JPH0328110A - 酸化物超電導膜の作製方法及び装置 - Google Patents
酸化物超電導膜の作製方法及び装置Info
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- JPH0328110A JPH0328110A JP1160741A JP16074189A JPH0328110A JP H0328110 A JPH0328110 A JP H0328110A JP 1160741 A JP1160741 A JP 1160741A JP 16074189 A JP16074189 A JP 16074189A JP H0328110 A JPH0328110 A JP H0328110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は酸化物超電導膜の製造法に係り、特に化学気相
戊長法を利用した酸化物超電導膜の製造法に関する。
戊長法を利用した酸化物超電導膜の製造法に関する。
化学気相成長法は、戒膜速度の制御性，組威の制御性が
良好であり、かつ大酊積化が容易であるなど優れた特徴
を有する成膜方法である。とくに、熱励起のみで膜或長
反応を進行させる熱励起化学気相或長法は装置構造が簡
単であり、最も生産性の面ですぐれている。このため、
化学気相成長法は、超電導素子，超電導線材，超電導テ
ープ，超電導コイルの作或法として、重要な手段となる
。 そしてこれまでに、代表的な酸化物超電導体であるＬｎ
Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ （Ｌｎ＝Ｙ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ、５．５≦ｘ≦７．
０）なる組或式で表される酸化物超電導体については、
粉末や焼結体と同等の超電導特性を有する膜が金属元素
の有機化合物を原料とする化学気相成長法により作製で
きるにいたっている。 しかしながら現状では、化学気相成長法により超電導特
性を示す薄膜を作成するには、ジャパニーズ ジャーナ
ル オブ アプライド フィジックス，２７ （Ｌ９８
８年）Ｌ１．４７３−Ｌ１４７５頁（Ｊｐｎ． Ｊ ．
Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ，， ２ ７ ，（１９８８）
ｐｐ．Ｌ１４７３−Ｉ、１４７５）に示されるように成
膜温度，すなわち基板温度を少なくと．も７８０℃以上
、一般には９００℃の高温とすることが必要になってい
る。このような高温で膜を作成した場合、原料と基板と
の反応が進行する，基板中に原料金属が拡散する、ある
いは熱膨張率の違いによりクラックが発生しやすくなる
といった多くの問題がある。 上記従来技術は、超電導膜の原料の前処理について配慮
がされておらず、基板上で直接ｒ！ＩＡ戒長されていた
。従って成膜する前に前処理により原料が活性化される
ことがなかったため、戊膜温度の低温化には限界があっ
た。 本発明の目的はすぐれた超電導特性を示す膜をより低い
温度で形戊する方法を提供し、上記問題点を解決するこ
とにある。
良好であり、かつ大酊積化が容易であるなど優れた特徴
を有する成膜方法である。とくに、熱励起のみで膜或長
反応を進行させる熱励起化学気相或長法は装置構造が簡
単であり、最も生産性の面ですぐれている。このため、
化学気相成長法は、超電導素子，超電導線材，超電導テ
ープ，超電導コイルの作或法として、重要な手段となる
。 そしてこれまでに、代表的な酸化物超電導体であるＬｎ
Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ （Ｌｎ＝Ｙ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ、５．５≦ｘ≦７．
０）なる組或式で表される酸化物超電導体については、
粉末や焼結体と同等の超電導特性を有する膜が金属元素
の有機化合物を原料とする化学気相成長法により作製で
きるにいたっている。 しかしながら現状では、化学気相成長法により超電導特
性を示す薄膜を作成するには、ジャパニーズ ジャーナ
ル オブ アプライド フィジックス，２７ （Ｌ９８
８年）Ｌ１．４７３−Ｌ１４７５頁（Ｊｐｎ． Ｊ ．
Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ，， ２ ７ ，（１９８８）
ｐｐ．Ｌ１４７３−Ｉ、１４７５）に示されるように成
膜温度，すなわち基板温度を少なくと．も７８０℃以上
、一般には９００℃の高温とすることが必要になってい
る。このような高温で膜を作成した場合、原料と基板と
の反応が進行する，基板中に原料金属が拡散する、ある
