JPH0219524B2 - - Google Patents
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- JPH0219524B2 JPH0219524B2 JP57195234A JP19523482A JPH0219524B2 JP H0219524 B2 JPH0219524 B2 JP H0219524B2 JP 57195234 A JP57195234 A JP 57195234A JP 19523482 A JP19523482 A JP 19523482A JP H0219524 B2 JPH0219524 B2 JP H0219524B2
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- G—PHYSICS
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
近年、VTRやPCM記録等において、高い保持
力を持つ磁気記録体の要求が高まつている。この
要求を満たすべくCo，Ni，Fe等の磁性金属の単
体又は合金を材料とし、蒸着法、イオンプレーテ
イング法、スパツタ法等の物理的蒸着法等によ
り、その蒸発蒸気を合成樹脂材等の非磁性の基材
面に斜め入射蒸着させることにより、高い保磁力
を有する高密度の磁気記録体が製造され、その１
部が実用に供されているが、この場合、所要の高
い保磁力をもつ磁気記録体を得るためには、入射
角の比較的大きい蒸気流のみを蒸着する必要があ
る。通常の真空蒸着装置を用いて、例えば実用的
な保磁力Hcが550〜600Oeのオーテイオテープあ
るいは900〜1000Oeのビデオテープを製造するに
は、最低入射角は夫々約40゜及び約50゜以上を要
し、それ以下の最低入射角では例えば20゜付近と
小さくした場合には、その保磁力は300Oe程度に
低下し実用上不適となる。このような小さい最低
入射角でも実用的な高い保磁力を有する磁性膜を
製造するため、真空蒸着装置内にO2ガスを導入
した雰囲気下でその膜形成を行うことを試みた
が、その生成膜は耐食性が悪く、製造後１週間乃
至10日程度でその飽和磁化は製造直後の２〜３割
減少する欠点があることが分つた。
力を持つ磁気記録体の要求が高まつている。この
要求を満たすべくCo，Ni，Fe等の磁性金属の単
体又は合金を材料とし、蒸着法、イオンプレーテ
イング法、スパツタ法等の物理的蒸着法等によ
り、その蒸発蒸気を合成樹脂材等の非磁性の基材
面に斜め入射蒸着させることにより、高い保磁力
を有する高密度の磁気記録体が製造され、その１
部が実用に供されているが、この場合、所要の高
い保磁力をもつ磁気記録体を得るためには、入射
角の比較的大きい蒸気流のみを蒸着する必要があ
る。通常の真空蒸着装置を用いて、例えば実用的
な保磁力Hcが550〜600Oeのオーテイオテープあ
るいは900〜1000Oeのビデオテープを製造するに
は、最低入射角は夫々約40゜及び約50゜以上を要
し、それ以下の最低入射角では例えば20゜付近と
小さくした場合には、その保磁力は300Oe程度に
低下し実用上不適となる。このような小さい最低
入射角でも実用的な高い保磁力を有する磁性膜を
製造するため、真空蒸着装置内にO2ガスを導入
した雰囲気下でその膜形成を行うことを試みた
が、その生成膜は耐食性が悪く、製造後１週間乃
至10日程度でその飽和磁化は製造直後の２〜３割
減少する欠点があることが分つた。
本発明は、上記の欠点を改善し、従来の実用性
に不適の最低入射角によつても実用に適し且つ耐
食性の向上した磁気記録体並にその製造法を提供
したもので、その磁気記録体は、基材面上に形成
のFe，Co，Niの単体又は合金系磁性材から成る
磁性膜中に0.4〜5at％の水素原子が混入されてい
ることを特徴とする。
に不適の最低入射角によつても実用に適し且つ耐
食性の向上した磁気記録体並にその製造法を提供
したもので、その磁気記録体は、基材面上に形成
のFe，Co，Niの単体又は合金系磁性材から成る
磁性膜中に0.4〜5at％の水素原子が混入されてい
ることを特徴とする。
又その磁気記録体の製造法は、真空処理室内で
基材面にFe，Co，Niの単体又は合金系磁性材か
ら成る磁性粒子を付着させその磁性膜を形成する
に当り、該処理室内に水素ガスを導入し、水素ガ
