JPH03280525A - Adhesion of wafer and device therefor - Google Patents
Adhesion of wafer and device thereforInfo
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- JPH03280525A JPH03280525A JP8168790A JP8168790A JPH03280525A JP H03280525 A JPH03280525 A JP H03280525A JP 8168790 A JP8168790 A JP 8168790A JP 8168790 A JP8168790 A JP 8168790A JP H03280525 A JPH03280525 A JP H03280525A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本願発明は、鏡面研磨を施すに当って、半導体ウェーハ
(以下、rウェーハ」と略称する。)をセラミックプレ
ートに固定するための接着方法及び該接着方法の実施に
直接使用する装置に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention provides an adhesive method and method for fixing a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as "r-wafer") to a ceramic plate during mirror polishing. The present invention relates to an apparatus used directly for carrying out the bonding method.
(従来の技術)
ウェーハは、ワックスでセラミックプレートに接着され
鏡面研磨に供される。上記ウェーハの下面に存するワッ
クス層の厚さは、上記鏡面研磨における仕上加工精度に
関係する。つまり、ワックス層が厚い場合には、鏡面研
磨された研磨面に厚みムラを生じたり、また平行度が不
良となったりして、ウネリな生じることがある。(Prior Art) A wafer is bonded to a ceramic plate with wax and subjected to mirror polishing. The thickness of the wax layer existing on the lower surface of the wafer is related to the finishing accuracy in the mirror polishing. In other words, if the wax layer is thick, the mirror-polished surface may have uneven thickness, or the parallelism may be poor, resulting in unevenness.
そこで、従来からウェーハの下面に存するワックス層の
厚さを可及的に薄くするように留意して、手作業でウェ
ーハの下面にワックスを浸透させていた。具体的には、
ウェーハの下面にワックスを浸透させた後、作業者が治
具を用いてウェーハの下面に存するワックスを絞り出し
たり、ウェーハの上面にプレス盤のフラットな精度面を
圧接して、ウェーハの下面に存するワックスを絞り出し
ていた。そして、これらの手段に依って薄くなされたワ
ックス層の厚さは、0.5p〜1.OILであった。Therefore, conventionally, care has been taken to reduce the thickness of the wax layer existing on the lower surface of the wafer as much as possible, and wax is manually infiltrated into the lower surface of the wafer. in particular,
After infiltrating the wax into the bottom surface of the wafer, the worker uses a jig to squeeze out the wax present on the bottom surface of the wafer, or presses the flat precision surface of a press against the top surface of the wafer to remove the wax present on the bottom surface of the wafer. I was squeezing out the wax. The thickness of the wax layer made thin by these means is 0.5p to 1.5p. It was OIL.
(発明が解決しようとする課題)
上記のように、従来のワックス層の厚さにはバラツキが
あり、そのために鏡面研磨の仕上げ加工精度にバラツキ
を生じていて、ワックス層をより薄く且つ均一にする手
段が望まれていた。(Problems to be Solved by the Invention) As mentioned above, there are variations in the thickness of conventional wax layers, which causes variations in the finishing accuracy of mirror polishing, and it is difficult to make the wax layer thinner and more uniform. A means to do so was desired.
更に、手作業に依る処理の場合、絞り出し時にワックス
を150〜160°Cに加熱するが、この熱影響等のた
め、用いるセラミックスプレートのサイズや重量に限界
があり、そのためウェーハの貼着数が最大5枚位に限ら
れるほか、ウェーハが大径(例えば5インチφ)となっ
た場合、−のウェーハについてのワックス層の厚みか°
各部において均一とならない等の問題がある。Furthermore, in the case of manual processing, the wax is heated to 150-160°C during squeezing, but due to the effects of this heat, there are limits to the size and weight of the ceramic plates used, and as a result, the number of wafers attached is limited. In addition to being limited to a maximum of 5 wafers, if the wafer has a large diameter (for example, 5 inches φ), the wax layer thickness for the - wafer
There are problems such as not being uniform in each part.
