JPH03285355A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH03285355A JPH03285355A JP2087954A JP8795490A JPH03285355A JP H03285355 A JPH03285355 A JP H03285355A JP 2087954 A JP2087954 A JP 2087954A JP 8795490 A JP8795490 A JP 8795490A JP H03285355 A JPH03285355 A JP H03285355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type region
- photodiode
- type
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、埋め込みフォトダイオード部を有する固体撮
像素子およびその製造方法に関する。
像素子およびその製造方法に関する。
従来の技術
ビデオカメラや電子カメラなどの撮像素子として、フォ
トダイオードとＣＣＤを組み合わせて形成したＣＣＤ撮
像素子が多用されている。充電変換部であるフォトダイ
オードは、シリコン基板表面の界面準位や結晶欠陥など
からの暗電流を減少させるために、フォトダイオード表
面に空乏層が到達しないように高濃度のｎ型領域を形成
している。通常、この構造のフォトダイオードを埋め込
みフォトダイオードと呼び、暗電流の少ないクリアーな
画像が得られるために、多くの固体撮像素子に採用され
ている。
トダイオードとＣＣＤを組み合わせて形成したＣＣＤ撮
像素子が多用されている。充電変換部であるフォトダイ
オードは、シリコン基板表面の界面準位や結晶欠陥など
からの暗電流を減少させるために、フォトダイオード表
面に空乏層が到達しないように高濃度のｎ型領域を形成
している。通常、この構造のフォトダイオードを埋め込
みフォトダイオードと呼び、暗電流の少ないクリアーな
画像が得られるために、多くの固体撮像素子に採用され
ている。
以下、その構成について第２図（ａ）〜（Ｃ）を参照し
ながら説明する。同図（ａ）に示すように、まずＤ型シ
リコン基板１１上にｐ型ウェル領域１２を形成した後、
フォトダイオード部となるｎ型領域１３を形成する。
ながら説明する。同図（ａ）に示すように、まずＤ型シ
リコン基板１１上にｐ型ウェル領域１２を形成した後、
フォトダイオード部となるｎ型領域１３を形成する。
つぎにスミア対策としてｎ型領域１４ＣＣ０部としてｎ
型領域１５、ＣＣＤ部およびフォトダイオード部等の各
素子間を電気的に分離するための素子分離領域１６を形
成する。その後、ゲート酸化膜１７．ゲート電極１８を
形成した後、同図（ｂ）に示すように全面に絶縁膜１９
を被覆し、その後同図（Ｃ）に示すようにフォトダイオ
ード部の表面に空乏層が到達しないように高濃度のｎ型
領域２０を形成している。
型領域１５、ＣＣＤ部およびフォトダイオード部等の各
素子間を電気的に分離するための素子分離領域１６を形
成する。その後、ゲート酸化膜１７．ゲート電極１８を
形成した後、同図（ｂ）に示すように全面に絶縁膜１９
を被覆し、その後同図（Ｃ）に示すようにフォトダイオ
ード部の表面に空乏層が到達しないように高濃度のｎ型
領域２０を形成している。
このように、フォトダイオード部の電荷（電子）蓄積領
域であるｎ型領域１３の内、ゲート電極１８で覆われて
いない領域全面をイオン注入法で周囲のゲート電極１８
をマスクとしてセルファラインでｐ型不純物をドープし
ている。
域であるｎ型領域１３の内、ゲート電極１８で覆われて
いない領域全面をイオン注入法で周囲のゲート電極１８
をマスクとしてセルファラインでｐ型不純物をドープし
ている。
発明が解決しようとする課題
このような従来の固体撮像素子では、ゲート電極１８を
マスクとして、ｎ型領域２０を形成しているので、フォ
トダイオード部の表面に形成されたｎ型領域２０が素子
分離領域１６と接触してしまう。従って、フォトダイオ
ード部表面のｐ領域１０は電気的に素子分離領域１６の
電位（通常は接地）と同等になる。従って、信号電荷の
読み出し、蓄積動作を行なう度にフォトダイオードの電
位が振動し、それにつれて、フォトダイオードのｎ型領
域１３と表面ｎ型領域２０の接合部に形成される空乏層
の幅が変動する。暗電流の原因となる結晶欠陥は、半導
体基板表面に多いので表面ｎ型領域２０の空乏層の幅が
変化すると、そのｎ型領域２０中の結晶欠陥を発生中心
とする暗電流が増加し、また撮像素子内での暗電流にば
らつきが生じる。これを避けるためには、空乏層の幅を
小さくするか、空乏層が結晶欠陥の多い表面層に到達し
ないようにｎ型領域２０の濃度を濃（するか、接合深さ
を深くシなければならない。濃度を濃くするには、イオ
ン注入のドーズ量を増やさなければならず、これは逆に
イオン注入による結晶欠陥を増大させて、暗電流の増大
をまねく。接合深さを深くすると、相対的にフォトダイ
オードのｎ型領域１３の総不純物濃度が減少し飽和特性
