JPH03275535A - ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 - Google Patents
ハーメチック被覆光ファイバの製造方法Info
- Publication number
- JPH03275535A JPH03275535A JP2072895A JP7289590A JPH03275535A JP H03275535 A JPH03275535 A JP H03275535A JP 2072895 A JP2072895 A JP 2072895A JP 7289590 A JP7289590 A JP 7289590A JP H03275535 A JPH03275535 A JP H03275535A
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- chamber
- hermetic
- coating layer
- coated optical
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- Pending
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ハーメチック被覆光ファイバの製造方法に関
するものである。
するものである。
[従来の技術]
石英ガラスよりなる光ファイバは、水分や水素分子が存
在すると、内部にこれらが浸速し、伝送ロスが増加する
。しかるに、従来の光ファイバ心線は、光ファイバの表
面に単に樹脂層を設けただけなので、気密性が十分でな
く、水分や水素分子が浸透し易い問題点があった。
在すると、内部にこれらが浸速し、伝送ロスが増加する
。しかるに、従来の光ファイバ心線は、光ファイバの表
面に単に樹脂層を設けただけなので、気密性が十分でな
く、水分や水素分子が浸透し易い問題点があった。
これを改善するため、最近、光ファイバの表面に500
〜1000人の厚さでアモルファスカーボンよりなるハ
ーメチック被覆層を設け、その表面に樹脂層を設けた構
造のハーメチック被覆光ファイバが提案されている。こ
のようなハーメチック被覆光ファイバは、ハーメチック
被覆層が気密性が高いため、水分や水素分子の浸透を防
止できる。
〜1000人の厚さでアモルファスカーボンよりなるハ
ーメチック被覆層を設け、その表面に樹脂層を設けた構
造のハーメチック被覆光ファイバが提案されている。こ
のようなハーメチック被覆光ファイバは、ハーメチック
被覆層が気密性が高いため、水分や水素分子の浸透を防
止できる。
このようなハーメチック被覆光ファイバは、光ファイバ
母材から紡糸した直後の光ファイバをCVD反応炉に導
いて、原料ガスとして炭素水素ガスを用いて熱反応によ
りアモルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を
該光ファイバの表面に形成し、次いで該ハーメチック被
覆層の表面に樹脂層を被覆し、該樹脂層を硬化させた後
に巻取ることにより製造していた。
母材から紡糸した直後の光ファイバをCVD反応炉に導
いて、原料ガスとして炭素水素ガスを用いて熱反応によ
りアモルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を
該光ファイバの表面に形成し、次いで該ハーメチック被
覆層の表面に樹脂層を被覆し、該樹脂層を硬化させた後
に巻取ることにより製造していた。
このようなハーメチック被覆光ファイバの製造は、紡糸
から樹脂層の被覆まで光ファイバには他のものは何も接
触しない方が特性(主に、強度)が安定するので、垂直
プロセスで行われている。
から樹脂層の被覆まで光ファイバには他のものは何も接
触しない方が特性(主に、強度)が安定するので、垂直
プロセスで行われている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このようなハーメチック被覆光、ファイ
バの製造方法では、反応炉内で炭化水素を熱分解してア
モルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を形成
する際に、反応炉内で光ファイバが加熱され、温度が高
い状態で樹脂被覆器に送り込まれるので、樹脂層が安定
しない問題点があった。また、製造時のライン速度は2
00〜400m/min程度であり、光ファイバ母材の
溶融工程、熱CVD工程、樹脂被覆工程、樹脂硬化工程
を垂プロセスで行うと、前述のように光ファイバが高温
であると樹脂層を均一に形成できないため、樹脂被覆工
程に導入される前に光ファイバを十分に冷却しておく必
要があり、このため冷却長を長くとならければならない
。その結果、製造装置の高さが高くなり、建設費が上昇