本願発明は、上記の問題点のない手段を提供することを
課題としてなされた。The present invention has been made with the object of providing a means that does not have the above-mentioned problems.
(課題を解決するための手段)
すなわち、本願第1の発明たるウェーハの接着方法は、
セラミックプレートにウェーハを載せ、該ウェーハの下
面にワックスを浸透させ、該ワックスを加熱しつつ前記
ウェーハの上面を押圧してウェーハをセラミックプレー
トに固着するウェーハの接着方法において、前記ウェー
ハの上面への押圧を、曲面を有したヘッダーで該ヘッダ
ーを機械的にローリングさせながら行い、ウェーハの下
面に存する過剰のワックスを絞り出すことによってウェ
ーハの下面におけるワックス層を可及的に薄くなすもの
てあり1本願第2の発明たる接着装置は、シリンダの作
動によって上下移動せしめられる荷重プレートと、ウェ
ーハの上面を押圧すべく前記荷重プレートの下面に突設
されたヘッダーと、前記ヘッダーな傾動運動させるべく
前記荷重プレートの上部に取付けられ一定角度範囲内を
往復回転運動せしめられる揺動板とを備え、前記ヘッダ
ーは、下面に曲面部をそして上面に上方へ突出した揺動
アームを有し、前記荷重プレートは、前記揺動アームの
中央部を遊嵌して該揺動アームを一方向にのみ直線往復
移動を許容せしめる規制孔を有し、前記揺動板は、前記
揺動アームの頂部を遊嵌して該頂部な揺動板の放射線方
向に移動せしめる長孔を有するものである。(Means for solving the problem) That is, the wafer bonding method which is the first invention of the present application is as follows:
A wafer bonding method in which a wafer is placed on a ceramic plate, wax is infiltrated into the lower surface of the wafer, and the wax is heated while pressing the upper surface of the wafer to fix the wafer to the ceramic plate. Pressing is carried out using a header with a curved surface while mechanically rolling the header, and by squeezing out excess wax present on the underside of the wafer, the wax layer on the underside of the wafer is made as thin as possible. The bonding device according to the second invention includes a load plate that is moved up and down by the operation of a cylinder, a header that is protruded from the lower surface of the load plate to press the upper surface of the wafer, and a load plate that is configured to tilt the header. The header includes a swinging plate that is attached to the upper part of the plate and can be rotated reciprocally within a certain angle range, the header has a curved surface portion on the lower surface and a swinging arm that projects upward on the upper surface, and the load plate is , a regulating hole into which the center portion of the swing arm is loosely fitted to permit linear reciprocating movement of the swing arm in only one direction, and the swing plate is loosely fit into the top portion of the swing arm; It has a long hole that allows the top rocking plate to move in the radial direction.
(作 用)
上記第1の発明によれば、ウェーハへの押圧が機械的に
ローリングするヘッドで行われるため、押圧力が常に一
定となり、ウェーハの下面のワックス層が均一なものと
なる。(Function) According to the first aspect of the invention, since the wafer is pressed by a mechanically rolling head, the pressing force is always constant and the wax layer on the lower surface of the wafer becomes uniform.
また、上記第2の発明に依れば、荷重プレート下に突設
されたヘッダーでウェーハの上面を押圧し、同時に揺動
板を一定角度範囲内だけ回転させることによって揺動ア
ームを傾動させ、曲面を有するヘッダーのウェーハの上
面における押圧点が一端から他端へ移動され、この結果
ウェーハの下面に存するワックスか絞り出される。Further, according to the second invention, the header protruding below the load plate presses the top surface of the wafer, and at the same time, the swinging arm is tilted by rotating the swinging plate within a certain angle range, The pressure point on the top surface of the wafer of the curved header is moved from one end to the other, thereby squeezing out the wax present on the bottom surface of the wafer.
(実施例) 以下、本願発明を添付図面に基づいて説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained based on the accompanying drawings.
