JPH0328372A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0328372A JPH0328372A JP1161633A JP16163389A JPH0328372A JP H0328372 A JPH0328372 A JP H0328372A JP 1161633 A JP1161633 A JP 1161633A JP 16163389 A JP16163389 A JP 16163389A JP H0328372 A JPH0328372 A JP H0328372A
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- Japan
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- thin film
- substrate
- film layer
- polymer substrate
- heated
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本゛発明｛よ 形状の優れた薄膜を形成するための薄膜
の製造方法に関すん 従来の技術 現代社会において薄膜技術の果たす役割は非常に多岐に
わたっていも 薄膜基板材料は機械的特性から高分子フ
イルム等の可とう性基板及びガラス板等の非可とう性基
板に大別でき、基板の機械特性に合った薄膜製造方法が
用いられていも 高分子フィルムの様な可とう性基板を
用いる場合には 薄膜の量産方法として連続巻取り方式
を用いることが出来も これは巻出しロールから巻出さ
れたロール状の高分子基板が走行中にめっき法・スバッ
タ法・真空蒸着法などによって基板上に薄膜を形威した
檄 巻取りロールに巻き取る方法で、大量生産に適した
方法とされていも こうして形成された薄膜ζ友 装飾
包装用フィルム・磁気記録媒体をはじめとした広い分野
で用いられていも薄膜の形成法においては薄膜形成後の
内部応力の緩和・表面硬度の向上などを目的としたアニ
ールと呼ばれる熱処理が行われることがあも この処理
（よ 第３図に示すように巻取り走行系を用いて例えば
大気中で昇温ローラ５４に沿って薄膜形戒済み高分子基
板３を走行させることによって可能であも 昇温ローラ
５４を用いたアニール処理の場合は高分子基板３が昇温
ローラにふれ始めるとき及び昇温ローラからはなれると
きに急激に熱変形するので皺が発生し易Ｌ（ またア
ニール処理後の薄膜の表面性が昇温ローラ５４の表面性
に依存するので表面平滑性のよい薄膜を得るには昇温ロ
ーラ５４の表面もまた平滑であることが必要である。昇
温ローラ５４を用いたこれらの課題を回避する一つの手
段として、昇温ローラ５４を用いない直接加熱が有効で
あも 即ち第４図に示すように薄膜形成済み高分子基板
３がガイドローラ４、４間を走行中に加熱用ヒータ５５
を用いて非接触の加熱を行なうことによってアニール処
理を行なうことが出来も 発明が解決しようとする課題 ところがアニール処理によって高分子基板３の熱収縮が
おきると薄膜が形成された高分子基板３は一般に基板を
内側にしてカール（反り）をおこも カールの程度はア
ニール温度が高いほど強く、カールを少なくすることと
十分なアニール効果を与えることは相反する課題であつ
九 また非接触加熱を行なった場合は昇温ローラ５５を
用いてアニール処理を行なった場合に比べて基板幅方向
のカールが更に強くなってしまう。
の製造方法に関すん 従来の技術 現代社会において薄膜技術の果たす役割は非常に多岐に
わたっていも 薄膜基板材料は機械的特性から高分子フ
イルム等の可とう性基板及びガラス板等の非可とう性基
板に大別でき、基板の機械特性に合った薄膜製造方法が
用いられていも 高分子フィルムの様な可とう性基板を
用いる場合には 薄膜の量産方法として連続巻取り方式
を用いることが出来も これは巻出しロールから巻出さ
れたロール状の高分子基板が走行中にめっき法・スバッ
タ法・真空蒸着法などによって基板上に薄膜を形威した
檄 巻取りロールに巻き取る方法で、大量生産に適した
方法とされていも こうして形成された薄膜ζ友 装飾
包装用フィルム・磁気記録媒体をはじめとした広い分野
で用いられていも薄膜の形成法においては薄膜形成後の
内部応力の緩和・表面硬度の向上などを目的としたアニ
ールと呼ばれる熱処理が行われることがあも この処理
（よ 第３図に示すように巻取り走行系を用いて例えば
大気中で昇温ローラ５４に沿って薄膜形戒済み高分子基
板３を走行させることによって可能であも 昇温ローラ
５４を用いたアニール処理の場合は高分子基板３が昇温
ローラにふれ始めるとき及び昇温ローラからはなれると
きに急激に熱変形するので皺が発生し易Ｌ（ またア
ニール処理後の薄膜の表面性が昇温ローラ５４の表面性
に依存するので表面平滑性のよい薄膜を得るには昇温ロ
ーラ５４の表面もまた平滑であることが必要である。昇
温ローラ５４を用いたこれらの課題を回避する一つの手
段として、昇温ローラ５４を用いない直接加熱が有効で
あも 即ち第４図に示すように薄膜形成済み高分子基板