し、且つ製造装置の維持管理が繁雑となる問題点もあっ
た。
バの製造方法では、反応炉内で炭化水素を熱分解してア
モルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を形成
する際に、反応炉内で光ファイバが加熱され、温度が高
い状態で樹脂被覆器に送り込まれるので、樹脂層が安定
しない問題点があった。また、製造時のライン速度は2
00〜400m/min程度であり、光ファイバ母材の
溶融工程、熱CVD工程、樹脂被覆工程、樹脂硬化工程
を垂プロセスで行うと、前述のように光ファイバが高温
であると樹脂層を均一に形成できないため、樹脂被覆工
程に導入される前に光ファイバを十分に冷却しておく必
要があり、このため冷却長を長くとならければならない
。その結果、製造装置の高さが高くなり、建設費が上昇
し、且つ製造装置の維持管理が繁雑となる問題点もあっ
た。
本発明の目的は、品質の向上が図れ、且つ製造装置の高
さを低減でき、且つライン速度を大きくすることができ
るハーメチック被覆光ファイバの製造方法を提供するこ
とにある。
さを低減でき、且つライン速度を大きくすることができ
るハーメチック被覆光ファイバの製造方法を提供するこ
とにある。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製造方法
は、光ファイバ母材から紡糸した直後の光ファイバを第
1の室に導いて該第1の室内で前記光ファイバの表面に
アモルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を設
けることによりハーメチック被覆光ファイバを得、次に
該ハーメチック被覆光ファイバを第2の室内に導いて該
第2の室内の酸素雰囲気中で前記ハーメチック被覆層に
付着している反応残香物を除去し、次に該ハーメチック
被覆光ファイバを第3の室内に導いて該第3の室内の炭
素水素雰囲気により前記ハーメチック被覆光ファイバを
冷却し、次に該ハーメチック被覆光ファイバを樹脂被覆
器に導き前記ハーメチック被覆層の表面に樹脂層を設け
ることを特徴とする。
、本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製造方法
は、光ファイバ母材から紡糸した直後の光ファイバを第
1の室に導いて該第1の室内で前記光ファイバの表面に
アモルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を設
けることによりハーメチック被覆光ファイバを得、次に
該ハーメチック被覆光ファイバを第2の室内に導いて該
第2の室内の酸素雰囲気中で前記ハーメチック被覆層に
付着している反応残香物を除去し、次に該ハーメチック
被覆光ファイバを第3の室内に導いて該第3の室内の炭
素水素雰囲気により前記ハーメチック被覆光ファイバを
冷却し、次に該ハーメチック被覆光ファイバを樹脂被覆
器に導き前記ハーメチック被覆層の表面に樹脂層を設け
ることを特徴とする。
[作用]
ハーメチック被覆光ファイバを第2の室内の酸素雰囲気
中に通すと、ハーメチック被覆層の表面に付着している
カーボンやH2等の未反応生成物等を酸化することによ
り除去できる。次に、該ハーメチック被覆光ファイバを
第3の室内の炭化水素雰囲気中に通すと、炭化水素ガス
と第2の室で生成されたH20分子とが反応する吸熱反
応が起こり、ハーメチック被覆光ファイバが急冷される
。
中に通すと、ハーメチック被覆層の表面に付着している
カーボンやH2等の未反応生成物等を酸化することによ
り除去できる。次に、該ハーメチック被覆光ファイバを
第3の室内の炭化水素雰囲気中に通すと、炭化水素ガス
と第2の室で生成されたH20分子とが反応する吸熱反
応が起こり、ハーメチック被覆光ファイバが急冷される
。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
図示のように、光ファイバ母材1を溶融炉2で加熱し、
その下端の溶融部分から紡糸することにより光ファイバ
3Aを得る。
その下端の溶融部分から紡糸することにより光ファイバ
3Aを得る。
該光ファイバ3Aを、直ちに第1のりアクタ4内の第1
の室4Aに導く。該第1の室4Aには、原料ガス供給口
5より炭化水素ガスを原料ガスとして供給し、該原料ガ
スをヒータ6で加熱すると、該第1の室4A内で熱CV
D反応が起こり、光ファイバ3Aの表面にアモルファス
カーボンよりなるハーメチック被覆層が形成され、ハー
メチック被覆光ファイバ3Bが得られる。第1の室4A
内の未反応ガス及び光ファイバ3Aに付着しなかった反
応生成物は、排気ロアより排気する。
の室4Aに導く。該第1の室4Aには、原料ガス供給口
5より炭化水素ガスを原料ガスとして供給し、該原料ガ
スをヒータ6で加熱すると、該第1の室4A内で熱CV
