JPH032844A - 集積型半導体光源 - Google Patents
集積型半導体光源Info
- Publication number
- JPH032844A JPH032844A JP13871589A JP13871589A JPH032844A JP H032844 A JPH032844 A JP H032844A JP 13871589 A JP13871589 A JP 13871589A JP 13871589 A JP13871589 A JP 13871589A JP H032844 A JPH032844 A JP H032844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguide
- optical
- depletion layer
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 66
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HBCLZMGPTDXADD-UHFFFAOYSA-N C[Zn](C)C Chemical compound C[Zn](C)C HBCLZMGPTDXADD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光集積回路又は光電子集積回路分野に適用可
能である化合物半導体より成る集積型波長可変光源に関
する。
能である化合物半導体より成る集積型波長可変光源に関
する。
［従来の技術］
従来より、し〜ザ光を非線型光学結晶に導入、非線型光
学効果により、光パラメトリツク励振により、レーザ光
波長を他の波長に変換する試みが為され１例えば、テキ
ストｒオプチカル・エレクトロニクスＩ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ ［著者ヤリフ
（Ａｍｎｏｎ Ｙａｒｉｖ ｌ ］ ［出版社：ホル
トサングースジャバン （Ｈｏ１ｔ ５ａｎｄｅｒｓ
Ｊａｐａｎ ） ］ （第３版）中、Ｐ２５２〜２６
３の記載等に見られる考案があり、また、ＹＡＧレーザ
とニオブ酸リチウム単結晶を組合せた構成による分析装
置用光源が実用されている。
学効果により、光パラメトリツク励振により、レーザ光
波長を他の波長に変換する試みが為され１例えば、テキ
ストｒオプチカル・エレクトロニクスＩ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ ［著者ヤリフ
（Ａｍｎｏｎ Ｙａｒｉｖ ｌ ］ ［出版社：ホル
トサングースジャバン （Ｈｏ１ｔ ５ａｎｄｅｒｓ
Ｊａｐａｎ ） ］ （第３版）中、Ｐ２５２〜２６
３の記載等に見られる考案があり、また、ＹＡＧレーザ
とニオブ酸リチウム単結晶を組合せた構成による分析装
置用光源が実用されている。
第２図に、概略の構成図を示す、Ａ１分はレーザ発振部
、Ｂ部分は光パラメトリツク励振部を示す。
、Ｂ部分は光パラメトリツク励振部を示す。
［発明が解決しようとする課題１
然しながら、前記の複数の個別素子を組合せて構成され
るシステムは、以下の課題がある。
るシステムは、以下の課題がある。
１、各素子がモジュール化されているので、光電子集積
回路の構成素子とはならない。
回路の構成素子とはならない。
２、極めて高品質な単結晶を必要とするため、結晶育成
、結晶研磨加工、組立て等のコストが高し）。
、結晶研磨加工、組立て等のコストが高し）。
３．光学系としての光軸合せも難しい。
４、従って、エネルギー変化効率が低い。
本発明の目的は、かかる課題を解決して、ブレーナ集積
可能なるデバイスを提供することにある。
可能なるデバイスを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前記課題解決のため、以下の手段を具備する
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
ｌ、光パラメトリツク励振用結晶は化合物半導体結晶で
ある。
ある。
２、半導体レーザな光源とする。
３、前記化合物半導体は、半導体レーザと共通の基板上
に、エピタキシアル成長により形成する。
に、エピタキシアル成長により形成する。
４、光パラメトリツク励振部は、光導波路を形成し且つ
、レーザ発振部光導波路と光学的に結する。
、レーザ発振部光導波路と光学的に結する。
５、複数のレーザ発振光を導波路により、前記パラメト
リック励振用光導波路に誘導、導入し、該パラメトリッ
ク励振用光導波路内のレーザ光強度を極限まで高める。
リック励振用光導波路に誘導、導入し、該パラメトリッ
ク励振用光導波路内のレーザ光強度を極限まで高める。
〔実 施 例１
