JPH03284866A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH03284866A JPH03284866A JP2086136A JP8613690A JPH03284866A JP H03284866 A JPH03284866 A JP H03284866A JP 2086136 A JP2086136 A JP 2086136A JP 8613690 A JP8613690 A JP 8613690A JP H03284866 A JPH03284866 A JP H03284866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- die pad
- semiconductor device
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
表面に搭載した半導体チップとともに樹脂により被覆さ
れるダイバンドを有するリードフレームに関し、 樹脂との間の熱抵抗を小さくすることのできるリードフ
レームの提供を目的とし、 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレーム、特に樹脂との間の熱抵抗を
小さくすることのできるリードフレームに関する。
れるダイバンドを有するリードフレームに関し、 樹脂との間の熱抵抗を小さくすることのできるリードフ
レームの提供を目的とし、 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレーム、特に樹脂との間の熱抵抗を
小さくすることのできるリードフレームに関する。
搭載した半導体チップとともにリードフレームのダイパ
ッドとを樹脂により被覆して構成した樹脂封止型半導体
装置（以下、半導体装置と呼称）では、半導体装置をプ
リント基板にはんだ付け、特に半導体装置をペースト状
のはんだで仮付けした状態のプリント基板をコンヘヤ式
の加熱炉内を通過させてはんだ付け（リフロ一方式のは
んだ付け）する際の熱により樹脂との密着性を低下させ
ないようなリードフレームが要求されている。
ッドとを樹脂により被覆して構成した樹脂封止型半導体
装置（以下、半導体装置と呼称）では、半導体装置をプ
リント基板にはんだ付け、特に半導体装置をペースト状
のはんだで仮付けした状態のプリント基板をコンヘヤ式
の加熱炉内を通過させてはんだ付け（リフロ一方式のは
んだ付け）する際の熱により樹脂との密着性を低下させ
ないようなリードフレームが要求されている。
次に、従来のリードフレームについて図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第２図は、従来のリードフレームを説明するための図で
、同図（ａ）はリードフレームの要部平面図、同図（ｂ
）はリードフレームのＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）は従
来のリードフレームを使用した半導体装置の断面図であ
る。
、同図（ａ）はリードフレームの要部平面図、同図（ｂ
）はリードフレームのＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）は従
来のリードフレームを使用した半導体装置の断面図であ
る。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。
付与しである。
即ち、従来のリードフレームは、同図（ａ）及び同図（
ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド２１の
一部を開口して形成したスリット２２を設けて構成して
いた。
ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド２１の
一部を開口して形成したスリット２２を設けて構成して
いた。
ところが、従来のリードフレームを使用した第２図の（
ｃ）図の半導体装置は、ダイパッド２１と樹脂１３との
密着性を良（するために当該ダイパッド２１にスリット
２２を設けていた。
ｃ）図の半導体装置は、ダイパッド２１と樹脂１３との
密着性を良（するために当該ダイパッド２１にスリット
２２を設けていた。
このようなスリット２２をダイパッド２１に設けること
により、ダイパッド２１と樹脂１３との密着性は良くな
るものの、ダイパッド２１と樹脂１３との接触面積が小
さくなってダイパッド２１と樹脂１３間の熱抵抗が大き
くなることが避けられなかった。
により、ダイパッド２１と樹脂１３との密着性は良くな
るものの、ダイパッド２１と樹脂１３との接触面積が小
さくなってダイパッド２１と樹脂１３間の熱抵抗が大き
くなることが避けられなかった。
従って、このような半導体装置を使用すると、半導体チ
ップ１０自身の発熱により該半導体チップ１０の温度が
上昇し、半導体装置の電気的特性値を悪化させたり、ま