D反応が起こり、光ファイバ3Aの表面にアモルファス
カーボンよりなるハーメチック被覆層が形成され、ハー
メチック被覆光ファイバ3Bが得られる。第1の室4A
内の未反応ガス及び光ファイバ3Aに付着しなかった反
応生成物は、排気ロアより排気する。
次に、該ハーメチック被覆光ファイバ3Bを第1のりア
クタ4から連通管8を経て第2のりアクタ9内の第2の
室9Aに導く。該第2のりアクタ9には、ガス供給口1
0から02ガスを不活性ガスA「で希釈した希釈酸素を
供給する。これにより第2の室9A内は希釈酸素雰囲気
となっている。
クタ4から連通管8を経て第2のりアクタ9内の第2の
室9Aに導く。該第2のりアクタ9には、ガス供給口1
0から02ガスを不活性ガスA「で希釈した希釈酸素を
供給する。これにより第2の室9A内は希釈酸素雰囲気
となっている。
このような希釈酸素雰囲気中にハーメチック被覆光ファ
イバ3Bが入ると、表面温度が高いハーメチック被覆層
に付着している熱CVD反応の残査カーボンやH等の未
反応生成物が酸化されて除去される。希釈酸素雰囲気中
の02濃度は、5〜10%とする。ガス供給口10から
の希釈酸素が第1のりアクタ4側に入らないように、ま
た第1のりアクタ4内の排ガスが第2のりアクタ9内に
入らないように連通管8に設けた排気口20で排気する
。第2のりアクタ9内の排ガスは排気口11から排気す
る。
イバ3Bが入ると、表面温度が高いハーメチック被覆層
に付着している熱CVD反応の残査カーボンやH等の未
反応生成物が酸化されて除去される。希釈酸素雰囲気中
の02濃度は、5〜10%とする。ガス供給口10から
の希釈酸素が第1のりアクタ4側に入らないように、ま
た第1のりアクタ4内の排ガスが第2のりアクタ9内に
入らないように連通管8に設けた排気口20で排気する
。第2のりアクタ9内の排ガスは排気口11から排気す
る。
次に、該ハーメチック被覆光ファイバ3Bは、連通管1
2を経て第3のりアクタ13内の第3の、室13Aに導
く。該第3のりアクタ13内にはガス供給口14からC
H4等の炭化水素ガスを供給する。第2の室9A内の反
応によりハーメチック被覆層には、H20分子が付着し
ている。このH20分子とCH4が次式のように反応す
る。なお、(g)はガス状態であることを示している。
2を経て第3のりアクタ13内の第3の、室13Aに導
く。該第3のりアクタ13内にはガス供給口14からC
H4等の炭化水素ガスを供給する。第2の室9A内の反
応によりハーメチック被覆層には、H20分子が付着し
ている。このH20分子とCH4が次式のように反応す
る。なお、(g)はガス状態であることを示している。
CH4+ H20(g)→CO(g) +3H2(g)
この反応は吸熱反応であり、1気圧下で206ジユール
の吸熱をする。従って、この第3の室13A内の反応に
よりハーメチック被覆光ファイバ3Bは急冷される。ま
た、この反応で水分子の除去が行われるため、水による
光ファイバ3Aの伝送損失の増加や機械的強度の低下を
防止できる。第3の室13A内の排ガスは、排気口15
より排気する。
この反応は吸熱反応であり、1気圧下で206ジユール
の吸熱をする。従って、この第3の室13A内の反応に
よりハーメチック被覆光ファイバ3Bは急冷される。ま
た、この反応で水分子の除去が行われるため、水による
光ファイバ3Aの伝送損失の増加や機械的強度の低下を
防止できる。第3の室13A内の排ガスは、排気口15
より排気する。
かくして第3の室13Aで冷却されたハーメチック被覆
光ファイバ3Bを樹脂被覆器16に導き、ハーメチック
被覆層の表面に紫外線硬化樹脂等で樹脂層を被覆し、次
いで紫外線硬化炉の如き硬化炉17に通して樹脂層を硬
化させ、しかる後、巻取り機で巻取る。
光ファイバ3Bを樹脂被覆器16に導き、ハーメチック
被覆層の表面に紫外線硬化樹脂等で樹脂層を被覆し、次
いで紫外線硬化炉の如き硬化炉17に通して樹脂層を硬
化させ、しかる後、巻取り機で巻取る。
この場合、線引き速度は300〜400m/minであ
り、第1のりアクタ4でハーメチック被覆層の外径を1
25JImとしている。
り、第1のりアクタ4でハーメチック被覆層の外径を1
25JImとしている。
第1のりアクタ4の原料ガスとしては、CH< 。
C2H6,C6H6CH3,C2H2等の中から適宜な
炭化水素ガスを選び、更にCCJ24.HC(等の塩素
系のガスを混入し、キャリアガスとしてN2.Ar等の
不活性ガスを用いる。
炭化水素ガスを選び、更にCCJ24.HC(等の塩素
系のガスを混入し、キャリアガスとしてN2.Ar等の
不活性ガスを用いる。
第2のりアクタ9内の酸素濃度は、前述したように5〜
lO%であり、キャリアガスとしてはAr以外のN2.
He等でもよい。
lO%であり、キャリアガスとしてはAr以外のN2.
