JPH03280451A - 半導体素子搭載用配線板及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子搭載用配線板及びその製造法に関す
る。

（従来の技術） 従来の半導体素子搭載用配線板は、セラミックグリーン
シート上にタングステン、モリブデン。

モリブデン−マンガン等の高融点金属粉を主成分とした
ペーストを印桐して回路を形成し、ついでこれらを積層
して焼成し、さらに回路の上面にニッケルめっき、金め
つきを施し、リードピンを銀ロー付して製造するか又は
ガラスエポキシ基板などの有機質基板上に銅の被膜を形
成し、これらをエツチングなどの方法で回路を形成し、
さらに回路の上面にニッケルめっき、金めつきを施し、
リードピンをはんだ付けして製造していた。

（発明が解決しようとする課題） しかしなから前者の方法では印刷法によるため配線密度
が低く、ワイヤーボンディング端子数が多いものは多層
化にする必要があり、また還元雰囲気中で焼成、ロー付
する力ど製造工程が複雑となる欠点がある。

一方後者の方法では基板の熱伝導率が低いため。

半導体素子から発生する熱の放熱性に劣るという欠点が
ある。

本発明は上記の欠点の力い半導体素子搭載用配線板及び
その製造法を提供することを目的とするものである。

（１１１１題を解決するための手段） 本発明はアルミナセラミック基板のほぼ中央部の半導体
素子が搭載される部分を除いた部分の周辺の表面に形成
されたワイヤーボンディング部。

ワイヤーボンディング部と接して形成された導通回路、
導通回路の上面の一部に形成された耐めっきレジスト膜
、導通回路及びアルミナセラミック基板を貫通して形成
された貫通孔０貫通孔内に挿入固着されたピンとからな
る半導体素子搭載用配線板及びアルミナセラミック基板
の任意の個所に貫通孔を形成した後、＃アルミナセラミ
ック基板の表面を化学政に粗化し、ついでめっき法によ
シ金属被膜を形成し、さらにその上面にレジスト膜を形
成し、エツチング法で金属被膜の必要な部分のみを残し
て導通回路を形成し、しかる抜導通回路の一部に耐めっ
きレジスト膜を形成し、耐めっきレジスト膜を形成して
いない導通回路の先端部分にワイヤーボンディング部を
形成した後０貫通孔内にピンを挿入して固着する半導体
素子搭載用配線板の製造法に関する。

本発明における粗化法については特に制限はなく１例え
ばＳｎｏｗ溶液又＃′１ＮＨ４Ｆ、　　（ＮＨ４）２Ｓ
Ｏ４。

濃Ｈ！ＳＯ４、ＨｚＯ等の混合溶液からなるフッ化物混
合物中に浸漬するか又は加熱したＮａＯＨ，ＫＯＨ等の
融液中に浸漬することにより粗化することができる。

ワイヤーボンディング部及び導通回路を構成する金属被
膜の形成に用いられる金属としては、ニッケル、ニッケ
ル合金、銅、鋼合金、金等が用いられる。めっき法につ
いては特に制限はないが。

無電解めっき法で行うことが好ましい。めっきは例えば
無電解銅めっきを施した彼、その上面にニッケル、金め
つき等を施すことが好ましい。

レジスト膜及び耐めっきレジスト膜は、熱硬化性のレジ
ストを金属被膜の上面にスクリーン印刷し、加熱、硬化
して形成してもよく、感光性レジストフィルムを金属被
膜上に貼付してもよく特に制限はない。

エツチング法ｉ１１．　　レジスト膜の形成方法により
適宜選定するものとし特に制限はない。

ピンの材質は９％に制限はないが、コパール。

４２合金、５２合金等のＮｉ系合金、銅、銅合金などが
使用できる。ピンの長さは挿入して固着する導通回路及
び導通回路を形成するアルミナセラミック基板より突出
させるため導通回路及び導通回路を形成するアルミナセ
ラミック基板より長いものを用いることが好ましく、突
出長さは２−以上あることが好ましい。このピンと導通
回路との固着は、半田、銀ろう、熱硬化性樹脂、耐熱性
熱可塑性樹脂等が用いられる。

