JPH10116525A

JPH10116525A - 異方導電体およびその製法

Info

Publication number: JPH10116525A
Application number: JP27253596A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Tatsuki; 雅彦辰木; Masayoshi Tanaka; 正善田中
Original assignee: Tokai Rubber Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Riko Co Ltd
Priority date: 1996-10-15
Filing date: 1996-10-15
Publication date: 1998-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】バンプ高さが不揃いであってもプリント回路体
等に接合して使用する際には、接合高さを容易に揃える
ことができ、実装部品の実装が容易となる異方導電体を
提供する。【解決手段】絶縁性フィルム１のパターン形成領域に複
数の微細貫通孔２が形成され、この微細貫通孔２に導電
性物質からなる導通路３が形成されているとともに、上
記微細貫通孔の両開口部から導電性物質がバンプ状に突
出形成されてなる異方導電体である。しかも、上記両開
口部から突出形成されてなる両導電性バンプ４，５が、
下記の特性（Ａ）を備えている。（Ａ）開口部の一方から突出形成された導電性バンプ５
の有する融点が、開口部の他方から突出形成された導電
性バンプ４の有する融点よりも低く設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路体等
との接合に用いられる異方導電体およびその製法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ベースフィルム等からなる基材の
片面に回路端子が設けられたプリント回路体に、各種実
装部品を実装する際には、その一例としてつぎのような
手段が採用されている。すなわち、図１８に示すよう
に、上記プリント回路体４０の回路端子４１形成面とは
反対面側から、エキシマレーザーを用いて回路端子４１
形成領域のベースフィルム４２に、回路端子４１に達す
る孔４３を形成する。ついで、図１９に示すように、電
気めっきにより上記孔４３に導電性物質からなる導通路
を形成するとともに、ベースフィルム４２から突出形成
される半球状突起部（バンプ）４４を形成する。つぎ
に、上記ベースフィルム４２表面にバンプ４４が形成さ
れたプリント回路体４０のバンプ４４形成面側に、この
バンプ４４と実装部品の電極部が対接するよう、実装部
品とプリント回路体４０を接合して圧着または加熱によ
る半田付け等により実装部品を実装する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような実装方法は、当然ながら、そのプリント回路体４
０となる製品毎に、バンプ４４の形成位置を、プリント
回路体４０の回路端子４１形成領域に対応させなければ
ならない。このため、エキシマレーザーによる孔開けや
電気めっき等のバンプ形成工程が個々のプリント回路体
に応じた固有のカスタムメイドの形態を採らなければな
らず、生産効率が低いという問題を有している。このよ
うなことから、プリント回路体自身に上記バンプ形成工
程を必要とせず、しかも、プリント回路体に対する各種
実装部品の実装が容易となるような部品の開発が強く望
まれている。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであって、バンプ高さが不揃いであってもプリント
回路体等に接合して使用する際には、接合高さを容易に
揃えることができ、実装部品の実装が容易となる異方導
電体およびその製法の提供をその目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、絶縁性フィルムのパターン形成領域に複
数の微細貫通孔が形成され、この微細貫通孔に導電性物
質からなる導通路が形成されているとともに、上記微細
貫通孔の両開口部から導電性物質がバンプ状に突出形成
されてなる異方導電体であって、上記両開口部から突出
形成されてなる両導電性バンプが、下記の特性（Ａ）を
備えている異方導電体を第１の要旨とする。（Ａ）開口部の一方から突出形成された導電性バンプの
有する融点が、開口部の他方から突出形成された導電性
バンプの有する融点よりも低く設定されている。

【０００６】そして、上記異方導電体を製造するため
の、絶縁性フィルム付金属箔の絶縁性フィルムのパター
ン形成領域に複数の微細貫通孔を形成する工程と、上記
複数の微細貫通孔の形成により露呈した金属箔の表面の
部分を穿って凹部に形成する工程と、上記複数の微細貫
通孔に導電性物質を充填する工程と、上記充填した導電
性物質上にその導電性物質と異なる融点を有する導電性
物質を、絶縁性フィルム面から突出するよう積重して導
電性バンプを形成する工程と、上記絶縁性フィルム付金
属箔から金属箔を除去する工程とを備えた異方導電体の
製法を第２の要旨とする。

