JPH03280593A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JPH03280593A JPH03280593A JP8187390A JP8187390A JPH03280593A JP H03280593 A JPH03280593 A JP H03280593A JP 8187390 A JP8187390 A JP 8187390A JP 8187390 A JP8187390 A JP 8187390A JP H03280593 A JPH03280593 A JP H03280593A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電子部品を高密度実装することが可能な多層
回路基板の製造方法に関する。
回路基板の製造方法に関する。
(従来の技術)
最近、各種の電子機器が軽薄短小化される状況の中で、
家電製品においても同様な軽薄短小化が進展している。
家電製品においても同様な軽薄短小化が進展している。
こうした軽薄短小化のハード面での基礎となるのは、半
導体装置を初めとする電子部品の小型化である。中でも
電子回路基板を着目すると、ガラスエポキシ樹脂をベー
スとした回路基板が一般的に使用されているが、小型化
の流れの中で特に高密度実装が要求される場合には多層
化、フレキシブル回路基板やハイブリットIC等との併
用で対応している。
導体装置を初めとする電子部品の小型化である。中でも
電子回路基板を着目すると、ガラスエポキシ樹脂をベー
スとした回路基板が一般的に使用されているが、小型化
の流れの中で特に高密度実装が要求される場合には多層
化、フレキシブル回路基板やハイブリットIC等との併
用で対応している。
しかしながら、低コストが強く要求される民生用の回路
基板の技術分野では多層(4層以上のクラス)のガラス
エポキシ樹脂基材を用いた場合、スルホールをメツキに
より形成する必要があるため、煩雑な工程を必要とし、
コストが著しく高騰化する。また、フレキシブル回路基
板においても耐熱性などを考慮すると基材として高価な
材料が必要になる等、回路基板の高密度化には多くの問
題が残されている。
基板の技術分野では多層(4層以上のクラス)のガラス
エポキシ樹脂基材を用いた場合、スルホールをメツキに
より形成する必要があるため、煩雑な工程を必要とし、
コストが著しく高騰化する。また、フレキシブル回路基
板においても耐熱性などを考慮すると基材として高価な
材料が必要になる等、回路基板の高密度化には多くの問
題が残されている。
このような諸問題を解決すべく、簡単な製造プロセス、
低コスト、三次元配線化等の特徴を有する多層プラスチ
ック回路基板が開発されている。
低コスト、三次元配線化等の特徴を有する多層プラスチ
ック回路基板が開発されている。
かかる多層プラスチック回路基板の製造プロセスを第3
図(A)、(B)を参照して以下に説明する。
図(A)、(B)を参照して以下に説明する。
まず、熱変形性の高分子樹脂からなる複数(例えば4つ
)のフィルム基材1a〜1dに孔2を穿設した後、熱変
形性樹脂をバインダとした厚膜導電ペーストをスクリー
ン印刷して前記孔2周辺の表面領域に接続用ランド3を
形成すると共にこのランド3と接続する配線4を形成す
る。なお、このスクリーン印刷工程において、最上層を
除くフィルム基材1a−1eにおける隣接する上層の前
記ランド3と対応する表面に該ランド3と一体化され、
前記配線4を介して接続された接続用ランド5を形成す
る。つづいて、前記フィルム基材1a〜1dを熱プレス
機の定板6a、6bの間に重ねて配置する(第3図(A
)図示)。次いで、前記定板6a、6bを用いて前記フ
ィルム基材1a〜ldを熱プレスすることにより各フィ
ルム基材1a〜1d及び孔2周辺の表面領域に設けたラ
ンド3と基材1a−1eの平坦な表面設けたランド5同
志を圧着一体化することにより同図(B)に示すように
層間の配線4を接続するスルホール7が形成された多層
回路基板8を製造する。
)のフィルム基材1a〜1dに孔2を穿設した後、熱変
形性樹脂をバインダとした厚膜導電ペーストをスクリー
ン印刷して前記孔2周辺の表面領域に接続用ランド3を
形成すると共にこのランド3と接続する配線4を形成す
る。なお、このスクリーン印刷工程において、最上層を
除くフィルム基材1a−1eにおける隣接する上層の前
記ランド3と対応する表面に該ランド3と一体化され、
前記配線4を介して接続された接続用ランド5を形成す
る。つづいて、前記フィルム基材1a〜1dを熱プレス
機の定板6a、6bの間に重ねて配置する(第3図(A
)図示)。次いで、前記定板6a、6bを用いて前記フ
ィルム基材1a〜ldを熱プレスすることにより各フィ