いは熱膨張率の違いによりクラックが発生しやすくなる
といった多くの問題がある。 上記従来技術は、超電導膜の原料の前処理について配慮
がされておらず、基板上で直接ｒ！ＩＡ戒長されていた
。従って成膜する前に前処理により原料が活性化される
ことがなかったため、戊膜温度の低温化には限界があっ
た。 本発明の目的はすぐれた超電導特性を示す膜をより低い
温度で形戊する方法を提供し、上記問題点を解決するこ
とにある。
【課題を解決するための手段１
上記目的は、金属元素の有機化合物（有機金属化合物）
を原料に用いる化学気相成長法を利用する酸化物超電導
膜の作製方法において、基板上で直接膜或長させる前に
、原料を予め活性化する加熱励起過程を設けることによ
り達或される。具体的には，第１図のような或膜装置に
おいて、膜の或長部分、すなわち，基板より上流に原料
の加熱励起機構を設けることにより実現される。 超電導膜を作製する部分、たとえば基板での膜の戊長様
式は、そこに達した原料の活性度と膜戊長部の温度によ
り決定される。したがって、原料鐙 を或長部分に達する以前に活性化しておくことにより或
長部分の温度の低温化を達成することが可能となる。た
だし．Ｒ料の活性化は、その活性化の程度の制御が重要
であり、活性化が強すぎると所望の膜成長部分以外で膜
戊長がおこり，かつ、所望の部分に或長じた膜の特性は
低下する。また、活性化が不十分の場合には、所望部分
に優れた特性を有する超電導膜を作製できず、活性化が
やや進んだ場合には半導体、ほとんど進行していない場
合には絶縁体が生成してしまう。 本発明者らは、この原理に基づき、原料の加熱励起によ
る活性化の過程について詳しく実験と検討を重ね、以下
に実施例をあげて説明するように、優れた超電導特性を
示す膜を低温において作製できることを見出した。 原料の加熱励起による活性化の程度は、全流量Ｆ （ｍ
Ｑ／ｍｉｎ） 、反応管の断面積Ｓ （ｃｍ２） ，反
応管内の全圧Ｐ （ａｔｍ） ．加熱励起部分の長さＬ
（ｃｍ） 、加熱励起部分の温度Ｔ （Ｋ）によって
これらの因子の膜成長に対する効果を実験により検討し
、このＦ，Ｓ，Ｐ，Ｌ，Ｔについて、［ （ＬＳＰ／Ｆ
）ｅｘｐ （ ６９６０／Ｔ）コなる量により活性化
の程度が定義されることを明らかにできた。そして、こ
の活性化の程度を示す上式の量を２ Ｘ １ ０””か
ら３Ｘ１０−’の範囲に設定することによりすぐれた超
電導特性を示す膜を低温で形成することが可能となるこ
とを見出した。 上に述べたように、この量が２ Ｘ １ ０’″１０以
下の時、膜は半導体あるいは絶縁体となり、３ＸｉＯ−
’以上になると所望の位置に膜が形或出来なくなる。 組成式ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘで表される物質は、Ｘが５
．５から７．０の範囲にあることが超電導特性を示すた
めに必要である．これは膜の作成後に反応管に１ ａｔ
ｍの酸素を導入して基板を室温まで冷却することにより
達成される。 戊膜温度、すなわち基板温度は、低すぎる場合、膜成長
の進行が遅くなるため，また高すぎる場合９００℃の範
囲とすることが望ましい。 原料有機金属化合物にはβ−ジケトン錯体を用いる。β
−ジケトンには，アセチルアセトン，ヘプタフルオロブ
タノイルピバロイルメタン，トルフルオロアセチルアセ
トン，ヘキサフルオロアセチルアセトン、２，２，５．
６−テトラメチル−３，５−へブタンジオンなとがあり
、これらをリガンドとした金属錯体が原料として使用可
能である。原料の揮発性の高さ，膜の不純物となりうる
フッ素をリガンド中に含まない事を考慮すると、２，２
，６，６−テトラメチル−３，５−へプタンジオンをリ
ガンドとした、２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−へブタンジオネート錯体を原料に用いることが望まし
い。 原料有機金属化合物の蒸気圧は、低すぎる場合、膜成長
速度が著しく低下し、また高すぎる場合にはＨ質が低下
するため、５ Ｘ １ ０−’ａｔｍから４ Ｘ １
０−’ａｔｍの範囲に設定すればよい。 Ｂａｉ料ガスの分圧に対するＬｎ，Ｃｕの原料ガスの分
圧の比は、ＬｎＢａ．Ｃｕ３０ｘの化学量論比であるＬ
ｎ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３に近い組或の膜を作成する
ためにそれぞれ０．２〜０．８、１．２〜１．８、望ま
しくは０．４〜０，６、１．４〜１．６に設定すればよ
い。 第１図に本実施例で用いた装置を示す。反応管（１）は
内径１６ｍｍφの石英製で、原料ガス加熱励起部（２）
を持っているのが特徴である。この熱励起部で加熱励起
して膜或長が進行しやすいように活性化した後に基板上