ス雰囲気下で該磁性粒子の付着を行ない水素原子
が0.4〜5at％混入したFe，Co，Niの単体又は合
金系磁性材から成る磁性膜を形成せしめるように
したことを特徴とする。
基材面にFe，Co，Niの単体又は合金系磁性材か
ら成る磁性粒子を付着させその磁性膜を形成する
に当り、該処理室内に水素ガスを導入し、水素ガ
ス雰囲気下で該磁性粒子の付着を行ない水素原子
が0.4〜5at％混入したFe，Co，Niの単体又は合
金系磁性材から成る磁性膜を形成せしめるように
したことを特徴とする。
次に本発明の実施例を添付図面につき説明す
る。
る。
第１図は、本発明の磁気記録体の製造法を実施
する真空蒸着装置の１例を示し、ポリエステルフ
イルムを材料としたテープ状基材１を真空処理室
２内の上方の１側に設置した巻き出しローラー３
内に装着し、円筒状ドラムの水冷キヤン４の周面
を介してその他側の巻き取りローラー５に巻き取
るように一定速度で走行せしめるようにする。該
水冷キヤン４の下方に上面に適当な磁性物質ａを
収容した電子ビーム式加熱蒸発源容器６を設け、
その水冷キヤン４下面近傍に位置した水平に延び
る可動防着板７を矢示のように前進又は後退自在
に設け、該防着板７の前端により、水冷キヤン４
の最下端面の基材１面に対し蒸発源容器６から蒸
発する蒸気、即ち磁性粒子が90゜から所定の最低
入射角θminの範囲で入射蒸着し得るようにした。
８は水冷キヤン４両側の固定防着板を示し、これ
により上方のローラー３，５側に蒸発源容器６か
らの蒸気が付着することを防止した。９は真空ポ
ンプ（図示しない）側に開閉調節弁１０を介して
連なる吸引排気口を示す。本発明によれば、水素
ガス導入管１１を処理室２内に挿通開口し水素ガ
スをこれを介し導入する１方排気口９を介して排
気して真空処理室２内に適当な水素ガスの分圧の
雰囲気を生ぜしめるようにした。該水素導入管１
１は、実線示のように、その開口端を処理室２内
に単に開口せしめるように設けるか、鎖線示のよ
うにこれを延長して基材１面に近づけた位置で開
口せしめるようにして設けてもよい。図面で１２
は、水素ガス導入管１１に介在の調節弁を示す。
する真空蒸着装置の１例を示し、ポリエステルフ
イルムを材料としたテープ状基材１を真空処理室
２内の上方の１側に設置した巻き出しローラー３
内に装着し、円筒状ドラムの水冷キヤン４の周面
を介してその他側の巻き取りローラー５に巻き取
るように一定速度で走行せしめるようにする。該
水冷キヤン４の下方に上面に適当な磁性物質ａを
収容した電子ビーム式加熱蒸発源容器６を設け、
その水冷キヤン４下面近傍に位置した水平に延び
る可動防着板７を矢示のように前進又は後退自在
に設け、該防着板７の前端により、水冷キヤン４
の最下端面の基材１面に対し蒸発源容器６から蒸
発する蒸気、即ち磁性粒子が90゜から所定の最低
入射角θminの範囲で入射蒸着し得るようにした。
８は水冷キヤン４両側の固定防着板を示し、これ
により上方のローラー３，５側に蒸発源容器６か
らの蒸気が付着することを防止した。９は真空ポ
ンプ（図示しない）側に開閉調節弁１０を介して
連なる吸引排気口を示す。本発明によれば、水素
ガス導入管１１を処理室２内に挿通開口し水素ガ
スをこれを介し導入する１方排気口９を介して排
気して真空処理室２内に適当な水素ガスの分圧の
雰囲気を生ぜしめるようにした。該水素導入管１
１は、実線示のように、その開口端を処理室２内
に単に開口せしめるように設けるか、鎖線示のよ
うにこれを延長して基材１面に近づけた位置で開
口せしめるようにして設けてもよい。図面で１２
は、水素ガス導入管１１に介在の調節弁を示す。
上記装置により本発明の磁気記録体を例えば次
のように製造する。
のように製造する。
真空処理室２内を真空排気し１×10-5トールに
排気した後、水素ガスを実線示の水素ガス導入管
１１を介し処理室２内に導入しその分圧を１×
10-3トールに保持する。可動防着板７は予め蒸発
物質の蒸発蒸気の走行テープ基材１の蒸着すべき
面に対する最低入射角θminが55゜の一定になるよ
うにセツトしておき、蒸発源容器６より例えば
Co−30％Ni合金を電子ビーム加熱により蒸発さ
せ前記の最低入射角で走行テープ１蒸着面に蒸着
するようにする。この場合、例えば、その膜厚が
1500Åの一定の厚さに生成されるように巻き出し
ローラー３から送出のテープ基材１の走行速度を
