JPH0328171A - セラミック複合材料 - Google Patents
セラミック複合材料Info
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- JPH0328171A JPH0328171A JP1159481A JP15948189A JPH0328171A JP H0328171 A JPH0328171 A JP H0328171A JP 1159481 A JP1159481 A JP 1159481A JP 15948189 A JP15948189 A JP 15948189A JP H0328171 A JPH0328171 A JP H0328171A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明はセラミック複合材料に関し、特にエレクトロニ
クス用の進行波管支持体材料に用いられるセラミック複
合材料に関するものである。
クス用の進行波管支持体材料に用いられるセラミック複
合材料に関するものである。
[従来の技術]
エレクトロニクスにおける構造体としての用途である進
行波管におけるWやMOの金属らせんの支持体(サポー
トロツド)としては、従来の技術として、石英、ステア
タイト、ザファイヤ、へりリアが検討ざれてきたく丸善
(株〉出版の日本電信電話公社電気通信研究所編で小山
次郎著「進行波管」207ページ)。
行波管におけるWやMOの金属らせんの支持体(サポー
トロツド)としては、従来の技術として、石英、ステア
タイト、ザファイヤ、へりリアが検討ざれてきたく丸善
(株〉出版の日本電信電話公社電気通信研究所編で小山
次郎著「進行波管」207ページ)。
一方、近年では通信衛星や放送衛星用の進行波管におい
て、高周波数化のため支持体に対して従来材料よりも優
れた高周波特性としての低誘電率が重要になってきた。
て、高周波数化のため支持体に対して従来材料よりも優
れた高周波特性としての低誘電率が重要になってきた。
ざらに電子ビームの流入やbロ熱による高周波損失を防
ぐためには、支持体には熱放散のために高熱伝導性も要
求される。゛従来の支持体材料である石英ガラス、石英
、ステアタイト、サファイア、ベリリアでは各々の室温
の誘電率はそれぞれ3.6, 4.3, 6.0,
9.6, 6.9であり、また各々の熱伝導率は
2.7.3,40 ,260W/m − Kであって、
低誘電率を実現しつつ高熱伝導性を保持することが困難
であった。
ぐためには、支持体には熱放散のために高熱伝導性も要
求される。゛従来の支持体材料である石英ガラス、石英
、ステアタイト、サファイア、ベリリアでは各々の室温
の誘電率はそれぞれ3.6, 4.3, 6.0,
9.6, 6.9であり、また各々の熱伝導率は
2.7.3,40 ,260W/m − Kであって、
低誘電率を実現しつつ高熱伝導性を保持することが困難
であった。
一方、最近では六方晶窒化ホウ素(hBN)が低誘電率
と高熱伝導率を兼ね備えた材料として注目ざれつつある
。
と高熱伝導率を兼ね備えた材料として注目ざれつつある
。
[発明が解決しようとする課題]
六方晶窒化ホウ素(hBN)は、黒鉛と同じく六角網面
の積層構造を有し、層内のa軸方向が共有結合性であり
、積層面に垂直なC軸方向はフ7ンデエアワールス結合
による結晶構造のため、誘電率や熱伝導率に顕著な異方
性を示す。すなわち、hBNのa軸方向の誘電率と熱伝
導率は各々5.1と62 W/m−Kであり、C軸方向
テハ3.5.!=2W/m−Kとの報告がある。
の積層構造を有し、層内のa軸方向が共有結合性であり
、積層面に垂直なC軸方向はフ7ンデエアワールス結合
による結晶構造のため、誘電率や熱伝導率に顕著な異方
性を示す。すなわち、hBNのa軸方向の誘電率と熱伝
導率は各々5.1と62 W/m−Kであり、C軸方向
テハ3.5.!=2W/m−Kとの報告がある。
また現在、進行波管支持体材料として、例えば気相戒長
法による熱分解窒化ホウ素(PBN)であるユニオン・
カーバイド( Union Carbide)社の商品
名BORALLOYが検討ざれ、一部実用化もされてい
る。しかしながらBORALLOYは、黒鉛などの基板
上に気相戒長法により或膜するため配向性が高く、材料
の面内方向と厚み方向では前述したように誘電率や熱伝
導率が顕著に異なる高異方性を示すため、低誘電率と高
熱伝導率を同時に発揮できない。
法による熱分解窒化ホウ素(PBN)であるユニオン・
