JPH0328391A - 電気アルミニウムめっき浴 - Google Patents
電気アルミニウムめっき浴Info
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- JPH0328391A JPH0328391A JP16239289A JP16239289A JPH0328391A JP H0328391 A JPH0328391 A JP H0328391A JP 16239289 A JP16239289 A JP 16239289A JP 16239289 A JP16239289 A JP 16239289A JP H0328391 A JPH0328391 A JP H0328391A
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- halide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アルミニウムハロゲン化物と１−アルキルま
たは１，３−ノアルキルイミグゾリウムハロゲン化物を
混合溶融した電気アルミニウムめっき浴において、厚め
つきしてもめっき眉表面が平滑になるめっき浴に関する
． （従米技術） アルミニウムの電スめつきは、アルミニウムの酸素に対
する親和力が大きく、電位が水素より卑であるので、水
溶液系のめつき浴で行うことは困難である．このため、
従来よりアルミニウムの電スめっきは、非水溶液系のめ
つき俗、特に有機溶媒系のめっき裕で行なわれている． この有機溶Ｖ＆系のめつき浴としては、＾ＩｃＩ．とＬ
ｉ＾ＩＨ． 虫たはＬｉＨとをエーテルに溶解したもの
や＾ＩＣ＋，とＬ ｉ Ａ Ｉ ＩＩ ．とをＴ ＩＩ
Ｆ （テトラヒドロ７ラン）に溶解したものが代表的
なものである．しかし、これらのめっき浴は、いずれも
浴中に非常に活性なＬｉ＾ＩＨ．やＬ ｉ ｔｌを含ん
でいるため、ｆｌ！素や水分が存在すると、それらと反
応して分解し、電流効率が低下し、浴寿命も短くなって
しまうものであった．本発明者は、かかる問題を解決し
た電スアルミニウムめっ！１浴として、アルミニウム一
）ロデン化物２０〜８０モル％と１−アルキルまたはｈ
３−ジアルキルイミグゾリウム７）ロデン化物（但し、
アルキル基はＣが１〜１２のアルキル基）２０〜８０モ
ル％とを混合溶融してなるめつ！浴またはこの浴に芳香
族炭化水素などの有機溶媒を添加しためつき浴を提案し
たく特願昭６３−１０３１００号）．このめっき浴は、
常温で液体で、発火等の危険性がなく、しかも、陽極に
アルミニウムを用いると、＾１イオンが消費量に合わせ
て自動補給され、浴管理が閤単であるため、他のめつき
浴より作業性に優れている．このめっき浴でめっきする
には、窒素やアルゴンなどの乾燥無酸素雰゛囲気中で、
直流もしくはパルス電流に上り浴温Ｏ〜１５０℃、電流
密度０．０１〜５０＾／ｄｍ”で行うとめつきできる． ところで、近羊、電気アルミニウムめっき製品は、めっ
き厚が１０〜５０μ一のものが高耐食性材料として注目
を集め、その中で表面を陽極酸化処理して耐食性を更に
高めたものも望まれている。
たは１，３−ノアルキルイミグゾリウムハロゲン化物を
混合溶融した電気アルミニウムめっき浴において、厚め
つきしてもめっき眉表面が平滑になるめっき浴に関する
． （従米技術） アルミニウムの電スめつきは、アルミニウムの酸素に対
する親和力が大きく、電位が水素より卑であるので、水
溶液系のめつき浴で行うことは困難である．このため、
従来よりアルミニウムの電スめっきは、非水溶液系のめ
つき俗、特に有機溶媒系のめっき裕で行なわれている． この有機溶Ｖ＆系のめつき浴としては、＾ＩｃＩ．とＬ
ｉ＾ＩＨ． 虫たはＬｉＨとをエーテルに溶解したもの
や＾ＩＣ＋，とＬ ｉ Ａ Ｉ ＩＩ ．とをＴ ＩＩ
Ｆ （テトラヒドロ７ラン）に溶解したものが代表的
なものである．しかし、これらのめっき浴は、いずれも