ルム基材1a〜1d及び孔2周辺の表面領域に設けたラ
ンド3と基材1a−1eの平坦な表面設けたランド5同
志を圧着一体化することにより同図(B)に示すように
層間の配線4を接続するスルホール7が形成された多層
回路基板8を製造する。
このような方法によれば、通常のガラスエポキシ樹脂基
材を用いる回路基板の製造方法と異なり、1回の熱プレ
スによりフィルム基材と配線が一体化されると共に、層
間を接続するスルホールを形成できるため、煩雑なメツ
キ工程が不要となり、工程的に低コストで多層回路基板
を製造することが可能となる。
材を用いる回路基板の製造方法と異なり、1回の熱プレ
スによりフィルム基材と配線が一体化されると共に、層
間を接続するスルホールを形成できるため、煩雑なメツ
キ工程が不要となり、工程的に低コストで多層回路基板
を製造することが可能となる。
ところで、上述した方法におけるスルホールの形成は次
のような作用によりなされる。これを、前述した第3図
(A)の3層、4層のフィルム基材IC,ld間にスル
ホールを形成する場合を例にして次ぎに説明する。熱変
形性樹脂をバインダとした厚膜導電ペーストからなるラ
ンドが形成された熱変形性の高分子樹脂からなるフィル
ム基材を熱プレスすると、塑性変形によって下部側のフ
ィルム基材1cとランド5が流動して上部側のフィルム
基材1dの孔2に盛り上がる。この時、上部側のフィル
ム基材1dの孔2周囲に形成された導電ペーストからな
るランド3に下部側のフィルム基材1cから盛り上がっ
てきた導電ベースからなるランド5が接続されて、第3
図に示すようなスルホール7が形成される。
のような作用によりなされる。これを、前述した第3図
(A)の3層、4層のフィルム基材IC,ld間にスル
ホールを形成する場合を例にして次ぎに説明する。熱変
形性樹脂をバインダとした厚膜導電ペーストからなるラ
ンドが形成された熱変形性の高分子樹脂からなるフィル
ム基材を熱プレスすると、塑性変形によって下部側のフ
ィルム基材1cとランド5が流動して上部側のフィルム
基材1dの孔2に盛り上がる。この時、上部側のフィル
ム基材1dの孔2周囲に形成された導電ペーストからな
るランド3に下部側のフィルム基材1cから盛り上がっ
てきた導電ベースからなるランド5が接続されて、第3
図に示すようなスルホール7が形成される。
上述した従来の多層回路基板の製造において、隣接する
二層間の接続の場合にはフィルム基材の厚さや接続用ラ
ンドが形成される基材の孔径の条件設定により断線のな
いスルホールで形成することが可能となる。これに対し
、前述したフィルム基材及び導電ペーストを用い、例え
ば4層からなり、最上層と最下層の配線間を上下に貫通
するスルホールにより接続した多層回路基板を製造する
ことが要望されている。しかしながら、かかるスルホー
ルを前述した方法で形成しようとすると、最下層側のフ
ィルム基材の変形を更に大きくして最上層側のランドが
形成された孔に十分に盛り上がらせる必要があるため、
最下層側の基材表面に形成されたランドを構成する導電
ペーストが盛り上がりに追従して十分に変形できなくな
る。その結果、フィルム基材の盛り上がり時に前記ラン
ドが切れ、多層間を貫通する借切性の高いスルホールを
形成することが困難であった。なお、ここでは最上層と
最下層の配線間を上下に貫通するスルホールについて説
明したか、フィルム基材の孔周辺の上面にランドを形成
した中間層も上下に貫通するスルホールで接続する場合
にも、基本的には前述したのと同様な問題を生しる。
二層間の接続の場合にはフィルム基材の厚さや接続用ラ
ンドが形成される基材の孔径の条件設定により断線のな
いスルホールで形成することが可能となる。これに対し
、前述したフィルム基材及び導電ペーストを用い、例え
ば4層からなり、最上層と最下層の配線間を上下に貫通
するスルホールにより接続した多層回路基板を製造する
ことが要望されている。しかしながら、かかるスルホー
ルを前述した方法で形成しようとすると、最下層側のフ
ィルム基材の変形を更に大きくして最上層側のランドが
形成された孔に十分に盛り上がらせる必要があるため、
最下層側の基材表面に形成されたランドを構成する導電
ペーストが盛り上がりに追従して十分に変形できなくな
る。その結果、フィルム基材の盛り上がり時に前記ラン
ドが切れ、多層間を貫通する借切性の高いスルホールを
形成することが困難であった。なお、ここでは最上層と
最下層の配線間を上下に貫通するスルホールについて説
明したか、フィルム基材の孔周辺の上面にランドを形成
した中間層も上下に貫通するスルホールで接続する場合
にも、基本的には前述したのと同様な問題を生しる。
このようなことから、多層間の配線を異なる領域に設け
たスルホールにより接続し、結果的には最上層と最下層
