JPH0327610A - 表面波デバイス - Google Patents
表面波デバイスInfo
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- JPH0327610A JPH0327610A JP16225489A JP16225489A JPH0327610A JP H0327610 A JPH0327610 A JP H0327610A JP 16225489 A JP16225489 A JP 16225489A JP 16225489 A JP16225489 A JP 16225489A JP H0327610 A JPH0327610 A JP H0327610A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面波デバイス、特に表面実装に対応可能な表
面波デバイスに関するものである.〔従来の技術〕 従来、表面実装に対応可能な表面波デバイスとして、第
9図に示すように、平板状の絶縁基板50上に予め引出
電極51を形成しておき、この絶縁基板50上に表面波
素子52を接着固定し、表面波素子52の電極53と絶
&&碁板50の引出電極51とをワイヤボンディング等
にて接続するとともに、絶縁基板50の表面に表面波素
子52を覆う箱型のカバー54を接着固定したものがあ
る.この場合には、絶縁基板50の裏面に引出電極51
を引き出すことにより、表面実装に対応できる. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、上記表面波デバイスの場合には、表面波素子
52を絶縁基板50に固定したうえ、表面波素子52の
電極53と絶縁基板50の引出電極5lとを一々ワイヤ
ボンディング等にて接続しなければならないので、作業
性が悪く、しかも箱型のカバー54を使用する関係で量
産性に欠けるという問題があった.また、絶縁基板50
とカバー54との接着面積が大きくとれないため、気密
性が十分でなく、しかも接着剤によって表面波素子52
の電極形成面が汚れやすいので、信頼性を損なうおそれ
もあった.そこで、本発明の目的は、上記の問題点を解
消した表面実装可能な表面波デバイスを提供することに
ある. 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達威するため、本発明は、基板の一面に、両
端部に端子電極が、中間部に櫛歯電極がそれぞれ形成さ
れた表面波素子と、中央部上面に素子収納用の凹所が形
成され、凹所の両端部に該凹所より浅い凹段部が対向し
て形成され、かつ上記凹段部の内面を含む両端部周而に
引出電極が形成された絶縁ケースと、上記凹所および凹
段部を除くケース上面に接着された平板状の絶縁カバー
とを備え、上記表面波素子はその電極形成面をケース側
に向けて凹所内に収容され、その両端部が凹段部で支持
されるとともに、導電性接合材にて表面波素子の端子電
極と凹段部の引出電極とが接続されていることを特徴と
するものである.〔作用〕 即ち、ケースに深い凹所と浅い凹段部とを形成するとと
もに、ケースの両端部周面と凹段部の内面とに連続的に
引出電極を形成しておく.そして、凹段部に導電性接着
剤やクリーム半田などの導電性接合材を塗布した状態で
、ケースの凹所内に表面波素子を裏返して収納すると、
表面波素子の両端部は凹段部に支持されると同時に、表
面波素子の端子電極と凹段部の引出電極とが導電性接合
材にて接続固定される.このとき、表面波素子の電極形
成而と凹所底面との間には空隙を有するので、表面波素
子の振動特性に悪影響を及ぼさない。その後、ケースの
上面に凹所と凹段部とを覆うべくカバーを接着固定する
と、ケース内部が密封される.このとき、ケースの凹所
および凹段部を除く上面を接着面とすることができるの
で、カバーとの接着面積が大きく取れ、気密性が良好に
なるとともに、その接着剤がケース内に多少漏れても、
表面波素子が裏返してケースに収納されているので、接
着剤によって表面波素子の電極形成面が汚れることがな
い. なお、ケース母板の表面に多数の凹所と凹段部とを一定
間隔で形成しておき、これら凹所に表面波素子をそれぞ
れ収納固定するとともに、ケース母板上にカバー母板を
接着固定し、これらケース母板とカバー母板とを共振子
単体に切断分離した後、ケースの両端部周囲に引出電極
をスパッタ,蒸着等にて形成すれば、既存の技術で表面
実装型の表面波デバイスを量産できる利点がある.〔実
施例〕 第1図〜第4図は本発明の第1実施例である2端子型の
表面波デバイスを示す.この表面波デバイスは、セラミ
ック等の絶縁材料からなるケース1と、表面波素子lO
と、絶縁材料からなる平板状カバー20とで構威されて
いる. ケース1の中央部上面には凹所2が形成されており、こ
の凹所2の両端部には凹所2より浅い凹段部3が対向し
て形成されている.そして、凹段部3の内面を含むケー
ス1の両端部屑面には、引出電極4,5が形成されてい
る. 表面波素子IOは、第4図に示すように、二オブ酸リチ
ウム単結晶等の圧電基板11の一面に電極12,13お
よび14を形成したものである.電極l2および13は
、中央部に対向して形成された櫛歯電極l2a,13a
と、両端部に形成された端子電極12b. 13haと
で構威されている.なお、電極14は反射電極である.