３がガイドローラ４、４間を走行中に加熱用ヒータ５５
を用いて非接触の加熱を行なうことによってアニール処
理を行なうことが出来も 発明が解決しようとする課題 ところがアニール処理によって高分子基板３の熱収縮が
おきると薄膜が形成された高分子基板３は一般に基板を
内側にしてカール（反り）をおこも カールの程度はア
ニール温度が高いほど強く、カールを少なくすることと
十分なアニール効果を与えることは相反する課題であつ
九 また非接触加熱を行なった場合は昇温ローラ５５を
用いてアニール処理を行なった場合に比べて基板幅方向
のカールが更に強くなってしまう。
本発明｛上 このような従来技術の課題を解決すること
を目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は長尺の高分子基板上に直接あるいは下地層を介
して薄膜層を形成した後に前記高分子基板を大気中また
は同等以上の酸素を含む雰囲気中で熱源に非接触で昇温
処理する薄膜の製造方法において、昇温処理中に前記高
分子基板をその幅方向の両側から吸引することを特徴と
する薄膜の製造方法であも 作用 本発明によれば長尺高分子基板上に形成された薄膜のア
ニール処理の際に基板長手方向及び幅方向の両方に張力
がかかるので特定方向に強いカールが発生することがな
く、全体としてカールの少ない薄膜を形成することが出
来も 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例を示す図玄 従来例を示す第
３図と異なる点は加熱部分に吸引ノズル７を設けたこと
にあも 第２図は第１図Ａ−Ａ′部分の断面を示も 薄
膜が形威された高分子基板３は熱源９および反射板８か
らなる加熱用ヒータ５の近傍を通過中に吸引ノズル７に
よって幅方向の張力を受けも 熱源９としては遠赤外線
ヒータの他 ハロゲンランプ・レーザなどを用いること
ができも また 吸引手段７としては各種の真空ポンプ
を用いることが出来も 厚さ１０μ四 輻２０ｃｍのポ
リイミド基板上に真空蒸着法によつて膜厚２５０ｎｍの
ＣｏＣｒ層を設けた垂直磁気記録媒体の表面酸化を目的
として、アニール温度３２０℃及び３００ｔ， フィ
ルム走行速度ｌｍ／分でアニール処理を行なｌ，Ｘ．吸
引ノズル７によって基板幅方向のテンシタンを加えるこ
とによりカールの低減を試みた アニール温度は予備実
験として加熱用ヒータ側の高分子基板面に蒸着によって
熱電対を形成したものを用いてヒータ電力と基板温度の
関係を求めておいた結果より決定しｔち また吸引ノ
ズル７による基板幅方向のテンシタンも予備実験により
高分子基板３上の歪ゲージを用いて吸引強度とテンシａ
ンの関係を求めておいた値を用いｔ４ 更にカールの
強さはアニール処理後の薄膜を直径３０ｍｒｎの円形に
切り出したときの反り量で評価しｔ４ 第５図に測定
結果を示も 第５図か転 吸引によってカールが弱くな
っているのがわかも またオージエ電子分光分析によっ
て調べた酸化の状態（友 アニール温度が同じであれば
吸引によって変化しなかった また 厚さ２０μ八 幅
２０ｃｍのポリアミド基板上に真空蒸着法によって膜厚
３ ０ ０ ｎｍのＣｏＣｒ層を設けた垂直磁気記録媒
体の表面酸化を目的として、アニール温度３００℃及び
２８０ｔ，． フィルム走行速度ｌｍ／分でアニール
処理を行なった場合にも同様の効果が得られた さらに
ＣｏＣｒの代わりにＣｏＣｒＮｉを用いた場合にも同様
の効果が認められｔも発明の効果 以上の様に本発明の薄膜の製造方法によれ（ｆ，アニー
ル処理時に発生する基板幅方向のカールを小さくするこ
とが出来る。
を目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は長尺の高分子基板上に直接あるいは下地層を介
して薄膜層を形成した後に前記高分子基板を大気中また
は同等以上の酸素を含む雰囲気中で熱源に非接触で昇温
処理する薄膜の製造方法において、昇温処理中に前記高
分子基板をその幅方向の両側から吸引することを特徴と
する薄膜の製造方法であも 作用 本発明によれば長尺高分子基板上に形成された薄膜のア
ニール処理の際に基板長手方向及び幅方向の両方に張力
がかかるので特定方向に強いカールが発生することがな
く、全体としてカールの少ない薄膜を形成することが出
来も 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例を示す図玄 従来例を示す第
３図と異なる点は加熱部分に吸引ノズル７を設けたこと
にあも 第２図は第１図Ａ−Ａ′部分の断面を示も 薄
膜が形威された高分子基板３は熱源９および反射板８か
らなる加熱用ヒータ５の近傍を通過中に吸引ノズル７に
よって幅方向の張力を受けも 熱源９としては遠赤外線
ヒータの他 ハロゲンランプ・レーザなどを用いること
ができも また 吸引手段７としては各種の真空ポンプ
を用いることが出来も 厚さ１０μ四 輻２０ｃｍのポ
リイミド基板上に真空蒸着法によつて膜厚２５０ｎｍの
ＣｏＣｒ層を設けた垂直磁気記録媒体の表面酸化を目的
として、アニール温度３２０℃及び３００ｔ， フィ
ルム走行速度ｌｍ／分でアニール処理を行なｌ，Ｘ．吸