浴中に非常に活性なＬｉ＾ＩＨ．やＬ ｉ ｔｌを含ん
でいるため、ｆｌ！素や水分が存在すると、それらと反
応して分解し、電流効率が低下し、浴寿命も短くなって
しまうものであった．本発明者は、かかる問題を解決し
た電スアルミニウムめっ！１浴として、アルミニウム一
）ロデン化物２０〜８０モル％と１−アルキルまたはｈ
３−ジアルキルイミグゾリウム７）ロデン化物（但し、
アルキル基はＣが１〜１２のアルキル基）２０〜８０モ
ル％とを混合溶融してなるめつ！浴またはこの浴に芳香
族炭化水素などの有機溶媒を添加しためつき浴を提案し
たく特願昭６３−１０３１００号）．このめっき浴は、
常温で液体で、発火等の危険性がなく、しかも、陽極に
アルミニウムを用いると、＾１イオンが消費量に合わせ
て自動補給され、浴管理が閤単であるため、他のめつき
浴より作業性に優れている．このめっき浴でめっきする
には、窒素やアルゴンなどの乾燥無酸素雰゛囲気中で、
直流もしくはパルス電流に上り浴温Ｏ〜１５０℃、電流
密度０．０１〜５０＾／ｄｍ”で行うとめつきできる． ところで、近羊、電気アルミニウムめっき製品は、めっ
き厚が１０〜５０μ一のものが高耐食性材料として注目
を集め、その中で表面を陽極酸化処理して耐食性を更に
高めたものも望まれている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記めっき塔で１０μ輪以上の厚さにめ
っきすると、電析が不均一になって表面粒子が局部的に
１＆艮して、表面が凹凸になり、しかも、摩擦によりそ
の表面粒子は簡単に脱落してしまう．また、表面が凹凸
になると、金属光沢がなくなるため、反射板などに使用
できないものであった． かかる問題が生じないようにするには、ベンゼン、トル
エンなどの有機溶媒をアルミニウムハロゲン化物１モル
に対して１〜２モルの割合で添加すればよいが、このよ
うに低沸点有機溶媒を多量に添加すると、溶媒が蒸発し
、作業環境を悪化させるとともに、引火の恐れも生じる
． さらに、前記めっ８浴は、均一電着性が劣るため、形状
のａｍな物にめっきする場合、０．０１＾／ｄ１近くの
低電流密度でめっきすると凹部にめっきできないもので
あった． 本発明は、かかる点に鑑み、表面虫で緻密で平滑なアル
ミニウムめっきを施すことができ、しかも、低電流密度
でめっきしても均一にめっきできるｆｆｌ％アルミニウ
ムめっき浴を提供するものである． （問題点を解決するための手＃５Ｌ） 本発明者らは、上記問題を解決すべく種々検討した結果
、アルミニウムハロゲン化物２０〜８０モル％と１−ア
ルキルまたは１．３一ノアルキルイミグゾリウムハロゲ
ン化物（但し、アルキル基はＣが１〜１２のアルキル基
）２０〜８０モル％とを混合溶融してなるめっき浴に一
般式ＭＸｎ （但し、Ｈは＾ｇ， Ｃ， Ｓｎ（１１
）、Ｐｂ， Ｓｂ， Ｓ， Ｓｅで、ＸはハＯデン原子
、ｎは整数）で示されるハロゲン化物を０．０ ０ １
− ０．０ ５ モル／ｌ添ｍｔルカ、マタハ芳香族
アルデヒド、芳香族ケトン、芳香族カルボン酸またはそ
の誘導体、Ｎを２個以上有する不飽和複素環化合物、Ｓ
を有する不飽和複素環化合物、Ｓ含有置換基を有する芳
香族炭化水素から選んだ１種または２種以上の化合物を
０．００１〜０．１モル／ｌ添加して、緻密で平滑な厚
めつきを施すことができるようにした．また、上記アル
ミニウム八ロデン化物と１−アルキルまたは１．３−ジ
７ルキルイミグゾリウムハロゲン化物を溶融してなるめ
っＦｋ俗に芳香族アミン、アミ７基を有する複素環化合
物の１種または２種を添加して、低電部のめっき性を向
上させた． 二二で、一般式ＮＸｎｔ’示される八ｇ， Ｃ， Ｓｎ
（Ｉｔ ）、Ｐｂ１Ｓｂ， Ｓ， Ｓｅのハロゲン化物
は、ハロゲン原子がＦ％ＣＩ、Ｏｒ、Ｉのいずれかであ
る．これらのハロゲン化物のうち、八ｇ％Ｓｎ（■）、
Ｐｂ， ｓｂのハロゲン化物を添加すると、金属光沢は
劣るが、めっき層表面は平滑になる．これに対しで、Ｃ
．Ｓ，Ｓｅのハロゲン化物を添加すると、４ｔＲ光沢を
