JPH03280535A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH03280535A JPH03280535A JP8268890A JP8268890A JPH03280535A JP H03280535 A JPH03280535 A JP H03280535A JP 8268890 A JP8268890 A JP 8268890A JP 8268890 A JP8268890 A JP 8268890A JP H03280535 A JPH03280535 A JP H03280535A
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- wafer
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- ashing
- dry etching
- heating
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマを利用するドライエツチング装置に関
する。
する。
近年における半導体装置の高集積化にともなって、半導
体基板上に形成される配線の信頼性が重要となってきて
いる。一般に半導体装置の配線材料としては、アルミニ
ウムが用いられるが、配線が微細化するにつれて、アル
ミニウム配線のエレクトロマイグレーションが問題とな
ってきている。この問題に対しては、アルミニウムに数
％の銅を添加することによる対策が行なわれている。
体基板上に形成される配線の信頼性が重要となってきて
いる。一般に半導体装置の配線材料としては、アルミニ
ウムが用いられるが、配線が微細化するにつれて、アル
ミニウム配線のエレクトロマイグレーションが問題とな
ってきている。この問題に対しては、アルミニウムに数
％の銅を添加することによる対策が行なわれている。
この＾１−Ｃｕ配線のパターン形成には、第４図に示す
ようなドライエツチング装置が用いられる。
ようなドライエツチング装置が用いられる。
エツチングは次のシーケンスで行なわれる。すなわち、
ロードロック室４に中にウェハを入れ真空排気した後、
搬送ロボット５によりエツチング室１に送る。しかる後
塩素系ガスを導入し、高周波電力を投入してプラズマを
発生させる。 ＡＮＣｕ配線は、このプラズマ中で塩
素を含む反応性イオンによりエツチングされる０次に、
エツチングが終了したウェハを搬送ロボットにアッシン
グ室２に送り、酸素プラズマによりマスク材としてのレ
ジストを除去する。最後にアッシング室２よりロードロ
ック室４にウェハを送り、ロードロック室４を大気に開
放し装置からウェハを取り出す。
ロードロック室４に中にウェハを入れ真空排気した後、
搬送ロボット５によりエツチング室１に送る。しかる後
塩素系ガスを導入し、高周波電力を投入してプラズマを
発生させる。 ＡＮＣｕ配線は、このプラズマ中で塩
素を含む反応性イオンによりエツチングされる０次に、
エツチングが終了したウェハを搬送ロボットにアッシン
グ室２に送り、酸素プラズマによりマスク材としてのレ
ジストを除去する。最後にアッシング室２よりロードロ
ック室４にウェハを送り、ロードロック室４を大気に開
放し装置からウェハを取り出す。
尚第４図において９はゲートバルブである。
ＡＩ！−Ｃｕ配線のドライエツチングでは反応生成物と
して生じるＡＩＣムの蒸気圧が低く気化が容易でないの
で、配線パターンにエツチングガス中に含まれる塩素分
が吸着し易い、このため、配線パターンに吸着した塩素
分と空気中の水分が反応してＨＣ／を生成する。これが
原因でＡｅ配線が腐食するという問題がある。
して生じるＡＩＣムの蒸気圧が低く気化が容易でないの
で、配線パターンにエツチングガス中に含まれる塩素分
が吸着し易い、このため、配線パターンに吸着した塩素
分と空気中の水分が反応してＨＣ／を生成する。これが
原因でＡｅ配線が腐食するという問題がある。
この様子を模式的に第５図に示す。第５図（ａ）はドラ
イエツチング装置がら取り出されなウェハの断面図であ
る。配線１００に腐食部１０１が成長する。同図（ｂ）
はウェハを次工程の水洗処理を経た後の断面形状である
。腐食部１０１は水溶性であるので配線１００は欠落を
生じる。更に腐食が進行すると配線が断線するという問
題がある。
イエツチング装置がら取り出されなウェハの断面図であ
る。配線１００に腐食部１０１が成長する。同図（ｂ）
はウェハを次工程の水洗処理を経た後の断面形状である
。腐食部１０１は水溶性であるので配線１００は欠落を
生じる。更に腐食が進行すると配線が断線するという問
題がある。
従って第４図に示した従来の装置では、隣接するアッシ
ング室でレジストと同時に塩素分を除去する方法を用い
ているが、この方法によっても配線パターンに吸着した
残留塩案分を完全に除去できないのでＡ／−Ｃｕ配線の
腐食が進行するという問題が残っている。
ング室でレジストと同時に塩素分を除去する方法を用い
ているが、この方法によっても配線パターンに吸着した
残留塩案分を完全に除去できないのでＡ／−Ｃｕ配線の
腐食が進行するという問題が残っている。
第１の発明のドライエツチング装置は、プラズマを発生
させる手段を備えたエツチング室とフォトレジスト膜を
除去する手段を備えたアッシング室とを有するドライエ
ツチング装置において、前記アッシング室にウェハを加
熱するための手段を設けたものである。
させる手段を備えたエツチング室とフォトレジスト膜を