（実施例） 以下本発明の詳細な説明する。

実施例１ 第１図に示すように寸法が８０Ｘ８０ｍｍで厚さが１．
０　ＩＩＩｍのアルミナセラミック基板（日立化成工業
製、商品名ハロツクス５７０）１のほぼ中央部の半導体
素子が搭載される部分を除いた部分の任意の個所に２．
５４肛間隔で直径０．６４　ｍｅ（φ）の貫通孔２を２
０８個形成した彼、脱脂液（日立化成工業製１曲品名Ｈ
ＣＲ２０１）で洗浄し、乾燥後３５０℃に加熱したＮ　
ａ　ＯＨ融液中に１分間！！！潰し粗化を行った。つい
で！１度１０］ｒｉｉ１％のＨ２８０ａ液中に５分間浸
漬し、超音波による振動エネルギーを付与して中和し、
さらに水洗、乾燥後再び３５０℃に加熱したＮａＯＨ融
液中融液中間１分間浸漬粗化を行った。この後上記と同
様に濃度１０重ｉチの市８０４溶液中に５分間浸漬して
中和、水洗後熱電解めっき液（日立化成工業製、商品名
Ｌ−５９２中に６時間Ｖ潰して厚さ１０　ｌ１ｍの鋼の
被膜を形成した。

次に感光性レジストフィルム（日立化成工業製。

商品名ＰＨ’ｌ’−８６２ＡＰ’−４０）を前記銅の被
膜上全面に貼付し、さらＫその上面に、得られる導通回
路と同形状に透明な部分を形成したネガフィルムを貼付
し、露光してネガフィルムの透明な部分の下面に配設し
た感光性レジストフィルムを硬化させた。ついでネガフ
ィルムを取り除き、さらに現像して硬化していない部分
、詳しくは露光していない部分の感光性レジストフィル
ムを除去゛シ、塩化ｍエツチング液でエツチングを行い
導体回路として不必要な部分の銅の被膜を除去した。

た。

ついで導通回路３のランド部となる部分とその先端部分
を除いた部分に耐めっきレジスト（アサヒ化学研究所製
、商品名ＣＣＲ５０６）を塗布して耐めっきレジスト膜
５を形成した後、ランド部となる部分とその先端部分の
銅の被膜上にワット浴で２μｍの厚さにニッケルめっき
を施し、さら圧その上面に金めつき〔日本エレクトロブ
レイティングエンジニャーズ（ＥＥＪＡ）製、商品名テ
ンペレックス４０１〕を施してランド部（図面せず）と
ワイヤーボンディング部４とを形成した。

次に第２図に示すように貫通孔２内にすずめつきを９　
ａｍの厚さに施した直径が０．４６ｍ＋で。

方の端部をくぎの顆状に加工した長さが７１０ｍの５２
合金のネールへラドピン５を挿入し、他の一方の端部（
端子）を下面に露出させた後８ｎ　：　Ｐｂ＝６０：４
０の半田でネールヘッドピン５を固着し、かつ貫通孔２
内を気密封止した半導体素子搭載用配線板を得た。

（発明の効果） 本発明になる半導体素子搭載用配線板は、高密度配線に
優れ、ワイヤーボンディング端子数が多いものでも多層
化する必要がなく、放熱性に優れるなどの効果を奏する
半導体素子搭載用配線板である。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の実施例における半導体素子搭載用配
線板の製造作業状態を示す一部省略断面図及び第２図は
１本発明の実施例になる半導体素子搭載用配線板である
。 符号の説明 １・・・アルミナセラミック基板 ２・・・貫通孔　　　　　　　３・・・導通回路４・・
・ワイヤーボンディング部 ５・・・耐めっきレジスト膜 ６・・・ネールへラドピン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルミナセラミック基板のほぼ中央部の半導体素子
   が搭載される部分を除いた部分の周辺の表面に形成され
   たワイヤーボンディング部、ワイヤーボンディング部と
   接して形成された導通回路、導通回路の上面の一部に形
   成された耐めつきレジスト膜、導通回路及びアルミナセ
   ラミック基板を貫通して形成された貫通孔、貫通孔内に
   挿入固着されたピンとからなる半導体素子搭載用配線板
   。 ２、アルミナセラミック基板の任意の個所に貫通孔を形
   成した後、該アルミナセラミック基板の表面を化学的に
   粗化し、ついでめつき法により金属被膜を形成し、さら
   にその上面にレジスト膜を形成し、エッチング法で金属
   被膜の必要な部分のみを残して導通回路を形成し、しか
   る後導通回路の一部に耐めつきレジスト膜を形成し、耐
   めつきレジスト膜を形成していない導通回路の先端部分
   にワイヤーボンディング部を形成した後、貫通孔内にピ
   ンを挿入して固着することを特徴とする半導体素子搭載
   用配線板の製造法。