【０００７】また、金属箔の片面に絶縁性樹脂層を積層
形成する工程と、上記絶縁性樹脂層のパターン形成領域
に複数の微細貫通孔を形成する工程と、上記複数の微細
貫通孔に導電性物質を充填して第１の導電性バンプを形
成する工程と、上記絶縁性樹脂層に積層された金属箔を
除去する工程と、上記金属箔除去面側の絶縁性樹脂層表
面に露呈した導電性物質に、上記充填した導電性物質と
異なる融点を有する導電性物質を積重して第２の導電性
バンプを形成する工程とを備えた異方導電体の製法を第
３の要旨とする。

【０００８】すなわち、本発明は、絶縁性フィルムに形
成された複数の微細貫通孔に導電性物質からなる導通路
が形成されているとともに上記微細貫通孔の両開口部か
ら導電性物質がバンプ状に突出形成された異方導電体で
あって、上記両導電性バンプのうち、一方の開口部から
突出形成された導電性バンプの有する融点が、他方の開
口部から突出形成された導電性バンプの有する融点より
も低く設定されている。このため、上記低融点側の導電
性バンプを加熱溶融させることによりこの異方導電体を
プリント回路体との接合に用いた場合、たとえ上記接合
点となるバンプの高さが不揃いであっても低融点側の導
電性バンプの溶融により接合部の高さを均一にすること
ができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。

【００１０】本発明の異方導電体は、絶縁性フィルム
と、この絶縁性フィルムのパターン形成領域に形成され
た複数の微細貫通孔に充填され、かつ、上記微細貫通孔
の両開口部からバンプ状に突出形成されてなる導電性物
質とを用いて得られる。

【００１１】上記絶縁性フィルムは、電気絶縁特性を有
するものであれば特にその素材に制限はなく、例えば、
エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリアミド等、熱硬
化性樹脂や熱可塑性樹脂を目的に応じて適宜選択して用
いられる。さらに、感光性を有するエポキシ樹脂やポリ
イミド等を用いてもよい。

【００１２】上記微細貫通孔に充填され、かつ、上記微
細貫通孔の両開口部からバンプ状に突出形成されてなる
導電性物質としては、例えば、金、銀、銅、錫、鉛、ニ
ッケル、コバルト等の各種金属、またはこれらを成分と
する各種合金、半田等が用いられる。そして、本発明で
は、上記導電性物質を用いて微細貫通孔の両開口部から
突出形成されてなる両導電性バンプが、つぎのような特
性を有していなければならない。すなわち、上記両導電
性バンプの有する融点のうち、一方の導電性バンプの有
する融点が、他方の導電性バンプの有する融点よりも低
いものでなければならない。このような導電性物質の組
み合わせとしては、特に限定するものではないが、例え
ば、ニッケル（高融点）と半田（低融点）、金（高融
点）と半田（低融点）等があげられる。さらに、同一材
料であって、融点が異なる特性を有する導電性物質、す
なわち、一方が低融点で他方が高融点となる合金、例え
ば、半田合金等を用いることもできる。

【００１３】このような各種材料を用いて得られる本発
明の異方導電体の一例を図１に示す。１は絶縁性フィル
ムであって、この絶縁性フィルム１のパターン形成領域
に複数の微細貫通孔２が、隣接する微細貫通孔２と一定
間隔を保った状態で設けられ（図では、便宜上３個の微
細貫通孔２のみを示す）、これら微細貫通孔２に高融点
の導電性物質からなる導通路３が形成されているととも
に、上記微細貫通孔２の一方の開口部から上記導電性物
質による導電性バンプ４が突出形成されている。そし
て、上記微細貫通孔２の他方の開口部から上記導電性物
質よりも低融点の導電性物質からなる導電性バンプ５
（低融点導電性バンプ）が突出形成されている。上記構
成により、絶縁性フィルム１の厚み方向のみに導電性を
有し、その方向と交差する方向（面方向）が電気的に絶
縁された、異方導電性が付与された導電体となる。

【００１４】なお、本発明の異方導電体の使用形態によ
っては、上記異方導電体において、図２に示すように、
高融点の導電性物質からなる導電性バンプ４表面に、こ
の導電性バンプ４形成材料である導電性物質よりも低融
点の導電性物質からなる被覆層６を形成してもよい。こ
のように、上記被覆層６を形成することにより、この被
覆層６と低融点の導電性物質からなる導電性バンプ５と
を加熱溶融して、異方導電体の両面にプリント回路体等
を容易に接合し固定することができる。