に到達させることである．これにより、基板上での膜戒
長が容易に進行するようになり、低温においてすぐれた
超電導粋膜の作或が可能となる。以下にその作用の原理
を説明する。 高品質な膜を低温で形成できるため、この膜を用いて、
超電導電線，超電導配線，超電導素子，超電導コイル，
超電導アクチュエータ，超電導輸送装置，超電導マグネ
ット，超電導電磁波シールド，超電導エネルギー貯蔵装
置の製造が可能になる。 【実施例１ 実施例１． でに加熱する。 原料の有機金属にする、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−へブタンジオネート錯体（
Ｙ （ Ｔ Ｔ｛ Ｄ ）３ ，Ｂ ａ （ Ｔ Ｈ
Ｄ ） ２，Ｃ ｕ （ Ｔ Ｈ Ｄ）ｚ）を加熱し
て気化させ、Ａｒを用いて反応管まで導入した。気化器
の温度とキャリアガス流量をそれぞれ、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ
の順に１１０℃−５０ｍＱ／ｍｉｎ，２４０℃−５０ｍ
Ｑ／ｍｉｎ，１１５℃−５ ０ ｍ Ｑ ／ ｍ ｊ
ｎとした。そして反応管の手前であらかじめ加熱した酸
素ガス（流量１００ｍＱ／ｍｉｎ）を混合した。混合ガ
スの配管は３００℃に加熱した。 加熱励起部の全圧を３．９ Ｘ １ ０−３ａｔｍとし
て、ＳｒＴｉ○，上に土時間作製した膜の電気特性を第
２図に示す。超電導臨界温度（ＴＯ（Ｒ＝Ｏ））は７７
Ｋであった。 このとき（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）は
３．４ Ｘ １ ０−”である。 実施例２． 第１図の装置で基板温度を７００℃に設定し、気化器の
温度を一定に保ち、加熱励起部の断面積Ｓ、加熱励起部
の長さＬ，ガス流量Ｆ、圧力Ｐを変化させて或膜した。 第３図に示されるように、膜のＴｃ（Ｒ＝Ｏ）の変化は
（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ（− ６ ９ ６ ０／Ｔ）によ
って決まることがわかる。 すなわち（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）を
３ Ｘ １ ０−１０以上に設定することによりすぐれ
た超電導膜が低温で作成できることがわかる。 方、（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）を３Ｘ
１０−’以上とすると、加熱励起部における反応が盛ん
に起こり、基板部での或膜効率が落ち，膜質が低下する
ため不適切である。 実施例３． 加熱励起部の断面積Ｓ、ガス流量Ｆ、圧力Ｐを実施例１
と同様に設定し、基板温度，加熱励起部の長さおよび加
熱励起部の温度（予熱温度）を変化させて成膜した。各
々の条件と（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （ − ６ ９ ６
０／Ｔ）の値、膜のＴｃ（Ｒ＝Ｏ）を第１表にまとめ
た。 第ｌ表 このように基板温度６００〜８００℃の範囲では、（Ｌ
ＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）の値を概ね２〜
４倍に大きくすれば基板温度を５０℃低下できる。 ところで、以上の実施例では基板にＳｒＴｉＯ，を用い
たが，他のＭ ｇ Ｏ ， ＡＱ ｚＯ ３， Ｙ Ｓ
Ｚ ，ＬａＡＱＯ．，ＬａＧａ○ｇｇ Ｓｌ０２１
Ｓ ｌ等についても同様な効果が得られる。さらに，本
発明の効果は基板の形状にも依存しない。 また，原料についても２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−へブタンジオネート錯体のみならず、アセチル
アセトン錯体等のβ−ジケトン錯体やシクロペンタジエ
ニル誘導体系の錯体等の有機金属原料を用いても同様の
効果が得られる。 またさらに、原料の温度を上げる方法としては、実施例
の様に加熱部分を設けるという方法のほか、高温のガス
を混合する、あるいは、原料ガスの一部をより高温にし
ておく、等の方法があるが、これらの方法によっても本
発明の効果が得られる。 【発明の効果】 本発明によれば、従来より低い基板温度で優れた超電導
薄膜の作或が可能となる。したがって、超電導素子，超
電導線材，超電導テープ，超電導シールド材等の超電導
製品が製造可能となる。
を原料に用いる化学気相成長法を利用する酸化物超電導
膜の作製方法において、基板上で直接膜或長させる前に
、原料を予め活性化する加熱励起過程を設けることによ
り達或される。具体的には，第１図のような或膜装置に
おいて、膜の或長部分、すなわち，基板より上流に原料
の加熱励起機構を設けることにより実現される。 超電導膜を作製する部分、たとえば基板での膜の戊長様