第1図は本願発明に係る装置の一実施例を示す縦断面図
、第2図は同要部拡大断面図、第3図は第2図における
m−■拡大断面図、第4図はへツタ−の形状に関する補
足説明図、第5図は第2図におけるv−■矢視図、第6
図はウェーハに対する荷重点の移動説明図、第7図(イ
)(a)は本願発明を実施するための説明図である。Fig. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the device according to the present invention, Fig. 2 is an enlarged sectional view of the same essential part, Fig. 3 is an enlarged sectional view taken along the line m-■ in Fig. 2, and Fig. 4 is an enlarged sectional view of the same main part. Supplementary explanatory diagram regarding the shape of the ivy, Fig. 5 is a v-■ arrow view in Fig. 2, Fig. 6
The figure is an explanatory diagram of movement of a load point with respect to a wafer, and FIGS. 7(a) and 7(a) are explanatory diagrams for carrying out the present invention.
まず、接着装置について説明する。First, the bonding device will be explained.
本願の接着装置は 第1図に示すように、台座1上に門
柱2を立設すると共に、台座1上に温度調節可能なりッ
ションプレート3を載せ、更に上記門柱2、台座1及び
屋根板4で区画されたスペース内に、後述する荷重プレ
ート5、ヘッダー6及び揺動板7を配設している。As shown in FIG. 1, the adhesive device of the present application has a gate post 2 erected on a pedestal 1, a temperature-adjustable cushion plate 3 is placed on the pedestal 1, and the gate post 2, the pedestal 1, and a roof plate are placed on the pedestal 1. A load plate 5, a header 6, and a swing plate 7, which will be described later, are arranged in the space divided by 4.
8は屋根板4の中央に取付けられたシリンダーであって
、該シリンダー8の作動杆9は下方に突出せしめられ、
この作動杆9の下端に上述の荷重プレート5が取付けら
れている。つまり、シリンダー8の作動によって荷重プ
レート5が上下移動する構成とされている、荷重プレー
ト5は、上部が小径(以下、核部を「ボス部5aJと称
する)そして下部が大径(以下、核部を「フランジ部5
bと称する)となされた形状を有しており、該荷重をプ
レート5の上面には上板10が取付けられ、該上板10
の端縁に、脚11が垂下状に取付けられている。上記上
板10上には、上記作動杆9への掛合金具12が固着さ
れ、該上板lOには複数枚の重錘13がボルト14て止
着されるようにネジ孔15が形成されている。16は後
述するギヤ17の軸受であって、該軸受16も上板l。8 is a cylinder attached to the center of the roof plate 4, and the operating rod 9 of the cylinder 8 is made to protrude downward;
The above-described load plate 5 is attached to the lower end of the operating rod 9. In other words, the load plate 5 is configured to move up and down by the operation of the cylinder 8. The upper part of the load plate 5 has a small diameter (hereinafter, the core part is referred to as the "boss part 5aJ") and the lower part has a large diameter (hereinafter, the core part is referred to as the "boss part 5aJ"). "flange part 5"
b), and an upper plate 10 is attached to the upper surface of the plate 5 to transfer the load.
A leg 11 is attached to the end edge of the frame in a hanging manner. A hook 12 for hooking the operating rod 9 is fixed on the upper plate 10, and screw holes 15 are formed in the upper plate 10 so that a plurality of weights 13 can be fixed with bolts 14. There is. Reference numeral 16 denotes a bearing for a gear 17, which will be described later, and the bearing 16 is also attached to the upper plate l.
上に取付けられている。上述の脚11は門柱2に取付け
られたガイド片18に掛合されており、このために荷重
プレート5は不慮に回転することがない。installed on top. The above-mentioned leg 11 is engaged with a guide piece 18 attached to the gate post 2, so that the load plate 5 cannot be rotated unintentionally.