示すとともに、めっｔｋ層表面も平滑になる．これらの
ハロゲン化物の添加は、ｏ，ｏｏｉモル／ｌより少ない
と、めっき層表面が平滑にならず、０．１モル／ｌより
多くすると、共析量が多くなり、めっき層の耐食性が低
下する．なお、添加に際しでは、ハロゲン原子がアルミ
ニウムハロゲン化物のハロゲン原子と同じものを使用す
る．例えば、アルミニウムハロゲン化物が＾ＩＣｈの場
合、八ｇＣＩ、ＳｎＣＩｚなどを添加する．有機添加剤
の芳香族アルデヒドとしては、ベンズアルデヒド、サリ
チルアルデヒド、アニスアルデヒドなどが、また、芳香
族ケトンとしては、アセト７エノン、ベンゾ７エノン、
ベンノルなどが、さらに、芳香族カルボン酸またはその
誘導体としては、安息香酸メチル、７タル酸などが掲げ
られる．また、Ｎを２個以上有する不飽和複素環化合物
としては、ビリミノン、ビリダノン、ビラジンなどが、
Ｓを有する不飽和複素環化合物としては、チオ７エンが
、ｓｔ有置換基を有する芳香族炭化水素としては、チオ
７工ノ−ル、チオ安息香酸などが掲げられる． これら
の化合物は、添加量がｏ，ｏｏｉモル／ｌより少ないと
添加効果がなく、０．１モル／８より多くなると［流密
度めっきした場合、めっき焼けが発生する． 前記アルミニウムハロゲン化物と１−アルキルまたは１
，３−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物とをｉ１
！融してなるるめっき浴に芳香族アミンやアミ７基を有
する複素環化合物を添加剤すると、電流密度０．０１＾
／ｄｍ”でめっきしても、形状の複雑な物を均一にめっ
きを施すことができる．ここで、芳香族アミンとしては
、アニリン、ジ７エニルアミンなどが、アミ７基を有す
る複素環化合物としては、７ミノビリジンなどが掲げら
れる． これらの化合物も、添加量が０．００１モル／ｌより少
ないと添加効果がなく、０．１モル／ｌより多くなると
高電流密度めっきした場合、めっき焼けが発生ずる。
っきすると、電析が不均一になって表面粒子が局部的に
１＆艮して、表面が凹凸になり、しかも、摩擦によりそ
の表面粒子は簡単に脱落してしまう．また、表面が凹凸
になると、金属光沢がなくなるため、反射板などに使用
できないものであった． かかる問題が生じないようにするには、ベンゼン、トル
エンなどの有機溶媒をアルミニウムハロゲン化物１モル
に対して１〜２モルの割合で添加すればよいが、このよ
うに低沸点有機溶媒を多量に添加すると、溶媒が蒸発し
、作業環境を悪化させるとともに、引火の恐れも生じる
． さらに、前記めっ８浴は、均一電着性が劣るため、形状
のａｍな物にめっきする場合、０．０１＾／ｄ１近くの
低電流密度でめっきすると凹部にめっきできないもので
あった． 本発明は、かかる点に鑑み、表面虫で緻密で平滑なアル
ミニウムめっきを施すことができ、しかも、低電流密度
でめっきしても均一にめっきできるｆｆｌ％アルミニウ
ムめっき浴を提供するものである． （問題点を解決するための手＃５Ｌ） 本発明者らは、上記問題を解決すべく種々検討した結果
、アルミニウムハロゲン化物２０〜８０モル％と１−ア
ルキルまたは１．３一ノアルキルイミグゾリウムハロゲ
ン化物（但し、アルキル基はＣが１〜１２のアルキル基
）２０〜８０モル％とを混合溶融してなるめっき浴に一
般式ＭＸｎ （但し、Ｈは＾ｇ， Ｃ， Ｓｎ（１１
）、Ｐｂ， Ｓｂ， Ｓ， Ｓｅで、ＸはハＯデン原子
、ｎは整数）で示されるハロゲン化物を０．０ ０ １
− ０．０ ５ モル／ｌ添ｍｔルカ、マタハ芳香族
アルデヒド、芳香族ケトン、芳香族カルボン酸またはそ
の誘導体、Ｎを２個以上有する不飽和複素環化合物、Ｓ
を有する不飽和複素環化合物、Ｓ含有置換基を有する芳
香族炭化水素から選んだ１種または２種以上の化合物を
０．００１〜０．１モル／ｌ添加して、緻密で平滑な厚
めつきを施すことができるようにした．また、上記アル
ミニウム八ロデン化物と１−アルキルまたは１．３−ジ
