JPH03280526A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03280526A JPH03280526A JP2081801A JP8180190A JPH03280526A JP H03280526 A JPH03280526 A JP H03280526A JP 2081801 A JP2081801 A JP 2081801A JP 8180190 A JP8180190 A JP 8180190A JP H03280526 A JPH03280526 A JP H03280526A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- exposure
- stage
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハプロセスのりソゲラフイエ程におけるパターンの
転写方法に関し。
転写方法に関し。
露光の際にマスクに付着した塵の転写を防ぎ。
微細化パターンのりソグラフィの歩留と製品の信鯨性の
向上を目的とし。
向上を目的とし。
１）同種のマスクパターンを複数個形成したマスクを用
いて、ウェハ上の同−位置にパターン形状を重ねて各々
のマスクパターンを複数回露光する工程を有し、マスク
上に付着した塵の転写を防止するように構成する。２）
前記複数回露光の照射光のエネルギーの総量は全露光で
適正露光になるように、各露光ごとに分割して露光する
ように構成する。
いて、ウェハ上の同−位置にパターン形状を重ねて各々
のマスクパターンを複数回露光する工程を有し、マスク
上に付着した塵の転写を防止するように構成する。２）
前記複数回露光の照射光のエネルギーの総量は全露光で
適正露光になるように、各露光ごとに分割して露光する
ように構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にウェハプロ
セスのりソゲラフイエ程におけるパターンの転写方法に
関する。
セスのりソゲラフイエ程におけるパターンの転写方法に
関する。
年々微細化が進む半導体集積回路のウェハプロセスにお
いて、パターン不良となる塵の大きさは小さくなってお
り、マスク上の塵の転写を防（ことは、ますます困難に
なってきている。
いて、パターン不良となる塵の大きさは小さくなってお
り、マスク上の塵の転写を防（ことは、ますます困難に
なってきている。
また、洗浄等によってマスク上の塵を完全に取り除（こ
とは困難である。
とは困難である。
そこで、塵の影響を除去したパターンの転写方法として
本発明を利用することができる。
本発明を利用することができる。
従来の露光においては、マスクとウェハの位置合わせを
行った後、そのまま相互間の移動を行わないで露光をし
ていた。
行った後、そのまま相互間の移動を行わないで露光をし
ていた。
そのために、マスクに付着した塵等がウェハ上に被着さ
れたレジスト膜に転写されていた。
れたレジスト膜に転写されていた。
従って、露光の際にマスク上の塵等の転写像により転写
パターンは不良となり、製造歩留を落としていた。
パターンは不良となり、製造歩留を落としていた。
また、マスク上の微細な塵を完全になくすことは極めて
困難である。
困難である。
本発明は、露光の際にマスクに付着した塵の転写を防く
ことを目的とする。
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は。
１）同種のマスクパターンを複数個形成したマスクを用
いて、ウェハ上の同一位置にパターン形状を重ねて各々
のマスクパターンを複数回露光する工程を有し、マスク
上に付着した塵の転写を防止するようにした半導体装置
の製造方法、あるいは２）前記複数回露光の照射光のエ
ネルギーの総量は全露光で適正露光になるように、各露
光ごとに分割して露光する半導体装置の製造方法により
達成される。
いて、ウェハ上の同一位置にパターン形状を重ねて各々
のマスクパターンを複数回露光する工程を有し、マスク
上に付着した塵の転写を防止するようにした半導体装置
の製造方法、あるいは２）前記複数回露光の照射光のエ
ネルギーの総量は全露光で適正露光になるように、各露
光ごとに分割して露光する半導体装置の製造方法により
達成される。
本発明は同種のマスクパターンを複数個形成したマスク
を用いて、同一チップに対し各々のマスクパターンを複