この表面波素子10の動作は公知のとおりであり、電気
信号が電極12. 13の端子電極12b. 13bに
入力されると、特定の周波数の電気信号が櫛歯電極12
a.13aの部位で弾性表面波に変換され、この弾性表
面波が電極12. 13と接する圧電基板l1の表面を
伝播し、櫛歯電極12a,13aの両側の反射電極14
により反射され、再度櫛歯電極12a,13aにフィー
ドバックすることにより、特定の周波数の発振を行わせ
るものである. 上記表面波素子10は、その電極形成面を下側にしてケ
ースl内に収納される.このとき、表面波素子10の縦
寸法L,は凹段部3の両端面の間隔L!よりやや短く、
表面波素子lOの幅寸法W,は凹段部3の輻寸法Wfよ
りやや短く、さらに表面波素子lOの厚みT,は凹段部
3の深さT,より小さく設定されているので、表面波素
子10の両端部は凹段部3内に嵌合支持され、電極形成
面が凹所2の底面と接触することはない.また、凹段部
3の上面には予め導電性接着剤またはクリーム半田など
の導電性接合材15(第2図参照)が塗布されているの
で、表面波素子10の両端部が凹段部3で支持されると
同時に、表面波素子10の端子電極12b,13bとケ
ースlの引出電極4,5とが電気的に接続され、かつ機
械的に固定される. カバー20は上記ケースlの上面と同一輪郭形状の平板
よりなり、接着剤21 (第2図参照)によってケース
1の上面に接着され、ケース1の内部を密封している.
なお、カバー20の両端部の側面には、上記引出電極4
.5と連続する電極22.23が形成されている. つぎに、上記構威の表面波デバイスの具体的な製造方法
を説明する. まず、第5図に示すように、大形なケース母板1^にそ
の威形と同時に多数の凹所2^と凹段部3Aとを形成し
ておく.そして、隣合う凹段部3Aを含む上面部分に帯
状の電極6をスパック,蒸着等にて形成する.次に、凹
段部3Aにi電ペースト等の導電性接合材l5を供給し
、表面波素子lOを各凹所2^内に裏返して収納し、そ
の両端部を凹段部3Aで支持する.このとき、表面波素
子lOの端子電極12b,13bとケース母板l^の電
極6とが導電性接合材15を介して接着されるので、両
電極が電気的に接続され、しかも導電性接合材15を硬
化させることにより、表面波素子10は機械的に固定さ
れる.つぎに、ケース母板1^の凹所2^および凹段部
3^を除く上面にスキージ印刷法等によって接着剤21
を塗布し、その上面よりカバー母板20^を接着するこ
とにより、各凹所2^および凹段部3Aを密封する.そ
して、第6図一点鎖線で示すように、ケース母板IAお
よびカバー母板20Aを切断することにより、一素子毎
に分離する. その後、分離された各素子の両端部側面に引出電極とな
る導電H4,5をスバッタ.ms等にて形成し、かつ両
端部下面にも導電H4,5をメッヰ処理等にて形成する
.特に、両端部側面に導電膜4.5をスパッタ.蒸着等
にて形成した際、ケース1とカバー20とで挟まれた電
極6と導電膜4.5とが導通するので、外部に露出した
導電Jl4.5と表面波素子10の端子電極12b,
13bとが導通し、第1図のごとき表面波デバイスを完
威する.上記のような方法を用いると、多数個の表面波
デバイスを既存の技術で、短時間にかつ安価に量産でき
るという利点がある. 第7図,第8図は本発明の第2実施例である4端子型表
面波フィルタを示す.この実施例では、表面波素子30
として圧1t碁板31上に送信電極32と受信電極33
とを形成したものであるが、送信電極32および受信電
極33が共に一対の電極34.35および36.37で
横威されている.そして、各電極34.35および36
.37はそれぞれ櫛歯電極34a.35aおよび36a
,37aと端子電極34b.35bおよび36b, 3
7bとを有している.なお、38.39はダンピング剤
である.一方、ケース40には第1実施例と同様に深い
凹所41と浅い凹段部42とが形成されており、凹段部
42を含むケース40の両端部周面には引出電極43,
44.45.46が形成されている.このうち、一端側
の電極43.44は互いに導通しておらず、他端例の電
極45.46も導通していない.このケース40の凹段
部42上に導電性接合材(図示せず)を塗布した上で、
上記表面波素子30をその電極形成面を凹所4l側に向
けて収納すると、素子30の両端部が凹段部42に支持
される.これと同時に、素子30の端子電橋34b.3
5b,36b,37bがそれぞれ引出電極43,44,
45.46に接着され、互いに導通する.〔発明の効果
〕 以上の説明で明らかなように、本発明によれば表面波素
子の両端部をケースの凹段部に支持させ、凹段部の引出
電極と表面波素子の端子電極とを導電性接合材で接続固
定した上、平板状カバーをケース上面に接着固定するよ
うにしたので、量産性に優れた表面実装型の表面波デバ
イスを得ることができる. また、表面波素子を電極形成面をケース側に向けて収納
するため、カバーをケースに接着する際、接着材が表面
波素子の電極形成面を汚す心配がない.なお、凹段部は
凹所より浅いので、表面波素子の電極形成面と凹所とが
接触せず、表面波素子の振動特性を損なわない. さらに、ケースの凹所および凹段部を除く上面を接着面
とすることができるので、カバーとの接着面積が大きく
取れ、気密性が優れるといった効果を奏する.