カーバイド( Union Carbide)社の商品
名BORALLOYが検討ざれ、一部実用化もされてい
る。しかしながらBORALLOYは、黒鉛などの基板
上に気相戒長法により或膜するため配向性が高く、材料
の面内方向と厚み方向では前述したように誘電率や熱伝
導率が顕著に異なる高異方性を示すため、低誘電率と高
熱伝導率を同時に発揮できない。
すなわち、低誘電率3.5を利用するためにC軸方向を
支持体の使用方向とした場合には熱伝導率は約2W/m
−Kと従来の石英、ステアタイト、リファイヤ、ベリリ
アよりもかなり小さく、熱放熱性に問題があった。また
熱敢敗のため熱伝導性の良いa軸方向(62W/m −
K )を支持体の使用方向とした場合には、誘電率が
5.1と高周波化のための低誘電率の要求としては十分
ではなかった。
支持体の使用方向とした場合には熱伝導率は約2W/m
−Kと従来の石英、ステアタイト、リファイヤ、ベリリ
アよりもかなり小さく、熱放熱性に問題があった。また
熱敢敗のため熱伝導性の良いa軸方向(62W/m −
K )を支持体の使用方向とした場合には、誘電率が
5.1と高周波化のための低誘電率の要求としては十分
ではなかった。
またBORALLOYは六方晶窒化ホウ素の本質的な性
質である積層構造に基づいたa軸とC軸の異方性を有す
る配向構造のため、層閤でしばしば剥離および亀裂を生
ずるなど構造体としての信頼性にも問題が多くあった。
質である積層構造に基づいたa軸とC軸の異方性を有す
る配向構造のため、層閤でしばしば剥離および亀裂を生
ずるなど構造体としての信頼性にも問題が多くあった。
ざらに熱分解窒化ホウ素は気相戒長法による製造方法で
作られているため、大型で厚い製品が多量に生産できな
いうえ、コストが高いなどの工業的問題点も存在してい
た。
作られているため、大型で厚い製品が多量に生産できな
いうえ、コストが高いなどの工業的問題点も存在してい
た。
本発明者はこのような点に対処して鋭意研究を進めた結
果、六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素から構戒されたセラ
ミック複合材料が低誘電率と高熱伝導率を兼ね備え、構
造上の信頼性にも優れるため進行波管の支持体として最
適であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
果、六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素から構戒されたセラ
ミック複合材料が低誘電率と高熱伝導率を兼ね備え、構
造上の信頼性にも優れるため進行波管の支持体として最
適であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
[8!題を解決するための手段]
本発明は、六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素とを主戒分と
して構成されてなることを特徴とするセラミック複合材
料である。
して構成されてなることを特徴とするセラミック複合材
料である。
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
本発明のセラミック複合材料は六方晶窒化ホウ素と酸化
ケイ素を主戒分とするもので、酸化ケイ素マトリックス
中に六方晶窒化ホウ素粉末が均一に分散された複合構造
、もしくは多孔質窒化ホウ素セラミックスに酸化ケイ素
が充填ざれた複合構造を特徴としている。
ケイ素を主戒分とするもので、酸化ケイ素マトリックス
中に六方晶窒化ホウ素粉末が均一に分散された複合構造
、もしくは多孔質窒化ホウ素セラミックスに酸化ケイ素
が充填ざれた複合構造を特徴としている。
第1図は、このうち前者の酸化ケイ素マトリックス2中
に六方晶窒化ホウ素粉末3が均一分散ざれた複合構造を
有ずる本発明のセラミック複合材料1を模式的に示す断
面図であり、第2図は後者の多孔質窒化ホウ素セラミッ
クス3に酸化ケイ素2が充填ざれた複合構造を有する本
発明のセラミック複合材料1を模式的に示す断面図であ
る。
に六方晶窒化ホウ素粉末3が均一分散ざれた複合構造を
有ずる本発明のセラミック複合材料1を模式的に示す断
面図であり、第2図は後者の多孔質窒化ホウ素セラミッ
クス3に酸化ケイ素2が充填ざれた複合構造を有する本
発明のセラミック複合材料1を模式的に示す断面図であ
る。
