JPH03280214A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は鉄−コバルトの窒化物からなる強磁性金属薄膜
を磁性層とする垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。

（ロ）従来の技術 東北大の告時らにより発表された垂直磁気記録は、記録
密度が高くなるほど自己減磁作用が抑制されるため本質
的に高密度記録に適した記録方式である。垂直磁気記録
用の媒体としては、スパッタ法もしくは真空蒸着法で作
成したＣｏ−Ｃｒ膜が発表されている。

Ｃｏ−Ｃｒ膜は磁気異方性、飽和磁化ともに大きく垂直
記録媒体として優れているが、Ｃｏはコスト的に高価な
ため問題がある。上述の欠点を解消したものとして、例
えば特開昭５９−２２８７０５号公報（ＨＯＩ　Ｆ　１
０／１８）に開示されているように、安価なＦｅをベー
スにしたＦｅＮ系垂直磁気記録媒体が提案されている。

これは六方晶系窒化鉄（ε−Ｆｅｗ〜、Ｎ）を主体とす
る媒体であり、鉄、７’−Ｆｅ４Ｎ、ｔ　−Ｆ　ｅ　、
−、Ｎ、ζ−Ｆｅ、ＮのようなＦｅまたはその窒化物の
中から選ばれた少なくとも１つの粉末、粉末焼結体、バ
ルクを原料として、Ａｒ気流中、Ａｒと窒素の混合気流
中、もしくはＡｒ、窒素、水素の混合気流中で物理蒸着
（スパッタ法、真空蒸着法）を行うことにより形成され
る。

しかし乍ら、上述のような大方晶系窒化鉄を主体とする
薄膜磁性体では、磁性層を高速で形成することが出来ず
、量産性に適した磁気記録媒体ではなかった。

また、高速で形成可能な垂直磁気異方性を有する磁気媒
体としては、例えば特願平１−２０８１３０号に示され
ているようなＦｅＮ系垂直磁気記録媒体が提案されてい
る。これは常磁性窒化鉄（ζ−Ｆｅ、Ｎ）が主体で強磁
性窒化鉄（α−Ｆｅおよびγ’−Ｆｅ４Ｎ相）が磁化を
担う組成構造を持ち、非磁性基板面に対して垂直方向に
微細な柱状構造を有し且つ垂直磁気異方性を示すＦｅＮ
系薄膜を磁性層として持つ媒体である。このような媒体
は、適度に加熱された非磁性の基板上に該基板上面と直
交する方向から鉄の蒸気を蒸着すると同時に、該蒸着部
に窒素イオンおよび電子を含有する窒素プラズマを照射
することにより高速形成される。

しかしながら、このような窒化鉄系磁気記録媒体は、Ｃ
ｏ−Ｃｒ膜と比べて、垂直磁気異方性磁界（Ｈｋ）、垂
直保磁力（Ｈｃ上）、飽和磁化（Ｍｓ）ともに低く、こ
れら垂直磁気特性は十分ではなかった。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
優れた垂直磁気異方性を有する窒化鉄系の磁性層を有す
る垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを
目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性の基板上に鉄とコ
バルトの原子量組成比がＦ　ｅ　、、。−ｘＣｏ！（０
＜Ｘ＜５０）で表わされる合金の部分窒化物からなり、
結晶構造が前記基板上面に対して垂直方向に延びる柱状
構造である垂直磁気異方性を有するＦｅＣｏ−Ｎ系磁性
薄膜を被着形成したことを特徴とする。

また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、加熱さ
れた非磁性の基板上に該基板上面と直交する方向から鉄
・コバルトの蒸気を蒸着すると同時に、該蒸着部に窒素
イオン及び電子を含有する窒素プラズマを照射すること
により前記基板上にＦｅＣｏ−Ｎ系磁性薄膜を被着形成
することを特徴とする。

（ホ）作　用 上記構造の垂直磁気記録媒体では、常磁性（室温）窒化
鉄相（ｃ　−Ｆ　ｅ　＊−＊Ｎ　Ｌｌ＜ｘｉｓ、？＋、
ζ−Ｆｅ、Ｎ）の結晶化に伴い、フェロ磁性相（α−Ｆ
ｅ、７’−Ｆｅ、Ｎ、ａ−Ｃｏ等）との相分離に磁気的
分離効果が起こり、これが基板上面に対して垂直方向に
伸びた微細柱状構造による形状異方性と相乗することに
より垂直磁気異方性の優れた鉄コバルト部分窒化物系の
磁性層が形成される。

また、上述の製造方法では、プラズマ生成室からの低い
運動エネルギー領域でのイオン照射と適当な基板温度と
の相互作用によりＦｅＣｏ−Ｈの結晶化が進む。

（へ）実施例 第１図は本実施例で用いられるイオンアシスト蒸着法に
よる垂直磁気記録媒体の製造装置の概略断面図である。

図中（１）は排気系（２）により内部がｌＸｌ０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の高真空に保たれた真空槽であり、該真空槽
（１）の内部にはるつぼ（３）、基板ホルダー（４）及
びプラズマ生成富山が配設されている。前記るつぼ（３
ン内には蒸発源である鉄コバルト合金（６）が収納され
ている。前記基板ホルダー（４）の下面には非磁性の基
板（７）が装着されており、該基板（７）の真下に前記
るつぼ（３）が配置されている。また、前記基板ホルダ
ー（４）の内部にはヒーター（図示せず）が装着されて
おり、該ヒーターにより前記基板（７）の温度が制御さ
れる。前記プラズマ生成室録」は内部にフィラメント（
８）及びアノード（９）が装着されており、周面にはソ
レノイドコイル（１０）が巻回されている。前記フィラ
メント（８）には直流電源（ｌｌａ）により２０〜３０
Ａの電流が流れており、前記アノード（９）には直流電
源（Ｉｌｂ）により１００Ｖの正の電圧が印加されてい
る。また、前記プラズマ生成室ｌのプラズマ（１２）放
出側の開口部には電気的に接地された多孔形状のグリッ
ド（１３）が装着されており、該グリッド（１３）によ
りプラズマ生成室葺」の内外には圧力差が生じる。（１
５）は前記プラズマ生成室い」の内部に窒素ガスを導入
するためのガス導入管である。

上述の本実施例の製造装置では、ガス導入管（１５）を
通ってプラズマ生成室山内に導入された中性の窒素分子
は、フィラメント（８）から放出されアノード（９）に
よって加速された熱電子と衝突することによりイオン化
される。このイオン化により発生した低エネルギーの窒
素イオンと電子とは窒素プラズマ（１２）となり、ソレ
ノイドコイル（１０）により形成された磁場勾配とグリ
ッド（１３）による圧力差とによってプラズマ生成宗祖
の開口部から外部に放射状に放出される。この放出され
た窒素プラズマ（１２）はるつぼ（３）からの鉄・コバ
ルトの蒸気（１４）と同時に基板（７）に照射される。

このため、前記基板（７）に到達とた窒素イオンの正の
電荷は電子によって中和され、前記基板（７）はチャー
ジアップしない。また、前記窒素イオン及び電子の運動
エネルギーは１００ｅＶ以下と小さいので基板（７）上
に形成された窒化鉄コバルト部分窒化物磁性薄膜（以下
　ＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜）は熱解離を生じない。

上述の製造装置を使用して下記の条件でフィルム基板上
にＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜を形成した。

−成膜条件− 背圧 窒素ガス圧力 成膜速度 窒素イオン電流密度 窒素イオンの運動エネルギー 鉄コバルト蒸気の入射角 フィルム基板温度 ＦｅＣｏ組成比 （蒸発源の合金組成比） ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ以下 ２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ １００〜７５０人／ｍ１ｎ ２．０ｍＡ／ｃｍ鵞 １００ｅＶ以下 ９０゜ １００℃ Ｆｅ＋＊ｏ＋Ｆｅ５ａＣＯ＋ｏ＋ ＦｅｖｏＣＯｓｏＪｅａｏＣＯａｏ＋ Ｆｅ５ｏＣＯ＊ｏＪｅｓｏＣＯｔｏ＋ Ｃｏ、。。

第２図（ａ）（ｂ）は上述の成膜条件で形成されたＦｅ
Ｃｏ−Ｎ磁性薄膜のＦｅＣｏにおけるＣｏ含有量と垂直
磁気特性（垂直磁気異方性磁界Ｈ，ｋ、垂直保磁力Ｈｃ
土、飽和磁化４πＭ　ｓ　）との関係を示したものであ
る。Ｃｏの含有量は夫々の条件で形成されたＦｅＣｏ−
Ｎ磁性薄膜をＸＰＳ分析（電子分光法）により測定して
求めたものである。尚、第２図（ａ）は飽和磁化４πＭ
ｓが３．２〜３．６ＫＧａｕｓｓである試料についての
データであり、第２図（ｂ）は窒素含有量が１ｌａｔ％
である試料についてのデータである。

第２図（ａ）から判るようにＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の垂
直磁気異方性磁界Ｈｋは、ＦｅＮ磁性薄膜の２．８ＫＯ
ｅからＣｏ含有量の増加と件に増大し、ＦｅとＣｏの原
子量組成比が７７：２３であるＦ　ｅ　ｔｔｃ　ｏ　＊
ｓ−Ｎ磁性薄膜の時最大値約４．０ＫＯｅとなり、更に
Ｃｏの含有量が増加すると減少し、ＣＯの含有量が６０
ａｔ％を起えるとＦｅＮ磁性薄膜より小さくなる。この
結果を垂直磁気異方性磁界Ｈｋと異方性エネルギーＫｕ
との関係式Ｈｋ　＝　２　Ｋ　ｕ　／　Ｍ　ｓにあては
めると、Ｃｏの添加（但し、０〜３２ａｔ％範囲内）と
共に磁性薄膜の異方性エネルギーＫｕが増大したため垂
直磁気異方性磁界Ｈｋが向上したことが判る。尚、Ｃｏ
Ｎ磁性薄膜の垂直磁気異方性磁界Ｈｋは２．３ＫＯｅと
ＦｅＮ磁性薄膜と比べて低い値である。

また、ＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の垂直保磁力Ｈｃ土のＣｏ
含有量依存性は垂直磁気異方性磁界Ｈｋと略同様の傾向
を示し、Ｃｏの含有量が２３ａｔ％近傍で最大値的６０
００ｅとなり、８０ａｔ％以下のＣｏの含有量ではＦｅ
Ｎ磁性薄膜よりも高い値を示す。

ＣｏＣｒ垂直磁気テープの磁気特性は、Ｈｋ２．２ｋＯ
ｅ、Ｈｅ工５０００ｅ、４πＭｓ７゜２ｋＧａｕｓｓと
発表されており（「日本応用磁気学会誌Ｖｏ　１．１２
、Ｎａ３．１９８８ＪＰ、６３Ｔａｂｌｅ２参照）、垂
直磁化膜の磁気特性として、電磁変換特性の立場から垂
直磁気異方性磁界Ｈｋはこの程度の大きさでよく、飽和
磁化４πＭＳが比較的高めに設計されている。このこと
は、同程度の垂直磁気異方性磁界Ｈｋを有する磁性薄膜
では飽和磁化４πＭｓの大きさを比較することが重要で
あることを示している。

また、第２図（ｂ）から判るようにＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄
膜の飽和磁化４πＭｓはＣＯの含有量が２５ａｔ％近傍
で最大値的３．４ｋＧａｕｓｓを示し、５０ａｔ％以下
のＣＯの含有量ではＦｅＮ磁性薄膜よりも高い値を示す
。

以上のことからＣｏの含有量が５０ａｔ％以下の場合、
即ち、鉄とコバルトの原子量組成比がＦｅｒａｅ−ｘｃ
Ｏｘ　（０＜Ｘ＜５０）で表わされるＦｅＣｏ−Ｎ磁性
薄膜は、ＦｅＮ磁性薄膜に対して垂直磁気異方性磁界Ｈ
ｋ、垂直保磁力Ｈｃ土、飽和磁化４πＭｓ全てが向上す
ることが判る。

第３図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図及び
第９図は夫々上述の成膜条件で形成された各種ＦｅＣｏ
−Ｎ磁性薄膜の垂直磁気特性の飽和磁化依存性を示す。

第３図に示したＦｅＮ磁性薄膜の垂直磁気特性に対して
第４図に示したＦｅとＣｏとの原子量組成比が９４：６
であるＦｅ□Ｃｏ５−Ｎ磁性薄膜は、飽和磁化４πＭｓ
が２０００−５０００Ｇａｕｓｓの範囲では垂直保磁力
Ｈｃ土はほとんど変化しないが、垂直磁気異方性磁界Ｈ
ｋは向上する。また、第５図、第６図、及び第７図に夫
々示したＦｅとＣｏとの原子量組成比が７６　：　２４
．７７：２３．６６　：　３４であるＦｅｒａＣＯｘ　
　Ｎ磁性薄膜、Ｆ　ｅ　ｔｔｃ　ｏ　ｘｓ−Ｎ磁性薄膜
、Ｆｅｍ５ＣＯｓ＊−Ｎ磁性薄膜は、飽和磁化４　ｙｒ
　Ｍ　ｓが２０００−５０００Ｇａｕ　ｓ　ｓの範囲で
は、ＦｅＮ磁性薄膜に対して垂直磁気異方性磁界Ｈｋ及
び垂直保、磁力Ｈｃ土が共に向上する。また、第８図に
示したＦｅとＣｏとの原子量組成比が４５　：　５５で
あるＦ　ｅ　４ｇＣｏ　１ｓ−Ｎ磁性薄膜及び第９図に
示したＣｏ−Ｎ磁性薄膜は、ＦｅＮ磁性薄膜に対して垂
直磁気異方性磁界Ｈｋが大幅に低下する。以上のことか
ら、飽和磁化４πＭｓが２０００〜５０００Ｇａｕ　ｓ
　ｓの範囲内では、ＦｅとＣｏとの原子量組成比が９４
：６〜６６：３４の範囲内であるＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜
はＦｅＮ磁性薄膜に対して垂直磁気異方性磁界Ｈｋが向
上し、特に、ＦｅとＣｏとの原子量組成比が７７　：　
２３−６６　：　３４の範囲内であるＦｅＣｏ−Ｎ磁性
薄膜はＦｅＮ磁性薄膜に対して垂直磁気異方性磁界Ｈｋ
及び垂直保磁力Ｈｃ上が共に向上することが判る。

第１０図（ａ　）（ｂ　）（ｃ　）は夫々、ＦｅＮ磁性
薄膜、ＦｅとＣｏとの原子量組成比が６８：３２である
Ｆｅ５ｓＣｏｌｔ　Ｎ磁性薄膜、ＣｏＮ磁性薄膜の走査
型電子顕微鏡による微細構造の断面写真である。

第１０図（ａ）（ｂ）から判るように垂直異方性磁界の
良好なＦｅＮ磁性薄膜及びＦｅａａＣｏｊｚ−Ｎ磁性薄
膜では、微細な柱状構造が基板界面から膜表面に至るま
で基板に対して垂直方向に成長しているのが観察される
。しかし乍ら、両者の間では、柱状粒子の粒径に大きな
違いはみられず、両者とも約５００人である。また、第
１０図（Ｃ）から判るように垂直異方性磁界の劣るＣｏ
Ｎ磁性薄膜では、微細柱状構造が不明瞭であり、コラム
レス構造を有していることが観察される。即ち、以上の
結果から磁性薄膜が良好な垂直磁気異方性を有するため
には、断面形状に明瞭な微細柱状構造の形成が不可欠で
あることが判り、ＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の垂直磁気異方
性の主な起源としては、ＦｅＮ磁性薄膜同様形状磁気異
方性が考えられる。

第１表に第１０図（ａ）（ｂ）（ｃ）に夫々示した磁性
薄膜の磁気特性を示す。

第１表 第１１図は成膜速度を変えることによりＦｅＣｏ−Ｎ磁
性薄膜の窒化度を変化させた場合のＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄
膜のＸ線回折パターンの変化を示す図である。ＦｅＣｏ
−Ｎ磁性薄膜の窒化度は、成膜速度が遅い程大きくなる
。第１１図（ａ）（ｂ）（ｃ）に夫々示した試料Ａ、Ｂ
、Ｃの成膜速度は３６０人／　ｍ　ｉ　ｎ、３２８人／
ｍｉｎ、１００人／ｍｉｎである。

第２表は第１１図の分析に使用した試料Ａ、Ｂ、ＣのＦ
ｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の作製条件、磁気特性、及びピーク
回折角より同定された生成相をまとめたものである。

以下余白 第１１図及び第２表から判るように各試料Ａ、Ｂ、Ｃと
もａ　　Ｆ　ｅ−ｒ　’　　Ｆ　ｅ４Ｎ、　Ｆ　ｅｓＮ
、ε　Ｆｅｗ−ｓＮ、ζ−ＦｅｓＮ、ａ−Ｃｏ、γ−Ｃ
ｏ、Ｎ、δ−ＣＯ！Ｎの混合パターンを示している。試
料Ａ、Ｈのように高い異方性磁界を有するＦｅＣｏ−Ｎ
垂直磁化膜に注目すると、膜中には窒化されていない金
属相（α−Ｆｅ、α−Ｃｏ）が残っており、膜が部分的
に窒化された状態にあることが判る。即ち、試料Ａ、　
ＢのＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜が鉄コバルトの部分窒化物よ
りなることが判る。ＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜はこれらの相
の集合体で構成されており、その構成比は膜の窒化度に
大きく依存している。即ち、窒化度を大きくすると金属
相（ａ−Ｆｅ、ａ−Ｃｏ）や７”−Ｆｅ。

Ｎ相等は少なくなり、高窒化相（Ｆｅ、Ｎ、ε−Ｆ　ｅ
　、−、Ｎ、ζ−Ｆ　ｅ　、Ｎ、７−Ｃｏ　、Ｎ、δ−
Ｃｏ、Ｎ）が増加する。ｔ　　Ｆ　ｅ　ｘ　Ｎ　（ｓ＜
ｘ＜！、＋ｔ）１ζ−ＦｅｘＮ相は室温で常磁性を示す
ので、成膜速度を減少させるに従い飽和磁化が減少した
理由はこれら常磁性相の構成比が増加したためと考えら
れる。ＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜中には強磁性成分（α−Ｆ
ｅ、ｒ”−Ｆｅ＋Ｎ、Ｆｅ、Ｎ、　　ε−ＦｅＸＮ、、
４７＜ｘ＜３．、ａ−Ｃｏ、７　　Ｃｏ５Ｎ）と常磁性
成分（ｔ−Ｆ　ｅ　ｘ　Ｎ　（！＜ｘ＜宜、　４７１％
　ζ−Ｆｅ。

Ｎ、δ−Ｃｏ、Ｎ）が共存することから、ＦｅＣｏ−Ｎ
磁性薄膜の垂直磁気異方性の起源の１つとしてＦｅＮ磁
性薄膜と同様に常磁性相による強磁性相の磁気的分離効
果が考えられる。

第１２図（ａ）（ｂ）は３２ａｔ％のＣＯを含有するＦ
　ｅ　ｓｓＣｏ　ｓｔ−Ｎ磁性薄膜磁気特性Ｈｋ３．３
ＫＯｅ、Ｈｃ土５２０００ｅ、４πＭｓ３．４ＫＧａｕ
ｓｓのＸＰＳスペクトルを示す図である。

第１２図（ａ）に示したＦｅの２Ｐ３／２準位に注目す
ると７０７ｅＶにＦｅのピークが存在し、これに重畳し
て窒素との化学結合のため高エネルギー側にブロードに
化学シフトした窒化鉄のピークが見られる。また、第１
２図（ｂ）に示したＣｏの２Ｐ３／２準位に注目すると
窒化により化学シフトしたピークの割合はＦｅの場合に
比べて少なく、ＣＯの大部分が金属の状態で存在してい
ることが判る。以上の結果からＣｏはＦｅよりも窒化さ
れにくいことは明らかであり、このことは窒化との親和
性に違いのあるＣＯを添加することにより、膜成長過程
での窒化物形成状態を変化させ、常磁性窒化相による強
磁性相の磁気的分離効果の向上、即ち、磁気異方性エネ
ルギー（Ｋｕ）の向上が期待できる可能性のあることを
示している。

第３表にＸＰＳ分析に使用したＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の
磁気特性と組成分析結果を示す。

第３表 第３表により窒化含有量が同等、即ち窒化度が同等であ
る試料り、Ｅの磁気特性を比較すると、磁性薄膜中のＣ
ｏ含有量が多いほど飽和磁化が向上していることが明ら
かである。ＣＯ添加によるＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜の飽和
磁化の向上は、磁化を担う強磁性ａ−Ｆｅ相の磁気モー
メントがＣ。

添加量と共に変化することで説明される。

第４表及び第５表に上述の成膜条件で形成したＦｅＣｏ
−Ｎ磁性薄膜とＦｅＮ磁性薄膜との磁気特性を示す。

（注）ＦｅＣｏｌｌｔは１着ソースの組成第４表 （注）ＦｅＣｏ１ｍｌ！ＩのＩ！ 第５表 第４表及び第５表から判るようにＦｅＮ磁性薄膜に適当
な量のＣｏを添加することにより、磁性薄膜には垂直磁
気異方性磁界Ｈｋ、垂直保磁力ＨＣ土、飽和磁化４πＭ
ｓの向上がみられた。垂直磁気異方性磁界Ｈｋが向上し
た原因としては、窒化との親和性に違いのあるＣｏを添
加することにより、膜成長過程での窒化物形成様態が変
化し、常磁性窒化相による強磁性相の相分離が促進され
、磁気的分離効果が向上した点が挙げられる。

また、垂直保磁力Ｈｃ上が向上した原因としては、前述
の垂直磁気異方性磁界Ｈｋの向上に依るものである。ま
た、飽和磁化４πＭｓが向上した原因としては、Ｃｏの
添加により磁化を担う強磁性α−Ｆｅ相の磁気モーメン
トが増加した点にあると考えられる。

また、上述の磁性Ｗｉ膜の形成方法に依れば、成膜速度
はスパッタ法を用いた場合（約５０人／ｍ１ｎ）に比べ
て倍量上（１００〜７５０人／ｍ１ｎ）となり、この磁
性薄膜の形成方法が量産性に適していることは明らかで
ある。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、垂直磁気特性に優れた垂直磁気記録媒
体を提供し得る。

また、本発明に依れば、上述の垂直磁気特性に優れた磁
気記録媒体を量産性よく製造することが出来る垂直磁気
記録媒体の製造方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造装置の概略断面図、第２図はＦｅ
Ｃｏ−Ｎ磁性薄膜の垂直磁気特性のＣ。 含有量依存性を示す図、第３図、第４図、第５図、第６
図、第７図、第８図及び第９図は夫々はＦｅＣｏ−Ｎ磁
性薄膜の垂直磁気特性の飽和磁化依存性を示す図、第１
０図は磁性薄膜の結晶構造を示す走査型電子顕微鏡写真
、第１１図はＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜のＸ線回折パターン
を示す図、第１２図はＦｅＣｏ−Ｎ磁性薄膜のｘｐｓス
ペクトルを示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性の基板上に鉄とコバルトの原子量組成比が
   Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｘＣｏ＿Ｘ（０＜Ｘ＜５０）で
   表わされる合金の部分窒化物からなり、結晶構造が前記
   基板上面に対して垂直方向に延びる柱状構造である垂直
   磁気異方性を有するＦｅＣｏ−Ｎ系磁性薄膜を被着形成
   したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. （２）加熱された非磁性の基板上に該基板上面と直交す
   る方向から鉄・コバルトの蒸気を蒸着すると同時に、該
   蒸着部に窒素イオン及び電子を含有する窒素プラズマを
   照射することにより前記基板上にＦｅＣｏ−Ｎ系磁性薄
   膜を被着形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の
   製造方法。