JPH0416563A - セラミックス複合材料 - Google Patents
セラミックス複合材料Info
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- JPH0416563A JPH0416563A JP2119774A JP11977490A JPH0416563A JP H0416563 A JPH0416563 A JP H0416563A JP 2119774 A JP2119774 A JP 2119774A JP 11977490 A JP11977490 A JP 11977490A JP H0416563 A JPH0416563 A JP H0416563A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はセラミックス複合材料に関し、特にエレクトロ
ニクス用の進行波管支持体材料に用いられるセラミック
ス複合材料に関するものである。
ニクス用の進行波管支持体材料に用いられるセラミック
ス複合材料に関するものである。
[従来の技術]
エレクトロニクスにあける構造体としての用途である進
行波管のWヤMOの金属らせんの支持体(サポートロフ
ト)としては、従来の技術として石英、ステアタイト、
サファイヤ、ベリリアが検討されてきた(丸首(株)出
版の日本電信電話公社電気通信研究新編で小山次部著「
進行波管」207ペーシ)。
行波管のWヤMOの金属らせんの支持体(サポートロフ
ト)としては、従来の技術として石英、ステアタイト、
サファイヤ、ベリリアが検討されてきた(丸首(株)出
版の日本電信電話公社電気通信研究新編で小山次部著「
進行波管」207ペーシ)。
一方、近年では通信衛星や放送衛星用の進行波管におい
て、高周波数化のため支持体に対して従来材料よりも優
れた高周波特性としての低誘電率か重要になってきた。
て、高周波数化のため支持体に対して従来材料よりも優
れた高周波特性としての低誘電率か重要になってきた。
ざらに電子ビームの流入や加熱による高周波損失を防ぐ
ためには、支持体には熱放散のために高熱伝導性も要求
される。従来の支持体材料である石英ガラス、石英、ス
テアタイト、サファイヤ、ベリリアでは各々の空温の誘
電率はそれぞれ3.6. 4.3. 6.0. 9.6
. 6.9であり、また各々の熱伝導率は2,7,3.
40゜26゛OW/ m −Kてあって、低誘電率を実
現しつつ高熱伝導性を保持することか困難であった。一
方、最近では六方晶窒化ホウ素(hBN)が低誘電率と
高熱伝導率を兼ね備えた材料として注目されつつある。
ためには、支持体には熱放散のために高熱伝導性も要求
される。従来の支持体材料である石英ガラス、石英、ス
テアタイト、サファイヤ、ベリリアでは各々の空温の誘
電率はそれぞれ3.6. 4.3. 6.0. 9.6
. 6.9であり、また各々の熱伝導率は2,7,3.
40゜26゛OW/ m −Kてあって、低誘電率を実
現しつつ高熱伝導性を保持することか困難であった。一
方、最近では六方晶窒化ホウ素(hBN)が低誘電率と
高熱伝導率を兼ね備えた材料として注目されつつある。
[発明か解決しようとする課題]
六方晶窒化ホウ素(hBN>は、黒鉛と同じく六角網面
の積層構造を有し、層内のa軸方向か共有結合性であり
、積層面に垂直なC軸方向はファンデエアワールス結合
による結晶構造のため誘電率や熱伝導率に顕著な異方性
を示す。すなわち、hBNのa軸方向の誘電率と熱伝導
率は各々5.1と62W/i−にであり、C軸方向では
3.5と2W/1Il−にとの報告がある。
の積層構造を有し、層内のa軸方向か共有結合性であり
、積層面に垂直なC軸方向はファンデエアワールス結合
による結晶構造のため誘電率や熱伝導率に顕著な異方性
を示す。すなわち、hBNのa軸方向の誘電率と熱伝導
率は各々5.1と62W/i−にであり、C軸方向では
3.5と2W/1Il−にとの報告がある。
また現在、進行波管支持体材料として、例えば気相成長
法による熱分解窒化ホウ素(PBN)であるユニオン・
カーバイド(Union Carbide)社の商品名
BORALLOYが検討され、一部実用もされている。
法による熱分解窒化ホウ素(PBN)であるユニオン・
カーバイド(Union Carbide)社の商品名
BORALLOYが検討され、一部実用もされている。
しかしながらBORALLOYは、黒鉛などの基板上に
気相成長法により成膜するため配向性が高く、材料の面
内方向と厚み方向では前述したように誘電率や熱伝導率
か顕著に異なる高異方性を示すため、低誘電率と高熱伝
導率を同時に発揮できない。すなわち、低誘電率(3,
5)を利用するためにC軸方向を支持体の使用方向とし
た場合には熱伝導率は約2W/m・にと従来の石英、ス
テアタイト、サファイヤ、ベリリアよりもかなり小ざく