７ルキルイミグゾリウムハロゲン化物を溶融してなるめ
っＦｋ俗に芳香族アミン、アミ７基を有する複素環化合
物の１種または２種を添加して、低電部のめっき性を向
上させた． 二二で、一般式ＮＸｎｔ’示される八ｇ， Ｃ， Ｓｎ
（Ｉｔ ）、Ｐｂ１Ｓｂ， Ｓ， Ｓｅのハロゲン化物
は、ハロゲン原子がＦ％ＣＩ、Ｏｒ、Ｉのいずれかであ
る．これらのハロゲン化物のうち、八ｇ％Ｓｎ（■）、
Ｐｂ， ｓｂのハロゲン化物を添加すると、金属光沢は
劣るが、めっき層表面は平滑になる．これに対しで、Ｃ
．Ｓ，Ｓｅのハロゲン化物を添加すると、４ｔＲ光沢を
示すとともに、めっｔｋ層表面も平滑になる．これらの
ハロゲン化物の添加は、ｏ，ｏｏｉモル／ｌより少ない
と、めっき層表面が平滑にならず、０．１モル／ｌより
多くすると、共析量が多くなり、めっき層の耐食性が低
下する．なお、添加に際しでは、ハロゲン原子がアルミ
ニウムハロゲン化物のハロゲン原子と同じものを使用す
る．例えば、アルミニウムハロゲン化物が＾ＩＣｈの場
合、八ｇＣＩ、ＳｎＣＩｚなどを添加する．有機添加剤
の芳香族アルデヒドとしては、ベンズアルデヒド、サリ
チルアルデヒド、アニスアルデヒドなどが、また、芳香
族ケトンとしては、アセト７エノン、ベンゾ７エノン、
ベンノルなどが、さらに、芳香族カルボン酸またはその
誘導体としては、安息香酸メチル、７タル酸などが掲げ
られる．また、Ｎを２個以上有する不飽和複素環化合物
としては、ビリミノン、ビリダノン、ビラジンなどが、
Ｓを有する不飽和複素環化合物としては、チオ７エンが
、ｓｔ有置換基を有する芳香族炭化水素としては、チオ
７工ノ−ル、チオ安息香酸などが掲げられる． これら
の化合物は、添加量がｏ，ｏｏｉモル／ｌより少ないと
添加効果がなく、０．１モル／８より多くなると［流密
度めっきした場合、めっき焼けが発生する． 前記アルミニウムハロゲン化物と１−アルキルまたは１
，３−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物とをｉ１
！融してなるるめっき浴に芳香族アミンやアミ７基を有
する複素環化合物を添加剤すると、電流密度０．０１＾
／ｄｍ”でめっきしても、形状の複雑な物を均一にめっ
きを施すことができる．ここで、芳香族アミンとしては
、アニリン、ジ７エニルアミンなどが、アミ７基を有す
る複素環化合物としては、７ミノビリジンなどが掲げら
れる． これらの化合物も、添加量が０．００１モル／ｌより少
ないと添加効果がなく、０．１モル／ｌより多くなると
高電流密度めっきした場合、めっき焼けが発生ずる。
本発明のめっき浴を用いてめっきする場合も従米のめっ
き浴での場合と同様でぷい．すなわち、乾燥無酸素雰囲
気中で直流もしくはパルス電流で浴温０〜１５０℃、電
流密度一〇．０１〜５０＾／ｄｖｓ”でめっきすればよ
い．浴温が０℃より低いと、均一にめっきできず、１５
０℃より高く・すると、電流密度を５０＾／ｄｍ”より
高くした場合に（ノ）７ルキルイミダゾリウムイオンの
還元が起こり、めっき層が灰色になるとともに、結晶も
粗いデンドライト結晶となり、外観、加工性が低下しで
しまう．（実施例） 板厚が０．５−の冷延鋼板に常法に上り溶剤蒸気洗浄、
アルカリ脱脂および酸洗を施した後、乾燥して、直ちに
予め窒素芥囲気に保っておいたアルミニウムハロゲン化
物と１−アルキルまたはｉ，ａ−ジアルキルイミダゾリ
ウムハロゲン化物との溶融塩に各種添加剤を添加しため
っき浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、アルミニウム板（純
度９ ９．９ ９％、板厚１曽一）を陽極にし、直流で
アルミニウムめっきを施した．第１表にめ−）き浴組虞
、電解条件と得られたアルミニウムめっき鋼板の関係を
示す．（発明の効果） 以上のように、本発明のめつき浴によれば、厚めつきに
してもめつきＮＪ表面は平滑となり、有機溶媒添加によ