ヘッダー6は、上述の荷重プレート5の下面に突設され
ている。このヘッダー6は150〜160℃の保温機能
を有し、且つ下面が曲面19となされると共に、上面に
角柱状の揺動アーム20を突出して有し、該揺動アーム
20の頂部に球状頭21を備えている。もっとも、上記
曲面19は中央部のみとなされ、端縁部は横から見た場
合直線となるように形成されている。端縁部迄を曲面に
すると、ウェーハ22の全ての部分に線押圧を加えるこ
とになり、第4図に示すようにウェーハ22の端部にク
ラック23を生ぜしめるからである。The header 6 is provided to protrude from the lower surface of the load plate 5 described above. This header 6 has a heat retention function of 150 to 160° C., has a curved surface 19 on the lower surface, and has a prismatic swinging arm 20 protruding from the top surface, with a spherical head on the top of the swinging arm 20. It is equipped with 21. However, the curved surface 19 is formed only in the central portion, and the edge portions are formed to be straight lines when viewed from the side. This is because if the surface up to the edge is curved, line pressure will be applied to all parts of the wafer 22, causing cracks 23 at the end of the wafer 22, as shown in FIG.
24は揺動アーム20の下部に取付けられ回転ローラで
あって、該回転ローラ24は荷重プレート5の荷重を受
は止める役割を担っている。また、25は上記回転ロー
ラ24のやや上方において揺動アーム20に取付けられ
た抜止めピンである。A rotating roller 24 is attached to the lower part of the swing arm 20, and the rotating roller 24 has the role of receiving and stopping the load of the load plate 5. Further, 25 is a retaining pin attached to the swing arm 20 slightly above the rotating roller 24.
そして、上記揺動アーム20を備えたヘッダー6は、枠
体26を介して荷重プレート5に取付けられている。The header 6 including the swing arm 20 is attached to the load plate 5 via a frame 26 .
具体的には、荷重プレート5の下面に受孔27を形成し
、該受孔27に枠体26を嵌合し、該枠体26の頂板2
8と受孔27の底(図面上、上方に窪んだ部分)とをワ
イヤ29及びスプリンタ30で連結し、この枠体26の
環体28の上方に上記抜止めピン25か存し、頂板28
の下方に回転ローラ24が位置しく換言すれば、抜止め
ピン25と回転ローラ24とて頂板28を挟んだ状態に
)、ヘッダー6を取付けている。Specifically, a receiving hole 27 is formed on the lower surface of the load plate 5, the frame 26 is fitted into the receiving hole 27, and the top plate 2 of the frame 26 is inserted into the receiving hole 27.
8 and the bottom of the receiving hole 27 (the upwardly recessed part in the drawing) are connected by a wire 29 and a splinter 30, and the retaining pin 25 is present above the ring body 28 of this frame body 26, and the top plate 28
In other words, the header 6 is mounted below the rotating roller 24 (in other words, with the retaining pin 25 and the rotating roller 24 sandwiching the top plate 28).
34は荷重プレート5のフランジ部5bに貫設した規制
孔であって、該規制孔34は、上述の溝孔32.33と
同様、荷重プレート5の中心に向う長孔とされていて、
該規制孔34には、ヘッダー6の角柱状揺動アーム20
か挿嵌されている。従って上記揺動アーム20は、荷重
プレート5の中心方向に首振りをなし得る構成となって
いる。Reference numeral 34 denotes a regulation hole penetrating the flange portion 5b of the load plate 5, and the regulation hole 34 is a long hole facing the center of the load plate 5, similar to the slot holes 32 and 33 described above.
The prismatic swing arm 20 of the header 6 is inserted into the regulation hole 34.
or inserted. Therefore, the swing arm 20 is configured to swing toward the center of the load plate 5.