、放熱性に問題があった。また熱放散のため熱伝導性の
良いa軸方向(62W、−’ m・に)を支持体の使用
方向とした場合には、誘電率が5.1と高周波化のため
の低誘電率の要求としては十分ではなかった。またBO
RALLOYは六方晶窒化ホウ素の本質的な性質である
積層構造に基づいたa軸とa軸の異方性を有する配向構
造のため、層間でしばしば剥離および亀裂を生ずるなど
構造体としての信頼性にも問題が多くあった。ざらに熱
分解窒化ホウ素は気相成長法による製造方法で作られて
いるため、大型で厚い製品が多量に生産できないうえ、
コストが高いなどの工業的問題点も存在していた。
気相成長法により成膜するため配向性が高く、材料の面
内方向と厚み方向では前述したように誘電率や熱伝導率
か顕著に異なる高異方性を示すため、低誘電率と高熱伝
導率を同時に発揮できない。すなわち、低誘電率(3,
5)を利用するためにC軸方向を支持体の使用方向とし
た場合には熱伝導率は約2W/m・にと従来の石英、ス
テアタイト、サファイヤ、ベリリアよりもかなり小ざく
、放熱性に問題があった。また熱放散のため熱伝導性の
良いa軸方向(62W、−’ m・に)を支持体の使用
方向とした場合には、誘電率が5.1と高周波化のため
の低誘電率の要求としては十分ではなかった。またBO
RALLOYは六方晶窒化ホウ素の本質的な性質である
積層構造に基づいたa軸とa軸の異方性を有する配向構
造のため、層間でしばしば剥離および亀裂を生ずるなど
構造体としての信頼性にも問題が多くあった。ざらに熱
分解窒化ホウ素は気相成長法による製造方法で作られて
いるため、大型で厚い製品が多量に生産できないうえ、
コストが高いなどの工業的問題点も存在していた。
本発明者はこのような点に対処して鋭意研究を進めた結
果、六方晶窒化ホウ素と窒化アルミニウムから構成され
たセラミックス複合材料か低誘電率と高熱伝導率を兼ね
備え、構造上の信頼性にも優れるため進行波管の支持体
として最適であることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
果、六方晶窒化ホウ素と窒化アルミニウムから構成され
たセラミックス複合材料か低誘電率と高熱伝導率を兼ね
備え、構造上の信頼性にも優れるため進行波管の支持体
として最適であることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
[課題を解決するための手段]
本発明は、六方晶窒化ホウ素セラミックス内部に窒化ア
ルミニウム相が0.1〜50重量%を分散され含有する
ことを特徴とするセラミックス複合材料である。
ルミニウム相が0.1〜50重量%を分散され含有する
ことを特徴とするセラミックス複合材料である。
以下、本発明の詳細な説明する。
窒化アルミニウム(Ai!N>は室温では150〜32
0W、/’ m・にの高熱伝導性と8.9の誘電率を有
する優れた材料である。しかしながら、窒化アルミニウ
ムは一般的な六方晶窒化ホウ素の3〜6倍の高熱伝導率
を有する長所を示すか、誘電率は六方晶窒化ホウ素の2
〜3倍も大きく、高熱伝導率と低誘電率か両立すること
の要求には充分ではない。そこで本発明者は窒化ホウ素
の低誘電率と、窒化アルミニウムの高熱伝導率とを兼ね
備えたセラミックス複合材料を鋭意研究の結果、本発明
を完成するに至った。
0W、/’ m・にの高熱伝導性と8.9の誘電率を有
する優れた材料である。しかしながら、窒化アルミニウ
ムは一般的な六方晶窒化ホウ素の3〜6倍の高熱伝導率
を有する長所を示すか、誘電率は六方晶窒化ホウ素の2
〜3倍も大きく、高熱伝導率と低誘電率か両立すること
の要求には充分ではない。そこで本発明者は窒化ホウ素
の低誘電率と、窒化アルミニウムの高熱伝導率とを兼ね
備えたセラミックス複合材料を鋭意研究の結果、本発明
を完成するに至った。
第1図は、本発明のセラミックス複合材料1の構造を模
式的に示したもので、六方晶窒化ホウ素(hBN)2を
主成分としたマトリックスの内部である多結晶粒子の粒
界や表面ヤ空孔部にhBNよりも高熱伝導性を有する窒
化アルミニウム(ARN>3か存在して、空隙部を減少
させた構造を有することにより、高熱伝導性と低誘電率
を兼ね備えたものとなる。
式的に示したもので、六方晶窒化ホウ素(hBN)2を
主成分としたマトリックスの内部である多結晶粒子の粒
界や表面ヤ空孔部にhBNよりも高熱伝導性を有する窒
化アルミニウム(ARN>3か存在して、空隙部を減少
させた構造を有することにより、高熱伝導性と低誘電率
を兼ね備えたものとなる。
一般的には窒化アルミニウムを0.1〜50重墨%、好
ましくは1〜30重量%の範囲で含有する。
ましくは1〜30重量%の範囲で含有する。
本発明のセラミックス複合材料に含有される窒化アルミ
ニウムは0.1重量%未満では熱伝導率の増大は小さく
