JPH0450120A - 磁気光学材料 - Google Patents

磁気光学材料

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Publication number
JPH0450120A
JPH0450120A JP16079890A JP16079890A JPH0450120A JP H0450120 A JPH0450120 A JP H0450120A JP 16079890 A JP16079890 A JP 16079890A JP 16079890 A JP16079890 A JP 16079890A JP H0450120 A JPH0450120 A JP H0450120A
Authority
JP
Japan
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crystal film
optical material
substrate
magnetic
coefficient
Prior art date
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Application number
JP16079890A
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English (en)
Inventor
Minoru Kojima
実 小島
Takao Takahashi
隆雄 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は光アイソレータや光サーキュレータなどに用
いられる磁気光学材料に関する。
[従来の技術] 従来より、半導体レーザから放出された光線と戻り光と
を分離するための光アイソレータとして、あるいは光フ
アイバ損失測定において光ファイノくの後方散乱光を受
光ダイオードのみに導くための光サーキュレータとして
ファラデー回転効果を有する磁気光学材料が利用されて
いる。
ファラデー回転効果は磁気光学材料が磁界の中に置かれ
た場合、材料中を磁界方向に進む光の偏光面が回転する
現象であり、光アイソレータ等に適用される磁気光学素
子としては、ファラデー回転係数(単位長当りの回転角
)が大きいこと、且つファラデー回転係数の温度依存性
が少ないこと、更に挿入損失が少ないことが条件となる
この種の磁気光学材料として、Bi置換を行った希土類
鉄ガーネット(一般式Bi、REアFe。
0.2で表わされるもので、REは希土類を表わし、x
十y=3である)が開発されている。このような鉄ガー
ネツト結晶は基板となるガーネット上に液相エピタキシ
ャル法によって育成することができ、Biの置換量が多
いほどファラデー回転係数が向上する。Biを多量に置
換するために、FeをAl5Ga等の非磁性元素で置換
することが提案されている(特開昭61−20926号
)。
一方、Biはイオン半径が大であるため、Bi量が多く
なると基板との格子定数の差が大きくなり格子整合性が
悪い。このため、希土類元素としてイオン半径の小さな
希土類元素を用いることにより、基板との格子整合性を
図っている(特開昭63−291028号、特開平1−
217313号)。
[発明が解決しようとする課題] しかし、Feを非磁性元素で置換した場合には、得られ
る磁気光学材料の温度特性が劣化するという問題点があ
る。また、希土類鉄ガーネットを形成する希土類は、1
種又は2種以上を混合して用いられているが、それぞれ
温度特性(温度係数の符号)が異なり、一種のみを用い
た場合或いは組合せが適当でない場合にはファラデー回
転係数の温度係数が大きくなり、磁気光学素子として実
用できない。
本発明は特定の希土類を2種組み合わせることによりフ
ァラデー回転係数が大きく、温度係数の小さい磁気光学
材料を提供することを目的とし、更に外部飽和磁界が小
さく、部品として用いる磁石の小型化を可能とする磁気
光学材料を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成するために本発明者等は温度係数
の符号が異なる二種の希土類の組合せについて鋭意研究
の結果、希土類としてErとGdを組合せた場合にファ
ラデー回転係数が極めて高く、しかも外部飽和磁界が小
さいことを見出し本発明に至ったものである。
即ち本発明の磁気光学材料は、非磁性ガーネット基板上
に育成され、組成式 %式% で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成るものである
ここで、非磁性ガーネット基板は、GdaGa。
012、Sm5Ga、O+z、NdaGa60+2(以
下NGGという)、Ca−Mg−Zr置換GdxGas
O12(以下5GGGという)等が用いられるが、上記
組成の結晶膜は格子定数が12.497A前後の5GG
G基板との格子整合性が最もよい。
磁性ガーネット結晶膜の育成は液相エピタキシャル法に
よって行う。即ち、PbO1B*Os。
Bi*Osのフラックス中に、Fe*Oss ErtO
ssG d * Osを融かして成る所定組成の融液中
にガーネット基板を浸漬することによって基板上に厚さ
500μm以上の結晶膜を育成することができる。
このような融液組成において、得られる結晶膜のはファ
ラデー回転係数は極めて高いので、結晶膜の厚さを従来
の磁性ガーネット結晶膜に比してはかなり薄く(例えば
、202μm以下に)でき、従って育成時間の短縮を図
ることができる。
得られた結晶膜は必要に応じ基板を全部又は1部削り取
った後、光アイソレータ等の磁気光学素子として用いる
[実施例] 以下、本発明の詳細な説明する。
実施例1 表1に示す組成の融液中(735℃)に5GGG基板を
5分浸漬し、基板上に鏡面を呈する厚さ5μmの結晶膜
を得た。
得られた結晶膜の組成、波長1.3μmにおけるファラ
デー回転係数および外部飽和磁界を表2に示す。
表1 表2 実施例2 実施例1と同様の融液中にNGG基板を5分浸漬し、基
板上に鏡面を呈する厚さ5μmの結晶膜を得た。
[発明の効果コ 以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、
磁性ガーネット結晶膜の希土類として温度係数の符号が
異なるErとGdを用いることにより、ファラデー回転
係数が極めて大きく、温度係数の小さい磁気光学材料を
得ることができる。
従って、極めて薄い結晶膜を光アイソレータ等の磁気光
学素子として用いることができるので、素子の小型化、
低コスト化が実現でき、結晶育成時間を短縮できる。
更に本発明の磁気光学材料は外部飽和磁界が小さいので
、部品として用いる磁石を小さいものとすることができ
、装置全体としての小型化を実現することができる。
代理人 弁理士  守 谷 −雄

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  非磁性ガーネット基板上に育成され、組成式Er_3
    _−_x_−_yGd_xBi_yFe_5O_1_2
    (但し、0<x<3、0<y<3である) で表わされる磁性ガーネット結晶膜から成ることを特徴
    とする磁気光学材料。
JP16079890A 1990-06-19 1990-06-19 磁気光学材料 Pending JPH0450120A (ja)

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JP16079890A JPH0450120A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 磁気光学材料

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JP16079890A JPH0450120A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 磁気光学材料

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JPH0450120A true JPH0450120A (ja) 1992-02-19

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JP16079890A Pending JPH0450120A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 磁気光学材料

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