JPH03280011A - 磁気光学材料 - Google Patents
磁気光学材料Info
- Publication number
- JPH03280011A JPH03280011A JP8195390A JP8195390A JPH03280011A JP H03280011 A JPH03280011 A JP H03280011A JP 8195390 A JP8195390 A JP 8195390A JP 8195390 A JP8195390 A JP 8195390A JP H03280011 A JPH03280011 A JP H03280011A
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- JP
- Japan
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- magneto
- temp
- crystal film
- faraday rotation
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は光アイソレータや光サーキュレータなどに用
いられる磁気光学材料に関する。
いられる磁気光学材料に関する。
［従来の技術］
従来より、半導体レーザから放出された光線と戻り光と
を分離するための光アイソレータとして、あるいは光フ
アイバ損失測定において光ファイバの後方散乱光を受光
ダイオードのみに導くための光サーキュレータとしてフ
ァラデー回転効果を有する磁気光学材料が利用されてい
る。
を分離するための光アイソレータとして、あるいは光フ
アイバ損失測定において光ファイバの後方散乱光を受光
ダイオードのみに導くための光サーキュレータとしてフ
ァラデー回転効果を有する磁気光学材料が利用されてい
る。
ファラデー回転効果は磁気光学材料が磁界の中に置かれ
た場合、材料中を磁界方向に進む光の偏光面が回転する
現象であり、光アイソレータ等に適用される磁気光学素
子としては、ファラデー回転係数（単位長当りの回転角
）か大きいこと、且つファラデー回転係数の温度依存性
が少ないこと、更に挿入損失か少ないことか条件となる
。
た場合、材料中を磁界方向に進む光の偏光面が回転する
現象であり、光アイソレータ等に適用される磁気光学素
子としては、ファラデー回転係数（単位長当りの回転角
）か大きいこと、且つファラデー回転係数の温度依存性
が少ないこと、更に挿入損失か少ないことか条件となる
。
この種の磁気光学材料として、Ｂｉ置換を行った希土類
鉄ガーネット（一般式Ｂ ｉ 、ＲＥ、Ｆ ｅ５０．２
で表わされるもので、ＲＥは希土類を表わしｘ＋ｙ＝３
である）か開発されている。このような希土類鉄ガーネ
ット結晶は基板となるガーネット上に液相エピタキシャ
ル法によって育成することができ、Ｂｉの置換量が多い
はいとファラデー回転係数が向上する。Ｂｉを多量に置
換するためにＦｅをＡＩおよび／又はＧａで置換するこ
とか行なわれている（特開昭６１−２０９２５号）。
鉄ガーネット（一般式Ｂ ｉ 、ＲＥ、Ｆ ｅ５０．２
で表わされるもので、ＲＥは希土類を表わしｘ＋ｙ＝３
である）か開発されている。このような希土類鉄ガーネ
ット結晶は基板となるガーネット上に液相エピタキシャ
ル法によって育成することができ、Ｂｉの置換量が多い
はいとファラデー回転係数が向上する。Ｂｉを多量に置
換するためにＦｅをＡＩおよび／又はＧａで置換するこ
とか行なわれている（特開昭６１−２０９２５号）。
一方、Ｂｉはイオン半径が犬であるため、Ｂｉ量が多く
なると基板との格子定数の差が大きくなり格子整合性が
悪い。このため、希土類元素としてイオン半径の小さな
希土類元素を用いることにより、基板との格子整合性を
図っている（特開昭６３−２９１０２８号、特開平１−
２１７３１３号）。
なると基板との格子定数の差が大きくなり格子整合性が
悪い。このため、希土類元素としてイオン半径の小さな
希土類元素を用いることにより、基板との格子整合性を
図っている（特開昭６３−２９１０２８号、特開平１−
２１７３１３号）。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、ＦｅをＡＩ、Ｇａ等の非磁性元素で置換した磁
気光学材料では、一般に温度依存性が低下する傾向があ
る。また、希土類鉄ガーネットを形成する希土類は、１
種又は２種以上を混合して用いられているが、それぞれ
温度特性が異なり、一種のみを用いた場合或いは組合せ
が適当でない場合にはファラデー回転係数の温度依存性
が大きく、磁気光学素子として実用できない。
気光学材料では、一般に温度依存性が低下する傾向があ
る。また、希土類鉄ガーネットを形成する希土類は、１
種又は２種以上を混合して用いられているが、それぞれ
温度特性が異なり、一種のみを用いた場合或いは組合せ
が適当でない場合にはファラデー回転係数の温度依存性
が大きく、磁気光学素子として実用できない。
本発明は特定の希土類を２種組み合わせることによりフ
ァラデー回転係数と共に、温度依存性を向上することの
できる磁気光学材料を提供することを目的とし、更に光
アイソレータ等として用いた場合、挿入損失が少ない磁
気光学材料を提供することを目的とする。
ァラデー回転係数と共に、温度依存性を向上することの
できる磁気光学材料を提供することを目的とし、更に光
アイソレータ等として用いた場合、挿入損失が少ない磁
気光学材料を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために本発明者等は温度特性
が相補的である２種の希土類の組合せについて鋭意研究
の結果、希土類としてＥｒとＴｂを組合せた場合にファ
ラデー回転係数が極めて高く、しかも温度依存性が小さ
いことを見出し本発明に至ったものである。
