JPH03286541A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH03286541A
JPH03286541A JP2088754A JP8875490A JPH03286541A JP H03286541 A JPH03286541 A JP H03286541A JP 2088754 A JP2088754 A JP 2088754A JP 8875490 A JP8875490 A JP 8875490A JP H03286541 A JPH03286541 A JP H03286541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
protective film
film
protection film
bonding pad
Prior art date
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Pending
Application number
JP2088754A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumasa Kurata
倉田　勝正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2088754A priority Critical patent/JPH03286541A/ja
Publication of JPH03286541A publication Critical patent/JPH03286541A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に、そのパッド構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置において用いられているパッドの構造
は第３図（ａ）　、　（ｂ）に示すように、半導体基板
１上に絶縁Ｍ２があり、その上にアルミ３と保護膜４と
がある。ボンディング領域７では保護膜４は除去されて
いる。絶縁膜２は通常シリコン酸化膜が用いられる。ま
た、保護膜４はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、また
はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の混合膜のようなも
のが用いられる。
従って、これらの保護膜は硬く、曲げに対する応力に対
して弱いものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来、このパッド構造においては、第３図ｆａ）に破線
で示すボンディング部分６が中心からずれて保護Ｍ４上
にかかった場合、ボンディング時の応力により保護膜４
にひび割れ５が生じる確率が高くなる。このようなひび
割れ５が生じた場合、ひびｖＪｔ′した場所から水分等
が浸入し、アルミ溶けが生じる。アルミ溶けにより＠線
に至ると、動作不良となり、極めて重大な問題となる。
このように保護膜のひび割れにより耐湿性が劣化すると
いう問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置を提供す
ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を遠戚するため、本発明に係る半導体装置にお
いては、半導体基板と、絶縁膜と、アルミと、保護膜と
を有する半導体装置であって、半導体基板上に、絶縁膜
と、アルミと、保護膜とが順に積層され、保護膜の一部
を除去してその下層のアルミを露出させてボンディング
パッドが形成されており、 さらに、ボンディングパッドの全周囲を、保護膜上に設
けた溝により囲んだものである。
また、本発明に係る半導体装置においては、半導体基板
と、絶縁膜と、アルミと、保護膜とを有する半導体装置
であって、 半導体基板上に、絶縁膜と、アルミと、保護膜とが順に
積層され、保護膜の一部を除去してその下層のアルミを
露出させてホンディングパッドが形成されており、 さらに、ボンディングパッドの周囲を、保護膜上に設け
た溝により部分的に囲んだものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ′断面図である６図にお
いて、半導体基板１上に絶縁膜２があり、その上にアル
ミ３と保護膜４がある。アルミ３が露出している部分が
ボンディング領域７である。
ボンディング領域７のボンディングパッド７ａは矩形で
あり、その周囲のｇＡ護膜４に矩形の消４ａが作られて
いる。この実施例の場合は保護１１！４が蛇腹のような
断面構造になっているため、ホンディング時の応力が保
護膜４の一部分に集中することなく分散されるので、ひ
び割れが生じにくくなる。
（実施％Ｊ２＞ 第２図（ａ）は本発明の実施例２を示す平面図、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
図において、半導体基板１上に絶縁膜２があり、その上
にアルミ３と保護膜４がある。アルミ３が露出している
部分がボンディング領域７である。
ボンディング領域７のボンディングパッド７ａは円形で
あるので、保護Ｍ４上の漬４ａはリング状となる。従っ
て、？１１４ａの部分に加わる応力は実施例１の矩形状
のものとは異なり、溝４ａの位置による応力の差は軽減
される。
尚、実施例では、ボンディングパッド７ａの全周囲を保
護膜４の消４ａにより囲んだ場合について説明したが、
部分的に囲んでも同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はパッドの周囲の保護膜に講
を設けることにより、ボンディング時に保護膜に加わる
応力を分散でき、ひび割れを生じにくくすることが可能
となり、従って、ひび割れによる耐湿性の劣化を防ぐこ
とができる。また、従来ひび割れの問題でパッドサイズ
の縮小化が見送られていたが、本発明によりパッドサイ
ズの縮小化も可能となり、半導体チップの縮小化を実現
できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、第１図
ｆｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ　’線断面図、第２図は
本発明の実施例２を示す断面図、第２図（ｂ）は第２図
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、第３図（ａ）は従来例を示
す平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ′線断
面図である。 １・・・半導体基板　　　　２・・・絶縁膜３・・・ア
ルミ　　　　　　４・・・保護膜４ａ・・・溝　　　　
　　　７・・・ボンディング領域７ａ・・・ボンディン
グパッド 特 許 出 願 人 日 本 気 株 式 ％式％） （） （）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板と、絶縁膜と、アルミと、保護膜とを
    有する半導体装置であつて、 半導体基板上に、絶縁膜と、アルミと、保護膜とが順に
    積層され、保護膜の一部を除去してその下層のアルミを
    露出させてボンディングパッドが形成されており、 さらに、ボンディングパッドの全周囲を、保護膜上に設
    けた溝により囲んだことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）半導体基板と、絶縁膜と、アルミと、保護膜とを
    有する半導体装置であって、 半導体基板上に、絶縁膜と、アルミと、保護膜とが順に
    積層され、保護膜の一部を除去してその下層のアルミを
    露出させてボンディングパッドが形成されており、 さらに、ボンディングパッドの周囲を、保護膜上に設け
    た溝により部分的に囲んだことを特徴とする半導体装置
    。
JP2088754A 1990-04-03 1990-04-03 半導体装置 Pending JPH03286541A (ja)

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JP2088754A JPH03286541A (ja) 1990-04-03 1990-04-03 半導体装置

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JP2088754A JPH03286541A (ja) 1990-04-03 1990-04-03 半導体装置

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JPH03286541A true JPH03286541A (ja) 1991-12-17

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6787909B2 (en) 2001-03-30 2004-09-07 Fujitsu Quantum Devices Limited High frequency semiconductor device
JP2008218553A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2013115054A (ja) * 2011-11-24 2013-06-10 Rohm Co Ltd 半導体チップおよび半導体パッケージ
US12543576B2 (en) * 2021-07-16 2026-02-03 Denso Corporation Semiconductor device

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