以下に、本発明の一実施例を説明する。第１図の如く、
本発明の基本的な考λ方は、複数の半導体レーザ光源１
を導波路２により、化合物半導体非線型光学結晶より成
る光導波路３に誘導し、該光導波路内のレーザ光強度を
著しく高めることにより、極めて高効率にパラメトリッ
ク発振を起させ、該光導波路の端面４より、波長変換さ
れたパラメトリック［ｉｉＪ］振光をとり出すもので、
且つ、前記各素子部分を、化合物半導体基板５上に、Ｍ
ＯＣＶＤ法により形成せんとするものである。
本発明の基本的な考λ方は、複数の半導体レーザ光源１
を導波路２により、化合物半導体非線型光学結晶より成
る光導波路３に誘導し、該光導波路内のレーザ光強度を
著しく高めることにより、極めて高効率にパラメトリッ
ク発振を起させ、該光導波路の端面４より、波長変換さ
れたパラメトリック［ｉｉＪ］振光をとり出すもので、
且つ、前記各素子部分を、化合物半導体基板５上に、Ｍ
ＯＣＶＤ法により形成せんとするものである。
レーザ光の角周波ＵＷ、、パラメトリック発振光の角周
波数Ｗ、、Ｗ、の関係は、位相整合条件Ｗ３ ＝Ｗｌ
＋Ｗ２ の関係が成立する如くに発振する。ＷＩ及びＷ２の制御
のため、該パラメトリック発振光導波路３の両側に近接
して、光結合される如くに、他の導波路６を配置する。
波数Ｗ、、Ｗ、の関係は、位相整合条件Ｗ３ ＝Ｗｌ
＋Ｗ２ の関係が成立する如くに発振する。ＷＩ及びＷ２の制御
のため、該パラメトリック発振光導波路３の両側に近接
して、光結合される如くに、他の導波路６を配置する。
該光導波路６は、角周波数Ｗ２光を導波する如くに形成
される。かつ又、光導波路３内に発振された角周波数Ｗ
２光波のエネルギーが、方向性結合器の効果により、は
ぼ全部該光導波路６に伝播される長さに形成する。従っ
て、光導波路３の端面近傍では、励起レーザ光と角周波
数Ｗ１のパラメトリック発振光のみとなる。従って、Ｄ
ＢＲ回折格子７により、励起レーザ光１のみを反射させ
ることにより、端面４から角周波数Ｗ、のパラメトリッ
ク発振光がとり出される。眩光は角周波数Ｗ２で導波さ
れた位相のそろった光波である。
される。かつ又、光導波路３内に発振された角周波数Ｗ
２光波のエネルギーが、方向性結合器の効果により、は
ぼ全部該光導波路６に伝播される長さに形成する。従っ
て、光導波路３の端面近傍では、励起レーザ光と角周波
数Ｗ１のパラメトリック発振光のみとなる。従って、Ｄ
ＢＲ回折格子７により、励起レーザ光１のみを反射させ
ることにより、端面４から角周波数Ｗ、のパラメトリッ
ク発振光がとり出される。眩光は角周波数Ｗ２で導波さ
れた位相のそろった光波である。
本発明は、角周波数ＷＩが外部よりコントロルできて、
連続可変であることが重要な効果である。２の目的のた
めに、導波路６の構成は以下の如（である、導波波長は
、之に、有効屈折率と導波路厚みで制御できる。このた
めに、化合物半導体空乏層を、前記光導波路として利用
する。即ち、空乏層の電気光学効果と厚みを制御するこ
とである。ｎ型半導体表面層のショットキー空乏層を形
成する。先導波６は、化合半導体例えば、ｎ型Ｚ。Ｓ／
ＺｎＳ、超格子膜で形成する。該光導波６の表面に、シ
ョットキバリアー金属膜８を電極として形成する。光導
波路３も同様の構成とする。導波路３と６は、各々独立
に駆動する。導波路３の導波波長を適合させるためであ
る。即ち、各々の電極に印加する電圧の大きさにより、
空乏層の深さが増減でき、空乏層の厚みが即ち導波路の
厚みとなる。同時に、空乏層内電界の効果として非線光
学効果により、該空乏層の有効屈折率が変化する６両者
の相加的効果により、導波路波長を匍目卸する。
連続可変であることが重要な効果である。２の目的のた
めに、導波路６の構成は以下の如（である、導波波長は
、之に、有効屈折率と導波路厚みで制御できる。このた
めに、化合物半導体空乏層を、前記光導波路として利用
する。即ち、空乏層の電気光学効果と厚みを制御するこ
とである。ｎ型半導体表面層のショットキー空乏層を形
成する。先導波６は、化合半導体例えば、ｎ型Ｚ。Ｓ／
ＺｎＳ、超格子膜で形成する。該光導波６の表面に、シ
ョットキバリアー金属膜８を電極として形成する。光導
波路３も同様の構成とする。導波路３と６は、各々独立
に駆動する。導波路３の導波波長を適合させるためであ
る。即ち、各々の電極に印加する電圧の大きさにより、
空乏層の深さが増減でき、空乏層の厚みが即ち導波路の
厚みとなる。同時に、空乏層内電界の効果として非線光
学効果により、該空乏層の有効屈折率が変化する６両者
の相加的効果により、導波路波長を匍目卸する。
パラメトリック発振光Ｗ、、Ｗ、の中、利用するのはＷ
Ｉ光であり、従って、Ｗ２光は、光導波路３の一端面反
射面を第１図の如く、全反射条件を満たす範囲で光進行
方向に対して斜めに形成し、光進行方向を偏向させ、Ｗ