調節する。かくして、その磁性物質の蒸発粒子に
微量の水素ガスが接触しその水素原子の混入した
磁性膜が基材１面に形成され、巻き取りローラー
５に本発明磁気テープｐが得られるようにする。
このような製造法により、入射角θを55゜の一定
にして、水素分圧を１×10-3トールから１×10-1
〜10-5トールの範囲で種々の分圧に変え、その製
造される磁気テープの保磁力Hcの変化、並にそ
の磁性膜中の水素原子の混入量（at％）の変化に
ついて試験した。その結果を第２図に示す。図面
で、Ａは保磁力と水素分圧変化との関係を表す保
磁力特性曲線、Ｂは磁性膜中の水素混入量と水素
分圧変化との関係を表す混入量特性曲線を示す。
尚、従来のように水素を全く混入しない磁性膜の
保磁力は900Oeであつた。また、磁性膜中の水素
原子混入量をSIMSでその水素の質量スペクトル
の高さに基き算出した。該SIMSによる分析につ
いては、例えば講談社1977年１月30日発行の不破
敬一朗、藤井敏博編著「四重極質量分析計原理と
応用」の第204頁乃至第219頁参照。
排気した後、水素ガスを実線示の水素ガス導入管
１１を介し処理室２内に導入しその分圧を１×
10-3トールに保持する。可動防着板７は予め蒸発
物質の蒸発蒸気の走行テープ基材１の蒸着すべき
面に対する最低入射角θminが55゜の一定になるよ
うにセツトしておき、蒸発源容器６より例えば
Co−30％Ni合金を電子ビーム加熱により蒸発さ
せ前記の最低入射角で走行テープ１蒸着面に蒸着
するようにする。この場合、例えば、その膜厚が
1500Åの一定の厚さに生成されるように巻き出し
ローラー３から送出のテープ基材１の走行速度を
調節する。かくして、その磁性物質の蒸発粒子に
微量の水素ガスが接触しその水素原子の混入した
磁性膜が基材１面に形成され、巻き取りローラー
５に本発明磁気テープｐが得られるようにする。
このような製造法により、入射角θを55゜の一定
にして、水素分圧を１×10-3トールから１×10-1
〜10-5トールの範囲で種々の分圧に変え、その製
造される磁気テープの保磁力Hcの変化、並にそ
の磁性膜中の水素原子の混入量（at％）の変化に
ついて試験した。その結果を第２図に示す。図面
で、Ａは保磁力と水素分圧変化との関係を表す保
磁力特性曲線、Ｂは磁性膜中の水素混入量と水素
分圧変化との関係を表す混入量特性曲線を示す。
尚、従来のように水素を全く混入しない磁性膜の
保磁力は900Oeであつた。また、磁性膜中の水素
原子混入量をSIMSでその水素の質量スペクトル
の高さに基き算出した。該SIMSによる分析につ
いては、例えば講談社1977年１月30日発行の不破
敬一朗、藤井敏博編著「四重極質量分析計原理と
応用」の第204頁乃至第219頁参照。
第２図の保磁力特性曲線Ａおよび混入量特性曲
線Ｂとの関係から明らかなように、水素分圧の増
加と共に磁性膜中の水素原子の混入量も増加し、
水素分圧が１×10-4〜10-2トールの範囲即ち水素
混入量が0.5〜45at％の範囲では磁性膜中の水素
原子の混入量の増加と共に磁性膜の保磁力の向上
が認められ、又該分圧が１×10-4〜10-3トールの
範囲では、1at％以下の極めて僅かな混入量でも
保磁力の向上効果は大きく、又該分圧が１×10-3
〜10-2トールの範囲で4.5at％の最大の混入量が
認められ、、この場合の保磁力は約1300Oeを示
し、従来のように水素を全く混入しない磁性膜の
保磁力900Oeより著しく向上する。しかし乍ら、
１×10-2トールから１×10-1トールまで水素分圧
が増加してもその混入量並に保磁力は増加せず、
むしろ減少する傾向を示した。これらの磁性膜の
断面を透過型電子顕微鏡で観察した所、従来のよ
うに水素を全く混入しない磁性膜に比し基材面に
生成の柱状粒子が細くなつて居り、又その粒子間
のつながりが減少して居ることが認められた。又
その肉眼観察では、その磁性膜は、黒色が増大し
て居り、上記の粒子が細かくなつていることを裏
付けている。又、種々検討の結果、１×10-2トー
ル以上の水素分圧では、磁性蒸気が基材面に析出
する前に、水素ガス分子により散乱されて予定の
斜め入射の効果が減少する結果、その保磁力は減
少する傾向となることが分つた。更に該分圧が１
×10-1トール以上となると、析出物は、超微粉の
集合体となつて、磁性膜の機械的強度が減少する