【００１５】つぎに、本発明の異方導電体の製法につい
て述べる。本発明の異方導電体の製法としては大別して
二通りの製法があげられる。

【００１６】まず、本発明の異方導電体の製法の一方の
例（第１の製法）を、図面に基づき順を追って説明す
る。すなわち、図３に示すように、金属箔１０が積層さ
れた絶縁性フィルム１１を準備し、図４に示すように、
所定の方法により絶縁性フィルム１１のパターン形成領
域に複数の微細貫通孔１２を形成する。この微細貫通孔
１２は図示のように、絶縁性フィルム１１のみを貫通し
ているものであり、この微細貫通孔１２の開口から、そ
の下側の金属箔１０の表面の部分が露呈している。

【００１７】つぎに、この微細貫通孔１２が形成された
絶縁性フィルム１１を金属箔１０に積層したままの状態
で、エッチング溶液に浸漬することにより、図５に示す
ように、上記微細貫通孔１２の形成によりその開口から
露呈した金属箔１０の表面の露呈部分を穿って凹部１３
を形成する。ついで、電気めっきにより、図６に示すよ
うに、上記微細貫通孔１２内に導電性物質（例えば高融
点の導電性物質）を充填して導通路１４を形成するとと
もに、上記凹部１３形状に沿った導電性バンプ１５を形
成する。

【００１８】この導電性バンプ１５を形成した後、さら
に、電気めっきにより、図７に示すように、上記微細貫
通孔１２開口部に、上記導通路１４および導電性バンプ
１５を形成する導電性物質とは融点の異なる導電性物質
（例えば低融点の導電性物質）を絶縁性フィルム１１面
から突出するよう積重して導電性バンプ１６を形成す
る。ついで、図８に示すように、上記絶縁性フィルム１
１から金属箔１０を除去することにより、本発明の異方
導電体を作製する。

【００１９】上記製法において、前記絶縁性フィルム１
１に複数の微細貫通孔１２を形成する方法としては、例
えば、絶縁性フィルム１１面側からエキシマレーザーを
照射して孔開けを行う方法等があげられる。

【００２０】さらに、前記微細貫通孔１２の形成により
その開口から露呈した金属箔１０の露呈部分の一部を除
去して凹部１３を形成する際に用いるエッチング溶液と
しては、例えば、通常のエッチングに用いられる塩化第
二鉄溶液等があげられる。

【００２１】また、前記金属箔１０の露呈部分の一部を
除去して凹部１３を形成した後（図５参照）、図６に示
すように、導電性物質を用いて導通路１４を形成すると
ともに導電性バンプ１５を形成する前に、図９に示すよ
うに、まず、電気めっきにより、上記凹部１３形状にそ
って薄膜の金属薄層１７を形成し、つづいて、上記図６
に示すように、導通路１４および導電性バンプ１５を形
成してもよい。

【００２２】前記微細貫通孔１２に導通路１４を形成す
る方法、および、導電性バンプ１５ならびに導電性バン
プ１６を形成する方法としては、電気めっき法に限定す
るものではなく、無電解めっき法等の化学的方法、導電
性物質の溶融浴に浸漬して引き上げることにより導電性
物質を被覆する方法、導電性物質を埋め込む物理的方法
等があげられる。なかでも、上記電気めっき法による形
成方法が最も好ましい。

【００２３】そして、上記絶縁性フィルム１１から金属
箔１０を除去する方法としては、金属箔１０を機械的に
剥離する方法、あるいは、塩化第二鉄溶液、硝酸等のエ
ッチング溶液に浸漬して金属箔１０を溶解除去する方法
等があげられる。

【００２４】なお、上記図６において、導電性物質を用
いて上記微細貫通孔１２内に導通路１４を形成する際、
この導通路１４の絶縁性フィルム１１面側の露呈面を絶
縁性フィルム１１と同じ高さとなるよう設定してもよ
い。ただし、後工程で、図７に示すように、上記微細貫
通孔１２開口部に、低融点の導電性物質からなる導電性
バンプ１６を形成した場合、この導電性バンプ１６形成
部分がより大きいと、例えば、バンプ高さが不揃いであ
っても、異方導電体を接合相手部品と接合する際に上記
導電性バンプ１６が溶解してバンプ高さが均一となり好
ましい。