揺動板7は、荷重プレート5のボス部5aに回転可能に
取付けられると共に、モータ36て駆動されるギヤ17
に噛合せしめられている。そしてこの揺動板7には、該
揺動板7の中心に一端か近づき且つ他端か遠去かってい
る長孔35か形成され、該長孔35に上記揺動アーム2
0の球状頭21が嵌合している。つまり、モータ36の
駆動て、ギヤ17を介し、揺動板7を所定角度(球状頭
21か長孔35の一端から他端に移動する範囲の角度)
たけ往復回転運動させ、球状頭21を揺動板7の放射線
方向に往復直線運動させる構成となしである。The swing plate 7 is rotatably attached to the boss portion 5a of the load plate 5, and is driven by a gear 17 driven by a motor 36.
It is meshed with. A long hole 35 is formed in the swing plate 7, with one end approaching the center of the swing plate 7 and the other end facing away from the center of the swing plate 7.
0 spherical head 21 is fitted. That is, by driving the motor 36, the swing plate 7 is moved at a predetermined angle (an angle in the range in which the spherical head 21 or the elongated hole 35 is moved from one end to the other end) via the gear 17.
There is a configuration in which the spherical head 21 is moved reciprocally and linearly in the radial direction of the rocking plate 7.
次に上記発明装置を使用した本願の方法に係る発明の実
施について述べる。Next, the implementation of the invention related to the method of the present application using the above-mentioned inventive device will be described.
まず、セラミックプレート38上の所定位置に4インチ
φのウェーハ22ならば12枚、5インチφのウェーハ
22ならば8枚を載せてワックス39を注入し、該ワッ
クス39をウェーハ22の下面に浸透させる(第7図参
照)。First, 12 4-inch φ wafers 22 or 8 5-inch φ wafers 22 are placed on a predetermined position on the ceramic plate 38 and wax 39 is injected, and the wax 39 permeates the lower surface of the wafer 22. (See Figure 7).
他方、シリンダ8を駆動して荷重プレート5、該荷重プ
レート5に取付けられている枠体26及び該枠体26に
掛架されているヘッダー6を約125mm上昇させ、且
つ球状頭21を長孔35の外側に近い端部にセットし、
上記用意されたワックス浸透済みのセラミックプレート
38を150〜160°Cに加熱されたクツションプレ
ート3上へ位置合せしてセットし、ウェーハ22の上面
に緩衝材40を当てる。この緩衝材40は約80JL圧
の紙で、曲面19に依る押圧力に圧力勾配を付与するた
め、及び異物混入防止のためという2つの役割を有して
いる。On the other hand, the cylinder 8 is driven to raise the load plate 5, the frame 26 attached to the load plate 5, and the header 6 suspended on the frame 26 by about 125 mm, and the spherical head 21 is inserted into the elongated hole. Set it on the edge near the outside of 35,
The wax-infiltrated ceramic plate 38 prepared above is aligned and set on the cushion plate 3 heated to 150 to 160° C., and a cushioning material 40 is applied to the upper surface of the wafer 22. This cushioning material 40 is made of paper with a pressure of approximately 80 JL, and has two roles: to provide a pressure gradient to the pressing force due to the curved surface 19, and to prevent foreign matter from entering.
次に、シリンダ8を作動させて荷重プレート5を降下し
、150〜160°Cに加熱された各ヘッダー6を各ウ
ェーハ22の外側端縁に折衝させ、ウェーハ22が荷重
を受けた状態となす。ここでウェーハ22の端縁は押圧
力を受けるとクラック23を生じ易いが、この場合にウ
ェーハ22はヘッダー6の平面部で押圧されており、ク
ラック23は発生しない。Next, the cylinder 8 is activated to lower the load plate 5, and each header 6 heated to 150 to 160° C. is brought into contact with the outer edge of each wafer 22, so that the wafer 22 is loaded. . Here, when the edge of the wafer 22 is subjected to a pressing force, cracks 23 are likely to occur, but in this case, the wafer 22 is pressed by the flat part of the header 6, and no cracks 23 occur.