た半導体装置の信頼度を低下させるという問題があった
。
ップ１０自身の発熱により該半導体チップ１０の温度が
上昇し、半導体装置の電気的特性値を悪化させたり、ま
た半導体装置の信頼度を低下させるという問題があった
。
本発明は、このような問題を解決するためになされたも
ので、その目的はダイパッドと樹脂間の熱抵抗を小さく
することのできる半導体装置の提供にある。
ので、その目的はダイパッドと樹脂間の熱抵抗を小さく
することのできる半導体装置の提供にある。
なお、図において、１４は半導体装ツブ１０のボンディ
ングパソド（図示せず）とリードフレームの外部リード
２３とを電気的に接続する金線である。
ングパソド（図示せず）とリードフレームの外部リード
２３とを電気的に接続する金線である。
前記目的は、第１図に示す如く表面に搭載した半導体チ
ップ１０とともに樹脂１３により被覆されるダイパッド
１１を有するリードフレームにおいて、ダイパッド１１
に切り込み部を設け、該切り込み部を裏面側に凸状にな
るように形成した切り起こし１２を設けたことを特徴と
するリードフレームにより達成される。
ップ１０とともに樹脂１３により被覆されるダイパッド
１１を有するリードフレームにおいて、ダイパッド１１
に切り込み部を設け、該切り込み部を裏面側に凸状にな
るように形成した切り起こし１２を設けたことを特徴と
するリードフレームにより達成される。
本発明のリードフレームは、ダイパッド１１の裏面側、
すなわち半導体チップ１０を搭載する表面と反対側に切
り起こし１２を設けている。
すなわち半導体チップ１０を搭載する表面と反対側に切
り起こし１２を設けている。
従って、リードフレームの切り起こし１２は、樹脂１３
に食い込むようにして樹脂１３と密着し、また切り起こ
し１２を切り起こした際にダイパッド１１に形成される
開口は、樹脂１３を入り込ませるようにして樹脂１３と
密着する。
に食い込むようにして樹脂１３と密着し、また切り起こ
し１２を切り起こした際にダイパッド１１に形成される
開口は、樹脂１３を入り込ませるようにして樹脂１３と
密着する。
斯クシて、本発明のリードフレームは、ダイパッド１１
と樹脂１３との密着性を向上させるとともに、ダイパッ
ド１１と樹脂１３間との密着面積を低下することがない
ために、ダイバンド１１と樹脂１３間の熱抵抗も大きく
することはない。
と樹脂１３との密着性を向上させるとともに、ダイパッ
ド１１と樹脂１３間との密着面積を低下することがない
ために、ダイバンド１１と樹脂１３間の熱抵抗も大きく
することはない。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例のリードフレームを説明す
るための図であって、同図（ａ）はリードフレームの要
部平面図、同図（ｂ）はリードフレームのＢ−Ｂ線断面
図、同図（ｃ）はリードフレームのＣ−Ｃ線断面図、同
図（ｄ）は本発明の一実施例のリードフレームを使用し
た半導体装置の断面図である。
るための図であって、同図（ａ）はリードフレームの要
部平面図、同図（ｂ）はリードフレームのＢ−Ｂ線断面
図、同図（ｃ）はリードフレームのＣ−Ｃ線断面図、同
図（ｄ）は本発明の一実施例のリードフレームを使用し
た半導体装置の断面図である。
すなわち、本発明の一実施例のリードフレームは、同図
（ａ）、同図（ｂ）及び同図（ｃ）に示すようにリード
フレームのダイパッド１１の一部を“コ”の状に切り込
んだ後に、“コ”の状に切断した部分の未切断部分をほ
ぼ直角にダイパッド１１の裏面側に屈曲させた“切り起
こし１２”を複数設けて構成したものである。
（ａ）、同図（ｂ）及び同図（ｃ）に示すようにリード
フレームのダイパッド１１の一部を“コ”の状に切り込
んだ後に、“コ”の状に切断した部分の未切断部分をほ
ぼ直角にダイパッド１１の裏面側に屈曲させた“切り起
こし１２”を複数設けて構成したものである。
この切り起こし１２は、フープ状の金属板、例えば燐青
銅板を抜き金型によりリードフレームを製造する際に同
時に形成したものである。
銅板を抜き金型によりリードフレームを製造する際に同
時に形成したものである。
そして、この切り起こし１２は、ダイパッド１１の裏面
に対して垂直方向の長さが５００μｍ、またダイパッド
１１の裏面と平行方向の幅が５００μｍとなるように構
成したものである。
に対して垂直方向の長さが５００μｍ、またダイパッド
１１の裏面と平行方向の幅が５００μｍとなるように構
成したものである。
斯くして、モールド成型をして表面に搭載した半導体チ
ップ１０とともにダイパッド１１を樹脂１３により被覆
すると、リードフレームの切り起こし１２は樹脂１３に
食い込むようにして樹脂１３と密着し、また切り起こし
１２を切り起こした際にダイパッド１１に形成される開
口は、樹脂１３を入り込ませるようにして樹脂１３と密
着することとなる。
ップ１０とともにダイパッド１１を樹脂１３により被覆
すると、リードフレームの切り起こし１２は樹脂１３に
食い込むようにして樹脂１３と密着し、また切り起こし