、また50重量%を越えると誘電率か5以上に大きくな
る場合があり、不適当である。
ニウムは0.1重量%未満では熱伝導率の増大は小さく
、また50重量%を越えると誘電率か5以上に大きくな
る場合があり、不適当である。
その結果、窒化アルミニウム量を0.1〜50重量%、
好ましくは1〜30重量%の範囲で含有することにより
高熱伝導率と低誘電率を実現できる。
好ましくは1〜30重量%の範囲で含有することにより
高熱伝導率と低誘電率を実現できる。
また、気孔4を存在させることが高熱伝導率と低誘電率
の実現のために望ましい。特に、最大50%程度の気孔
を含有することは誘電率を低下させるために有効である
が、気孔率が50%を越えると、機械的強度や熱伝導率
の著しい低下となる問題がある。
の実現のために望ましい。特に、最大50%程度の気孔
を含有することは誘電率を低下させるために有効である
が、気孔率が50%を越えると、機械的強度や熱伝導率
の著しい低下となる問題がある。
また本発明のセラミックス複合材料を製造する方法は特
に限定されず、種々の方法か可能である。
に限定されず、種々の方法か可能である。
−例を示せば、次のような方法によって製造できる。
窒化ホウ素粉末と窒化アルミニウム粉末を所定の組成比
に配合した後、ホールミル等で混合し、成形した後、非
酸化性雰囲気において、1500〜2200℃程度の温
度で加熱しながら10〜500Kg/cm2の機械的圧
力下、もしくは無加圧の条件下で焼結することにより、
本発明のセラミックス複合材料を製造することかできる
。非酸化性雰囲気としては窒素、アルゴン、真空雰囲気
などが便利である。
に配合した後、ホールミル等で混合し、成形した後、非
酸化性雰囲気において、1500〜2200℃程度の温
度で加熱しながら10〜500Kg/cm2の機械的圧
力下、もしくは無加圧の条件下で焼結することにより、
本発明のセラミックス複合材料を製造することかできる
。非酸化性雰囲気としては窒素、アルゴン、真空雰囲気
などが便利である。
本発明の六方晶窒化ホウ素と窒化アルミニウムから構成
されるセラミック複合体は、室温での誘電率が3.5〜
5(周波数1MH2)で、熱伝導率か50 W/ m・
に以上であるという優れた特性以外に、従来の進行波管
支持体材料でおる熱分解窒化ホウ素(PBN>より優れ
た圧縮強度等の機械的特性を有する。すなわち、PBN
の室温ての圧縮強度が2340 KJ、/cm2である
のに対して、本発明のセラミック複合体は1000〜7
000 N!9/Cm2の優れた圧縮強度を有する。こ
のため、PBNのように剥離および亀裂を生ずるなどの
問題もない。
されるセラミック複合体は、室温での誘電率が3.5〜
5(周波数1MH2)で、熱伝導率か50 W/ m・
に以上であるという優れた特性以外に、従来の進行波管
支持体材料でおる熱分解窒化ホウ素(PBN>より優れ
た圧縮強度等の機械的特性を有する。すなわち、PBN
の室温ての圧縮強度が2340 KJ、/cm2である
のに対して、本発明のセラミック複合体は1000〜7
000 N!9/Cm2の優れた圧縮強度を有する。こ
のため、PBNのように剥離および亀裂を生ずるなどの
問題もない。
また普通工具で切削加工できる長所もある。さらに常圧
焼結法で製造した場合、大型で厚い製品を低コストで製
造できるなどの数多くの利点かある。
焼結法で製造した場合、大型で厚い製品を低コストで製
造できるなどの数多くの利点かある。
本発明を更に具体的に説明するため次に実施例を挙げて
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
[実施例]
実施例1
平均粒径5即、純度99%の窒化ホウ素粉末80重量%
と、平均粒径0.2柳、純度99%の窒化アルミニウム
粉末20重量%とを配合した粉末を用い、エタノールを
液体分散媒としてボールミルで混合した。この混合粉末
を20ONff/cm2の機械的圧力でプレスしながら
、2000 ’C1常圧窒素カス雰囲気、1時間の条件
でホットプレスした。
と、平均粒径0.2柳、純度99%の窒化アルミニウム
粉末20重量%とを配合した粉末を用い、エタノールを
液体分散媒としてボールミルで混合した。この混合粉末
を20ONff/cm2の機械的圧力でプレスしながら
、2000 ’C1常圧窒素カス雰囲気、1時間の条件
でホットプレスした。
得られたセラミック複合体の気孔率は10%でおり、室
温での誘電率は4.1(周波数IMH7)、熱伝導率は
150W、−’ m−に、圧縮強度は3000Kg 、
/’ C…2てあり、進行波管支持体材料として優れた
特性を有していた。
温での誘電率は4.1(周波数IMH7)、熱伝導率は
150W、−’ m−に、圧縮強度は3000Kg 、
/’ C…2てあり、進行波管支持体材料として優れた
特性を有していた。