He等でもよい。
第1.第2.第3のりアクタ4.9. 13は、石英ガ
ラスで作り、内径は20〜30mm、長さは200〜3
00 mmとした。
ラスで作り、内径は20〜30mm、長さは200〜3
00 mmとした。
樹脂被覆器16としては、1次被覆と2次被覆とを同時
に行えるダイスを用いた。
に行えるダイスを用いた。
ライン速度を大きくするために、溶融炉2の条件、原料
ガスの流量等を調整したところ、600〜700m/m
inの生産速度にすることもできた。勿論、建屋の高さ
は従来と同一である。
ガスの流量等を調整したところ、600〜700m/m
inの生産速度にすることもできた。勿論、建屋の高さ
は従来と同一である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係るハーメチック被覆光フ
ァイバの製造方法では、製造されたハーメチック被覆光
ファイバを第2の室内の酸素雰囲気中に通すので、ハー
メチック被覆層の表面に付着しているカーボンやH2等
の未反応生成物等を酸化することができる。次に本発明
では、該ハーメチック被覆光ファイバを第3の室内の炭
化水素雰囲気中に通すので、炭化水素ガスと第2の室で
生成された820分子とが反応する吸熱反応が起こり、
ハーメチック被覆光ファイバを冷却することができる。
ァイバの製造方法では、製造されたハーメチック被覆光
ファイバを第2の室内の酸素雰囲気中に通すので、ハー
メチック被覆層の表面に付着しているカーボンやH2等
の未反応生成物等を酸化することができる。次に本発明
では、該ハーメチック被覆光ファイバを第3の室内の炭
化水素雰囲気中に通すので、炭化水素ガスと第2の室で
生成された820分子とが反応する吸熱反応が起こり、
ハーメチック被覆光ファイバを冷却することができる。
従って、冷却された該ハーメチック被覆光ファイバを樹
脂被覆器に導くことにより、安定した樹脂層の形成を行
うことができる。このように本発明によれば、ハーメチ
ック被覆層の成膜、後処理、冷却までを効率よく行うこ
とができるので、ライン速度を大きくしても建屋寸法を
変えることな(実施できる利点がある。従って、本発明
によれば、生産性の向上を従来と変わらない建屋で行う
ことができるので、設備の取扱い性、全体の信頼性を変
えることな〈実施できる利点がある。
脂被覆器に導くことにより、安定した樹脂層の形成を行
うことができる。このように本発明によれば、ハーメチ
ック被覆層の成膜、後処理、冷却までを効率よく行うこ
とができるので、ライン速度を大きくしても建屋寸法を
変えることな(実施できる利点がある。従って、本発明
によれば、生産性の向上を従来と変わらない建屋で行う
ことができるので、設備の取扱い性、全体の信頼性を変
えることな〈実施できる利点がある。
図面は本発明の方法を実施する装置の一実施例を示す縦
断面図である。 ■・・・光ファイバ母材、2・・・溶融炉、3A・・・
光ファイバ、3B・・・ハーメチック被覆光ファイバ、
4・・・第1のりアクタ、4A・・・第1の室、9・・
・第2のりアクタ、9A・・・第2の室、13・・・第
3のりアク夕、 13A・・・第3の室、 6・・・樹脂被覆器、 7 ・・・硬化炉。
断面図である。 ■・・・光ファイバ母材、2・・・溶融炉、3A・・・
光ファイバ、3B・・・ハーメチック被覆光ファイバ、
4・・・第1のりアクタ、4A・・・第1の室、9・・
・第2のりアクタ、9A・・・第2の室、13・・・第
3のりアク夕、 13A・・・第3の室、 6・・・樹脂被覆器、 7 ・・・硬化炉。
Claims (1)
- 光ファイバ母材から紡糸した直後の光ファイバを第1の
室に導いて該第1の室内で前記光ファイバの表面にアモ
ルファスカーボンよりなるハーメチック被覆層を設ける
ことによりハーメチック被覆光ファイバを得、次に該ハ
ーメチック被覆光ファイバを第2の室内に導いて該第2
の室内の酸素雰囲気中で前記ハーメチック被覆層に付着
している反応残査物を除去し、次に該ハーメチック被覆
光ファイバを第3の室内に導いて該第3の室内の炭素水
素雰囲気により前記ハーメチック被覆光ファイバを冷却
し、次に該ハーメチック被覆光ファイバを樹脂被覆器に
導き前記ハーメチック被覆層の表面に樹脂層を設けるこ
とを特徴とするハーメチック被覆光ファイバの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072895A JPH03275535A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072895A JPH03275535A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03275535A true JPH03275535A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13502546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2072895A Pending JPH03275535A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03275535A (ja) |
-
1990
- 1990-03-22 JP JP2072895A patent/JPH03275535A/ja active Pending
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