が劣化する。これを避けるためにｎ型領域１３の不純物
濃度を増すと、イオン注入による結晶欠陥の増大を招く
。
マスクとして、ｎ型領域２０を形成しているので、フォ
トダイオード部の表面に形成されたｎ型領域２０が素子
分離領域１６と接触してしまう。従って、フォトダイオ
ード部表面のｐ領域１０は電気的に素子分離領域１６の
電位（通常は接地）と同等になる。従って、信号電荷の
読み出し、蓄積動作を行なう度にフォトダイオードの電
位が振動し、それにつれて、フォトダイオードのｎ型領
域１３と表面ｎ型領域２０の接合部に形成される空乏層
の幅が変動する。暗電流の原因となる結晶欠陥は、半導
体基板表面に多いので表面ｎ型領域２０の空乏層の幅が
変化すると、そのｎ型領域２０中の結晶欠陥を発生中心
とする暗電流が増加し、また撮像素子内での暗電流にば
らつきが生じる。これを避けるためには、空乏層の幅を
小さくするか、空乏層が結晶欠陥の多い表面層に到達し
ないようにｎ型領域２０の濃度を濃（するか、接合深さ
を深くシなければならない。濃度を濃くするには、イオ
ン注入のドーズ量を増やさなければならず、これは逆に
イオン注入による結晶欠陥を増大させて、暗電流の増大
をまねく。接合深さを深くすると、相対的にフォトダイ
オードのｎ型領域１３の総不純物濃度が減少し飽和特性
が劣化する。これを避けるためにｎ型領域１３の不純物
濃度を増すと、イオン注入による結晶欠陥の増大を招く
。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、 シリコン基板上
にフォトダイオード部とＣＣＤ部とを形成した固体撮像
素子において、フォトダイオード部がシリコン基板上に
形成されたｐ型ウェル領域と、そのｐ型ウェル領域の表
面に形成された埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域
と、その埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域の表面
にそのｎ型領域の周辺部を除いて形成された電気的にフ
ローティング状態にあるｎ型領域と、埋め込みフォトダ
イオード用のｎ型領域の周囲に形成された素子分離領域
とからなる構成による。
にフォトダイオード部とＣＣＤ部とを形成した固体撮像
素子において、フォトダイオード部がシリコン基板上に
形成されたｐ型ウェル領域と、そのｐ型ウェル領域の表
面に形成された埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域
と、その埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域の表面
にそのｎ型領域の周辺部を除いて形成された電気的にフ
ローティング状態にあるｎ型領域と、埋め込みフォトダ
イオード用のｎ型領域の周囲に形成された素子分離領域
とからなる構成による。
作用
本発明は上記した構成により、埋め込みフォトダイオー
ド用のｎ型領域表面に、そのｎ型領域の周辺部を除いて
、電気的にフローティングな状態でｎ型領域が設けられ
ているので、素子分離ｆｒＪ、域とは前述のｎ型領域に
よって絶縁され、フォトダイオード用のｎ型領域に蓄積
された信号電荷をＣＣＤ部に読み出す前後で３〜７ｖ、
基板側へ信号を吐き出す電子シャッターモードで使用す
る場合は、１５〜４０Ｖもフォトダイオード用のｎ型領
域の内部ポテンシャルが変動しても、表面のｎ型領域と
フォトダイオード用のｎ領域との間の電位差はｐｎ接合
のビルトインポテンシャルで一定となる。したがってど
のような動作状態でも表面のｎ型領域の空乏層の幅は小
さいままで一定である。
ド用のｎ型領域表面に、そのｎ型領域の周辺部を除いて
、電気的にフローティングな状態でｎ型領域が設けられ
ているので、素子分離ｆｒＪ、域とは前述のｎ型領域に
よって絶縁され、フォトダイオード用のｎ型領域に蓄積
された信号電荷をＣＣＤ部に読み出す前後で３〜７ｖ、
基板側へ信号を吐き出す電子シャッターモードで使用す
る場合は、１５〜４０Ｖもフォトダイオード用のｎ型領
域の内部ポテンシャルが変動しても、表面のｎ型領域と
フォトダイオード用のｎ領域との間の電位差はｐｎ接合
のビルトインポテンシャルで一定となる。したがってど
のような動作状態でも表面のｎ型領域の空乏層の幅は小
さいままで一定である。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図を参照しながら
、第２図の従来例と同一部分については同一番号を付し
て説明を省略し、本発明の特徴とする部分について説明
する。すなわち同図（ａ）、 （ｂ）は第２図（ａ）、
（ｂ）と全（同一で、第１図（ｂ）に示すように絶縁
膜１９を形成した後、同図（Ｃ）に示すようにフォトレ
ジストもしくはＣＶＤ法で６００ｎｍの厚さでシリコン
酸化膜１を形成し、同図（ｄ）に示すように、リアクテ
ィブイオンエツチングにより、平坦部に堆積したシリコ
ン酸化膜ｌを除去し、フォトダイオード周囲の段差部に
側壁絶縁膜１ａを残し、イオン注入を行わない周辺回路