本発明の六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素から構成ざれる
セラミック複合材料は、最大50%程度の気孔を含有す
ることも誘電率を低下させるために有効である。しかし
ながら、気孔率が50%以上になると、進行波管支持体
等の構造体的利用において機械的強度が不十分となる問
題がある。
セラミック複合材料は、最大50%程度の気孔を含有す
ることも誘電率を低下させるために有効である。しかし
ながら、気孔率が50%以上になると、進行波管支持体
等の構造体的利用において機械的強度が不十分となる問
題がある。
また、セラミック複合材料の純度は、六方晶窒化ホウ素
と酸化ケイ素の合計として98%以上のものが好ましい
が、95〜98%のものも可能でアル。不純物としては
、Ca,Mg,Ah Si,Fe,Cr,Cu,”ln
等が含まれるが、これらの不純物量が多くなると誘電率
が増大したり、熱伝導率が低下するなどの問題が生ずる
。
と酸化ケイ素の合計として98%以上のものが好ましい
が、95〜98%のものも可能でアル。不純物としては
、Ca,Mg,Ah Si,Fe,Cr,Cu,”ln
等が含まれるが、これらの不純物量が多くなると誘電率
が増大したり、熱伝導率が低下するなどの問題が生ずる
。
本発明のセラミック複合材料での六方晶窒化ホウ素の配
合量は5〜99重量%、好ましくは10〜95重量%で
あることが誘電率や熱伝導率の改善に有効である。
合量は5〜99重量%、好ましくは10〜95重量%で
あることが誘電率や熱伝導率の改善に有効である。
また酸化ケイ素としては、石英ガラスが誘電率を小さく
するために有効であるが、β−クリストバライト,β一
トリジマイト,β一石英,α−クルストバライト,α一
石英.α一トリジマイトの結晶構造の酸化ケイ素も有効
である。
するために有効であるが、β−クリストバライト,β一
トリジマイト,β一石英,α−クルストバライト,α一
石英.α一トリジマイトの結晶構造の酸化ケイ素も有効
である。
本発明のセラミック複合材料は、例えば次のような方法
によって製造できる。
によって製造できる。
第1図に示す酸化ケイ素マトリックス中に六方晶窒化ホ
ウ素粉末が均一分敗された複合構造のセラミック複合体
の場合、所定組戊比に配合ざれた酸化ケイ素粉末と窒化
ホウ素粉末をボールミル等で混合し、戊形した後、io
oo〜2000℃程度の常圧または加圧の非酸化性雰囲
気で加熱処理することにより製造することができる。
ウ素粉末が均一分敗された複合構造のセラミック複合体
の場合、所定組戊比に配合ざれた酸化ケイ素粉末と窒化
ホウ素粉末をボールミル等で混合し、戊形した後、io
oo〜2000℃程度の常圧または加圧の非酸化性雰囲
気で加熱処理することにより製造することができる。
この場合、窒化ホウ素粉末の配合量は5〜60重量%程
度が酸化ケイ素マトリックス中に窒化ホウ素粉末を均一
に分散させるのに適している。熱処理のための非酸化性
雰囲気としては、窒素ガス、アルゴンガス、真空雰囲気
などが便利である。また前述の製造工程において、酸化
ケイ素粉末の代わりに有機金属化合物であるアルキルシ
リケート(例えばエチルシリケート等〉を原料とするこ
ともできる。
度が酸化ケイ素マトリックス中に窒化ホウ素粉末を均一
に分散させるのに適している。熱処理のための非酸化性
雰囲気としては、窒素ガス、アルゴンガス、真空雰囲気
などが便利である。また前述の製造工程において、酸化
ケイ素粉末の代わりに有機金属化合物であるアルキルシ
リケート(例えばエチルシリケート等〉を原料とするこ
ともできる。
第2図に示す多孔質窒化ホウ素セラミックスに酸化ケイ
素が充填ざれた複合構造を有するセラミック複合体の場
合、窒化ホウ素粉末を60〜95重量%配合された酸化
ケイ素粉末と窒化ホウ素粉末を前述の製造方法と同様に
混合、戊形、加熱処理して製造することが可能である。
素が充填ざれた複合構造を有するセラミック複合体の場
合、窒化ホウ素粉末を60〜95重量%配合された酸化
ケイ素粉末と窒化ホウ素粉末を前述の製造方法と同様に
混合、戊形、加熱処理して製造することが可能である。
また窒化ホウ素粉末のみを戒型、加熱処理して多孔貿の
窒化ホウ素セラミックスを作製した後、溶融した酸化ケ
イ素融体を注入する方法や、溶媒に溶かした有機金属化
合物であるアルキルシリケート(例えばエチルシリケー
ト等)を含浸し、乾燥、熱分解、加熱処理するなどの方
法も利用することができる。
窒化ホウ素セラミックスを作製した後、溶融した酸化ケ