引ノズル７によって基板幅方向のテンシタンを加えるこ
とによりカールの低減を試みた アニール温度は予備実
験として加熱用ヒータ側の高分子基板面に蒸着によって
熱電対を形成したものを用いてヒータ電力と基板温度の
関係を求めておいた結果より決定しｔち また吸引ノ
ズル７による基板幅方向のテンシタンも予備実験により
高分子基板３上の歪ゲージを用いて吸引強度とテンシａ
ンの関係を求めておいた値を用いｔ４ 更にカールの
強さはアニール処理後の薄膜を直径３０ｍｒｎの円形に
切り出したときの反り量で評価しｔ４ 第５図に測定
結果を示も 第５図か転 吸引によってカールが弱くな
っているのがわかも またオージエ電子分光分析によっ
て調べた酸化の状態（友 アニール温度が同じであれば
吸引によって変化しなかった また 厚さ２０μ八 幅
２０ｃｍのポリアミド基板上に真空蒸着法によって膜厚
３ ０ ０ ｎｍのＣｏＣｒ層を設けた垂直磁気記録媒
体の表面酸化を目的として、アニール温度３００℃及び
２８０ｔ，． フィルム走行速度ｌｍ／分でアニール
処理を行なった場合にも同様の効果が得られた さらに
ＣｏＣｒの代わりにＣｏＣｒＮｉを用いた場合にも同様
の効果が認められｔも発明の効果 以上の様に本発明の薄膜の製造方法によれ（ｆ，アニー
ル処理時に発生する基板幅方向のカールを小さくするこ
とが出来る。
第１は 第２図は本発明の一実施例にかかる薄膜の製造
方法におけるアニール処理工程の一例を示す正面は 第
３＠ 第４図はアニール処理工程の従来例を示す正面＆
第５図は本発明の一実施例の薄膜の製造方法に於ける
吸引強度とカールの強さの関係を示すグラフであも １・・・回転方砥 ２・・・巻だしロー／ｋ ３・・
・薄膜が形成された高分子基楓 ４・・・ガイドローラ
、 ５・・・加熱用ヒー久 ６・・・巻き取りロー／ｋ
７・・・吸引ノズノ＼ ８・・・反射楓 ９・・・
熱風方陳 １１・・・昇温ローラ。
方法におけるアニール処理工程の一例を示す正面は 第
３＠ 第４図はアニール処理工程の従来例を示す正面＆
第５図は本発明の一実施例の薄膜の製造方法に於ける
吸引強度とカールの強さの関係を示すグラフであも １・・・回転方砥 ２・・・巻だしロー／ｋ ３・・
・薄膜が形成された高分子基楓 ４・・・ガイドローラ
、 ５・・・加熱用ヒー久 ６・・・巻き取りロー／ｋ
７・・・吸引ノズノ＼ ８・・・反射楓 ９・・・
熱風方陳 １１・・・昇温ローラ。
Claims (4)
- （１）長尺の高分子基板上に直接あるいは下地層を介し
て薄膜層を形成した後、前記高分子基板を大気中または
同等以上の酸素を含む雰囲気中で熱源に非接触で昇温処
理する薄膜の製造方法において、昇温処理中に前記高分
子基板をその幅方向の両側から吸引することを特徴とす
る薄膜の製造方法。 - （２）薄膜層が磁気記録用磁性体からなることを特徴と
する請求項１記載の薄膜の製造方法。 - （３）薄膜層がＣｏ，ＣｒまたはＣｏ，Ｃｒ，Ｎｉを主
成分とすることを特徴とする請求項１または２記載の薄
膜の製造方法。 - （４）高分子基板の材料が芳香族ポリアミドまたはポリ
イミドからなることを特徴とする請求項１、２または３
記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161633A JPH0328372A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161633A JPH0328372A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328372A true JPH0328372A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15738896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161633A Pending JPH0328372A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328372A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008128350A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Maezawa Kyuso Industries Co Ltd | 逆止弁内蔵止水栓 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161633A patent/JPH0328372A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008128350A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Maezawa Kyuso Industries Co Ltd | 逆止弁内蔵止水栓 |
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