の領域をフォトレジストで被覆して、同図（ｅ）に示す
ように、ボロン等のｐ型不純物をイオン注入して表面ｎ
型領域２を形成する。側壁段差部に形成したＣＶＤシリ
コン酸化膜からなる側壁絶縁膜１ａがイオン注入のマス
クとなって、側壁絶縁１１１１ ａの下部の領域にはｐ
型不純物は注入されず、ｎ型領域１３が表面に残る。ｎ
型領域２の不純物濃度は１０１８〜１０１９／ｃｊ、ｎ
型領域１３の不純物濃度は１０１６〜１．０”／ｃｊで
あるから、ビルトインポテンシャルで、ｎ型領域２に広
がる空乏層の幅は、０，１μｍ以下である。またシリコ
ン基板表面に形成される高密度の結晶欠陥は、表面から
の深さが０．１μｍ以下の浅い領域にあるので、ｎ型領
域２を形成するためのイオン注入のエネルギーとドーズ
量、アニールの熱処理は、深さが０．２μｍ程度になる
ように設定している。このｎ型領域２は、後工程の熱処
理を経ても、拡散構法がりは０．２μｍ以下であるから
、周囲の素子分離領域１６とは電気的に絶縁され、フロ
ーイング状態であるので、ｎ型領域２に広がる空乏層の
幅も０．１μｍ以下になり、従ってｎ型領域２の表面に
存在する結晶欠陥から発生する電子はｎ型領域２中でホ
ールと再結合して、素子特性を劣化させる暗電流とはな
らない。
、第２図の従来例と同一部分については同一番号を付し
て説明を省略し、本発明の特徴とする部分について説明
する。すなわち同図（ａ）、 （ｂ）は第２図（ａ）、
（ｂ）と全（同一で、第１図（ｂ）に示すように絶縁
膜１９を形成した後、同図（Ｃ）に示すようにフォトレ
ジストもしくはＣＶＤ法で６００ｎｍの厚さでシリコン
酸化膜１を形成し、同図（ｄ）に示すように、リアクテ
ィブイオンエツチングにより、平坦部に堆積したシリコ
ン酸化膜ｌを除去し、フォトダイオード周囲の段差部に
側壁絶縁膜１ａを残し、イオン注入を行わない周辺回路
の領域をフォトレジストで被覆して、同図（ｅ）に示す
ように、ボロン等のｐ型不純物をイオン注入して表面ｎ
型領域２を形成する。側壁段差部に形成したＣＶＤシリ
コン酸化膜からなる側壁絶縁膜１ａがイオン注入のマス
クとなって、側壁絶縁１１１１ ａの下部の領域にはｐ
型不純物は注入されず、ｎ型領域１３が表面に残る。ｎ
型領域２の不純物濃度は１０１８〜１０１９／ｃｊ、ｎ
型領域１３の不純物濃度は１０１６〜１．０”／ｃｊで
あるから、ビルトインポテンシャルで、ｎ型領域２に広
がる空乏層の幅は、０，１μｍ以下である。またシリコ
ン基板表面に形成される高密度の結晶欠陥は、表面から
の深さが０．１μｍ以下の浅い領域にあるので、ｎ型領
域２を形成するためのイオン注入のエネルギーとドーズ
量、アニールの熱処理は、深さが０．２μｍ程度になる
ように設定している。このｎ型領域２は、後工程の熱処
理を経ても、拡散構法がりは０．２μｍ以下であるから
、周囲の素子分離領域１６とは電気的に絶縁され、フロ
ーイング状態であるので、ｎ型領域２に広がる空乏層の
幅も０．１μｍ以下になり、従ってｎ型領域２の表面に
存在する結晶欠陥から発生する電子はｎ型領域２中でホ
ールと再結合して、素子特性を劣化させる暗電流とはな
らない。
なお、表面ｎ型領域２を形成するためのセルファライン
のイオン注入のマスクとなるＣＶＤ法による側壁絶縁膜
１ａは、本実施例においては、６００ｎｍの厚さで形成
しているが、この厚さは、ｎ型領域２の接合深さが０．
２μｍ以下であるため、周囲の素子分離領域１６と分離
するために、側壁絶縁膜１ａの厚さは接合の構法がりの
幅よりも厚くしなければならない。従って、側壁絶縁膜
１ａの厚さはＱ、２μｍ以上の厚さを必要とする。
のイオン注入のマスクとなるＣＶＤ法による側壁絶縁膜
１ａは、本実施例においては、６００ｎｍの厚さで形成
しているが、この厚さは、ｎ型領域２の接合深さが０．
２μｍ以下であるため、周囲の素子分離領域１６と分離
するために、側壁絶縁膜１ａの厚さは接合の構法がりの
幅よりも厚くしなければならない。従って、側壁絶縁膜
１ａの厚さはＱ、２μｍ以上の厚さを必要とする。
製造方法としては、表面ｎ型領域２形成時のセルファラ
インイオン注入のマスク材としては、上記に述べたよう
なＣＶＤ法によるシリコンからなる側壁絶縁膜１ａなど
の絶縁膜に限らない。
インイオン注入のマスク材としては、上記に述べたよう
なＣＶＤ法によるシリコンからなる側壁絶縁膜１ａなど
の絶縁膜に限らない。
ＣＣＤのゲート電極１８の形成後、表面安定化のため全
面に熱酸化により絶縁膜１９を形成しているので、側壁
絶縁膜１ａはイオン注入後は除去してもしなくてもフォ
トダイオードの特性は変わらないため、ポリシリコンや
金属シリサイドまたは金属などの側壁導電膜を用いてｔ
）よい。また、同株にフォトレジストやポリイミドなど
の有機膜を用いて異方性エツチングを行なって、段差部
の側壁有機膜を形成できる。有機膜の場合は、除去も容
易であり、フォトダイオードの感度向上にも有利となる
。
面に熱酸化により絶縁膜１９を形成しているので、側壁
絶縁膜１ａはイオン注入後は除去してもしなくてもフォ
トダイオードの特性は変わらないため、ポリシリコンや