の配線間を接続する方法が考えられるが、回路基板の平
面的に占めるスルホールの数が増大して配線形成領域が
減少し、高密度配線の形成を阻害する問題を生じる。
たスルホールにより接続し、結果的には最上層と最下層
の配線間を接続する方法が考えられるが、回路基板の平
面的に占めるスルホールの数が増大して配線形成領域が
減少し、高密度配線の形成を阻害する問題を生じる。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、フィルム基材と厚膜導電ペーストが一体的に圧着
した構造を有し、多層間が断線のない高信頼性のスルホ
ールで接続されな多層回路基板の製造方法を提供しよう
とするものである。
ので、フィルム基材と厚膜導電ペーストが一体的に圧着
した構造を有し、多層間が断線のない高信頼性のスルホ
ールで接続されな多層回路基板の製造方法を提供しよう
とするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、表面領域に熱変形性樹脂をバインダとした厚
膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷された熱変形
性の高分子樹脂からなる第1のフィルム基材上に、予め
穿設された孔内面を含む表面領域に熱変形性樹脂をバイ
ンダとした厚膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷
された熱変形性の高分子樹脂からなる複数枚の第2のフ
ィルム基材を積層し、加熱加圧により各ランド及びフィ
ルム基材を圧着一体化して上下間を導通するスルホール
を形成して多層回路基板を製造するにあたり、前記導電
ペーストとして流動性か前記熱変形性高分子樹脂からな
るフィルム基材と同等もしくはそれより高いものを用い
ることを特徴とする多層回路基板の製造方法である。
膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷された熱変形
性の高分子樹脂からなる第1のフィルム基材上に、予め
穿設された孔内面を含む表面領域に熱変形性樹脂をバイ
ンダとした厚膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷
された熱変形性の高分子樹脂からなる複数枚の第2のフ
ィルム基材を積層し、加熱加圧により各ランド及びフィ
ルム基材を圧着一体化して上下間を導通するスルホール
を形成して多層回路基板を製造するにあたり、前記導電
ペーストとして流動性か前記熱変形性高分子樹脂からな
るフィルム基材と同等もしくはそれより高いものを用い
ることを特徴とする多層回路基板の製造方法である。
上記フィルム基材を構成する熱変形性の高分子樹脂とし
ては、例えばポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、飽和ポリエステル横顔、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポ
リアミド等を挙げることができる。かかる高分子樹脂か
らなるフィルム基材の厚さは、10−100μmの範囲
とすることが望ましい。
ては、例えばポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、飽和ポリエステル横顔、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポ
リアミド等を挙げることができる。かかる高分子樹脂か
らなるフィルム基材の厚さは、10−100μmの範囲
とすることが望ましい。
上記厚膜導電ペーストは、流動性が前記熱変形性の高分
子樹脂からなるフィルム基材と同等もしくはそれより高
い性質を有することが必要であり、例えば塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体等の低溶融性樹脂をバインダとし、
これに例えば銀、銅、ニッケル、金、白金、アルミニウ
ム等の金属微粉末を混練し、必要に応じて溶媒を適宜添
加した組成からなる。前記金属粉末は、導電性、経済性
を考慮すると銅、銀が好ましい。
子樹脂からなるフィルム基材と同等もしくはそれより高
い性質を有することが必要であり、例えば塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体等の低溶融性樹脂をバインダとし、
これに例えば銀、銅、ニッケル、金、白金、アルミニウ
ム等の金属微粉末を混練し、必要に応じて溶媒を適宜添
加した組成からなる。前記金属粉末は、導電性、経済性
を考慮すると銅、銀が好ましい。
(作用)
本発明によれば、表面領域に熱変形性樹脂をバインダと