１光と光進行方向を分離する。
Ｉ光であり、従って、Ｗ２光は、光導波路３の一端面反
射面を第１図の如く、全反射条件を満たす範囲で光進行
方向に対して斜めに形成し、光進行方向を偏向させ、Ｗ
１光と光進行方向を分離する。
ここで、該構造の製造方法について述べる。まず、レー
ザ発振部分１．２を形成する。ｎ型ＧａＡｓ基板上５に
、ｎ型ＧａＡｓバッファー層を積む、順次、ｎ−ＧａＡ
ｓ、ｎＡｆｆｘＧａ＋−ｘ Ａｓ（ｘ＝０． １）、
ＰＡｌｌｘＧａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ＝０．１）、
Ｐ−ＧａＡｓ、とＭＯＣＶＤ法によりエピタキシアル成
長して積層する。ｎ−ＧａＡｓ層がレーザ発振活性層で
ある０次に、レーザ共振器部分１．２を残して両端をエ
ツチング除去して、バッファー層５表面まで除去する０
次に、光導波路部分３．６以外の表面をＳ ｉ Ｏ＊膜
でコートする０次に、該光導波路部分に、クラッド層と
してのＺ ｎ Ｓ ｘ Ｓ ｅ ｌ−ＸをＭＯＣＶＤ法
による選択的エピタキシャル成長により形成する。引き
つづいて、光導波路層３．６としてのＺ ｎ Ｓ ｅ
／ ＺｎＳ超格子膜であるｎ型積層膜の層を同様に選択
的エピタキシャル成長により形成する。か（の如くに、
３つの光導波路層が同一平面上に隣接して、形成される
。
ザ発振部分１．２を形成する。ｎ型ＧａＡｓ基板上５に
、ｎ型ＧａＡｓバッファー層を積む、順次、ｎ−ＧａＡ
ｓ、ｎＡｆｆｘＧａ＋−ｘ Ａｓ（ｘ＝０． １）、
ＰＡｌｌｘＧａ＋−ｘ Ａｓ （ｘ＝０．１）、
Ｐ−ＧａＡｓ、とＭＯＣＶＤ法によりエピタキシアル成
長して積層する。ｎ−ＧａＡｓ層がレーザ発振活性層で
ある０次に、レーザ共振器部分１．２を残して両端をエ
ツチング除去して、バッファー層５表面まで除去する０
次に、光導波路部分３．６以外の表面をＳ ｉ Ｏ＊膜
でコートする０次に、該光導波路部分に、クラッド層と
してのＺ ｎ Ｓ ｘ Ｓ ｅ ｌ−ＸをＭＯＣＶＤ法
による選択的エピタキシャル成長により形成する。引き
つづいて、光導波路層３．６としてのＺ ｎ Ｓ ｅ
／ ＺｎＳ超格子膜であるｎ型積層膜の層を同様に選択
的エピタキシャル成長により形成する。か（の如くに、
３つの光導波路層が同一平面上に隣接して、形成される
。
該ＭＯＣＶＤエピタキシアル成長条件の概略は次のとお
りである。
りである。
ｆｉｌ レーザ共振器部分
原料ガス：トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム、アルシン 基板温度＝７６０°〜８２０℃ 圧 カニ ７００〜７９０Ｔｏｒｒ成長速度：
０．０７〜０．０８Ｂｍ／ｍｉ ｎ（２）光導波路部分
（Ｚｎ５ｘＳｅ ＋ −Ｘ及び２ ｎ Ｓ ／ ２ ｎ
Ｓ ｅ ｆＲ引 原料ガス：トリメチル亜鉛、硫化水素、セレン化水素 基板温度：２５０”〜３５０℃ 圧 カニ１ＯＯＴｏｒｒ以下 成長速度： ０．０５〜０．０７ｕｍ／ｍｉ ｎ次に、
電極８．１１を蒸着法により設置する。
ム、アルシン 基板温度＝７６０°〜８２０℃ 圧 カニ ７００〜７９０Ｔｏｒｒ成長速度：
０．０７〜０．０８Ｂｍ／ｍｉ ｎ（２）光導波路部分
（Ｚｎ５ｘＳｅ ＋ −Ｘ及び２ ｎ Ｓ ／ ２ ｎ
Ｓ ｅ ｆＲ引 原料ガス：トリメチル亜鉛、硫化水素、セレン化水素 基板温度：２５０”〜３５０℃ 圧 カニ１ＯＯＴｏｒｒ以下 成長速度： ０．０５〜０．０７ｕｍ／ｍｉ ｎ次に、
電極８．１１を蒸着法により設置する。
各々配線９、ｌＯにより電圧を印する。１２はレーザ駆
動用電源であり、９、ｌＯは、各々の光導波路の有効屈
折率調整のための電源である。光共振器を形成するため
の反射用回折格子７は、できる限りの高反射率とする。
動用電源であり、９、ｌＯは、各々の光導波路の有効屈
折率調整のための電源である。光共振器を形成するため
の反射用回折格子７は、できる限りの高反射率とする。
レーザ共振器の片側端面１３表面に例えば金を蒸着して
、レーザ光をほぼ１００％反射させて、レーザ光を閉じ
込める。
、レーザ光をほぼ１００％反射させて、レーザ光を閉じ
込める。
前述の如く、変換される波長の選択は、３つの光導波路
層に対して、電極を介して電界を印加することにより実
現される。即わち空乏層厚みの差及び、電界強度差によ
り設定される。さらに、光量の変換効率は、併行してい
る光共振蓋部分３．６の長さ即わち、共振器長さに大き
く依存する０本実施例では、数ｍｍの前後を試行＃ｌ１
１Ｍしている。
層に対して、電極を介して電界を印加することにより実
現される。即わち空乏層厚みの差及び、電界強度差によ
り設定される。さらに、光量の変換効率は、併行してい
る光共振蓋部分３．６の長さ即わち、共振器長さに大き
く依存する０本実施例では、数ｍｍの前後を試行＃ｌ１