面波デバイスに関するものである.〔従来の技術〕 従来、表面実装に対応可能な表面波デバイスとして、第
9図に示すように、平板状の絶縁基板50上に予め引出
電極51を形成しておき、この絶縁基板50上に表面波
素子52を接着固定し、表面波素子52の電極53と絶
&&碁板50の引出電極51とをワイヤボンディング等
にて接続するとともに、絶縁基板50の表面に表面波素
子52を覆う箱型のカバー54を接着固定したものがあ
る.この場合には、絶縁基板50の裏面に引出電極51
を引き出すことにより、表面実装に対応できる. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、上記表面波デバイスの場合には、表面波素子
52を絶縁基板50に固定したうえ、表面波素子52の
電極53と絶縁基板50の引出電極5lとを一々ワイヤ
ボンディング等にて接続しなければならないので、作業
性が悪く、しかも箱型のカバー54を使用する関係で量
産性に欠けるという問題があった.また、絶縁基板50
とカバー54との接着面積が大きくとれないため、気密
性が十分でなく、しかも接着剤によって表面波素子52
の電極形成面が汚れやすいので、信頼性を損なうおそれ
もあった.そこで、本発明の目的は、上記の問題点を解
消した表面実装可能な表面波デバイスを提供することに
ある. 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達威するため、本発明は、基板の一面に、両
端部に端子電極が、中間部に櫛歯電極がそれぞれ形成さ
れた表面波素子と、中央部上面に素子収納用の凹所が形
成され、凹所の両端部に該凹所より浅い凹段部が対向し
て形成され、かつ上記凹段部の内面を含む両端部周而に
引出電極が形成された絶縁ケースと、上記凹所および凹
段部を除くケース上面に接着された平板状の絶縁カバー
とを備え、上記表面波素子はその電極形成面をケース側
に向けて凹所内に収容され、その両端部が凹段部で支持
されるとともに、導電性接合材にて表面波素子の端子電
極と凹段部の引出電極とが接続されていることを特徴と
するものである.〔作用〕 即ち、ケースに深い凹所と浅い凹段部とを形成するとと
もに、ケースの両端部周面と凹段部の内面とに連続的に
引出電極を形成しておく.そして、凹段部に導電性接着
剤やクリーム半田などの導電性接合材を塗布した状態で
、ケースの凹所内に表面波素子を裏返して収納すると、
表面波素子の両端部は凹段部に支持されると同時に、表
面波素子の端子電極と凹段部の引出電極とが導電性接合
材にて接続固定される.このとき、表面波素子の電極形
成而と凹所底面との間には空隙を有するので、表面波素
子の振動特性に悪影響を及ぼさない。その後、ケースの
上面に凹所と凹段部とを覆うべくカバーを接着固定する
と、ケース内部が密封される.このとき、ケースの凹所
および凹段部を除く上面を接着面とすることができるの
で、カバーとの接着面積が大きく取れ、気密性が良好に
なるとともに、その接着剤がケース内に多少漏れても、
表面波素子が裏返してケースに収納されているので、接
着剤によって表面波素子の電極形成面が汚れることがな
い. なお、ケース母板の表面に多数の凹所と凹段部とを一定
間隔で形成しておき、これら凹所に表面波素子をそれぞ
れ収納固定するとともに、ケース母板上にカバー母板を
接着固定し、これらケース母板とカバー母板とを共振子
単体に切断分離した後、ケースの両端部周囲に引出電極
をスパッタ,蒸着等にて形成すれば、既存の技術で表面
実装型の表面波デバイスを量産できる利点がある.〔実
施例〕 第1図〜第4図は本発明の第1実施例である2端子型の
表面波デバイスを示す.この表面波デバイスは、セラミ
ック等の絶縁材料からなるケース1と、表面波素子lO
と、絶縁材料からなる平板状カバー20とで構威されて
いる. ケース1の中央部上面には凹所2が形成されており、こ
の凹所2の両端部には凹所2より浅い凹段部3が対向し
て形成されている.そして、凹段部3の内面を含むケー
ス1の両端部屑面には、引出電極4,5が形成されてい
る. 表面波素子IOは、第4図に示すように、二オブ酸リチ
ウム単結晶等の圧電基板11の一面に電極12,13お
よび14を形成したものである.電極l2および13は
、中央部に対向して形成された櫛歯電極l2a,13a
と、両端部に形成された端子電極12b. 13haと
で構威されている.なお、電極14は反射電極である.
