりと降温し、そ
の後に、反応器を開放し、触媒を取り出し、これを失活
(活性低下〉させた。以下において、この失活した触媒
を、失活触媒Iと称すことかある。
(C)旌煤生立ユ七 〈加熱処理工程の例〉 前記(B)て得た失活触媒工、333mJ1を、内径5
5mmのステンレス製の流動床再生器に投入し、窒素ガ
スを毎時300文の速度で導入しながら150℃に昇温
し、しかる後に、二酸化炭素:水素が65:35(容量
比)の混合ガスを毎時500文の速度で導入しながら、
300℃で7時間かけて、失活触媒の還元処理をした。
次いで、窒素ガスにより、前記還元処理ガスを追い出し
た後、二酸化炭素:酸素:窒素が76:5:19(容量
比)の混合ガスを毎時500文の速度て 2 導入しながら、300℃で7時間かけて、失活触媒の酸
化処理した。
しかる後、窒素ガスにより、前記酸化処理ガスを追い出
した後、二酸化炭素:水素が65:35(容量比)であ
る混合ガスを毎時500文の速度で導入しながら、30
0℃て7時間、失活触媒の還元処理した。
くハロゲン化処理工程の例〉 次に、前記加熱処理工程を終了した触媒を、窒素ガス気
流中で185℃に冷却後、前記温度で、酢酸=1,4−
ジクロロフテン:窒素か36.7 : 0.口05: 
63.35  (容量比)の混合ガスを毎時474文の
速度で導入しながら12時間塩素化処理し、再生触媒を
得た。以下、この1回目の再生を行った触媒を再生触媒
工と称すことがある。
なお、前記加熱処理工程およびハロゲン化処理工程によ
る再生処理の際、触媒に活性促進成分を添加する目的で
、前記各々の処理段階(酸化処理、還元処理およびハロ
ゲン化処理段階〉において使用したそれぞれの再生処理
混合ガス(酸化処理ガス、還元処理ガスおよびハロゲン
化処理ガス)には、下記の要領で酢酸セシウムを同伴さ
せたすなわち、前記各々の再生処理は、酢酸セシウム3
00gを担持したシリカ担体(直径3 m mの丸球状
) 1,000 mfLを充填した容器を前記各々の再
生処理温度に加熱し、そこに前記それぞれの再生処理混
合ガスを流通させ、酢酸セシウムの蒸気を含有させ、こ
れを前記流動床再生器に導入することにより行った。
(D)     −による ・ 前記(C)の再生処理後、再生触媒工を前記流動床再生
器に入れたまま、前記流動床再生器を反応器として用い
、引き続きツタジエンの酸化的アシルオキシ化反応を前
記(B)と同様にして行った。
ただし、この反応は、前記(B)に示したのと同様の組
成の混合ガス(反応原料)を毎時500文の速度で導入
することにより行った。
結果を第2表に示す。
5 (E)   と ・の  ゛し 1回目の再生を行った触媒すなわち再生触媒工を用いて
行った前記(D)の反応によって再度劣化(活性低下)
した触媒(失活触媒■)を、再び前記(C)と同様にし
て再生し、再生触媒■を得た。
この再生触媒■を用いて、前記(D)と同様にして反応
を実施した。
結果は第2表に示す。
(実施例2〉 実施例1の(B)で得た失活触媒工、333mJlを、
加熱処理工程において、二酸化炭素の代りに窒素を用い
た以外は実施例1の(C)と同様にして再生処理した(
1回目の再生)。
その後、この1回目の再生処理て得た再生触媒を用いて
、実施例1の(D)と同様してツタジエンの酸化的アシ
ルオキシ化反応を行った。
結果を第2表に示す。
この反応で、再び劣化(活性低下)した触媒 6 を、上記の1回目の再生処理と同様にして再生処理した
く2回目の再生〉。
その後、この2回目の再生処理で得た再生触媒を用いて
、実施例1の(D)と同様にしてフタジエンの酸化的ア
シルオキシ化反応を実施した。
結果を第2表に示す。
(比較例1) 実施例1に示す失活触媒工、333mJ1に対して、酢
酸と1,4−ジクロロブテンによる処理(塩素化処理工
程)を除いた以外は、実施例1の(C)と同様にして再
生処理を行った。その後、この再生処理した触媒を用い
て、実施例1の(D)と同様してフタジエンの酸化的ア
シルオキシ化反応を行った。
結果を第2表に示す。
(実施例3) 実施例1に示す失活触媒I、333m文を、塩素化処理
工程において、1,4−ジクロロブテン(容量比Q、0
05 )に代えてモノクロロ酸m(容量比o、ooa 
)を用いて処理した以外は、実施例1の(C)と同様に
して再生処理を行った(1回目の再生)。
その後、この再生処理した触媒を用いて、実施例1の(
D)と同様してブタジェンの酸化的アシルオキシ化反応
を行った。
結果を第2表に示す。
この反応で、再び劣化(活性低下)した触媒を、上記の