が相補的である２種の希土類の組合せについて鋭意研究
の結果、希土類としてＥｒとＴｂを組合せた場合にファ
ラデー回転係数が極めて高く、しかも温度依存性が小さ
いことを見出し本発明に至ったものである。
即ち本発明の磁気光学材料は、非磁性ガーネット基板上
に育成され、組成式 ％式％ ） で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成るものである
。
に育成され、組成式 ％式％ ） で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成るものである
。
ここで、非磁性ガーネット基板は、Ｇｄ５Ｇａｓ０１ｆ
ｆｉ、Ｓｍ５ＧａｓＯｚｚ、ＮｄＢＧＢｓＯ１＊（以下
ＮＧＧという） 、Ｃａ −Ｍｇ−Ｚ ｒ置換Ｇ ｄ
、Ｇ ａ。
ｆｉ、Ｓｍ５ＧａｓＯｚｚ、ＮｄＢＧＢｓＯ１＊（以下
ＮＧＧという） 、Ｃａ −Ｍｇ−Ｚ ｒ置換Ｇ ｄ
、Ｇ ａ。
０．２（以下５ＧＧＧという）等が用いられるが、上記
組成の結晶膜は格子定数が１２．４９７Ａ前後の５ＧＧ
Ｇ基板との格子整合性が最もよい。
組成の結晶膜は格子定数が１２．４９７Ａ前後の５ＧＧ
Ｇ基板との格子整合性が最もよい。
磁性ガーネット結晶膜の育成は液相エピタキシャル法に
よって行う。即ち、ＰｂＯ１Ｂ２０３、Ｂｉａｓｓのフ
ラックス中に、Ｆｅ２Ｏ，、Ｅｒ、Ｏ，。
よって行う。即ち、ＰｂＯ１Ｂ２０３、Ｂｉａｓｓのフ
ラックス中に、Ｆｅ２Ｏ，、Ｅｒ、Ｏ，。
Ｔｂ、Ｏ，を融かして成る所定組成の融液中にガーネッ
ト基板を浸漬することによって基板上に厚さ５００μｍ
以上の結晶膜を育成することができる。
ト基板を浸漬することによって基板上に厚さ５００μｍ
以上の結晶膜を育成することができる。
得られた結晶膜は必要に応じ基板を全部又は１部削り取
った後、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いる
。
った後、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いる
。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
表１に示す組成の融液中（７００℃）に５ＧＧＧ基板を
１０分浸漬し、基板上に鏡面を呈する厚さ５μｍの結晶
膜を得た。
１０分浸漬し、基板上に鏡面を呈する厚さ５μｍの結晶
膜を得た。
得られた結晶膜の組成及び波長１．３μｍにおけるファ
ラデー回転係数を表２に示す。
ラデー回転係数を表２に示す。
実施例２
実施笹１と同様の融液中に、ＮＧＧ基板を１０分浸漬し
、基板上に鏡面を呈する厚さ５μｍの結晶膜を得た。
、基板上に鏡面を呈する厚さ５μｍの結晶膜を得た。
表
表
［発明の効果コ
以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、
磁性ガーネット結晶膜の希土類として温変時性が相補的
であるＥｒとＴｂを用いることにより、ファラデー回転
係数が極めて大きく、その温度依存性の小さい磁気光学
材料を得ることができる。
磁性ガーネット結晶膜の希土類として温変時性が相補的
であるＥｒとＴｂを用いることにより、ファラデー回転
係数が極めて大きく、その温度依存性の小さい磁気光学
材料を得ることができる。
従って、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いた
場合素子の小型化、低コスト化かで実現でき、挿入損失
も極めて小さくすることができる。
場合素子の小型化、低コスト化かで実現でき、挿入損失
も極めて小さくすることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性ガーネット基板上に育成され、組成式Ｅｒ＿３＿
−＿ｘ＿−＿ｙＴｂ＿ｘＢｉ＿ｙＦｅ＿５Ｏ＿１＿２（
但し、０＜ｘ＜３、０＜ｙ＜３である） で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成ることを特徴
とする磁気光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195390A JPH03280011A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 磁気光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195390A JPH03280011A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 磁気光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280011A true JPH03280011A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13760867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8195390A Pending JPH03280011A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 磁気光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280011A (ja) |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8195390A patent/JPH03280011A/ja active Pending
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