この表面波素子10の動作は公知のとおりであり、電気
信号が電極12. 13の端子電極12b. 13bに
入力されると、特定の周波数の電気信号が櫛歯電極12
a.13aの部位で弾性表面波に変換され、この弾性表
面波が電極12. 13と接する圧電基板l1の表面を
伝播し、櫛歯電極12a,13aの両側の反射電極14
により反射され、再度櫛歯電極12a,13aにフィー
ドバックすることにより、特定の周波数の発振を行わせ
るものである. 上記表面波素子10は、その電極形成面を下側にしてケ
ースl内に収納される.このとき、表面波素子10の縦
寸法L,は凹段部3の両端面の間隔L!よりやや短く、
表面波素子lOの幅寸法W,は凹段部3の輻寸法Wfよ
りやや短く、さらに表面波素子lOの厚みT,は凹段部
3の深さT,より小さく設定されているので、表面波素
子10の両端部は凹段部3内に嵌合支持され、電極形成
面が凹所2の底面と接触することはない.また、凹段部
3の上面には予め導電性接着剤またはクリーム半田など
の導電性接合材15(第2図参照)が塗布されているの
で、表面波素子10の両端部が凹段部3で支持されると
同時に、表面波素子10の端子電極12b,13bとケ
ースlの引出電極4,5とが電気的に接続され、かつ機
械的に固定される. カバー20は上記ケースlの上面と同一輪郭形状の平板
よりなり、接着剤21 (第2図参照)によってケース
1の上面に接着され、ケース1の内部を密封している.
なお、カバー20の両端部の側面には、上記引出電極4
.5と連続する電極22.23が形成されている. つぎに、上記構威の表面波デバイスの具体的な製造方法
を説明する. まず、第5図に示すように、大形なケース母板1^にそ
の威形と同時に多数の凹所2^と凹段部3Aとを形成し
ておく.そして、隣合う凹段部3Aを含む上面部分に帯
状の電極6をスパック,蒸着等にて形成する.次に、凹
段部3Aにi電ペースト等の導電性接合材l5を供給し
、表面波素子lOを各凹所2^内に裏返して収納し、そ
の両端部を凹段部3Aで支持する.このとき、表面波素
子lOの端子電極12b,13bとケース母板l^の電
極6とが導電性接合材15を介して接着されるので、両
電極が電気的に接続され、しかも導電性接合材15を硬
化させることにより、表面波素子10は機械的に固定さ
れる.つぎに、ケース母板1^の凹所2^および凹段部
3^を除く上面にスキージ印刷法等によって接着剤21
を塗布し、その上面よりカバー母板20^を接着するこ
とにより、各凹所2^および凹段部3Aを密封する.そ
して、第6図一点鎖線で示すように、ケース母板IAお
よびカバー母板20Aを切断することにより、一素子毎
に分離する. その後、分離された各素子の両端部側面に引出電極とな
る導電H4,5をスバッタ.ms等にて形成し、かつ両
端部下面にも導電H4,5をメッヰ処理等にて形成する
.特に、両端部側面に導電膜4.5をスパッタ.蒸着等
にて形成した際、ケース1とカバー20とで挟まれた電
極6と導電膜4.5とが導通するので、外部に露出した
導電Jl4.5と表面波素子10の端子電極12b,
13bとが導通し、第1図のごとき表面波デバイスを完
威する.上記のような方法を用いると、多数個の表面波
デバイスを既存の技術で、短時間にかつ安価に量産でき
るという利点がある. 第7図,第8図は本発明の第2実施例である4端子型表
面波フィルタを示す.この実施例では、表面波素子30
として圧1t碁板31上に送信電極32と受信電極33
とを形成したものであるが、送信電極32および受信電
極33が共に一対の電極34.35および36.37で
横威されている.そして、各電極34.35および36
.37はそれぞれ櫛歯電極34a.35aおよび36a
,37aと端子電極34b.35bおよび36b, 3
7bとを有している.なお、38.39はダンピング剤
である.一方、ケース40には第1実施例と同様に深い
凹所41と浅い凹段部42とが形成されており、凹段部
42を含むケース40の両端部周面には引出電極43,
44.45.46が形成されている.このうち、一端側
の電極43.44は互いに導通しておらず、他端例の電
極45.46も導通していない.このケース40の凹段
部42上に導電性接合材(図示せず)を塗布した上で、
上記表面波素子30をその電極形成面を凹所4l側に向
けて収納すると、素子30の両端部が凹段部42に支持
される.これと同時に、素子30の端子電橋34b.3
5b,36b,37bがそれぞれ引出電極43,44,
45.46に接着され、互いに導通する.〔発明の効果
〕 以上の説明で明らかなように、本発明によれば表面波素
子の両端部をケースの凹段部に支持させ、凹段部の引出
電極と表面波素子の端子電極とを導電性接合材で接続固
定した上、平板状カバーをケース上面に接着固定するよ
うにしたので、量産性に優れた表面実装型の表面波デバ