式は、そこに達した原料の活性度と膜戊長部の温度によ
り決定される。したがって、原料鐙 を或長部分に達する以前に活性化しておくことにより或
長部分の温度の低温化を達成することが可能となる。た
だし．Ｒ料の活性化は、その活性化の程度の制御が重要
であり、活性化が強すぎると所望の膜成長部分以外で膜
戊長がおこり，かつ、所望の部分に或長じた膜の特性は
低下する。また、活性化が不十分の場合には、所望部分
に優れた特性を有する超電導膜を作製できず、活性化が
やや進んだ場合には半導体、ほとんど進行していない場
合には絶縁体が生成してしまう。 本発明者らは、この原理に基づき、原料の加熱励起によ
る活性化の過程について詳しく実験と検討を重ね、以下
に実施例をあげて説明するように、優れた超電導特性を
示す膜を低温において作製できることを見出した。 原料の加熱励起による活性化の程度は、全流量Ｆ （ｍ
Ｑ／ｍｉｎ） 、反応管の断面積Ｓ （ｃｍ２） ，反
応管内の全圧Ｐ （ａｔｍ） ．加熱励起部分の長さＬ
（ｃｍ） 、加熱励起部分の温度Ｔ （Ｋ）によって
これらの因子の膜成長に対する効果を実験により検討し
、このＦ，Ｓ，Ｐ，Ｌ，Ｔについて、［ （ＬＳＰ／Ｆ
）ｅｘｐ （ ６９６０／Ｔ）コなる量により活性化
の程度が定義されることを明らかにできた。そして、こ
の活性化の程度を示す上式の量を２ Ｘ １ ０””か
ら３Ｘ１０−’の範囲に設定することによりすぐれた超
電導特性を示す膜を低温で形成することが可能となるこ
とを見出した。 上に述べたように、この量が２ Ｘ １ ０’″１０以
下の時、膜は半導体あるいは絶縁体となり、３ＸｉＯ−
’以上になると所望の位置に膜が形或出来なくなる。 組成式ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘで表される物質は、Ｘが５
．５から７．０の範囲にあることが超電導特性を示すた
めに必要である．これは膜の作成後に反応管に１ ａｔ
ｍの酸素を導入して基板を室温まで冷却することにより
達成される。 戊膜温度、すなわち基板温度は、低すぎる場合、膜成長
の進行が遅くなるため，また高すぎる場合９００℃の範
囲とすることが望ましい。 原料有機金属化合物にはβ−ジケトン錯体を用いる。β
−ジケトンには，アセチルアセトン，ヘプタフルオロブ
タノイルピバロイルメタン，トルフルオロアセチルアセ
トン，ヘキサフルオロアセチルアセトン、２，２，５．
６−テトラメチル−３，５−へブタンジオンなとがあり
、これらをリガンドとした金属錯体が原料として使用可
能である。原料の揮発性の高さ，膜の不純物となりうる
フッ素をリガンド中に含まない事を考慮すると、２，２
，６，６−テトラメチル−３，５−へプタンジオンをリ
ガンドとした、２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−へブタンジオネート錯体を原料に用いることが望まし
い。 原料有機金属化合物の蒸気圧は、低すぎる場合、膜成長
速度が著しく低下し、また高すぎる場合にはＨ質が低下
するため、５ Ｘ １ ０−’ａｔｍから４ Ｘ １
０−’ａｔｍの範囲に設定すればよい。 Ｂａｉ料ガスの分圧に対するＬｎ，Ｃｕの原料ガスの分
圧の比は、ＬｎＢａ．Ｃｕ３０ｘの化学量論比であるＬ
ｎ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３に近い組或の膜を作成する
ためにそれぞれ０．２〜０．８、１．２〜１．８、望ま
しくは０．４〜０，６、１．４〜１．６に設定すればよ
い。 第１図に本実施例で用いた装置を示す。反応管（１）は
内径１６ｍｍφの石英製で、原料ガス加熱励起部（２）
を持っているのが特徴である。この熱励起部で加熱励起
して膜或長が進行しやすいように活性化した後に基板上
に到達させることである．これにより、基板上での膜戒
長が容易に進行するようになり、低温においてすぐれた
超電導粋膜の作或が可能となる。以下にその作用の原理
を説明する。 高品質な膜を低温で形成できるため、この膜を用いて、
超電導電線，超電導配線，超電導素子，超電導コイル，
超電導アクチュエータ，超電導輸送装置，超電導マグネ
ット，超電導電磁波シールド，超電導エネルギー貯蔵装
置の製造が可能になる。 【実施例１ 実施例１． でに加熱する。 原料の有機金属にする、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−へブタンジオネート錯体（
Ｙ （ Ｔ Ｔ｛ Ｄ ）３ ，Ｂ ａ （ Ｔ Ｈ
Ｄ ） ２，Ｃ ｕ （ Ｔ Ｈ Ｄ）ｚ）を加熱し
て気化させ、Ａｒを用いて反応管まで導入した。気化器
の温度とキャリアガス流量をそれぞれ、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ
の順に１１０℃−５０ｍＱ／ｍｉｎ，２４０℃−５０ｍ
Ｑ／ｍｉｎ，１１５℃−５ ０ ｍ Ｑ ／ ｍ ｊ
ｎとした。そして反応管の手前であらかじめ加熱した酸
素ガス（流量１００ｍＱ／ｍｉｎ）を混合した。混合ガ
スの配管は３００℃に加熱した。 加熱励起部の全圧を３．９ Ｘ １ ０−３ａｔｍとし
て、ＳｒＴｉ○，上に土時間作製した膜の電気特性を第
２図に示す。超電導臨界温度（ＴＯ（Ｒ＝Ｏ））は７７
Ｋであった。 このとき（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）は
３．４ Ｘ １ ０−”である。 実施例２． 第１図の装置で基板温度を７００℃に設定し、気化器の
温度を一定に保ち、加熱励起部の断面積Ｓ、加熱励起部
の長さＬ，ガス流量Ｆ、圧力Ｐを変化させて或膜した。 第３図に示されるように、膜のＴｃ（Ｒ＝Ｏ）の変化は
（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ（− ６ ９ ６ ０／Ｔ）によ
って決まることがわかる。 すなわち（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）を
３ Ｘ １ ０−１０以上に設定することによりすぐれ
た超電導膜が低温で作成できることがわかる。 方、（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）を３Ｘ
１０−’以上とすると、加熱励起部における反応が盛ん
に起こり、基板部での或膜効率が落ち，膜質が低下する
ため不適切である。 実施例３． 加熱励起部の断面積Ｓ、ガス流量Ｆ、圧力Ｐを実施例１
と同様に設定し、基板温度，加熱励起部の長さおよび加
熱励起部の温度（予熱温度）を変化させて成膜した。各
々の条件と（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （ − ６ ９ ６
０／Ｔ）の値、膜のＴｃ（Ｒ＝Ｏ）を第１表にまとめ
た。 第ｌ表 このように基板温度６００〜８００℃の範囲では、（Ｌ
ＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ （−６９６０／Ｔ）の値を概ね２〜
４倍に大きくすれば基板温度を５０℃低下できる。 ところで、以上の実施例では基板にＳｒＴｉＯ，を用い
たが，他のＭ ｇ Ｏ ， ＡＱ ｚＯ ３， Ｙ Ｓ
Ｚ ，ＬａＡＱＯ．，ＬａＧａ○ｇｇ Ｓｌ０２１
Ｓ ｌ等についても同様な効果が得られる。さらに，本
発明の効果は基板の形状にも依存しない。 また，原料についても２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−へブタンジオネート錯体のみならず、アセチル
アセトン錯体等のβ−ジケトン錯体やシクロペンタジエ
ニル誘導体系の錯体等の有機金属原料を用いても同様の
効果が得られる。 またさらに、原料の温度を上げる方法としては、実施例
の様に加熱部分を設けるという方法のほか、高温のガス
を混合する、あるいは、原料ガスの一部をより高温にし
ておく、等の方法があるが、これらの方法によっても本
発明の効果が得られる。 【発明の効果】 本発明によれば、従来より低い基板温度で優れた超電導
薄膜の作或が可能となる。したがって、超電導素子，超
電導線材，超電導テープ，超電導シールド材等の超電導
製品が製造可能となる。
第１図は本発明の実施例１に用いた成膜装置図、第２図
は実施例１で作成した膜の電気特性を示す線図、第３図
は実施例２の予熱条件と膜の特性の関係を示す線図。 ｌ・・・反応管、２・・・原料の加熱励起部、３・・・
膜或長部、８・・・加熱励起用電気炉、９・・・膜成長
用電気炉。 第２図 油Ａ（Ｋ） 鴻３図 ２・−
は実施例１で作成した膜の電気特性を示す線図、第３図
は実施例２の予熱条件と膜の特性の関係を示す線図。 ｌ・・・反応管、２・・・原料の加熱励起部、３・・・
膜或長部、８・・・加熱励起用電気炉、９・・・膜成長
用電気炉。 第２図 油Ａ（Ｋ） 鴻３図 ２・−
Claims (8)
- １．有機金属化合物を原料に用いる化学気相成長法を利
用する酸化物超電導膜の製法において、基板上で膜成長
させる前に上記原料を加熱励起させることを特徴とする
酸化物超電導膜の作製方法。 - ２．酸化物超電導膜の組成がＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿
ｘ（ＬｎはＹ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，
Ｅｒ，ＴｍおよびＹｂからなる群から選ばれる１つの元
素、ｘの範囲は６．５≦ｘ≦７．０）なる式で表される