このセラミック複合体を切断加工後、0.25 xO,
5x 100mmの長い直方体状の進行波管支持体を作
製して進行波管に実装した。第2図(a)はその断面図
、第2図(b)は(a)にあけるA−A−による断面図
である。タングステンコイル6は3本の支持体5で3方
向からステンレス保護管9により圧縮保持されている。
5x 100mmの長い直方体状の進行波管支持体を作
製して進行波管に実装した。第2図(a)はその断面図
、第2図(b)は(a)にあけるA−A−による断面図
である。タングステンコイル6は3本の支持体5で3方
向からステンレス保護管9により圧縮保持されている。
7はカソード、8はコレクターである。支持体5はタン
グステンコイル6とステンレス保護管9の内壁の3点か
ら圧縮およびせん断の応力を受けているが、熱分解窒化
ホウ素で生じる剥離や亀裂は発生しなかった。
グステンコイル6とステンレス保護管9の内壁の3点か
ら圧縮およびせん断の応力を受けているが、熱分解窒化
ホウ素で生じる剥離や亀裂は発生しなかった。
実施例2
平均粒径2μs、純度99.5%の窒化ホウ素粉末と、
平均粒径1卯、純度99%の窒化アルミニウム粉末を第
1表に示す割合で配合して実施例1と同様に混合した粉
末を第1表に示す条件で加熱処理したところ、第1表に
示すような特性を有する低誘電率と高熱伝導率を共に備
えたセラミックス複合材料が実現された。これらの特性
は進行波管の支持体材料として良好な値である。
平均粒径1卯、純度99%の窒化アルミニウム粉末を第
1表に示す割合で配合して実施例1と同様に混合した粉
末を第1表に示す条件で加熱処理したところ、第1表に
示すような特性を有する低誘電率と高熱伝導率を共に備
えたセラミックス複合材料が実現された。これらの特性
は進行波管の支持体材料として良好な値である。
比較例1
平均粒径5IIIn、純度99%の窒化ホウ素粉末のみ
を実施例1と同様な条件である200に’j/Cm2の
機械的圧力でプレスしなから2000℃、常圧窒素カス
雰囲気、1時間の条件でホットプレスした。
を実施例1と同様な条件である200に’j/Cm2の
機械的圧力でプレスしなから2000℃、常圧窒素カス
雰囲気、1時間の条件でホットプレスした。
得られた窒化ホウ素セラミックスは気孔率20%であり
、室温ての誘電率3.5、熱伝導率は50W/m−K、
圧縮強度は60ONy/cm2てあり、進行波管支持体
としては不十分な特性であった。
、室温ての誘電率3.5、熱伝導率は50W/m−K、
圧縮強度は60ONy/cm2てあり、進行波管支持体
としては不十分な特性であった。
(以下余白)
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のセラミックス複合材料は
、進行波管支持体として従来の支持体材料である石英、
ステアタイト、サファイヤ、へりリア、熱分解窒化ホウ
素より優れた低誘電率と高熱伝導率を兼ね備えた材料で
あり、熱分解窒化ホウ素にみられるような特性の異方性
も少なく、しかも剥離や亀裂などの発生の問題もない。
、進行波管支持体として従来の支持体材料である石英、
ステアタイト、サファイヤ、へりリア、熱分解窒化ホウ
素より優れた低誘電率と高熱伝導率を兼ね備えた材料で
あり、熱分解窒化ホウ素にみられるような特性の異方性
も少なく、しかも剥離や亀裂などの発生の問題もない。
ざらに熱分解窒化ホウ素では困難な、大型で厚い製品を
多事に低コストで製造可能であることなど、工業的に多
くの利点を有するものである。
多事に低コストで製造可能であることなど、工業的に多
くの利点を有するものである。
また本発明の方法によるセラミックス複合材料は、進行
波管の支持体以外の用途である電子部品、絶縁基板、高
温炉治具などにも利用できる効果もある。
波管の支持体以外の用途である電子部品、絶縁基板、高
温炉治具などにも利用できる効果もある。
第1図は本発明のセラミックス複合材料の構造を模式的
に示す断面図、第2図は進行波管の断面図(a)および
(a)のA−A−線による断面図(b)である。 1・・・セラミックス複合材料 2・・・六方晶窒化ホウ素 3・・・窒化アルミニウム 4・・・気孔 5−・・支持体 6・・・タングステンコイル 7・・・カソード 8・・・コレクター 9・・・ステンレス保護管
に示す断面図、第2図は進行波管の断面図(a)および
(a)のA−A−線による断面図(b)である。 1・・・セラミックス複合材料 2・・・六方晶窒化ホウ素 3・・・窒化アルミニウム 4・・・気孔 5−・・支持体 6・・・タングステンコイル 7・・・カソード 8・・・コレクター 9・・・ステンレス保護管
Claims (1)
- (1)六方晶窒化ホウ素セラミックス内部に窒化アルミ
ニウム相が0.1〜50重量%を分散され含有すること