除去する手段を備えたアッシング室とを有するドライエ
ツチング装置において、前記アッシング室にウェハを加
熱するための手段を設けたものである。
第２の発明のドライエツチング装置は、プラズマを発生
させる手段を備えたエツチング室と、フォトレジスト膜
を除去する手段を備えたアッシング室と、ウェハを所定
の温度まで加熱する手段を備えた加熱室と、真空下で上
記３空間にウェハを搬送する搬送手段とを備えたもので
ある。
させる手段を備えたエツチング室と、フォトレジスト膜
を除去する手段を備えたアッシング室と、ウェハを所定
の温度まで加熱する手段を備えた加熱室と、真空下で上
記３空間にウェハを搬送する搬送手段とを備えたもので
ある。
Ｃ実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例に用いられるアッシング
室の断面図である。
室の断面図である。
ドライエツチング装置は第４図に示した従来例と同様に
エツチング室１とアッシング室２とロードロック室４と
で構成されるが、アッシング室２は第１図に示すように
、ウェハ６を支持するステージ７ｂとプラズマを発生さ
せるための電極１０の他に、ステージ７ｂの上部にウェ
ハ６を加熱するためのランプ１１が設けられている。
エツチング室１とアッシング室２とロードロック室４と
で構成されるが、アッシング室２は第１図に示すように
、ウェハ６を支持するステージ７ｂとプラズマを発生さ
せるための電極１０の他に、ステージ７ｂの上部にウェ
ハ６を加熱するためのランプ１１が設けられている。
このように構成された第１の実施例によれば、エツチン
グ室１で例えばＡｊ’−Ｃｕ配線がエツチングされたの
ち、ウェハ６上のレジストはアッシング室２で酸素プラ
ズマにより剥離される０次でランプ１１により約２００
℃に加熱され、残留塩素が気化されて除去される。
グ室１で例えばＡｊ’−Ｃｕ配線がエツチングされたの
ち、ウェハ６上のレジストはアッシング室２で酸素プラ
ズマにより剥離される０次でランプ１１により約２００
℃に加熱され、残留塩素が気化されて除去される。
第２図は本発明の第２の実施例に用いられるアッシング
室の断面図である。
室の断面図である。
加熱はステージ７ｂ内に埋込まれたヒーター８により行
なわれる。この場合は温度制御がヒーターのオンオフに
より容易に行なわれるので、ウェハ６の温度を正確に一
定に保てるという利点がある。
なわれる。この場合は温度制御がヒーターのオンオフに
より容易に行なわれるので、ウェハ６の温度を正確に一
定に保てるという利点がある。
第３図は本発明の第３の実施例の模式平面図である。
本第３の実施例は、エツチング室１．アッシング室２．
加熱室３及びロードロック室４と搬送ロボット５より主
に構成される。加熱室３は第１図又は第２図に示したア
ッシング室と同様にウェハ６を載置する。ステージ７ｃ
及びウェハ６を加熱するランプ１１またはヒーター８よ
り構成される。
加熱室３及びロードロック室４と搬送ロボット５より主
に構成される。加熱室３は第１図又は第２図に示したア
ッシング室と同様にウェハ６を載置する。ステージ７ｃ
及びウェハ６を加熱するランプ１１またはヒーター８よ
り構成される。
本第３の実施例においてエツチングは次のシーケッスで
行なわれる。
行なわれる。
まずロードロック室４にウェハ６を入れ、真空排気を行
い、搬送ロボット５によりエツチング室１に送る。そこ
でエツチング室１に塩素系のエツチングガスを導入し、
高周波電力を投入してプラズマを発生させ、＾ｅ−Ｃｕ
配線のエツチングを行う。
い、搬送ロボット５によりエツチング室１に送る。そこ
でエツチング室１に塩素系のエツチングガスを導入し、
高周波電力を投入してプラズマを発生させ、＾ｅ−Ｃｕ
配線のエツチングを行う。
次に搬送ロボット５によりウェハ６をアッシング室２に
送り、酸素プラズマによりレジストを剥離する。
送り、酸素プラズマによりレジストを剥離する。
次に搬送ロボット５によりウェハ６を加熱室３に送る。
ここでウェハ６はハロゲンランプまたはヒーターにより
２００℃以上に加熱される。
２００℃以上に加熱される。
２００℃までの加熱時間は約１分である。加熱室３に送
られたウェハ６は、アッシング室２で大部分塩素分が除
去されているが、加熱室３で２００℃程度に加熱するこ
とにより、残留塩素分をより効率的に気化させることが
可能となる。
られたウェハ６は、アッシング室２で大部分塩素分が除
去されているが、加熱室３で２００℃程度に加熱するこ
とにより、残留塩素分をより効率的に気化させることが
可能となる。
最後にウェハ６をロードロック室４にもどし、ロードロ
ック室４を大気開放することにより装置外に取り出す。
ック室４を大気開放することにより装置外に取り出す。
このようなシーケンスでエツチングされたウェハ６は、
加熱室３で完全に塩素分が除去されているため、大気中
に取り出したときに空気中の水分と反応してＨ（１’を
発生させることがないので配線を腐食させることはない
。
加熱室３で完全に塩素分が除去されているため、大気中
に取り出したときに空気中の水分と反応してＨ（１’を
発生させることがないので配線を腐食させることはない
。
加熱室３での処理方法としては、上述した真空中での処
理の他に、処理中に酸素ガスを導入し、２００℃程度の
温度に昇温してＡｆ−Ｃｕ配線にアルミナ膜を形成する
方法もある。このアルミナ膜によって不動態化されたＡ
ｊ７−Ｃｕ配線はより腐食に対する耐性が高くなる。
理の他に、処理中に酸素ガスを導入し、２００℃程度の
温度に昇温してＡｆ−Ｃｕ配線にアルミナ膜を形成する
方法もある。このアルミナ膜によって不動態化されたＡ
ｊ７−Ｃｕ配線はより腐食に対する耐性が高くなる。
以上説明したように本発明は、アッシング室にウェハを
加熱するための手段を設けるかまたは別に加熱室を設け
ることにより、配線のドライエツチング後にウェハを加
熱することができるので、残留塩素分を完全に除去でき
るため、配線が腐食することはない。従って信頼性の秀
れた微細配線が形成できるという効果がある。
加熱するための手段を設けるかまたは別に加熱室を設け
ることにより、配線のドライエツチング後にウェハを加
熱することができるので、残留塩素分を完全に除去でき
るため、配線が腐食することはない。従って信頼性の秀
れた微細配線が形成できるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例に用
いられるアッシング室の断面図、第３図は本発明の第３
の実施例の模式平面図、第４図は従来のドライエツチン
グ装置の模式平面図、第５図はｋｌ−Ｃｕ配線の腐食の
状況を説明するための半導体チップの断面図である。 １・・・エツチング室、２・・・アッシング室、３・・
・加熱室、４・・・ロードロック室、５・・・搬送ロボ
ット、６・・・ウェハ ７ａ、７ｂ、７ｃ・・・ステー
ジ、８・・・ヒーター ９・・・ゲートバルブ、１０・
・・電極、１１・・・ランプ、１００・・・配線、１０
１・・・腐食部、１０２・・・酸化膜、１０３・・・基
板。
いられるアッシング室の断面図、第３図は本発明の第３
の実施例の模式平面図、第４図は従来のドライエツチン
グ装置の模式平面図、第５図はｋｌ−Ｃｕ配線の腐食の
状況を説明するための半導体チップの断面図である。 １・・・エツチング室、２・・・アッシング室、３・・
・加熱室、４・・・ロードロック室、５・・・搬送ロボ
ット、６・・・ウェハ ７ａ、７ｂ、７ｃ・・・ステー
ジ、８・・・ヒーター ９・・・ゲートバルブ、１０・
・・電極、１１・・・ランプ、１００・・・配線、１０
１・・・腐食部、１０２・・・酸化膜、１０３・・・基
板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマを発生させる手段を備えたエッチング室と
フォトレジスト膜を除去する手段を備えたアッシング室
とを有するドライエッチング装置において、前記アッシ
ング室にウェハを加熱するための手段を設けたことを特
徴とするドライエッチング装置。 ２、プラズマを発生させる手段を備えたエッチング室と
、フォトレジスト膜を除去する手段を備えたアッシング
室と、ウェハを所定の温度まで加熱する手段を備えた加
熱室と、真空下で上記３空間にウェハを搬送する搬送手
段とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268890A JPH03280535A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268890A JPH03280535A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280535A true JPH03280535A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13781360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268890A Pending JPH03280535A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280535A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05171471A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nec Corp | ３ｄ遷移金属を含む物質のエッチング方法 |
| US6044850A (en) * | 1996-11-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method including ashing process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161345A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8268890A patent/JPH03280535A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161345A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05171471A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nec Corp | ３ｄ遷移金属を含む物質のエッチング方法 |
| US6044850A (en) * | 1996-11-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method including ashing process |
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