【００２５】つぎに、本発明の異方導電体の製法の他の
例（第２の製法）を、図面に基づいて説明する。すなわ
ち、まず、図１０に示すように、アルミニウム、銅等の
各種金属板２０を準備し、この金属板２０の片面に感光
性樹脂の前駆体溶液を、バーコート法、あるいはスプレ
ーコート法等により塗布して、図１１に示すように、感
光性樹脂前駆体層２１を形成する。

【００２６】つぎに、上記感光性樹脂前駆体層２１の所
定領域を、所定の孔パターンが形成されるようパターン
マスクを用いてマスキングにより、その状態で水銀ラン
プ、紫外線ランプ等を用い紫外線照射することにより所
定パターンに露光して所定部分の感光性樹脂を反応させ
る。続いて、アルカリ系現像液等を用いて現像し、さら
にキュアを行うことにより、図１２に示すように、金属
板２０の片面に形成された感光性樹脂層２２に複数の微
細貫通孔２３を形成する。

【００２７】つぎに、電気めっきにより、図１３に示す
ように、上記微細貫通孔２３内に導電性物質（例えば高
融点の導電性物質）を充填して導通路２４を形成すると
ともに、感光性樹脂層２２面から突出するよう導電性バ
ンプ２５を形成する。

【００２８】ついで、図１４に示すように、上記導通路
２４および導電性バンプ２５が形成された感光性樹脂層
２２から金属板２０を除去する。

【００２９】この後、図１５に示すように、金属板２０
を除去することにより導通路２４が露呈した感光性樹脂
層２２（いわゆる感光性樹脂フィルムとなる）面側の、
導通路２４露呈部分に、所定の方法により、上記導通路
２４および導電性バンプ２５形成材料とは融点の異なる
導電性物質（例えば低融点の導電性物質）からなる導電
性バンプ２６を形成する。このようにして、本発明の異
方導電体を作製する。

【００３０】前記感光性樹脂層２２に複数の微細貫通孔
２３を形成する方法としては、前記のように、感光性樹
脂前駆体層２１を形成した後、マスキングにより露光し
て所定部分の感光性樹脂を反応させた後、現像し、さら
にキュアを行う方法以外に、まず、上記感光性樹脂前駆
体層２１全面を露光して感光性樹脂前駆体層２１全面を
反応させ感光性樹脂層２２を形成した後、先に述べた製
法（第１の製法）と同様、感光性樹脂層２２面側からエ
キシマレーザーを照射して所定のパターンに孔開けを行
う方法等があげられる。

【００３１】前記微細貫通孔２３に導通路２４を形成す
る方法、および、導電性バンプ２５を形成する方法とし
ては、前記第１の製法と同様、電気めっき法に限定する
ものではなく、無電解めっき法等の化学的方法、導電性
物質の溶融浴に浸漬して引き上げることにより導電性物
質を被覆する方法、導電性物質を埋め込む物理的方法等
があげられる。なかでも、上記電気めっき法による形成
方法が最も好ましい。

【００３２】前記図１３において、電気めっきにより感
光性樹脂層２２の微細貫通孔２３内に導電性物質を充填
して導通路２４を形成するとともに、感光性樹脂層２２
面から突出するよう導電性バンプ２５を形成した後、さ
らに、図１６に示すように、上記導電性バンプ２５表面
に、無電解めっきにより導電性物質からなる金属薄膜２
７を形成してもよい。この場合、上記導通路２４および
導電性バンプ２５が高融点の導電性物質からなり、上記
金属薄膜２７は低融点の導電性物質からなる組み合わせ
が好ましい。

【００３３】そして、前記感光性樹脂層２２から金属板
２０を除去する方法としては、金属箔１０を機械的に剥
離する方法、あるいは、塩酸溶液等のエッチング溶液を
用いてこれに浸漬して金属板２０を溶解除去する方法等
があげられる。

【００３４】また、上記図１５に示すように、導通路２
４露呈部分に導電性バンプ２６を形成する方法としては
特に限定するものではなく従来公知の方法、例えば、電
気めっき等があげられるが、この導電性バンプ２６形成
材料が半田の場合、溶融半田により、超音波半田装置を
用いて容易に導電性バンプ２６を形成することができ
る。この超音波半田装置を用いた導電性バンプ２６の形
成方法は、溶融半田浴に上記導通路２４露呈面のみを浸
漬し溶融半田を超音波振動させて半田からなる導電性バ
ンプ２６を形成するという方法である。