り平滑にするにしても添加量が少なくて済み、安全であ
る．また、低電流密度でめっきしても均一にめっきが可
能である．
き浴での場合と同様でぷい．すなわち、乾燥無酸素雰囲
気中で直流もしくはパルス電流で浴温０〜１５０℃、電
流密度一〇．０１〜５０＾／ｄｖｓ”でめっきすればよ
い．浴温が０℃より低いと、均一にめっきできず、１５
０℃より高く・すると、電流密度を５０＾／ｄｍ”より
高くした場合に（ノ）７ルキルイミダゾリウムイオンの
還元が起こり、めっき層が灰色になるとともに、結晶も
粗いデンドライト結晶となり、外観、加工性が低下しで
しまう．（実施例） 板厚が０．５−の冷延鋼板に常法に上り溶剤蒸気洗浄、
アルカリ脱脂および酸洗を施した後、乾燥して、直ちに
予め窒素芥囲気に保っておいたアルミニウムハロゲン化
物と１−アルキルまたはｉ，ａ−ジアルキルイミダゾリ
ウムハロゲン化物との溶融塩に各種添加剤を添加しため
っき浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、アルミニウム板（純
度９ ９．９ ９％、板厚１曽一）を陽極にし、直流で
アルミニウムめっきを施した．第１表にめ−）き浴組虞
、電解条件と得られたアルミニウムめっき鋼板の関係を
示す．（発明の効果） 以上のように、本発明のめつき浴によれば、厚めつきに
してもめつきＮＪ表面は平滑となり、有機溶媒添加によ
り平滑にするにしても添加量が少なくて済み、安全であ
る．また、低電流密度でめっきしても均一にめっきが可
能である．
Claims (3)
- （１）アルミニウムハロゲン化物２０〜８０モル％と１
−アルキルまたは１，３−ジアルキルイミダゾリウムハ
ロゲン化物（但し、アルキル基はＣが１〜１２のアルキ
ル基）２０〜８０モル％とを混合溶融してなるめっき浴
に一般式ＭＸｎ（但し、ＭはＡｇ、Ｃ、Ｓｎ（II）、Ｐ
ｂ、Ｓｂ、Ｓ、Ｓｅで、Ｘはハロゲン原子、ｎは整数）
で示されるハロゲン化物を ０．００１〜０．０５モル／ｌ添加したことを特徴とす
る電気アルミニウムめっき浴。 - （２）アルミニウムハロゲン化物２０〜８０モル％と１
−アルキルまたは１，３−ジアルキルイミダゾリウムハ
ロゲン化物（但し、アルキル基はＣが１〜１２のアルキ
ル基）２０〜８０モル％とを混合溶融してなるめっき浴
に芳香族アルデヒド、芳香族ケトン、芳香族カルボン酸
またはその誘導体、Ｎを２個以上有する不飽和複素環化
合物、Ｓを有する不飽和複素環化合物、Ｓ含有置換基を
有する芳香族炭化水素から選んだ１種または２種以上の
化合物を０．００１〜０．１モル／ｌ添加したことを特
徴とする電気アルミニウムめっき浴。 - （３）アルミニウムハロゲン化物２０〜８０モル％と１
−アルキルまたは１，３−ジアルキルイミダゾリウムハ
ロゲン化物（但し、アルキル基はＣが１〜１２のアルキ
ル基）２０〜８０モル％とを混合溶融してなるめっき浴
に芳香族アミン、アミノ基を有する複素環化合物の１種
または２種を０．００１〜０．１モル／ｌ添加したこと
を特徴とする電気アルミニウムめっき浴。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239289A JP2689274B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 電気アルミニウムめっき浴 |
| US07/540,286 US5074973A (en) | 1989-05-23 | 1990-06-18 | Non-aqueous electrolytic aluminum plating bath composition |
| EP90111899A EP0404188B1 (en) | 1989-06-23 | 1990-06-22 | Non-aqueous electrolytic aluminum plating bath composition |