そして、モータ36を駆動し、ギヤ17を介入して揺動
板7を回転させる、この結果揺動アーム20の球状頭2
1が外側から内側へと長孔35内を移動してヘッダー6
の曲面部19が転動し、ヘッダー6に依る押圧点がウェ
ーハ22の外側端縁から内側端縁へと移動していく。こ
の過程中、荷重プレート5その他の荷重は、常に回転ロ
ーラ24を介してウェーハ22にかかっており、従って
ウェーハ22の下面に存するワックス39(上記クツシ
ョンプレート3及ぶヘッダー6から熱を受けて流動性の
よくなったワックス39)が上記外側から内側へと絞り
出されることになる。Then, the motor 36 is driven and the gear 17 is intervened to rotate the swinging plate 7. As a result, the spherical head 2 of the swinging arm 20
1 moves inside the elongated hole 35 from the outside to the inside and connects to the header 6.
The curved surface portion 19 of the wafer 22 rolls, and the pressing point by the header 6 moves from the outer edge of the wafer 22 to the inner edge. During this process, the load on the load plate 5 and other loads is always applied to the wafer 22 via the rotating roller 24. Therefore, the wax 39 on the bottom surface of the wafer 22 (heated from the cushion plate 3 and the header 6) The wax 39) with improved properties is squeezed out from the outside to the inside.
なお、上記ヘッダー6の転勤時に回転ローラ24にかか
る荷重のレベルLが変動するが、上述の実施例では、枠
体26を、ワイヤ29及びスプリング30で荷重プレー
ト5に取付けており、この結果、上記レベルLの変動時
にスプリンタ30が伸縮し、荷重そのものは変動しない
。Note that the level L of the load applied to the rotating roller 24 changes when the header 6 is transferred, but in the above embodiment, the frame 26 is attached to the load plate 5 with wires 29 and springs 30, and as a result, When the level L changes, the splinter 30 expands and contracts, but the load itself does not change.
かくして押圧点が内側まて移動したならば、ウェーハ2
2下面のワックス層は0.4p以下となされており、こ
こでシリンダ8を作動させて荷重プレート5及びヘッダ
ー6を上限位置まで引上げ、更にモータ36を逆転駆動
して揺動板7を逆回転させ、ヘッダー6を元の位置にま
で戻す。If the pressing point moves inward in this way, wafer 2
The wax layer on the lower surface of 2 is 0.4p or less, and the cylinder 8 is operated to raise the load plate 5 and header 6 to the upper limit position, and the motor 36 is driven in reverse to rotate the swing plate 7 in the reverse direction. and return the header 6 to its original position.
ここまでの装置の動きが1サイクルであって、約90秒
間である。なお、上記装置1サイクルの動きは、センサ
ーやリミットスイッチを用いて自動的に行わせ得て、1
サイクルの終了をブザーて知らせる構成とすることも可
能である。The movement of the device up to this point constitutes one cycle, which takes about 90 seconds. Note that the movement of the above device for one cycle can be automatically performed using a sensor or a limit switch.
It is also possible to use a configuration in which a buzzer notifies the end of the cycle.
(発明の効果)
以上説明したように、本願の発明に依れば、ワックスの
厚みを0.4 uL以下にバラツキなく薄くすることか
可能となり、この結果、鏡面研磨における加工精度が著
しく向上する。そして、本願発明装置に依れば、省力化
及び接着処理の増大を図り得るという効益がある。(Effects of the Invention) As explained above, according to the invention of the present application, it is possible to reduce the thickness of wax to 0.4 μL or less without variation, and as a result, the processing accuracy in mirror polishing is significantly improved. . According to the apparatus of the present invention, it is possible to save labor and increase the amount of adhesion processing.