【００３５】このようにして得られた異方導電体を用い
た使用態様の一例を説明する。すなわち、図１７に示す
ように、ベースフィルム３０片面に所定パターンで回路
端子３１が設けられたプリント回路体３２の、回路端子
３１形成面側に、本発明の異方導電体３３を搭載する。
この際、上記プリント回路体３２の回路端子３１形成面
と、異方導電体３３の絶縁性フィルム３６に形成された
低融点の導電性物質からなる導電性バンプ３４の形成面
とが対峙するよう位置決めして搭載する。このように異
方導電体３３を搭載した後、高融点の導電性バンプ３５
が形成された面側から加熱して、低融点の導電性バンプ
３４を溶融させることにより上記回路端子３１と異方導
電体３３とを接合する。上記加熱温度は、当然ながら、
低融点の導電性バンプ３４の溶融温度以上かつ、高融点
の導電性バンプ３５の溶融温度未満に設定する。このよ
うにして、形成されたバンプ付きプリント回路体は、さ
らに、実装部品を搭載して接合する際に、実装部品の電
極部と高融点の導電性バンプ３５とを加熱（高融点の導
電性バンプの溶融温度以上）することにより、あるいは
圧着（パッケージ等による圧力保持）することにより容
易に電気的接合を行うことができる。

【００３６】つぎに、本発明を実施例に基づいて説明す
る。

【００３７】

【実施例１】まず、図３に示すように、厚み３５μｍの
銅箔１０が積層された厚み２５μｍのポリイミド樹脂フ
ィルム１１を準備し、図４に示すように、ポリイミド樹
脂フィルム１１面側からエキシマレーザー（三菱エキシ
マワークシステム、三菱電機社製）を照射して所定のパ
ターンに孔開けを行うことにより、ポリイミド樹脂フィ
ルム１１に直径３０μｍの微細貫通孔１２を複数個（ピ
ッチ５０μｍ）形成した。この際のエキシマレーザーの
照射条件を下記に示す。

【００３８】レーザ媒質：ＫｒＦ（発振波長２４８ｎｍ）発振周波数：６００Ｈｚ加工エネルギー密度：１．０Ｊ／ｃｍ² ショット数：１００ショット

【００３９】つぎに、この微細貫通孔１２が形成された
ポリイミド樹脂フィルム１１を銅箔１０に積層したまま
の状態で、濃度４０％の塩化第二鉄溶液に浸漬する（条
件：５０℃×１０秒）ことにより、図５に示すように、
上記微細貫通孔１２の形成によりその開口から露呈した
金属箔１０の露呈部分の一部を除去して凹部１３を形成
した。つぎに、図９に示すように、まず、電気金めっき
（条件：１Ａ／ｄｍ²）により、上記凹部１３形状にそ
って厚み１μｍの金（融点１０６３℃）からなる金属薄
膜１７を形成した。つづいて、図６に示すように、電気
ニッケルめっき（条件：５Ａ／ｄｍ²）により、厚み２
０μｍのニッケル（融点１４５５℃）からなる導通路１
４を形成するとともに、上記凹部１３形状に沿って形成
された金属薄膜１７（図９参照）に対応した導電性バン
プ１５を形成した。さらに、石原薬品社製のユニコンテ
ィンブライトＦＢ−６０の標準浴組成のめっき液を用い
た電気半田めっき（条件：２．５Ａ／ｄｍ²，浴温１５
℃，めっき時間１０分）により、図７に示すように、上
記微細貫通孔１２開口部に、ポリイミド樹脂フィルム１
１面から突出するよう積重して半田（６０％Ｓｎ−４０
％Ｐｂ：固相線温度約１８３℃，液相線温度約１９０
℃）からなる導電性バンプ１６を形成した。ついで、図
８に示すように、濃度４０％の塩化第二鉄に全体を浸漬
することにより、銅箔１０のみを溶解除去して、異方導
電体を作製した。