を特徴とするセラミックス複合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119774A JPH0416563A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックス複合材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119774A JPH0416563A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックス複合材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416563A true JPH0416563A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14769883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119774A Pending JPH0416563A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックス複合材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004250264A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Rikogaku Shinkokai | 高強度窒化硼素焼結体とその製法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131069A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 複合常圧焼結成形体 |
| JPH01261279A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-18 | Nippon Steel Corp | BN−AlN系複合焼結体の製造方法 |
| JPH01305862A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Steel Corp | 異方性を有するBN−AlN系焼結体およびその製造方法 |
| JPH02192467A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-30 | Nippon Steel Corp | 窒化アルミニウム―六方晶窒化ほう素系焼結体の製造方法 |
| JPH03242377A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-29 | Nippon Steel Corp | 異方性を有するBN−AlN系焼結体の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2119774A patent/JPH0416563A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131069A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 複合常圧焼結成形体 |
| JPH01261279A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-18 | Nippon Steel Corp | BN−AlN系複合焼結体の製造方法 |
| JPH01305862A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Steel Corp | 異方性を有するBN−AlN系焼結体およびその製造方法 |
| JPH02192467A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-30 | Nippon Steel Corp | 窒化アルミニウム―六方晶窒化ほう素系焼結体の製造方法 |
| JPH03242377A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-29 | Nippon Steel Corp | 異方性を有するBN−AlN系焼結体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004250264A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Rikogaku Shinkokai | 高強度窒化硼素焼結体とその製法 |
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