ことが分つた。以上のことから、水素分圧は１×
10-4〜10-2トールの範囲が好ましいことが分る。
又保磁力の向上には、水素原子の磁性膜中への混
入量は0.5〜45at％で達成されることが確認され
た。
線Ｂとの関係から明らかなように、水素分圧の増
加と共に磁性膜中の水素原子の混入量も増加し、
水素分圧が１×10-4〜10-2トールの範囲即ち水素
混入量が0.5〜45at％の範囲では磁性膜中の水素
原子の混入量の増加と共に磁性膜の保磁力の向上
が認められ、又該分圧が１×10-4〜10-3トールの
範囲では、1at％以下の極めて僅かな混入量でも
保磁力の向上効果は大きく、又該分圧が１×10-3
〜10-2トールの範囲で4.5at％の最大の混入量が
認められ、、この場合の保磁力は約1300Oeを示
し、従来のように水素を全く混入しない磁性膜の
保磁力900Oeより著しく向上する。しかし乍ら、
１×10-2トールから１×10-1トールまで水素分圧
が増加してもその混入量並に保磁力は増加せず、
むしろ減少する傾向を示した。これらの磁性膜の
断面を透過型電子顕微鏡で観察した所、従来のよ
うに水素を全く混入しない磁性膜に比し基材面に
生成の柱状粒子が細くなつて居り、又その粒子間
のつながりが減少して居ることが認められた。又
その肉眼観察では、その磁性膜は、黒色が増大し
て居り、上記の粒子が細かくなつていることを裏
付けている。又、種々検討の結果、１×10-2トー
ル以上の水素分圧では、磁性蒸気が基材面に析出
する前に、水素ガス分子により散乱されて予定の
斜め入射の効果が減少する結果、その保磁力は減
少する傾向となることが分つた。更に該分圧が１
×10-1トール以上となると、析出物は、超微粉の
集合体となつて、磁性膜の機械的強度が減少する
ことが分つた。以上のことから、水素分圧は１×
10-4〜10-2トールの範囲が好ましいことが分る。
又保磁力の向上には、水素原子の磁性膜中への混
入量は0.5〜45at％で達成されることが確認され
た。
次に水素ガス導入管１１の開口端を第１図鎖線
示のように、テープ基材１面の近傍に位置させ、
そして、該水素ガス導入管１１の開口端より水素
ガスを該基材１面に向かつて流出させ、その蒸着
面近傍を比較的リツチな水素ガスとして（但しそ
の外周の処理室２内の水素雰囲気は水素分圧１×
10-5〜10-1トールの範囲で種々の分圧に変えた。）
蒸着を行つた以外は前記水素導入と同様の方法で
試験した。その結果を第２図に示す。図面で
A′は保磁力と水素分圧変化との関係を表す保磁
力特性曲線、B′は磁性膜中の水素混入量と水素
分圧変化との関係を表す混入量特性曲線を示す。
第２図の保磁力特性曲線A′および混入量特性曲
線B′との関係から明らかなように、水素ガスの
導入を基材面の近傍で行うときは、前記の単なる
水素導入に比し、全体としての水素分圧１×10-4
〜１×10-2トールの範囲即ち水素混入量が0.4〜
5at％の範囲では、その保磁力が更に著しく向上
することが認められ、、また該分圧が１×10-4ト
ール即ち水素混入量が0.4at％と極めて僅かな混
入量でも保磁力の向上効果が大きく。。また該分
圧が１×10-3〜10-2トールの範囲では水素混入量
が5at％と最大の混入量が認められ、この場合の
保磁力は1400Oeと著しく向上した。従つてテー
プ基材面近傍で水素ガスを導入すると単に水素ガ
スを導入した場合に比し、同一の水素混入量の磁
性膜を得るのに少ない水素分圧で済み、また水素
混入量が同じであつても保磁力が更に向上するこ
とが確認された。
示のように、テープ基材１面の近傍に位置させ、
そして、該水素ガス導入管１１の開口端より水素
ガスを該基材１面に向かつて流出させ、その蒸着
面近傍を比較的リツチな水素ガスとして（但しそ
の外周の処理室２内の水素雰囲気は水素分圧１×
10-5〜10-1トールの範囲で種々の分圧に変えた。）
蒸着を行つた以外は前記水素導入と同様の方法で
試験した。その結果を第２図に示す。図面で
A′は保磁力と水素分圧変化との関係を表す保磁
力特性曲線、B′は磁性膜中の水素混入量と水素
分圧変化との関係を表す混入量特性曲線を示す。
第２図の保磁力特性曲線A′および混入量特性曲
線B′との関係から明らかなように、水素ガスの
導入を基材面の近傍で行うときは、前記の単なる
水素導入に比し、全体としての水素分圧１×10-4