第1図は本願発明に係る装置の一実施例を示す縦断面図
、第2図は同要部拡大断面図、第3図は第2図における
■−■拡大断面図、第4図はヘッダーの形状に関する補
足説明図、第5図は第2図におけるv−■矢視図、第6
図はウェーハに対する荷重点の移動説明図、第7図Cイ
) (0)は本願発明を実施するための説明図である。
5・・・荷重プレート
7・・・揺動板
20・・・揺動アーム
35・・・長孔
39・・・ワックス
6・・・ヘッダー
8・・・シリンダ
22・・・ウェーハ
38・・・セラミックプレートFig. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the device according to the present invention, Fig. 2 is an enlarged sectional view of the same essential parts, Fig. 3 is an enlarged sectional view taken along the line -■ in Fig. 2, and Fig. 4 is a header. Supplementary explanatory diagram regarding the shape of Figure 5 is a v-■ arrow view in Figure 2, Figure 6
The figure is an explanatory diagram of movement of a load point with respect to a wafer, and FIG. 7C (0) is an explanatory diagram for carrying out the present invention. 5... Load plate 7... Rocking plate 20... Rocking arm 35... Long hole 39... Wax 6... Header 8... Cylinder 22... Wafer 38... ceramic plate
Claims (2)
ハの下面にワックスを浸透させ、該ワックスを加熱しつ
つ前記ウェーハの上面を押圧してウェーハをセラミック
プレートに固着するウェーハの接着方法において、 前記ウェーハの上面への押圧を、曲面を有したヘッダー
で該ヘッダーを機械的にローリングさせながら行い、ウ
ェーハの下面に存する過剰のワックスを絞り出すことに
よってウェーハの下面におけるワックス層を可及的に薄
くなすことを特徴とするウェーハの接着方法。(1) A wafer bonding method in which a wafer is placed on a ceramic plate, wax is infiltrated into the lower surface of the wafer, and the wax is heated while pressing the upper surface of the wafer to fix the wafer to the ceramic plate. Pressure is applied to the upper surface while mechanically rolling the header with a curved header to squeeze out excess wax on the lower surface of the wafer, thereby making the wax layer on the lower surface of the wafer as thin as possible. Characteristic wafer bonding method.
重プレートと、ウェーハの上面を押圧すべく前記荷重プ
レートの下面に突設されたヘッダーと、前記ヘッダーを
傾動運動させるべく前記荷重プレートの上部に取付けら
れ一定角度範囲内を往復回転運動せしめられる揺動板と
を備え、 前記ヘッダーは、下面に曲面部をそして上面に上方へ突
出した揺動アームを有し、 前記荷重プレートは、前記揺動アームの中央部を遊嵌し
て該揺動アームを一方向にのみ直線往復移動を許容せし
める規制孔を有し、 前記揺動板は、前記揺動アームの頂部を遊嵌して該頂部
を揺動板の放射線方向に移動せしめる長孔を有する ことを特徴とする接着装置。(2) a load plate that is moved up and down by the operation of a cylinder; a header that projects from the bottom surface of the load plate to press the top surface of the wafer; and a header that is attached to the top of the load plate to tilt the header; the header has a curved surface on its lower surface and a swinging arm projecting upward on its upper surface; The rocking plate has a regulation hole into which the center part is loosely fitted to allow the rocking arm to move in a straight line in only one direction; A bonding device characterized by having a long hole that moves the plate in the radial direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081687A JP2531825B2 (en) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Wafer bonding method and apparatus used for the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081687A JP2531825B2 (en) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Wafer bonding method and apparatus used for the method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280525A true JPH03280525A (en) | 1991-12-11 |
| JP2531825B2 JP2531825B2 (en) | 1996-09-04 |
Family
ID=13753268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2081687A Expired - Fee Related JP2531825B2 (en) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Wafer bonding method and apparatus used for the method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531825B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013120783A (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Fujikoshi Mach Corp | Workpiece sticking method and workpiece sticking device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109974A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-14 | Sony Corp | Bonding method of substrate |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2081687A patent/JP2531825B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109974A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-14 | Sony Corp | Bonding method of substrate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013120783A (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Fujikoshi Mach Corp | Workpiece sticking method and workpiece sticking device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531825B2 (en) | 1996-09-04 |
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