ことを特徴とする請求項１記載の酸化物超電導膜の作製
方法。 - ３．上記加熱励起が、キャリアガスおよび酸素ガスの流
量をＦ、加熱励起部分の断面積をＳ、加熱励起部分の全
圧をＰ、加熱励起部分の温度をＴ、加熱励起部分の長さ
をＬとしたとき、 ２×１０＾−＾２＾０≦（ＬＳＰ／Ｆ）ｅｘｐ（−６９
６０／Ｔ）≦３×１０＾−＾６の条件を満足するように
行なわれることを特徴とする請求項１または２記載の酸
化物超電導膜の作製方法。 - ４．基板温度が６００℃〜８００℃であることを特徴と
する請求項１から３までのいずれかに記載の酸化物超電
導膜の作製方法。 - ５．原料に用いる有機金属化合物が金属のβ−ジケトン
錯体であることを特徴とする請求項１から４までのいず
れかに記載の酸化物超電導膜の作製方法。 - ６．原料に用いる有機金属化合物の蒸気圧が５×１０＾
−＾６ａｔｍ〜４×１０＾−＾４ａｔｍであることを特
徴とする請求項１から５までのいずれかに記載の酸化物
超電導膜の作製方法。 - ７．原料を加熱励起させる手段として、高温のガスを原
料に混合することを特徴とする請求項１記載の酸化物超
電導膜の作製方法。 - ８．反応管の内部に膜成部長としての基板を有し、該基
板上で有機金属化合物を原料に用いる化学気相成長法を
利用して膜形成する酸化物超電導膜の作製装置において
、薄膜の成長部分より上流に原料の加熱励起機構を設け
たことを特徴とする酸化物超伝導膜の作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160741A JPH0328110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 酸化物超電導膜の作製方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160741A JPH0328110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 酸化物超電導膜の作製方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328110A true JPH0328110A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15721454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160741A Pending JPH0328110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 酸化物超電導膜の作製方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458086A (en) * | 1993-10-13 | 1995-10-17 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
| US5689590A (en) * | 1992-04-30 | 1997-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Background noise removing apparatus and method applicable to color image processing apparatus |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1160741A patent/JPH0328110A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689590A (en) * | 1992-04-30 | 1997-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Background noise removing apparatus and method applicable to color image processing apparatus |
| US5458086A (en) * | 1993-10-13 | 1995-10-17 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
| USRE36295E (en) * | 1993-10-13 | 1999-09-14 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
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