| DE69007345T DE69007345T2 (de) | 1989-06-23 | 1990-06-22 | Nichtwässeriges Galvanisierbad zur Abscheidung von Aluminium. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239289A JP2689274B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 電気アルミニウムめっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328391A true JPH0328391A (ja) | 1991-02-06 |
| JP2689274B2 JP2689274B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=15753712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16239289A Expired - Fee Related JP2689274B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-06-23 | 電気アルミニウムめっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689274B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014038389A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | 住友電気工業株式会社 | アルミニウム膜の製造方法 |
| WO2014136235A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 株式会社日立製作所 | 基材上へのアルミナイド皮膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16239289A patent/JP2689274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014038389A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | 住友電気工業株式会社 | アルミニウム膜の製造方法 |
| CN104619890A (zh) * | 2012-09-10 | 2015-05-13 | 住友电气工业株式会社 | 铝膜的制造方法 |
| JPWO2014038389A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2016-08-08 | 住友電気工業株式会社 | アルミニウム膜の製造方法 |
| US9758887B2 (en) | 2012-09-10 | 2017-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing aluminum film |
| WO2014136235A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 株式会社日立製作所 | 基材上へのアルミナイド皮膜の形成方法 |
| JP6050888B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2016-12-21 | 株式会社日立製作所 | 基材上へのアルミナイド皮膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2689274B2 (ja) | 1997-12-10 |
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