した厚膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷された
熱変形性の高分子樹脂からなる第1のフィルム基材上に
、予め穿設された孔内面を含む表面領域に熱変形性樹脂
をバインダとした厚膜導電ペーストを接続用ランドとし
て印刷された熱変形性の高分子樹脂からなる複数枚の第
2のフィルム基材を積層し、加熱加圧することによって
、下部側の第1のフィルム基材とそのランドが流動して
複数の第2のフィルム基材に穿設された孔を通して上部
側の一方のフィルム基材の孔に盛り上る。この際、前記
ランドを構成する導電ペーストとして流動性が前記熱変
形性高分子樹脂からなるフィルム基材と同等もしくはそ
れより高いものを用いているため、下部側の第1のフィ
ルム基材と共に盛り上がったランドはその上に配置され
た複数の第2のフィルム基材のランドに繋がりながら最
上部の第2ののフィルム基材の孔内面を含む領域に形成
されたランドに達して良好に接続される。従って、断線
のない多層間を接続した高信頼性のスルホールが形成さ
れた多層回路基板を製造することができる。
した厚膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷された
熱変形性の高分子樹脂からなる第1のフィルム基材上に
、予め穿設された孔内面を含む表面領域に熱変形性樹脂
をバインダとした厚膜導電ペーストを接続用ランドとし
て印刷された熱変形性の高分子樹脂からなる複数枚の第
2のフィルム基材を積層し、加熱加圧することによって
、下部側の第1のフィルム基材とそのランドが流動して
複数の第2のフィルム基材に穿設された孔を通して上部
側の一方のフィルム基材の孔に盛り上る。この際、前記
ランドを構成する導電ペーストとして流動性が前記熱変
形性高分子樹脂からなるフィルム基材と同等もしくはそ
れより高いものを用いているため、下部側の第1のフィ
ルム基材と共に盛り上がったランドはその上に配置され
た複数の第2のフィルム基材のランドに繋がりながら最
上部の第2ののフィルム基材の孔内面を含む領域に形成
されたランドに達して良好に接続される。従って、断線
のない多層間を接続した高信頼性のスルホールが形成さ
れた多層回路基板を製造することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
実施例
まず、ポリカーボネート(熱変形温度;135℃)から
なる厚さ30μmの′N1のフィルム基材11.の表面
に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(共重合比、 86
: 14)をバインダとし、これに平均粒径5μmの
銀微粒子を所定量含有させた厚膜導電ペーストをスクリ
ーン印刷して接続用ランド12を形成した。このスクリ
ーン印刷工程において、前記フィルム基材11.の表面
に前記ランド12と接続する配線(図示せず)を形成し
た。また、前記導電ペーストのバインダは熱変形温度が
約70℃で、銀微粒子の含有により若干高くなっている
ものの、前記基材に比べれば十分に熱変形温度が低い性
質を有する。
なる厚さ30μmの′N1のフィルム基材11.の表面
に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(共重合比、 86
: 14)をバインダとし、これに平均粒径5μmの
銀微粒子を所定量含有させた厚膜導電ペーストをスクリ
ーン印刷して接続用ランド12を形成した。このスクリ
ーン印刷工程において、前記フィルム基材11.の表面
に前記ランド12と接続する配線(図示せず)を形成し
た。また、前記導電ペーストのバインダは熱変形温度が
約70℃で、銀微粒子の含有により若干高くなっている
ものの、前記基材に比べれば十分に熱変形温度が低い性
質を有する。
また、前述した熱変形温度を有するポリカーボネートか
らなる厚さ30μmの複数(例えば3枚)の第2のフィ
ルム基材11b+〜fibsに孔13を穿設した後、前
述したのと同様な組成の厚膜導電ペーストをスクリーン
印刷して前記孔13内面を含む表面領域に接続用ランド
14を形成した。このスクリーン印刷工程において、前
記各フィルム基材11□〜11゜の表面に前記ランド1
4と接続する配線(図示せず)を形成した。
らなる厚さ30μmの複数(例えば3枚)の第2のフィ
ルム基材11b+〜fibsに孔13を穿設した後、前
述したのと同様な組成の厚膜導電ペーストをスクリーン
印刷して前記孔13内面を含む表面領域に接続用ランド
14を形成した。このスクリーン印刷工程において、前
記各フィルム基材11□〜11゜の表面に前記ランド1
4と接続する配線(図示せず)を形成した。
次いで、熱プレス機の定板(図示せず)間に前記第1の
フィルム基材11.及び第2のフィルム基材11b1〜