１Ｍしている。
また、レーザー発振波長は、組成ＡｘＧａ＋−ｍＡＳに
おいて、Ｘの値を変動させることにより可能であり、さ
らに、Ｇａ Ｉ ｎＡｓＰ系ＡｆｆＧａ Ｉ ｎＰ系等
の組成系にも充分適用可能である。光出力の一例として
は半導体レーザ波長８３０ｎｍレーザ出力５０ｍＷで、
波長可変１１１３０〜５３０ｎｍ、光出力０．１〜１ｍ
Ｗである。
おいて、Ｘの値を変動させることにより可能であり、さ
らに、Ｇａ Ｉ ｎＡｓＰ系ＡｆｆＧａ Ｉ ｎＰ系等
の組成系にも充分適用可能である。光出力の一例として
は半導体レーザ波長８３０ｎｍレーザ出力５０ｍＷで、
波長可変１１１３０〜５３０ｎｍ、光出力０．１〜１ｍ
Ｗである。
本実施例では、光導波路６として両側に、２本を配置し
ているが、いづれ一方のみでも可能である。しかし、２
本の場合が、波長制御精度及び波長変換効率が高い。
ているが、いづれ一方のみでも可能である。しかし、２
本の場合が、波長制御精度及び波長変換効率が高い。
［発明の効果〕
以上述べた如くに、本発明は以下の効果を有する。
１、極めてコンパクトであり、従来のＩＣチップと同等
に扱える。
に扱える。
２、光電子集積回路の一構成素子としてプレーナ集積が
可能である。
可能である。
３、良質大型の非線光学結晶を必要としない。
４、光波長変換用薄膜結晶が、ＭＯＣＶＤエビクキシャ
ル成長により完全性の高い品質が確保でき、高変換効率
が得られる。
ル成長により完全性の高い品質が確保でき、高変換効率
が得られる。
５、光導波路により、他種の光導波路デバイスと共面的
に結合できる有用な波長可変光源である。
に結合できる有用な波長可変光源である。
６、複数の半導体レーザ光を、導波路により、単一の光
パラメトリツク発振光導波路に導入することにより、レ
ーザ光強度が確保され、極めて高効率のパラメトリック
′発振ができる。
パラメトリツク発振光導波路に導入することにより、レ
ーザ光強度が確保され、極めて高効率のパラメトリック
′発振ができる。
７、半導体空乏層を光導波路に採用するため、外部電源
による可変厚み導波路が形成できる。
による可変厚み導波路が形成できる。
即ち、導波波長が可変である。
８、可視短波長光で、かつ、波長可変である。
以上の如くに、短波長の半導体レーザ光源が実現できな
い現状において、本発明は超小型光源として、きわめて
広汎に有用なる効果をもたらし、高出力化の故に、レー
ザプリンティング用及び光６ｎ気記録システム用光源と
して、特に有効である。
い現状において、本発明は超小型光源として、きわめて
広汎に有用なる効果をもたらし、高出力化の故に、レー
ザプリンティング用及び光６ｎ気記録システム用光源と
して、特に有効である。
第１図は、本発明光源の概略を示す平面構造図。第２図
は、従来の典型的な光パラメトリツク励振方法を示す概
略の構成図。 ・レーザ光（励起光源） ・レーザ光導波路 ・非線型光学材料光導波路 ・へき閉された端面 ・ＧａＡｓバッファー層表面 ・光導波路 ・ＤＢＲ回折格子 ・ショットキバリア電極 ・ ・バイアス電）原 ・・バイアス電源 １１ ・ ・ ・ ・ ・ １２ ・ ・ ・ ・ ・ １３ ・ ・ ・ ・ ・ ２０１、２０３ ２０２ ・ ・ ・ ・ ・ ２０４ ・ ・ ・ ・ ・ ２０５、 ２０７ ・ ２０６ ・ ・ ・ ・ ・ ・オーミック電源 ・レーザ駆動電源 ・光反射端面 ・反射鏡 レーザ結晶 ・レンズ ・反射鏡 ・非線型光学結晶 以 出願人 セイコーエプソン株式会社
は、従来の典型的な光パラメトリツク励振方法を示す概
略の構成図。 ・レーザ光（励起光源） ・レーザ光導波路 ・非線型光学材料光導波路 ・へき閉された端面 ・ＧａＡｓバッファー層表面 ・光導波路 ・ＤＢＲ回折格子 ・ショットキバリア電極 ・ ・バイアス電）原 ・・バイアス電源 １１ ・ ・ ・ ・ ・ １２ ・ ・ ・ ・ ・ １３ ・ ・ ・ ・ ・ ２０１、２０３ ２０２ ・ ・ ・ ・ ・ ２０４ ・ ・ ・ ・ ・ ２０５、 ２０７ ・ ２０６ ・ ・ ・ ・ ・ ・オーミック電源 ・レーザ駆動電源 ・光反射端面 ・反射鏡 レーザ結晶 ・レンズ ・反射鏡 ・非線型光学結晶 以 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体レーザ光導波路、光パラメトリック発振用光導波
路及び他の導波路を同一平面上に配置すること、前記光
導波路を近接して配置すること及び前記光導波路中後二
者の表面に、該導波路内へ電界を付与する金属薄膜を配