【００４０】

【実施例２】まず、図１０に示すように、厚み０．０８
ｍｍのアルミニウム板２０を準備し、このアルミニウム
板２０の片面に感光性ポリイミド樹脂コーティング剤
（宇部興産社製、リソコートＰＩ４００）を厚み１０μ
ｍで塗布した後、図１１に示すように、６５℃で４５分
熱風乾燥炉でプリベークを行い、厚み２．５μｍの感光
性ポリイミド樹脂前駆体層２１を形成した。つぎに、所
定の孔パターンが形成されるよう、直径２０μｍでピッ
チ３０μｍの正方形配列のドットパターンのマスクを上
記感光性ポリイミド樹脂前駆体層２１表面に密着させ
て、水銀ランプにて露光量１２００ｍＪ／ｃｍ²まで紫
外線照射を行い所定部分の感光性樹脂を反応させた後、
２３℃の専用現像液Ａに１８０秒間浸漬して所定のパタ
ーンを現像した。その後、イソプロピルアルコールとＮ
−メチル−２−ピロリドンの１：１混合液に１５秒間浸
漬し（第一リンス）、ついで、イソプロピルアルコール
に１０秒間浸漬し（第二リンス）した。さらに、ドライ
ヤーで乾燥させた後、熱風乾燥炉で１６０℃で３０分
間、引き続いて２３０℃で３０分間の二段階のポストベ
ークを行いキュアを完了した。このようにして、図１２
に示すように、アルミニウム板２０の片面に形成された
感光性ポリイミド樹脂層２２（厚み２．５μｍ）に、直
径２０μｍの微細貫通孔２３を複数個（ピッチ３０μ
ｍ）形成した。

【００４１】つぎに、まず、電気ニッケルめっき（条
件：５Ａ／ｄｍ²）により、図１３に示すように、上記
微細貫通孔２３内に厚み１０μｍのニッケル（融点１４
５５℃）からなる導通路２４を形成するとともに感光性
ポリイミド樹脂層２２面からわずかに突出するよう導電
性バンプ２５を形成した。つづいて、図１６に示すよう
に、上記ニッケルからなる導電性バンプ２５表面に、石
原薬品社製のユニコンティンブライトＦＢ−１５の標準
浴組成のめっき液を用いた無電解半田めっき（条件：２
Ａ／ｄｍ²，浴温１５℃，めっき時間３分））により半
田（９０％Ｓｎ−１０％Ｐｂ：固相線温度約１８３℃，
液相線温度約２１０℃）からなる厚み３μｍの半田薄膜
２７を形成した。ついで、図１４に示すように、全体
を、塩酸溶液（５００ｍｌ／ｌ）に浸漬することによ
り、上記導通路２４および導電性バンプ２５〔表面に半
田薄膜２７（図１６参照）が形成された〕が形成された
感光性ポリイミド樹脂層２２からアルミニウム板２０を
溶解除去した。そして、図１５に示すように、アルミニ
ウム板２０を除去することにより導通路２４が露呈した
感光性ポリイミド樹脂層２２（感光性ポリイミド樹脂フ
ィルム）の他面側の、導通路２４露呈部分に、超音波半
田装置（黒田電気社製、ＫＤＢ−１００）を用いて半田
（６２％Ｓｎ−３８％Ｐｂ：固相線温度約１８３℃，液
相線温度約１８４℃）からなる導電性バンプ２６を形成
した。この超音波半田装置による導電性バンプ２６の形
成は、溶融半田浴に上記導通路２４露呈面のみを浸漬し
て行った。このようにして、本発明の異方導電体を作製
した。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明は、絶縁性フィル
ムに形成された複数の微細貫通孔に導電性物質からなる
導通路が形成されているとともに上記微細貫通孔の両開
口部から導電性物質がバンプ状に突出形成された異方導
電体であって、上記両開口部から突出形成された両導電
性バンプにおいて、開口部の一方から突出形成された導
電性バンプの有する融点が、開口部の他方から突出形成
された導電性バンプの有する融点よりも低く設定されて
いる。このため、この異方導電体を加熱圧着等によりプ
リント回路体との接合に用いた場合、たとえ上記接合点
となるバンプの高さが不揃いであっても低融点側の導電
性バンプが溶融することから接合部の高さを均一にする
ことができる。したがって、本発明の異方導電体を用い
ることにより、プリント回路体等との電子部品との接合
が容易かつ正確に行うことができる。