イ素融体を注入する方法や、溶媒に溶かした有機金属化
合物であるアルキルシリケート(例えばエチルシリケー
ト等)を含浸し、乾燥、熱分解、加熱処理するなどの方
法も利用することができる。
本発明の六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素から構或される
セラミック複合体は、室温での誘電率が2.5〜5(周
波数IMHZ)で、熱伝導率が10W/m−K以上であ
るという優れた特性以外に、従来の進行波管支持体材料
である熱分解窒化ホウ素(PAN>より優れた圧縮強度
等の機械的特性も有する。すなわち、PBNの室温での
圧縮強度が2340 Kl/Cm2であるのに対して、
本発明のセラミック複合体は3000 〜10000N
g/cm2の優れた圧縮強度を有する。このため、PB
Nのように剥離および亀裂を生ずるなどの問題もない。
セラミック複合体は、室温での誘電率が2.5〜5(周
波数IMHZ)で、熱伝導率が10W/m−K以上であ
るという優れた特性以外に、従来の進行波管支持体材料
である熱分解窒化ホウ素(PAN>より優れた圧縮強度
等の機械的特性も有する。すなわち、PBNの室温での
圧縮強度が2340 Kl/Cm2であるのに対して、
本発明のセラミック複合体は3000 〜10000N
g/cm2の優れた圧縮強度を有する。このため、PB
Nのように剥離および亀裂を生ずるなどの問題もない。
また窒化ホウ素の含有量が10〜99%の場合、普通工
具で切削加工できる長所もある。さらに常圧焼結法で製
造した場合、大型で厚い製品を低コストで製造できるな
どの数多くの利点がある。
具で切削加工できる長所もある。さらに常圧焼結法で製
造した場合、大型で厚い製品を低コストで製造できるな
どの数多くの利点がある。
本発明を更に具体的に説明するため次に実施例を挙げて
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
[実施例]
実施例1
平均粒径5μs、純度99%の窒化ホウ素粉末60重量
%と平均粒径0.2llIn、純度99%の石英ガラス
粉末40重量%とを配合した粉末を用い、エタノールを
液体分敗媒としてボールミルで混合した。この混合粉末
を1000 Ky/cm2の圧力でプレス成形した後、
1500℃、常圧窒素ガス雰囲気、1時間の条件で加熱
処理した。得られたセラミック複合体の気孔率は10%
であり、室温での誘電率は3.5(周波数IMHZ)、
熱伝導率は20W/m−K,圧縮強度は8000 Ny
/cm2であり、進行波管支持体材料として優れた特性
を有していた。
%と平均粒径0.2llIn、純度99%の石英ガラス
粉末40重量%とを配合した粉末を用い、エタノールを
液体分敗媒としてボールミルで混合した。この混合粉末
を1000 Ky/cm2の圧力でプレス成形した後、
1500℃、常圧窒素ガス雰囲気、1時間の条件で加熱
処理した。得られたセラミック複合体の気孔率は10%
であり、室温での誘電率は3.5(周波数IMHZ)、
熱伝導率は20W/m−K,圧縮強度は8000 Ny
/cm2であり、進行波管支持体材料として優れた特性
を有していた。
このセラミック複合体を切断加工後、0.25 xO,
5X 100mmの長い直方体状の進行波管支持体を作
製して進行波管に実装した。第3図(a)はその断面図
、第3図(b)は(a)におけるA−A一による断面図
である。タングステンコイル6は3本の支持体5で3方
向からステンレス保護管9により圧縮保持ざれている。
5X 100mmの長い直方体状の進行波管支持体を作
製して進行波管に実装した。第3図(a)はその断面図
、第3図(b)は(a)におけるA−A一による断面図
である。タングステンコイル6は3本の支持体5で3方
向からステンレス保護管9により圧縮保持ざれている。
7はカソード、8はコレクターである。支持体5はタン
グステンコイル6とステンレス保護管9の内壁の3点か
ら圧縮およびせん断の応力を受けているが、熱分解窒化
ホウ素で生じる剥離や亀裂は発生しなかった。
グステンコイル6とステンレス保護管9の内壁の3点か
ら圧縮およびせん断の応力を受けているが、熱分解窒化
ホウ素で生じる剥離や亀裂は発生しなかった。
実施例2
平均粒径10tlIn,純度99.5%の窒化ホウ素粉
末と平均粒径o. i仰、純度99,5%の石英ガラス
粉末を第1表に示す割合で配合して実施例1と同様に混
合、プレス成型した。このプレス混合粉体を第1表に示