数回露光することにより塵の転写を防止するようにした
ものである。
を用いて、同一チップに対し各々のマスクパターンを複
数回露光することにより塵の転写を防止するようにした
ものである。
これは、各マスクパターンの同一場所に塵が付着する確
率は極めて少なく、最初のマスクパターンを用いた露光
で塵による未露光部が残っても。
率は極めて少なく、最初のマスクパターンを用いた露光
で塵による未露光部が残っても。
次のマスクパターンを用いた露光では同じ位置に塵が付
着している確率は小さいため前記未露光部が露光される
ことを利用したものである。
着している確率は小さいため前記未露光部が露光される
ことを利用したものである。
このような露光の回数を重ねれば塵の転写確率は限りな
く０に近づくが、実用上、２〜３回で十分である。
く０に近づくが、実用上、２〜３回で十分である。
この際、露光エネルギーの総量は全露光で適正露光にな
るように、各露光ごとに分割する。
るように、各露光ごとに分割する。
第１図（ａ）〜ｆｄｌは本発明の原理説明図である。
第１図ｆａ）はマスクの平面図で、Ａ、Ｂ、Ｃはチップ
パターンで同一マスクパターンが形成されている。
パターンで同一マスクパターンが形成されている。
第１図（′ｂ）〜（ｄｌはそれぞれマスクパターンＡ、
ＢＣを用いて同一チップに対し順次露光した場合の
模式断面図である。
ＢＣを用いて同一チップに対し順次露光した場合の
模式断面図である。
図において、１はレジストの未露光部、２はレジストの
露光部、３はマスクの透過光、４は塵。
露光部、３はマスクの透過光、４は塵。
５はマスクの遮光膜、６は石英製のマスクの透明基板で
ある。
ある。
第２図ｆａ）、 （ｂｌは本発明の一実施例を説明する
露光装置の断面図とウェハステージ部の平面図である。
露光装置の断面図とウェハステージ部の平面図である。
図において、 １１はマスク、 １２はミラー投影露光
装置、１３はウェハステージ、１４は光路、１５はミラ
ーである。
装置、１３はウェハステージ、１４は光路、１５はミラ
ーである。
実施例では、−船釣なミラー投影露光装置を本発明を適
用するために次の点を改造する。
用するために次の点を改造する。
■ マスクと装置の位１合わせを可能にする。
そのためには、ステージ上にアライメントマークを設け
、それとマスクをあわせるようにする。
、それとマスクをあわせるようにする。
■ ウェハステージをＸ、Ｙ方向に１チップ分（約２０
ｍｍ）移動可能にする。
ｍｍ）移動可能にする。
この改造及び使用するマスクをＸ、Ｙ方向ともに１列分
多くチップパターンを形成しておくことにより、露光回
数を最大４回に分割することができる。
多くチップパターンを形成しておくことにより、露光回
数を最大４回に分割することができる。
また、マスクと装置の位置合わせを行うことにより、マ
スクとウェハの位置合わせが１回ですみスルーブツトの
低下を防ぐことができる。
スクとウェハの位置合わせが１回ですみスルーブツトの
低下を防ぐことができる。
第３図は実施例のアライメントの光路の一例を示す斜視
図である。
図である。
図において、１１はマスク、１３はステージ、Ｌｌ。
Ｌ２は相互の間隔が可変な２つのアライメントランプよ
り出る光路、１６〜１９は反射鏡、２０はプリズム。
り出る光路、１６〜１９は反射鏡、２０はプリズム。
２１は顕微鏡である。
また９通常のアライメントマークの他に、実施例を実行
するために、ステージ上にアライメントマークａ、ａ’
を、マスク上の対応位置にアライメントマークｂ、ｂ’
を設ける。
するために、ステージ上にアライメントマークａ、ａ’
を、マスク上の対応位置にアライメントマークｂ、ｂ’
を設ける。
次に、実施例の工程順序を第３図を用いて説明する。
■ マスクと装置の位置合わせをを行う。
ステージ上に設けたアライメントマークａ。
ａ′に、マスク上にあるアライメントマークｂ。
ｂ′を顕微鏡２０を見ながらステージ１３を移動して合
わせる。
わせる。
■ ウェハとマスクの位置合わせをを行う。
マスク上にあるアライメントマークＣにウェハ上のアラ
イメントマークを合わせる。
イメントマークを合わせる。
■ １回目の露光を行う。
■ ウェハステージをＸ （Ｙ）方向に１千・ノブ分移
動する。
動する。
■ ２回目の露光を行う。
■ ウェハステージをＸ （Ｙ）方向に１チップ分移動
する。
する。
■ ３回目の露光を行う。
以上のようにして、ウェハ上の同一位置に、同種のマス
クパターンを複数回露光して、マスク上に付着した塵の
転写を防止することができる。
クパターンを複数回露光して、マスク上に付着した塵の
転写を防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、露光の際にマスク
に付着した塵の転写を防くことができ微細化パターンの
りソグラフィの歩留と製品の信軌性を向上することがで
きる。
に付着した塵の転写を防くことができ微細化パターンの
りソグラフィの歩留と製品の信軌性を向上することがで
きる。
第１図（ａ）〜Ｃｄ）は本発明の原理説明図。
第２図（ａｌ、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する
露光装置の断面図とウェハステージ部の平面図。 第３図は実施例のアライメントの光路の一例を示す斜視
図である。 図において。 １はレジストの未露光部。 ２はレジストの露光部。 ３はマスクの透過光。 ４は塵。 ５はマスクの遮光膜。 ６はマスクの透明基板 Ａ、Ｂ、Ｃは同一マスクパターン （チップパターン） １１はマスク。 １２はミラー投影露光装置。 １３はウェハステージ。 １４は光路、１５はミラ １６〜１９は反射鏡、 ２０はプリズム。 ２１は顕微鏡。 Ｌｌ、 Ｌ２は相互の間隔が可変な２つのアライメント
ランプより出る光路。 ａ、ａ’はステージ上にアライメントマーク。 ｂ、ｂ’はａ、ａ’の対応位置にあるマスク上のアライ
メントマーク ４理誂日月匹］ ζイｒ−；″′１ ↓ 匈支旨イク１１乏説Ｂ月ずろｆζ装ｎｖｈ（Ｂヒ。 ７エハス千−ジ０平顔口
露光装置の断面図とウェハステージ部の平面図。 第３図は実施例のアライメントの光路の一例を示す斜視
図である。 図において。 １はレジストの未露光部。 ２はレジストの露光部。 ３はマスクの透過光。 ４は塵。 ５はマスクの遮光膜。 ６はマスクの透明基板 Ａ、Ｂ、Ｃは同一マスクパターン （チップパターン） １１はマスク。 １２はミラー投影露光装置。 １３はウェハステージ。 １４は光路、１５はミラ １６〜１９は反射鏡、 ２０はプリズム。 ２１は顕微鏡。 Ｌｌ、 Ｌ２は相互の間隔が可変な２つのアライメント
ランプより出る光路。 ａ、ａ’はステージ上にアライメントマーク。 ｂ、ｂ’はａ、ａ’の対応位置にあるマスク上のアライ
メントマーク ４理誂日月匹］ ζイｒ−；″′１ ↓ 匈支旨イク１１乏説Ｂ月ずろｆζ装ｎｖｈ（Ｂヒ。 ７エハス千−ジ０平顔口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）同種のマスクパターンを複数個形成したマスクを用
いて、ウェハ上の同一位置にパターン形状を重ねて各々
のマスクパターンを複数回露光する工程を有し、マスク
上に付着した塵の転写を防止するようにしたことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２）前記複数回露光の照射光のエネルギーの総量は全露
光で適正露光になるように、各露光ごとに分割して露光
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081801A JPH03280526A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081801A JPH03280526A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280526A true JPH03280526A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13756593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2081801A Pending JPH03280526A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280526A (ja) |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2081801A patent/JPH03280526A/ja active Pending
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