１２を切り起こした際にダイパッド１１に形成される開
口は、樹脂１３を入り込ませるようにして樹脂１３と密
着することとなる。
従って、本発明のリードフレームは、ダイパッド１１と
樹脂１３との密着性を向上させるとともに、ダイパッド
１１と樹脂１３間の熱抵抗も大きく下げることとなる。
樹脂１３との密着性を向上させるとともに、ダイパッド
１１と樹脂１３間の熱抵抗も大きく下げることとなる。
この結果、本発明のリードフレームを採用した同図（ｄ
）に示す半導体装置においては、使用時に半導体チップ
１０自身の発熱により該半導体チップ１０の温度が上昇
しないため、半導体装置の電気的特性値のシフトが発生
することもなく、また半導体装置の信顛度も向上するこ
ととなる。
）に示す半導体装置においては、使用時に半導体チップ
１０自身の発熱により該半導体チップ１０の温度が上昇
しないため、半導体装置の電気的特性値のシフトが発生
することもなく、また半導体装置の信顛度も向上するこ
ととなる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、樹脂と
密着性も良く、且つ樹脂との間の熱抵抗を小さくするこ
とのできるリードフレームを提供することが可能となる
。
密着性も良く、且つ樹脂との間の熱抵抗を小さくするこ
とのできるリードフレームを提供することが可能となる
。
従って、本発明のリードフレームを採用した半導体装置
においては、使用時に半導体チップの温度も少なくなる
ために、半導体装置の電気的特性値のシフトが発生する
こともなく、また半導体装置の信転度も向上することと
なる。
においては、使用時に半導体チップの温度も少なくなる
ために、半導体装置の電気的特性値のシフトが発生する
こともなく、また半導体装置の信転度も向上することと
なる。
第１図は、本発明の一実施例のリードフレームを説明す
るための図、 第２図は、従来のリードフレームを説明するための図で
ある。 図において、 １０は半導体チップ、 １１はダイパッド、 １２は切り起こし、 １３は樹脂、 １４は金線をそれぞれ示す。 ＋ｂ＋ ソーＬ゛フ（−乙ｔｙ＋Ｂ−ＢＩＡ１ｆｄわ図
（Ｃ） ソーＶ’ｎ−１，ｐ Ｃ−Ｃｇａケｉυ必ｔｃ
ｈオ禍≦ｇＦ１ｒ−ＩＣ；１ｌＪｔｐ＋９−にワＬ−Ｌ
ｅｆＰ吊ｔｒ、４導＃ＩＣｆｆ、ｌｆｆｎｍシト発明め
一突オ酸例バリードアし４をｔえ８斤Ｔメリｑｆｊり第
１図
るための図、 第２図は、従来のリードフレームを説明するための図で
ある。 図において、 １０は半導体チップ、 １１はダイパッド、 １２は切り起こし、 １３は樹脂、 １４は金線をそれぞれ示す。 ＋ｂ＋ ソーＬ゛フ（−乙ｔｙ＋Ｂ−ＢＩＡ１ｆｄわ図
（Ｃ） ソーＶ’ｎ−１，ｐ Ｃ−Ｃｇａケｉυ必ｔｃ
ｈオ禍≦ｇＦ１ｒ−ＩＣ；１ｌＪｔｐ＋９−にワＬ−Ｌ
ｅｆＰ吊ｔｒ、４導＃ＩＣｆｆ、ｌｆｆｎｍシト発明め
一突オ酸例バリードアし４をｔえ８斤Ｔメリｑｆｊり第
１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に搭載した半導体チップ（１０）とともに樹脂（
１３）により被覆されるダイパッド（１１）を有するリ
ードフレームにおいて、 前記ダイパッド（１１）に切り込み部を設け、該切り込
み部を裏面側に凸状になるように形成した切り起こし（
１２）を設けたことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086136A JPH03284866A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086136A JPH03284866A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284866A true JPH03284866A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13878304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086136A Pending JPH03284866A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03284866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134604A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2086136A patent/JPH03284866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134604A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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