1lbiをそれらのランド12.14が合致するように
順々に積層した(第1図(A)図示)。つづいて、前記
熱プレス機の定板により前記フィルム基材11..11
□〜11h3を温度160〜180℃、圧力lO〜20
kg/ e■2の条件で熱プレスした。この時、フィル
ム基材11− 、llb+〜lLiが塑性変形すると共
に該基材11− 、llb+〜Hb3に比べて熱変形温
度が低い導電性ペーストからなるランド12.14の良
好な流動性により第1のフィルム基材11.と共に盛り
上がったランド12が前記第2のフィルム基材11b+
111b2のランド14に繋がりながら最上層のフィル
ム基材11b3の孔13内面を含む領域に形成されたラ
ンド13に達して良好に接続される。その結果、第1図
(B)に示すように断線のないスルホール15により第
1のフィルム基材の配線(図示せず)と複数の第2のフ
ィルム基材の配線(図示せず)とが良好に接続された高
信頼性の多層回路基板1Bを製造することができた。
フィルム基材11.及び第2のフィルム基材11b1〜
1lbiをそれらのランド12.14が合致するように
順々に積層した(第1図(A)図示)。つづいて、前記
熱プレス機の定板により前記フィルム基材11..11
□〜11h3を温度160〜180℃、圧力lO〜20
kg/ e■2の条件で熱プレスした。この時、フィル
ム基材11− 、llb+〜lLiが塑性変形すると共
に該基材11− 、llb+〜Hb3に比べて熱変形温
度が低い導電性ペーストからなるランド12.14の良
好な流動性により第1のフィルム基材11.と共に盛り
上がったランド12が前記第2のフィルム基材11b+
111b2のランド14に繋がりながら最上層のフィル
ム基材11b3の孔13内面を含む領域に形成されたラ
ンド13に達して良好に接続される。その結果、第1図
(B)に示すように断線のないスルホール15により第
1のフィルム基材の配線(図示せず)と複数の第2のフ
ィルム基材の配線(図示せず)とが良好に接続された高
信頼性の多層回路基板1Bを製造することができた。
比較例
まず、ポリカーボネート(熱変形温度;135℃)から
なる厚さ30μmの第1のフィルム基材21.の表面に
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂をバインダとし、これ
に平均粒径5μmの銀微粒子を所定量含有させた厚膜導
電ペーストをスクリーン印刷して接続用ランド22を形
成した。このスクリーン印刷工程において、前記フィル
ム基材11.の表面に前記ランド22と接続する配線(
図示せず)を形成した。また、前記導電ペーストのバイ
ンダは熱変形温度が約150℃で、銀微粒子の含有によ
り若干高くなるため、前記基材に比べれて熱変形温度が
高い性質を有する。
なる厚さ30μmの第1のフィルム基材21.の表面に
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂をバインダとし、これ
に平均粒径5μmの銀微粒子を所定量含有させた厚膜導
電ペーストをスクリーン印刷して接続用ランド22を形
成した。このスクリーン印刷工程において、前記フィル
ム基材11.の表面に前記ランド22と接続する配線(
図示せず)を形成した。また、前記導電ペーストのバイ
ンダは熱変形温度が約150℃で、銀微粒子の含有によ
り若干高くなるため、前記基材に比べれて熱変形温度が
高い性質を有する。
また、前述した熱変形温度を有するポリカーボネートか
らなる厚さ30μmの複数(例えば3枚)の第2のフィ
ルム基材21,1〜21゜に孔23を穿設した後、前述
したのと同様な組成の厚膜導電ペーストをスクリーン印
刷して前記孔23内面を含む表面領域に接続用ランド2
4を形成した。このスクリーン印刷工程において、前記
各フィルム基材11,1〜1lbsの表面に前記ランド
24と接続する配線(図示せず)を形成した。
らなる厚さ30μmの複数(例えば3枚)の第2のフィ
ルム基材21,1〜21゜に孔23を穿設した後、前述
したのと同様な組成の厚膜導電ペーストをスクリーン印
刷して前記孔23内面を含む表面領域に接続用ランド2
4を形成した。このスクリーン印刷工程において、前記
各フィルム基材11,1〜1lbsの表面に前記ランド
24と接続する配線(図示せず)を形成した。
次いで、熱プレス機の定板(図示せず)間に前記第1の
フィルム基材21.及び第2のフィルム基材21,1〜
21b3をそれらのランド22.24が合致するように
順々に積層した(第2図(A)図示)。つづいて、前記
熱プレス機の定板により前記フィルム基材118.11
.〜11.3を実施例と同様、温度160〜180℃、
圧力10〜20kg/ cm2の条件で熱プレスした。