【００４３】また、本発明の異方導電体は、絶縁性フィ
ルム付金属箔の絶縁性フィルムのパターン形成領域に複
数の微細貫通孔を形成して、上記複数の微細貫通孔の形
成により露呈した金属箔の表面の部分を穿って凹部に形
成した後、上記複数の微細貫通孔に導電性物質を充填す
る。ついで、上記充填した導電性物質上にその導電性物
質と異なる融点を有する導電性物質を、絶縁性フィルム
面から突出するよう積重して導電性バンプを形成した
後、上記絶縁性フィルム付金属箔から金属箔を除去する
ことにより製造することができる。あるいは、金属箔の
片面に積層形成された絶縁性樹脂層のパターン形成領域
に複数の微細貫通孔を形成した後、上記複数の微細貫通
孔に導電性物質を充填して第１の導電性バンプを形成す
る。ついで、上記絶縁性樹脂層に積層された金属箔を除
去することにより、上記金属箔除去面側の絶縁性樹脂層
表面に露呈した導電性物質に、上記充填した導電性物質
と異なる融点を有する導電性物質を積重して第２の導電
性バンプを形成することにより製造することができる。
このため、煩雑な工程を経由することなく、融点が異な
る導電性バンプがそれぞれ形成された特殊な異方導電体
を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異方導電体の一例を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の異方導電体の他の例を示す要部の部分
拡大断面図である。

【図３】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図４】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図５】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図６】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図７】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図８】本発明の異方導電体の製造工程の一例を示す断
面図である。

【図９】上記異方導電体の製造工程の他の例を示す断面
図である。

【図１０】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１１】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１２】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１３】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１４】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１５】本発明の異方導電体の製造工程の他の例を示
す断面図である。

【図１６】上記他の例の異方導電体の製造工程のさらに
他の例を示す断面図である。

【図１７】本発明の異方導電体の使用態様の一例を示す
断面図である。

【図１８】従来のプリント回路体に直接バンプ形成用の
孔を形成した状態を示す断面図である。

【図１９】従来のプリント回路体にバンプが形成された
状態を示す断面図である。

【符合の説明】

１絶縁性フィルム２微細貫通孔３導通路４導電性バンプ５低融点導電性バンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性フィルムのパターン形成領域に複
数の微細貫通孔が形成され、この微細貫通孔に導電性物
質からなる導通路が形成されているとともに、上記微細
貫通孔の両開口部から導電性物質がバンプ状に突出形成
されてなる異方導電体であって、上記両開口部から突出
形成されてなる両導電性バンプが、下記の特性（Ａ）を
備えていることを特徴とする異方導電体。（Ａ）開口部の一方から突出形成された導電性バンプの
有する融点が、開口部の他方から突出形成された導電性
バンプの有する融点よりも低く設定されている。
【請求項２】上記両導電性バンプのうち、高融点の導
電性バンプ表面に、この高融点の導電性バンプ形成材料
よりも低融点の導電性物質からなる被覆層が形成されて
いる請求項１記載の異方導電体。
【請求項３】絶縁性フィルム付金属箔の絶縁性フィル
ムのパターン形成領域に複数の微細貫通孔を形成する工
程と、上記複数の微細貫通孔の形成により露呈した金属
箔の表面の部分を穿って凹部に形成する工程と、上記複
数の微細貫通孔に導電性物質を充填する工程と、上記充
填した導電性物質上にその導電性物質と異なる融点を有
する導電性物質を、絶縁性フィルム面から突出するよう
積重して導電性バンプを形成する工程と、上記絶縁性フ
ィルム付金属箔から金属箔を除去する工程とを備えたこ
とを特徴とする異方導電体の製法。
【請求項４】金属箔の片面に絶縁性樹脂層を積層形成
する工程と、上記絶縁性樹脂層のパターン形成領域に複
数の微細貫通孔を形成する工程と、上記複数の微細貫通
孔に導電性物質を充填して第１の導電性バンプを形成す
る工程と、上記絶縁性樹脂層に積層された金属箔を除去
する工程と、上記金属箔除去面側の絶縁性樹脂層表面に
露呈した導電性物質に、上記充填した導電性物質と異な
る融点を有する導電性物質を積重して第２の導電性バン
プを形成する工程とを備えたことを特徴とする異方導電
体の製法。