イスを得ることができる. また、表面波素子を電極形成面をケース側に向けて収納
するため、カバーをケースに接着する際、接着材が表面
波素子の電極形成面を汚す心配がない.なお、凹段部は
凹所より浅いので、表面波素子の電極形成面と凹所とが
接触せず、表面波素子の振動特性を損なわない. さらに、ケースの凹所および凹段部を除く上面を接着面
とすることができるので、カバーとの接着面積が大きく
取れ、気密性が優れるといった効果を奏する.
第1図は本発明にかかる表面波デバイスの第1実施例の
斜視図、第2図は第1図のト]線断面図、第3図はその
分解斜視図、第4図は表面波素子の斜視図、第5図はケ
ース母板と表面波素子とカバー母板との分解斜視図、第
6図はその接着状態の斜視図、第7図は表面波素子の第
2実施例の平面図、第8図はその表面波素子を収納する
ためのケースの平面図、第9図は従来例の絶縁基板とカ
バーの斜視図である. 1・・・ケース、2・・・凹所、3・・・凹段部、4,
5・・・引出電極、10・・・表面波素子、l1・・・
圧電基板、12,13 ・・・電極、12a,13a−
m歯電極、12b.I3b ・・・端子電極、l5・・
・導電性接合材、20・・・カバー、30・・・表面波
素子、40・・・ケース.
斜視図、第2図は第1図のト]線断面図、第3図はその
分解斜視図、第4図は表面波素子の斜視図、第5図はケ
ース母板と表面波素子とカバー母板との分解斜視図、第
6図はその接着状態の斜視図、第7図は表面波素子の第
2実施例の平面図、第8図はその表面波素子を収納する
ためのケースの平面図、第9図は従来例の絶縁基板とカ
バーの斜視図である. 1・・・ケース、2・・・凹所、3・・・凹段部、4,
5・・・引出電極、10・・・表面波素子、l1・・・
圧電基板、12,13 ・・・電極、12a,13a−
m歯電極、12b.I3b ・・・端子電極、l5・・
・導電性接合材、20・・・カバー、30・・・表面波
素子、40・・・ケース.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の一面に、両端部に端子電極が、中間部に櫛歯電
極がそれぞれ形成された表面波素子と、中央部上面に素
子収納用の凹所が形成され、凹所の両端部に該凹所より
浅い凹段部が対向して形成され、かつ上記凹段部の内面
を含む両端部周面に引出電極が形成された絶縁ケースと
、 上記凹所および凹段部を除くケース上面に接着された平
板状の絶縁カバーとを備え、 上記表面波素子はその電極形成面をケース側に向けて凹
所内に収容され、その両端部が凹段部で支持されるとと
もに、導電性接合材にて表面波素子の端子電極と凹段部
の引出電極とが接続されていることを特徴とする表面波
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16225489A JPH0327610A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16225489A JPH0327610A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327610A true JPH0327610A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15750940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16225489A Pending JPH0327610A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0327610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414917A (en) * | 1992-10-19 | 1995-05-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing piezoelectric resonator chips |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16225489A patent/JPH0327610A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414917A (en) * | 1992-10-19 | 1995-05-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing piezoelectric resonator chips |
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