フィルム基材21.及び第2のフィルム基材21,1〜
21b3をそれらのランド22.24が合致するように
順々に積層した(第2図(A)図示)。つづいて、前記
熱プレス機の定板により前記フィルム基材118.11
.〜11.3を実施例と同様、温度160〜180℃、
圧力10〜20kg/ cm2の条件で熱プレスした。
その結果、得られた多層回路基板25は第2図(B)に
示すようにこ第1のフィルム基材と共に盛り上がったラ
ンド22が前記複数の第2のフィルム基材のランド24
に良好に繋がらず、スルホールにより第1のフィルム基
材の配線(図示せず)と複数の第2のフィルム基材の配
線(図示せず)とを良好にすることができなかった。
示すようにこ第1のフィルム基材と共に盛り上がったラ
ンド22が前記複数の第2のフィルム基材のランド24
に良好に繋がらず、スルホールにより第1のフィルム基
材の配線(図示せず)と複数の第2のフィルム基材の配
線(図示せず)とを良好にすることができなかった。
なお、上記実施例では3枚の第2のフィルム基材を用い
たが、2枚又は4枚以上の第2のフィルム基材を用いて
も同様に信頼性の高いスルホールを形成することが可能
である。
たが、2枚又は4枚以上の第2のフィルム基材を用いて
も同様に信頼性の高いスルホールを形成することが可能
である。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明によればフィルム基材と厚膜
導電ペーストが一体的に圧着した構造を有し、かつ多層
間を断線のない高信頼性のスルホールで接続した多層回
路基板を簡単な工程により製造し得る方法を提供できる
。
導電ペーストが一体的に圧着した構造を有し、かつ多層
間を断線のない高信頼性のスルホールで接続した多層回
路基板を簡単な工程により製造し得る方法を提供できる
。
第1図(A) (B)は本発明の実施例における回
路基板の製造工程を示す断面図、第2図(A)、(B)
は比較例の多層回路基板の製造工程を示す断面図、第3
図(A)、(B)は従来法における回路基板の製造工程
を示す断面図、第4図は第3図(B)の回路基板の要部
拡大断面図である。 11− 、llb+〜1lbi・・・フィルム基材、1
2.14・・・接続用ランド、13・・・孔、15・・
・スルホール、16・・・多層回路基板。
路基板の製造工程を示す断面図、第2図(A)、(B)
は比較例の多層回路基板の製造工程を示す断面図、第3
図(A)、(B)は従来法における回路基板の製造工程
を示す断面図、第4図は第3図(B)の回路基板の要部
拡大断面図である。 11− 、llb+〜1lbi・・・フィルム基材、1
2.14・・・接続用ランド、13・・・孔、15・・
・スルホール、16・・・多層回路基板。
Claims (1)
- 表面領域に熱変形性樹脂をバインダとした厚膜導電ペー
ストを接続用ランドとして印刷された熱変形性の高分子
樹脂からなる第1のフィルム基材上に、予め穿設された
孔内面を含む表面領域に熱変形性樹脂をバインダとした
厚膜導電ペーストを接続用ランドとして印刷された熱変
形性の高分子樹脂からなる複数枚の第2のフィルム基材
を積層し、加熱加圧により各ランド及びフィルム基材を
圧着一体化して上下間を導通するスルホールを形成して
多層回路基板を製造するにあたり、前記導電ペーストと
して流動性が前記熱変形性高分子樹脂からなるフィルム
基材と同等もしくはそれより高いものを用いることを特
徴とする多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187390A JPH03280593A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187390A JPH03280593A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280593A true JPH03280593A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13758582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187390A Pending JPH03280593A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280593A (ja) |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8187390A patent/JPH03280593A/ja active Pending
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