JPH03286520A - 結晶性半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶性半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH03286520A JPH03286520A JP8797990A JP8797990A JPH03286520A JP H03286520 A JPH03286520 A JP H03286520A JP 8797990 A JP8797990 A JP 8797990A JP 8797990 A JP8797990 A JP 8797990A JP H03286520 A JPH03286520 A JP H03286520A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は結晶性半導体薄膜の製造方法に関するちのであ
って、Ｓ○Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なしのである。
って、Ｓ○Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なしのである。
［従来の技術］
結晶性半導体薄膜の製造方法の従来例として特開昭６１
−２８８４１３号公報に記載されたものがある。第２図
（ａ）〜第２図（ｃ）に従来例の実施例を示す工程順断
面図を示す。
−２８８４１３号公報に記載されたものがある。第２図
（ａ）〜第２図（ｃ）に従来例の実施例を示す工程順断
面図を示す。
第２図（ａ）に示すように、まず石英基板７上に多結晶
Ｓ１膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、多結晶Ｓｉ膜膜上上キャップ層を構成するＳ ｉ ０
２膜８を形成した後、レーザービーム５を照射して多結
晶５ｉｔｌｉ２を溶解再結晶化させる。この結果、第２
図（Ｃ）に示すように、平坦でクランクのない単結晶Ｓ
ｉ膜９が形成されるといつちのであった。
Ｓ１膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、多結晶Ｓｉ膜膜上上キャップ層を構成するＳ ｉ ０
２膜８を形成した後、レーザービーム５を照射して多結
晶５ｉｔｌｉ２を溶解再結晶化させる。この結果、第２
図（Ｃ）に示すように、平坦でクランクのない単結晶Ｓ
ｉ膜９が形成されるといつちのであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、以上に示した従来例によれば、レーザビーム５
の照射により融解し多結晶Ｓ ｉ ｌｉ ２の熱分布は
ほぼ一定で、再結晶化は融解部分の任意の場所から進み
、実際に得られる単結晶Ｓｉ膜には複数の多結晶Ｓ１粒
が形成され、その結果粒界の位置ら十分に制御できない
という問題点を有していた。
の照射により融解し多結晶Ｓ ｉ ｌｉ ２の熱分布は
ほぼ一定で、再結晶化は融解部分の任意の場所から進み
、実際に得られる単結晶Ｓｉ膜には複数の多結晶Ｓ１粒
が形成され、その結果粒界の位置ら十分に制御できない
という問題点を有していた。
そこで、本発明においては、結晶粒界の位置を制御可能
な結晶性半導体薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
な結晶性半導体薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
［課題を解決するための手段］
本発明は、絶縁性基体上に形成した多結晶半導体膜と再
結晶化させることにより結晶性半導体薄膜を得るように
した結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性
基体上に前記多結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記
多結晶半導体膜上に溝を有する絶縁膜を積層した後、前
記多結晶半導体膜にレーザービームを照射させることに
より前記再結晶化を行う工程を含むことを特徴とする。
結晶化させることにより結晶性半導体薄膜を得るように
した結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性
基体上に前記多結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記
多結晶半導体膜上に溝を有する絶縁膜を積層した後、前
記多結晶半導体膜にレーザービームを照射させることに
より前記再結晶化を行う工程を含むことを特徴とする。
［実 施 例］
以下において、本発明の実施例を第１図（ａ）〜（Ｃ）
の工程順断面図に従って示す。
の工程順断面図に従って示す。
第１図（ａ）において、まず絶縁性基体ｌ上にＣＶＤ法
により例えば膜厚１０００人程人程多結晶Ｓｉ膜２を形
成する。
により例えば膜厚１０００人程人程多結晶Ｓｉ膜２を形
成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、上述の多結晶Ｓ１膜２
上にＣＶＤ法により、キャップ層を構成する例えば膜厚
２０００人程度０絶縁膜３を形成し、フォトリソグラフ
ィー法により絶縁膜３に薄膜化した絶縁膜の溝部４を構
成する。この絶縁膜の溝部４を構成したことにより、レ
ーザ−ビーム５照射時の熱容量がかわることになる。絶
縁膜３の厚膜部分の熱は絶縁膜の溝部４の薄膜部より熱
伝導率が低く、レーザービーム５の照射によって生した
多結晶Ｓｉ膜２の融解熱は絶縁膜３の厚膜部分に被膜さ
れた部分に集中的に残り、多結晶Ｓ１膜２内に熱勾配が
生じることになる。この結果、放熱が進むにつれて、絶
縁膜の溝部４の薄膜化された絶縁膜３直下の部分から再
結晶化が進み、温度の高い絶縁膜３の厚膜部分の直下の
方へ結晶粒が成長することになる。
上にＣＶＤ法により、キャップ層を構成する例えば膜厚
２０００人程度０絶縁膜３を形成し、フォトリソグラフ
ィー法により絶縁膜３に薄膜化した絶縁膜の溝部４を構
成する。この絶縁膜の溝部４を構成したことにより、レ
ーザ−ビーム５照射時の熱容量がかわることになる。絶
縁膜３の厚膜部分の熱は絶縁膜の溝部４の薄膜部より熱
伝導率が低く、レーザービーム５の照射によって生した
多結晶Ｓｉ膜２の融解熱は絶縁膜３の厚膜部分に被膜さ
れた部分に集中的に残り、多結晶Ｓ１膜２内に熱勾配が
生じることになる。この結果、放熱が進むにつれて、絶
縁膜の溝部４の薄膜化された絶縁膜３直下の部分から再
結晶化が進み、温度の高い絶縁膜３の厚膜部分の直下の
方へ結晶粒が成長することになる。
以上の工程の結果、第１図（ｃ）に示すように、あらか
じめ指定した位置に最ら大きな粒径を有する結晶粒をも
った再結晶Ｓ１膜６を得ることになる。また、絶縁膜３
は再結晶Ｓｉ膜６のキャップ層としての役割を有するた
めに、得られた再結晶Ｓｉ膜６は平坦でクラックら発生
しない。
じめ指定した位置に最ら大きな粒径を有する結晶粒をも
った再結晶Ｓ１膜６を得ることになる。また、絶縁膜３
は再結晶Ｓｉ膜６のキャップ層としての役割を有するた
めに、得られた再結晶Ｓｉ膜６は平坦でクラックら発生
しない。
［発明の効果］
本発明は１以上の実施例において説明したように、制御
された結晶成長位置を有し、しかも膜面の平坦度が良好
でクラックの発生もない結晶性半導体薄膜を得ることが
可能であるという効果を有する。
された結晶成長位置を有し、しかも膜面の平坦度が良好
でクラックの発生もない結晶性半導体薄膜を得ることが
可能であるという効果を有する。
第１図（ａ）〜ｒｃ）は本発明の実施例を示す工程順断
面図。 第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の結晶性半導体薄膜の製造
方法を示す工程順断面図。 ６・・・再結晶Ｓｉ膜 ７・・・石英基板 ８・・・Ｓ ｉ ０２膜 ９・・・単結晶ｓ１膜 以上
面図。 第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の結晶性半導体薄膜の製造
方法を示す工程順断面図。 ６・・・再結晶Ｓｉ膜 ７・・・石英基板 ８・・・Ｓ ｉ ０２膜 ９・・・単結晶ｓ１膜 以上
Claims (1)
- 絶縁性基体上に形成した多結晶半導体膜を再結晶化さ
せることにより結晶性半導体薄膜を得るようにした結晶
性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性基体上に
前記多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導
体膜上に溝を有する絶縁膜を積層した後、前記多結晶半
導体膜にレーザービームを照射させることにより前記再
結晶化を行う工程を含むことを特徴とする結晶性半導体
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797990A JPH03286520A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797990A JPH03286520A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286520A true JPH03286520A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13929946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8797990A Pending JPH03286520A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286520A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964890B1 (en) | 1992-03-17 | 2005-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| JP2008085318A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体膜、及び半導体装置の作製方法 |
| JP2008166738A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8797990A patent/JPH03286520A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964890B1 (en) | 1992-03-17 | 2005-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7564057B1 (en) | 1992-03-17 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an aluminum nitride film |
| JP2008085318A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体膜、及び半導体装置の作製方法 |
| JP2008166738A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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