〜１×10-2トールの範囲即ち水素混入量が0.4〜
5at％の範囲では、その保磁力が更に著しく向上
することが認められ、、また該分圧が１×10-4ト
ール即ち水素混入量が0.4at％と極めて僅かな混
入量でも保磁力の向上効果が大きく。。また該分
圧が１×10-3〜10-2トールの範囲では水素混入量
が5at％と最大の混入量が認められ、この場合の
保磁力は1400Oeと著しく向上した。従つてテー
プ基材面近傍で水素ガスを導入すると単に水素ガ
スを導入した場合に比し、同一の水素混入量の磁
性膜を得るのに少ない水素分圧で済み、また水素
混入量が同じであつても保磁力が更に向上するこ
とが確認された。
次に、水素ガスの導入が、最低入射角θminと
保磁力にどのような影響を及ぼすかを、水素分圧
を一定にして、例えば１×10-3トールの分圧に保
持して試験を行つた。その結果を第３図に示す。
図面でＡ−１は、前記の単なる水素ガスを導入し
た場合の保磁力特性曲線、A′−１は水素ガス導
入管を基材面近傍に開口して導入した場合の保磁
力特性曲線、Ｃは水素を導入しない従来法により
保磁力特性曲線を示す。蒸発金属はCo−30％Ni
で、膜厚は1500Åの一定とした。尚、単なる水素
ガスを導入した場合の水素混入量は3at％であり、
又水素ガス導入管を基材面近傍に開口して水素ガ
スを導入した場合の水素混入量は4.5at％であつ
た。第３図から明らかなように、水素ガスを導入
するときは、従来法に比し全ての最低入射角に於
いてその保磁力は向上し、更には、水素ガス導入
管を基材面に近づけて導入する方法では作成され
た磁性膜の保磁力が一層向上する。特に従来法で
は実用に適した製品の得られない最低入射角に於
て実用に適した製品をもたらす。従来法では、最
低入射角20゜以下（マイナス側の最低入射角を含
む）では保磁力が400Oe以下で実用に適したオー
デイオテープは得られないが本法によれば保磁力
が500〜550Oeに向上した実用に適した製品が得
られる。又最低入射角が小さい程付着量が向上す
る点からみた場合、同じ保磁力例えば900Oeを得
るためには、従来法では、その最低入射角は55゜
付近以上が要求されるのに対し、本法では40゜付
近まで小さくすることができ、それだけ付着率の
良い製品が得られ、経済的である効果をもたら
す。本法の水素導入の場合は、最低入射角を0゜以
下にして殆ど垂直に又はその反対方向の入射角ま
で蒸着しても500Oeと高い保磁力のものが得られ
る。
保磁力にどのような影響を及ぼすかを、水素分圧
を一定にして、例えば１×10-3トールの分圧に保
持して試験を行つた。その結果を第３図に示す。
図面でＡ−１は、前記の単なる水素ガスを導入し
た場合の保磁力特性曲線、A′−１は水素ガス導
入管を基材面近傍に開口して導入した場合の保磁
力特性曲線、Ｃは水素を導入しない従来法により
保磁力特性曲線を示す。蒸発金属はCo−30％Ni
で、膜厚は1500Åの一定とした。尚、単なる水素
ガスを導入した場合の水素混入量は3at％であり、
又水素ガス導入管を基材面近傍に開口して水素ガ
スを導入した場合の水素混入量は4.5at％であつ
た。第３図から明らかなように、水素ガスを導入
するときは、従来法に比し全ての最低入射角に於
いてその保磁力は向上し、更には、水素ガス導入
管を基材面に近づけて導入する方法では作成され
た磁性膜の保磁力が一層向上する。特に従来法で
は実用に適した製品の得られない最低入射角に於
て実用に適した製品をもたらす。従来法では、最
低入射角20゜以下（マイナス側の最低入射角を含
む）では保磁力が400Oe以下で実用に適したオー
デイオテープは得られないが本法によれば保磁力
が500〜550Oeに向上した実用に適した製品が得
られる。又最低入射角が小さい程付着量が向上す
る点からみた場合、同じ保磁力例えば900Oeを得
るためには、従来法では、その最低入射角は55゜
付近以上が要求されるのに対し、本法では40゜付
近まで小さくすることができ、それだけ付着率の
良い製品が得られ、経済的である効果をもたら
す。本法の水素導入の場合は、最低入射角を0゜以
下にして殆ど垂直に又はその反対方向の入射角ま
で蒸着しても500Oeと高い保磁力のものが得られ
る。
上記の実施例は、電子ビーム加熱による蒸着の
場合に適用したものであるが、イオンプレーテイ
ング、スパツタリング等所望の磁性膜形成手段に
も適用でき好ましい結果が得られた。又磁性材料
として、上記の場合はCo−30％Ni合金を用いた
が、同様の実験をCo，Ni，Feについて行つた
所、その全てについて同様に保磁力の向上が認め
られた。基材はテープの他、合成樹脂、無機質等
の硬質基材その他用途に従て選択される。本発明
の水素混入の磁気記録体は、第２図からも容易に
理解できるように、水素の混入量の増加に応じて
その磁性膜の保磁力は向上する。
場合に適用したものであるが、イオンプレーテイ
ング、スパツタリング等所望の磁性膜形成手段に
も適用でき好ましい結果が得られた。又磁性材料
として、上記の場合はCo−30％Ni合金を用いた
が、同様の実験をCo，Ni，Feについて行つた
所、その全てについて同様に保磁力の向上が認め
られた。基材はテープの他、合成樹脂、無機質等
の硬質基材その他用途に従て選択される。本発明
の水素混入の磁気記録体は、第２図からも容易に
理解できるように、水素の混入量の増加に応じて
その磁性膜の保磁力は向上する。
このように、作成した本発明磁気記録体（水素
混入量が4.5at％）につき、耐食性試験を行つた。
試験は、60℃、湿度90％中で放置したときの飽和
磁化の減少を測定した。その結果を第４図に示
す。図面で作成直後の飽和磁化の値を１として相
対値で表した。図面で、Ｄは本発明の磁気テープ
の飽和磁化特性曲線、Ｅはガスを導入しないで作
成した従来の磁気テープの飽和磁化特性曲線、Ｆ
は従来の酸素ガスを導入して作成した磁気テープ
の飽和磁化特性曲線を示す。第４図から明らかな
ように、本発明磁気テープは、耐食性において最
も優れている。
混入量が4.5at％）につき、耐食性試験を行つた。
試験は、60℃、湿度90％中で放置したときの飽和
磁化の減少を測定した。その結果を第４図に示
す。図面で作成直後の飽和磁化の値を１として相
対値で表した。図面で、Ｄは本発明の磁気テープ
の飽和磁化特性曲線、Ｅはガスを導入しないで作
成した従来の磁気テープの飽和磁化特性曲線、Ｆ
は従来の酸素ガスを導入して作成した磁気テープ
の飽和磁化特性曲線を示す。第４図から明らかな
ように、本発明磁気テープは、耐食性において最
も優れている。
尚、基材面は常温でも、適当に例えば60℃に加
熱しても同様に良好な本発明磁気テープが得ら
れ、又その製品を例えば60℃に加熱しても水素ガ
スの放出はなく、これによる磁気特性の変化は認
められなく安定な磁気記録体を保持していた。
熱しても同様に良好な本発明磁気テープが得ら
れ、又その製品を例えば60℃に加熱しても水素ガ
スの放出はなく、これによる磁気特性の変化は認
められなく安定な磁気記録体を保持していた。
このように本発明の磁気記録体によるときは、
Fe，Co，Niの単独又は合金系磁性材から成る磁
性膜中に0.4〜5at％の水素原子が混入されている
ので、保磁力を向上させ、また酸素ガスを導入し
て得た磁気記録体に比し著しく耐食性の優れた磁
気記録体を提供することができる効果を有する。
又本発明の磁気記録体の製造法によるときは、水
素ガスを導入しその雰囲気下で基材面にFe，Co，
Niの単独又は合金系磁性材から成る磁性膜を作
成するようにしたので、従来法のようなガスを導
入しないで作成する場合に比し、保磁力の向上し
た磁気記録体を容易に製造することができ、、又
その入射角を著しく小さくしても保磁力の良好な
磁気記録体が得られ、従て又蒸発物質の収率を向
上して得られ、更には、垂直蒸着でも従来の入射
蒸着と同様の保磁力の高い製品も製造することが
できる等の効果を有する。
Fe，Co，Niの単独又は合金系磁性材から成る磁
性膜中に0.4〜5at％の水素原子が混入されている
ので、保磁力を向上させ、また酸素ガスを導入し
て得た磁気記録体に比し著しく耐食性の優れた磁
気記録体を提供することができる効果を有する。
又本発明の磁気記録体の製造法によるときは、水
素ガスを導入しその雰囲気下で基材面にFe，Co，
Niの単独又は合金系磁性材から成る磁性膜を作
成するようにしたので、従来法のようなガスを導
入しないで作成する場合に比し、保磁力の向上し
た磁気記録体を容易に製造することができ、、又
その入射角を著しく小さくしても保磁力の良好な
磁気記録体が得られ、従て又蒸発物質の収率を向
上して得られ、更には、垂直蒸着でも従来の入射
蒸着と同様の保磁力の高い製品も製造することが
できる等の効果を有する。
第１図は本法実施の１例の装置の１部截断側面
図、第２図は水素分圧と保磁力並に磁性膜中の水
素の混入量との関係を示すグラフ、第３図は水素
導入による入射角と保磁力に与える影響を示す比
較図、第４図は耐食性の比較特性図を示す。 １……基材、２……真空処理室、３……巻き出
しローラー、４……水冷キヤン、５……巻き取り
ローラー、６……蒸発源容器、７……可動防着
板、９……吸引排気口、１１……水素ガス導入
管、ａ……磁性物質、ｐ……磁気テープ、Ａ，Ａ
−１，A′，A′−１……本法による磁気記録体の
保磁力特性曲線、Ｂ，B′……本発明磁気記録体
の水素混入量曲線、Ｄ……本発明磁気記録体の飽
和磁化特性曲線。
図、第２図は水素分圧と保磁力並に磁性膜中の水
素の混入量との関係を示すグラフ、第３図は水素
導入による入射角と保磁力に与える影響を示す比
較図、第４図は耐食性の比較特性図を示す。 １……基材、２……真空処理室、３……巻き出
しローラー、４……水冷キヤン、５……巻き取り
ローラー、６……蒸発源容器、７……可動防着
板、９……吸引排気口、１１……水素ガス導入
管、ａ……磁性物質、ｐ……磁気テープ、Ａ，Ａ
−１，A′，A′−１……本法による磁気記録体の
保磁力特性曲線、Ｂ，B′……本発明磁気記録体
の水素混入量曲線、Ｄ……本発明磁気記録体の飽
和磁化特性曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材面上に形成のFe，Co，Niの単体又は合
金系磁性材から成る磁性膜中に0.4〜5at％の水素
原子が混入されていることを特徴とする磁気記録
体。 ２ 真空処理室内で基材面にFe，Co，Niの単体
又は合金系磁性材から成る磁性粒子を付着させそ
の磁性膜を形成するに当り、該処理室内に水素ガ
スを導入し、水素ガスの雰囲気下で該磁性粒子の
付着を行ない水素原子が0.4〜5at％混入したFe，
Co，Niの単体又は合金系磁性材から成る磁性膜
を形成せしめるようにしたことを特徴とする磁気
記録体の製造法。 ３ 真空処理中の導入水素ガスの分圧は１×10-4
〜10-2トールの範囲であることを特徴とする特許
請求の範囲２に記載の製造法。 ４ 水素ガス導入管を基材面の磁性粒子を蒸着す
べき面の近傍で開口し、真空処理室中の導入水素
ガスの分圧は１×10-4〜10-2トールの範囲である
ことを特徴とする特許請求の範囲２に記載の製造
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195234A JPS5987622A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁気記録体並にその製造法 |
| US06/549,518 US4587179A (en) | 1982-11-09 | 1983-11-07 | Magnetic recording medium and manufacturing process thereof |
| DE3340535A DE3340535C2 (de) | 1982-11-09 | 1983-11-09 | Magnetischer Aufzeichnungsträger sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195234A JPS5987622A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁気記録体並にその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987622A JPS5987622A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0219524B2 true JPH0219524B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=16337710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195234A Granted JPS5987622A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁気記録体並にその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4587179A (ja) |