す条件で加熱処理したところ、低誘電率と高熱伝導率が
共に実現された。これらの特性は進行波管の支持体材料
として良好な値を有するものであった。
末と平均粒径o. i仰、純度99,5%の石英ガラス
粉末を第1表に示す割合で配合して実施例1と同様に混
合、プレス成型した。このプレス混合粉体を第1表に示
す条件で加熱処理したところ、低誘電率と高熱伝導率が
共に実現された。これらの特性は進行波管の支持体材料
として良好な値を有するものであった。
(以下余白〉
実施例3
平均粒径2珈、純度98%の窒化ホウ素粉末を2000
Kg/cm2の圧力で冷間等方加圧戒形した後、常圧
窒素ガス雰囲気下で1900℃、2時間の条件で焼結し
て気孔率25%の多孔質窒化ホウ素セラミックを作製し
た。この多孔質窒化ホウ素セラミックを市販のエチルシ
リケート( Si(OEt)4)、エタノール、希塩酸
を含む水溶液に含浸した後、乾燥して1200℃、窒素
中で1時間加熱処理してセラミック複合体を得た。この
セラミック複合体の気孔率は15%であり、室温での誘
−電率は3.0〈周波数IMHZ)、熱伝導率は70
W/m−K、圧縮強度は5000 Ng/Cm2である
などの進行波管支持体材料として優れた特性を有してい
た。
Kg/cm2の圧力で冷間等方加圧戒形した後、常圧
窒素ガス雰囲気下で1900℃、2時間の条件で焼結し
て気孔率25%の多孔質窒化ホウ素セラミックを作製し
た。この多孔質窒化ホウ素セラミックを市販のエチルシ
リケート( Si(OEt)4)、エタノール、希塩酸
を含む水溶液に含浸した後、乾燥して1200℃、窒素
中で1時間加熱処理してセラミック複合体を得た。この
セラミック複合体の気孔率は15%であり、室温での誘
−電率は3.0〈周波数IMHZ)、熱伝導率は70
W/m−K、圧縮強度は5000 Ng/Cm2である
などの進行波管支持体材料として優れた特性を有してい
た。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のセラミック複合材料は、
進行波管支持体として従来の支持体材料である石英、ス
テアタイト、サフ7イヤ、ベリリア、熱分解窒化ホウ素
よりも優れた低誘電率と高熱伝導率を兼ね備えた材料で
あり、熱分解窒化ホウ素のような特性の異方性も少なく
、しかも剥離や亀裂などの発生の問題もない。また窒化
ホウ素の量を10〜99重量%にすることにより、普通
工具で切削加工できる長所も存在する。さらに熱分解窒
化ホウ素では困難な、大型で厚い製品を多量に低コスト
で製造することが可能であるなど、工業的に多くの利点
を有するものである。
進行波管支持体として従来の支持体材料である石英、ス
テアタイト、サフ7イヤ、ベリリア、熱分解窒化ホウ素
よりも優れた低誘電率と高熱伝導率を兼ね備えた材料で
あり、熱分解窒化ホウ素のような特性の異方性も少なく
、しかも剥離や亀裂などの発生の問題もない。また窒化
ホウ素の量を10〜99重量%にすることにより、普通
工具で切削加工できる長所も存在する。さらに熱分解窒
化ホウ素では困難な、大型で厚い製品を多量に低コスト
で製造することが可能であるなど、工業的に多くの利点
を有するものである。
また本発明のセラミック複合材料は、進行波管の支持体
以外の用途である電子部品、絶縁基板などにも利用でき
る効果もある。
以外の用途である電子部品、絶縁基板などにも利用でき
る効果もある。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の一実施例の複合
構造を模型的に示す断面図、第3図は進行波管の断面図
(a)および(a)のA−A一線による断面図(b)で
ある。 1・・・セラミック複合材料 2・・・酸化ケイ素 3・・・六方晶窒化ホウ素 4・・・気孔 5・・・支持体 6・・・タングステンコイル 7・・・カソード 8・・・コレクター 9・・・ステンレス保護管
構造を模型的に示す断面図、第3図は進行波管の断面図
(a)および(a)のA−A一線による断面図(b)で
ある。 1・・・セラミック複合材料 2・・・酸化ケイ素 3・・・六方晶窒化ホウ素 4・・・気孔 5・・・支持体 6・・・タングステンコイル 7・・・カソード 8・・・コレクター 9・・・ステンレス保護管
Claims (1)
- (1)六方晶窒化ホウ素と酸化ケイ素とを主成分として
構成されてなることを特徴とするセラミツク複合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159481A JPH0328171A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | セラミック複合材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159481A JPH0328171A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | セラミック複合材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328171A true JPH0328171A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15694714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1159481A Pending JPH0328171A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | セラミック複合材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328171A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002187768A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 |
| CN114538933A (zh) * | 2020-11-24 | 2022-05-27 | 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 | 一种行波管夹持杆的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215261A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | エレクトロシユメルツヴエルク・ケンプテン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 窒化ホウ素をベースとする焼結多結晶複合材料 |
| JPS63315537A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-23 | Asahi Glass Co Ltd | 焼結体 |
| JPH01131066A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 常圧焼結窒化硼素系成形体 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1159481A patent/JPH0328171A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215261A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | エレクトロシユメルツヴエルク・ケンプテン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 窒化ホウ素をベースとする焼結多結晶複合材料 |
| JPS63315537A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-23 | Asahi Glass Co Ltd | 焼結体 |
| JPH01131066A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 常圧焼結窒化硼素系成形体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002187768A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 |
| CN114538933A (zh) * | 2020-11-24 | 2022-05-27 | 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 | 一种行波管夹持杆的制备方法 |
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