1回目の再生処理と同様にして再生処理した(2回目の
再生)。
その後、この2回目の再生処理で得た再生触媒を用いて
、実施例1の(D)と同様にしてブタジェンの酸化的ア
シルオキシ化反応を実施した。
結果を第2表に示す。
(実施例4) 比較例1で反応により活性か低下した触媒を実施例1の
(C)と同様にして再生処理した。
この再生触媒を用いて、実施例1の(D)と同様にして
ブタジェンの酸化的アシルオキシ化反応を実施した。
結果を第2表に示す。
(実施例5) 実施例1の(B)て得た失活触媒■、 333m lを
、加熱処理工程、ハロゲン化処理工程において、これら
処理ガス中に、酢酸セシウムの蒸気を同伴させなかった
以外は実施例1の(C)と同様にして再生処理を行なっ
た。その後、この再生処理した触媒を用いて、実施例1
の(D)と同様にして、ツタジエンの酸化的アシルオキ
シ化反応を行なった。
結果を第2表に示す。
 9 [発明の効果] 本発明によると、活性促進成分としてアルカリ金属のカ
ルボン酸塩、またはそれとアルカリ金属のハロゲン化物
を含有する担持型パラジウム系触媒てあって、共役ジエ
ン、カルボン酸および分子状酸素を含有する反応ガスを
気相流通反応させて不飽和ジエステル(不飽和クリコー
ルジエステル)を製造する際に使用される触媒が劣化(
活性低下もしくは失活〉した際に再生する方法として、
劣化した触媒を、一連の特殊な処理工程に従って順次処
理するという特定の方法により再生処理しているので、
触媒の活性、選択性および安定性等の性能を劣化前の元
の触媒の高いレベルに極めて有効にかつ効率よく復元す
ることかできる。また、この再生によって、活性促進成
分であるアルカリ金属のカルボン酸塩やアルカリ金属の
ハロゲン化物が変質したり、流失したりすることがなく
、触媒活性、選択性および安定性等の優れた性能を十分
に復元することができるので、再生処理後直ちに反応を
再開することかでき、しかも、反1 応−再生の繰り返しによる触媒の利用期間を大幅に改善
することもてきる。さらに、この再生方法は、再生処理
操作自体も著しく簡単であるなどの利点を有している。
このように、本発明の触媒再生方法は、種々の利点を有
しており、その工業的利用価値は極めて大きい。の 以上のように、本発明によると、共役ジエンのカルボン
酸による気相流通酸化的アシルオキシ化反応による不飽
和ジエステル製造用担持型パラジウム系触媒の工業的に
著しく有利な再生方法を提供することができる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)共役ジエン、カルボン酸および分子状酸素を含有
    する混合ガスを気相流通法で反応させて、不飽和ジエス
    テルを製造する方法に使用する触媒であって、活性促進
    成分としてアルカリ金属のカルボン酸塩、またはそれと
    アルカリ金属のハロゲン化物を担持させた担持型パラジ
    ウム系触媒を再生するに当たり、活性の低下した触媒を
    、 分子状酸素を含有するガスを用い、100〜600℃の
    範囲の温度で処理する酸化処理と、還元性ガス雰囲気下
    に、100〜600℃の範囲の温度で処理する還元処理
    とを交互に行う加熱処理工程と、前記加熱処理工程によ
    り得られた触媒を、カルボン酸とハロゲン含有化合物と
    を含有するガス気流中で、100〜300℃の範囲の温
    度で処理するハロゲン化処理工程と を含むことを特徴とする不飽和ジエステル製造用触媒の
    再生方法。
  2. (2)触媒がパラジウム、アンチモンおよびバナジウム
    を含有する請求項1に記載の不飽和ジエステル製造用触
    媒の再生方法。
  3. (3)加熱処理工程を、前記還元処理、酸化処理、還元
    処理の順序で行う請求項1または請求項2に記載の不飽
    和ジエステル製造用触媒の再生方法。
  4. (4)加熱処理工程を、二酸化炭素を含有するガスの存
    在下で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに
    記載の不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6641975B2 (en) 2000-08-14 2003-11-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
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