| JP (1) | JPS5987622A (ja) |
| DE (1) | DE3340535C2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3342533A1 (de) * | 1983-11-24 | 1985-06-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Aufstaeubung von permalloy-schichten |
| US4957824A (en) * | 1987-03-24 | 1990-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium and method of manufacturing the same |
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| EP0576376B1 (en) * | 1992-06-26 | 1998-05-06 | Eastman Kodak Company | Cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
| DE4307382A1 (de) * | 1993-03-09 | 1994-09-15 | Leybold Ag | Maske zum Abdecken des radial äußeren Bereichs einer scheibenförmigen Substratoberfläche |
| DE4438675A1 (de) * | 1994-10-29 | 1996-05-02 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Aufdampfen von Schichten auf Folienbänder |
| JP2006127619A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP6586328B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1023150A (en) * | 1962-09-18 | 1966-03-23 | Gevaert Photo Prod Nv | Magnetic signal carrier |
| US3342632A (en) * | 1964-08-05 | 1967-09-19 | Ibm | Magnetic coating |
| US3342633A (en) * | 1964-08-05 | 1967-09-19 | Ibm | Magnetic coating |
| JPS573137B2 (ja) * | 1974-03-13 | 1982-01-20 | ||
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| JPS57164432A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57195234A patent/JPS5987622A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-07 US US06/549,518 patent/US4587179A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-11-09 DE DE3340535A patent/DE3340535C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4587179A (en) | 1986-05-06 |
| JPS5987622A (ja) | 1984-05-21 |
| DE3340535C2 (de) | 1986-09-25 |
| DE3340535A1 (de) | 1984-05-10 |
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