置することを含んで成る集積型半導体光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13871589A JPH032844A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 集積型半導体光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13871589A JPH032844A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 集積型半導体光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032844A true JPH032844A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15228439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13871589A Pending JPH032844A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 集積型半導体光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH032844A (ja) |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP13871589A patent/JPH032844A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kaur et al. | Hybrid and heterogeneous photonic integration | |
| US5434700A (en) | All-optical wavelength converter | |
| US5818983A (en) | Optical integrated circuit, optical circuit waveguide device and process for oriented, selective growth and formation of organic film | |
| WO2004025358A1 (ja) | 光変調器 | |
| US4286232A (en) | Laser with distributed reflector | |
| EP0383943A1 (en) | Light emitting device and method of producing the same | |
| US5158823A (en) | Second harmonic wave generating device | |
| WO2021111525A1 (ja) | 光学素子及びその製造方法 | |
| Hinkov et al. | Collinear acoustical TM-TE mode conversion in proton exchanged Ti: LiNbO/sub 3/waveguide structures | |
| US6273949B1 (en) | Method for fabricating orientation-patterned gallium arsenide seeding structures | |
| US3916510A (en) | Method for fabricating high efficiency semi-planar electro-optic modulators | |
| JPH032844A (ja) | 集積型半導体光源 | |
| JPH02285691A (ja) | 集積型半導体光源 | |
| JP2010197802A (ja) | 第二高調波発生素子及びその製造方法 | |
| JPH02285692A (ja) | 半導体光源の製造方法 | |
| Laybourn et al. | Integrated optics: a tutorial review | |
| JPH05291684A (ja) | 半導体装置 | |
| US20240337898A1 (en) | Wavelength conversion device and wavelength conversion system | |
| JP2833391B2 (ja) | 波長変換素子および複数波長光源装置 | |
| JPH0353225A (ja) | 半導体光変調器 | |
| JP2899345B2 (ja) | 光学装置 | |
| JPH036081A (ja) | 半導体光源 | |
| JPH03213832A (ja) | 第２高調波発生素子とその製造方法 | |
| JPH036080A (ja) | 半導体光源 | |
| JPH036077A (ja) | 半導体光源 |