金属シリサイドまたは金属などの側壁導電膜を用いてｔ
）よい。また、同株にフォトレジストやポリイミドなど
の有機膜を用いて異方性エツチングを行なって、段差部
の側壁有機膜を形成できる。有機膜の場合は、除去も容
易であり、フォトダイオードの感度向上にも有利となる
。
発明の効果
以上の実施例から明らがなように本発明は、フォトダイ
オード部が、シリコン基板上に形成されたｐ型ウェル領
域と、そのｐ型ウェル領域の表面に形成された埋め込み
フォトダイオード用のｎ型領域と、その埋め込みフォト
ダイオード用のｎ型領域の表面に、そのｎ型領域の周辺
部を除いて形成された電気的にフローテインク状態にあ
るｐ型領域と、埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域
の周囲に形成された素子分離領域とからなる構成となっ
ているので、暗電流のばらつきがより一層少なく、高画
像品質の固体撮像素子を提供できる。
オード部が、シリコン基板上に形成されたｐ型ウェル領
域と、そのｐ型ウェル領域の表面に形成された埋め込み
フォトダイオード用のｎ型領域と、その埋め込みフォト
ダイオード用のｎ型領域の表面に、そのｎ型領域の周辺
部を除いて形成された電気的にフローテインク状態にあ
るｐ型領域と、埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域
の周囲に形成された素子分離領域とからなる構成となっ
ているので、暗電流のばらつきがより一層少なく、高画
像品質の固体撮像素子を提供できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の固体撮像素
子およびその製造方法を説明するための工程断面図、第
２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の固体撮像素子およびその製
造方法を説明するための工程断面図である。 ｌａ・・・・・・側壁絶縁膜、２・・・・・・電気的に
フローティング状態にあるｐ型領域、１１・・・・・・
シリコン基板、１２・・・・・・ｐ型ウェル領域、１３
・・・・・・埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域、
１４・・・・・・ｐ型領域、１５・・・・・・ｎ型領域
、１６・・・・・・素子分離領域、１７・・・・・・ゲ
ート酸化膜、１８・・・・・・ゲート電極、１９・・・
・・・絶縁膜。
子およびその製造方法を説明するための工程断面図、第
２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の固体撮像素子およびその製
造方法を説明するための工程断面図である。 ｌａ・・・・・・側壁絶縁膜、２・・・・・・電気的に
フローティング状態にあるｐ型領域、１１・・・・・・
シリコン基板、１２・・・・・・ｐ型ウェル領域、１３
・・・・・・埋め込みフォトダイオード用のｎ型領域、
１４・・・・・・ｐ型領域、１５・・・・・・ｎ型領域
、１６・・・・・・素子分離領域、１７・・・・・・ゲ
ート酸化膜、１８・・・・・・ゲート電極、１９・・・
・・・絶縁膜。
Claims (4)
- （１）シリコン基板上にフォトダイオード部とＣＣＤ部
とを形成した固体撮像素子において、前記フォトダイオ
ード部が前記シリコン基板上に形成されたｐ型ウェル領
域と、そのｐ型ウェル領域の表面に形成された埋め込み
フォトダイオード用のｎ型領域と、その埋め込みフォト
ダイオード用のｎ型領域の表面にそのｎ型領域の周辺部
を除いて形成された、電気的にフローティング状態にあ
るｐ型領域と、前記埋め込みフォトダイオード用のｎ型
領域の周囲に形成された素子分離領域とからなる固体撮
像素子。 - （２）シリコン基板上にｐ型ウェル領域を形成する工程
と、そのｐ型ウェル領域の表面に、埋め込みフォトダイ
オード用のｎ型領域を形成する工程と、前記ｐ型ウェル
領域の表面の前記埋め込みフォトダイオード用のｎ型領
域に隣接してスミア対策用のｐ型領域を形成し、そのｐ
型領域の表面にＣＣＤ部のｎ型領域を形成する工程と、
ＣＣＤ部およびフォトダイオード部等の各素子間を電気
的に分離するための素子分離領域を形成する工程と、ゲ
ート酸化膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工
程と、前記シリコン基板の全面に絶縁膜を形成する工程
とを有する固体撮像素子の製造方法において、さらに前
記ゲート電極の側壁に２００ｎｍ以上の側壁絶縁膜を形
成する工程と、前記埋め込みフォトダイオード用のｎ型
領域の表面にそのｎ型領域の周辺部を除いて電気的にフ
ローティング状態となるｐ型領域を形成する工程とを有
する固体撮像素子の製造方法。 - （３）側壁絶縁膜に代えてポリシリコン、金属シリサイ
ド、金属などの側壁導電膜を用いた請求項２記載の固体
撮像素子の製造方法。 - （４）側壁絶縁膜に代えてフォトレジスト、ポリイミド
などの側壁有機膜を用いた請求項２記載の固体撮像素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087954A JPH03285355A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087954A JPH03285355A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285355A true JPH03285355A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13929273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087954A Pending JPH03285355A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057421A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-02-27 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087954A patent/JPH03285355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057421A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-02-27 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1034570B1 (en) | Dark current reducing guard ring | |
| JP3723124B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2848268B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH11274450A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2005072236A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206434A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2000012823A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2003101004A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH08255888A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2982206B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4561328B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH03285355A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP3326798B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3105781B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0438872A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3009118B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3176300B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4561327B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2003347537A (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN116314225A (zh) | 图像传感器及其制备方法 | |
| JP4008113B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH05315584A (ja) | 電荷転送固体撮像素子 | |
| JPH04354162A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60105382A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH08330562A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |