JPH03286529A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
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- JPH03286529A JPH03286529A JP8893590A JP8893590A JPH03286529A JP H03286529 A JPH03286529 A JP H03286529A JP 8893590 A JP8893590 A JP 8893590A JP 8893590 A JP8893590 A JP 8893590A JP H03286529 A JPH03286529 A JP H03286529A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は基板の洗浄装置に関する。
［従来の技術］
半導体製造工程において、ＣＶＤ、拡散等の工程の前洗
浄、ポリシング後の洗浄等洗浄工程は全工程の３０％程
度を占め、使用される超純水についても厳しい水質が要
求される。超純水の水質としては主として比抵抗、微粒
子、生菌数、Ｔ ｏ ｃ、蒸留残渣等であり、これら水
質は半導体の集積度の高いもの程高水準が要求される。
浄、ポリシング後の洗浄等洗浄工程は全工程の３０％程
度を占め、使用される超純水についても厳しい水質が要
求される。超純水の水質としては主として比抵抗、微粒
子、生菌数、Ｔ ｏ ｃ、蒸留残渣等であり、これら水
質は半導体の集積度の高いもの程高水準が要求される。
このため通常超純水はＲ○プロセス、殺菌プロセス等を
含む超純水システムによって水質を調整された後、タン
クに貯溜され、そこからユースポイントに供給される。
含む超純水システムによって水質を調整された後、タン
クに貯溜され、そこからユースポイントに供給される。
ところで超純水の比抵抗は一般に理論純水の比抵抗に近
い値、約１８．２５ＭΩ・ｃｍであり、比抵抗値が高い
。このため、洗浄工程において、このような超純水がノ
ズルから噴射される時、純水と、ノズル、空気等との摩
擦により静電気が発生し、この静電気が直接あるいは静
電位をもった微粒子を付着させることにより半導体集積
回路を破壊するという問題があった。
い値、約１８．２５ＭΩ・ｃｍであり、比抵抗値が高い
。このため、洗浄工程において、このような超純水がノ
ズルから噴射される時、純水と、ノズル、空気等との摩
擦により静電気が発生し、この静電気が直接あるいは静
電位をもった微粒子を付着させることにより半導体集積
回路を破壊するという問題があった。
この純水による静電気の発生を防止するため、超純水を
ユースポイントに供給する際に炭酸ガスを溶解させて比
抵抗を制御し、これを半導体基板の洗浄に用いる提案が
なされている（例えば特開昭５６−１１５５３．８号公
報、実開昭６０−１２９１３０号公報）。また、本出願
人も超純水にオゾンを溶解させて比抵抗を下げる改善を
なしている（特願平１−１７６６０６号公報）。
ユースポイントに供給する際に炭酸ガスを溶解させて比
抵抗を制御し、これを半導体基板の洗浄に用いる提案が
なされている（例えば特開昭５６−１１５５３．８号公
報、実開昭６０−１２９１３０号公報）。また、本出願
人も超純水にオゾンを溶解させて比抵抗を下げる改善を
なしている（特願平１−１７６６０６号公報）。
このような炭酸ガスやオゾンを純水中に溶解するのには
、上水道水等の原水を超純水システムにより精製した超
純水に炭酸ガスやオゾン発生装置から供給された気体を
サブミクロンオーダーの微粒子を分離する薄膜型濾過材
からなるメンブランフィルタにより気体中の微量のゴミ
等のパーティクルを除去し、気泡発生を防止して溶解さ
せている。溶解にあたっては超純水の比抵抗値を測定し
ながらオゾンや炭酸ガスの供給量を調整し、フィードバ
ック制御を行っている。
、上水道水等の原水を超純水システムにより精製した超
純水に炭酸ガスやオゾン発生装置から供給された気体を
サブミクロンオーダーの微粒子を分離する薄膜型濾過材
からなるメンブランフィルタにより気体中の微量のゴミ
等のパーティクルを除去し、気泡発生を防止して溶解さ
せている。溶解にあたっては超純水の比抵抗値を測定し
ながらオゾンや炭酸ガスの供給量を調整し、フィードバ
ック制御を行っている。
［発明が解決すべき課題］
しかしながら、このような装置は超純度のクリーン状態
が要求され、特にメンブランフィルタ等高価なものを使
用しなけれなならず、装置の面でもコスト面においても
大がかりになってしまった。
が要求され、特にメンブランフィルタ等高価なものを使
用しなけれなならず、装置の面でもコスト面においても
大がかりになってしまった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、純水を用いた基板の洗浄を行っても大がかりな装
置を用いず容易に帯電を防止し、静電気による半導体集
積回路の破壊を生じない基板洗浄装置を提供することを
目的とする。
って、純水を用いた基板の洗浄を行っても大がかりな装
置を用いず容易に帯電を防止し、静電気による半導体集
積回路の破壊を生じない基板洗浄装置を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の基板洗浄装置は、洗
浄水により基板を洗浄する装置において、前記洗浄水に
より前記基板表面に生じる静電気を中和する装置を備え
たものである。
浄水により基板を洗浄する装置において、前記洗浄水に
より前記基板表面に生じる静電気を中和する装置を備え
たものである。
［作用〕
本発明は基板表面を比抵抗値の高い純水を噴射させなが
ら摩擦により洗浄する時に生じる静電気を中和させるも
のである。
ら摩擦により洗浄する時に生じる静電気を中和させるも
のである。
［実施例コ
本発明の基板洗浄装置を半導体基板洗浄装置のスクラバ
に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
図はスクラバｌの構成図であり、上水道等の原水を高純
度イオン交換樹脂や高機能膜等により精製する超純水シ
ステム２で作られた高度の超純水を貯溜したタンクか３
から流量ｒＭｎ弁Ｖ工を介して例えば数ｍｍ口径のノズ
ル４から供給される。ノズル４はスキャナ５に接続され
、水平方向に移動可能となっている。さらにスキャナ５
にはモータ６に接続され回転運動をするブラシ７が設け
られ、ブラシ７はポリフッ化エチレン系やポリエステル
製であって回転運動及び水平方向に移動できる構造とな
っている。これらのノズル４及びブラシ７の下方には基
板である半導体ウェハ８を吸着して固定載置するチャッ
ク９が設けられ、チャック９は半導体ウェハ８を例えば
１分間に数１０００回転するモータ１０に接続される。
度イオン交換樹脂や高機能膜等により精製する超純水シ
ステム２で作られた高度の超純水を貯溜したタンクか３
から流量ｒＭｎ弁Ｖ工を介して例えば数ｍｍ口径のノズ
ル４から供給される。ノズル４はスキャナ５に接続され
、水平方向に移動可能となっている。さらにスキャナ５
にはモータ６に接続され回転運動をするブラシ７が設け
られ、ブラシ７はポリフッ化エチレン系やポリエステル
製であって回転運動及び水平方向に移動できる構造とな
っている。これらのノズル４及びブラシ７の下方には基
板である半導体ウェハ８を吸着して固定載置するチャッ
ク９が設けられ、チャック９は半導体ウェハ８を例えば
１分間に数１０００回転するモータ１０に接続される。
チャック９及び半導体ウェハ８は半導体ウェハ８の搬送
時には下降してチャック９が露出して搬送が容易になる
よう垂直駆動機構（図示せず）に接続され、洗浄時には
図のように・上昇し、洗浄水が飛散しないようカップ１
１が備えられる。
時には下降してチャック９が露出して搬送が容易になる
よう垂直駆動機構（図示せず）に接続され、洗浄時には
図のように・上昇し、洗浄水が飛散しないようカップ１
１が備えられる。
このような構成のスクラバ１には本発明の特徴である基
板表面を摩擦することにより生じる静電気を中和する装
置である熱電子発生装置１２が設けられる。熱電子発生
装置１２は例えば真空管で用いられている傍熱カソード
やランプ等が用いられる。
板表面を摩擦することにより生じる静電気を中和する装
置である熱電子発生装置１２が設けられる。熱電子発生
装置１２は例えば真空管で用いられている傍熱カソード
やランプ等が用いられる。
以上のような構成のスクラバを用いた半導体ウェハの洗
浄方法を説明する。
浄方法を説明する。
カップ１１が下降し、チャック９が露出すると半導体ウ
ェハ８が単送機構によりチャック９上に載置され、吸引
されて固定され、ノズル４及びブラシ７がスキャナ５に
より半導体ウェハ８の中心部に位置するように移動され
る。ノズル４から超純水システム２で作られタンク３に
貯溜された超純水が流量調整弁■、により流量調整され
、例えば１００気圧のジェット水流として半導体ウェハ
８の表面に噴射される。そしてブラシ７がモータ６によ
り１００＝１０００ｒｐｍで回転し半導体ウェハ８もモ
ータ１０により！０００〜３０００ｒｐｍで回転されて
洗浄を行う。この時、ブラシ７がポリフッ化エチレン系
やポリエステル製のため、半導体ウェハ８の表面が摩擦
のため静電気が発生しプラスに帯電される。しかし、熱
電子発生装置１２から電子が半導体ウェハ８上に放出さ
れプラスの静電気は中和される。このため静電気による
半導体ウェハの集積回路が破壊されることはない。
ェハ８が単送機構によりチャック９上に載置され、吸引
されて固定され、ノズル４及びブラシ７がスキャナ５に
より半導体ウェハ８の中心部に位置するように移動され
る。ノズル４から超純水システム２で作られタンク３に
貯溜された超純水が流量調整弁■、により流量調整され
、例えば１００気圧のジェット水流として半導体ウェハ
８の表面に噴射される。そしてブラシ７がモータ６によ
り１００＝１０００ｒｐｍで回転し半導体ウェハ８もモ
ータ１０により！０００〜３０００ｒｐｍで回転されて
洗浄を行う。この時、ブラシ７がポリフッ化エチレン系
やポリエステル製のため、半導体ウェハ８の表面が摩擦
のため静電気が発生しプラスに帯電される。しかし、熱
電子発生装置１２から電子が半導体ウェハ８上に放出さ
れプラスの静電気は中和される。このため静電気による
半導体ウェハの集積回路が破壊されることはない。
そして、順次スキャナ５によりノズル４及びブラシ７を
外側に移動させ、半導体ウェハ８の全面の洗浄が行われ
る。
外側に移動させ、半導体ウェハ８の全面の洗浄が行われ
る。
上記の説明は本発明の一実施例の説明であって本発明は
これに限定されるものではない。熱電子発生装置も上記
のものに限らず、低温プラズマ発生装置等のプラズマ発
生装置などを用いてもよい。
これに限定されるものではない。熱電子発生装置も上記
のものに限らず、低温プラズマ発生装置等のプラズマ発
生装置などを用いてもよい。
また、ブラシも上記の形状に限らず表面の汚染物を除去
できるものならば何れのものでも構わないし、ブラシを
用いず、ただ単に純水のみを噴射させるものであっても
好適に採用することができる。
できるものならば何れのものでも構わないし、ブラシを
用いず、ただ単に純水のみを噴射させるものであっても
好適に採用することができる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように１本発明の基板洗浄装
置によれば、摩擦により生じる静電気を熱電子発生装置
により基板上にプラズマを照射することにより簡単に中
和することができる。そのため、純水に炭酸ガスやオゾ
ンを溶解するための高価な装置も不必要となり、比抵抗
値の高い純水を用いても集積回路を破壊することなく十
分な洗浄を行うことができる。
置によれば、摩擦により生じる静電気を熱電子発生装置
により基板上にプラズマを照射することにより簡単に中
和することができる。そのため、純水に炭酸ガスやオゾ
ンを溶解するための高価な装置も不必要となり、比抵抗
値の高い純水を用いても集積回路を破壊することなく十
分な洗浄を行うことができる。
図は本発明の基板洗浄装置の一実施例の構成図である。
１・・・・・スクラバ（基板洗浄装置）８・・・・・半
導体ウェハ（基板） １２・・・熱電子発生装置 （静電気を放電する装置）
導体ウェハ（基板） １２・・・熱電子発生装置 （静電気を放電する装置）
Claims (1)
- 洗浄水により基板を洗浄する装置において、前記洗浄
水により前記基板表面に生じる静電気を中和する装置を
備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02088935A JP3120992B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02088935A JP3120992B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286529A true JPH03286529A (ja) | 1991-12-17 |
| JP3120992B2 JP3120992B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=13956749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02088935A Expired - Fee Related JP3120992B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120992B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201785A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | ウェット処理方法及び処理装置 |
| US6106369A (en) * | 1997-11-11 | 2000-08-22 | Tokyo Electron Limited | Polishing system |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04157095A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-29 | Ishigaki Mech Ind Co | スクリュープレス |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP02088935A patent/JP3120992B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201785A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | ウェット処理方法及び処理装置 |
| US6106369A (en) * | 1997-11-11 | 2000-08-22 | Tokyo Electron Limited | Polishing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3120992B2 (ja) | 2000-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |